JPS6133556A - メモリの書込み保護方式 - Google Patents

メモリの書込み保護方式

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Publication number
JPS6133556A
JPS6133556A JP15466184A JP15466184A JPS6133556A JP S6133556 A JPS6133556 A JP S6133556A JP 15466184 A JP15466184 A JP 15466184A JP 15466184 A JP15466184 A JP 15466184A JP S6133556 A JPS6133556 A JP S6133556A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
gate
writing operation
address
data
Prior art date
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Pending
Application number
JP15466184A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuaki Kusune
数明 楠根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP15466184A priority Critical patent/JPS6133556A/ja
Publication of JPS6133556A publication Critical patent/JPS6133556A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマイクロ・プロセッサを用いた電子装置に係わ
り、特にバッテリのバックアップで記録保護した揮発性
のランダム・アクセス・メモリ(以下RAMと称する)
の書込み保護方式に関する。
近年、あらゆる産業にマイクロ・プロセッサを用いた電
子装置が普及している。該電子装置の動作は一般にはリ
ード・オンリ・メモリ(ROM)に格納されているプロ
グラムにより実行されるが。
収集したデータ、データ処理中の途中結果等のデータは
読出し/書込み(以下R/Wと称する)可能な揮発性R
AMに一時格納されている。
一方、電子装置の固有なデータ、例えばファクシミリ装
置における発信元コード・短縮ダイヤルコード・機番等
の装置固有のデータが必要な装置にあっては、上記デー
タをROMの代わりに、記録の容易なRAMに格納しパ
ンテリで記録保護する方式が多く採用されている。
以上のようにデータ保護を必要とする電子装置において
は該RAMをバッテリ・バックアップして記憶保護を実
施するとともに、マイクロ・プロセッサ暴走等による誤
更新の保護が必要であり。
簡易なメモリ書込み保護方式が要望されている。
〔従来の技術〕
マイクロ・プロセッサを用いた電子装置における従来の
続出し/書込み動作′(以下R/W動作と称する)を以
下説明する。
第2図(a)はマイクロ・プロセッサ(以下MPUと称
する)のRAMに対するR/W動作を表すブロック図で
ある。
第2図fatにおいて、1ば8ビツトMPUであって、
DO−D7はデータ入出力端子、AO〜A15はアドレ
ス端子、R/Wは読出し/書込み制御出力端子、Eは上
記データの有効を表し、メモリ2のR/W動作を制御す
るイネーブル出力端子である。
2はバッテリ13で記録保護された2000語容量のス
タティック・メモリであって、*OEはR(読出し)動
作時、ゲート5で作成され入力される* (R/WとE
との論理積〕信号によりメモリ2の出力データを制御す
る入力端子、*WEはW(書込み)動作時、インバータ
3およびゲート4で作成され入力される* (*R/W
とEとの論理積〕信号により入力データを制御する入力
端子。
*C3は上位5ビツトのアドレスによりアドレス・デコ
ーダ6を通じてメモリ2を選択するチップ・セレクト入
力端子である。
なお上記信号において、*は信号の逆論理を表す。
以上によりMPUIはプログラムに従いメモリ2をアク
セスすることが出来る。
次にR/W動作を第2図(al、 (blを用いて説明
する。
第2図中)はR動作のタイム・チャートであって。
Tb) −illはメイン・クロック、 (b)−+2
)は読出すべきデータを格納しているメモリのアドレス
を指定するアドレス信号(AO〜AIOの出力信号) 
、 (bl−(3)はR動作およびMPUIの出力した
アドレス信号の有効期間を指定し3メモリ2のデータ出
力のゲートを開く信号(*OE)、(bl−(4+はア
ドレスの上位ビットをデコードして該メモリ・チップを
指定する信号で、メモリ・チップが2000語より構成
される場合は16ビツト中上位5ビット(A11〜A1
5)が用いられる。(b) −(51は指定されたメモ
リより送出されるデータ(D O−D 7)である。上
記各信号の有効期間中、クロックに同期した時刻t1で
該データがMPUIによって読み取られる。
第2図(C)はメモリ2のW動作のタイム・チャートで
あって、 (C1−(11はメイン・クロック、 (e
) −(2)は書き込むべきメモリ2のアドレス(AO
〜A10 ’) 、 (C1−(3)はW動作における
アドレス有効期間を示す信号(*WE) 、 (c)−
(+)は書き込むべきデータ(DO〜D7)であって9
時刻t2においてメモリ2に書き込まれる。
バッテリ・バックアップは例えば第2図(a)に示すよ
うに、メモリ2に印可される+5■を電圧検出器11で
監視し、メモリ2が外部アクセスし得ない電圧範囲を逸
脱した時、切換器12を動作してバッテリ13をメモリ
2に接続して行う、なおこのとき電圧検出器11の出力
はメモリ2の*C3端子の入力をゲート16により禁止
している。
以上のように、バッテリ・バックアップされたRAMに
、収集したデータまたは電子装置固有のデータが書き込
まれ、記録保護が行われて、必要に応じて読み出される
〔発明が解決しようとする問題点3 以上説明したように、記録保護を目的としてバッテリ・
バックアップを必要とするRAMにおいては、格納され
たデータの誤更新を防止すること        2゛
−□は必須であるが、上記従来のR/W方式ではMPU
の暴走等による該メモリの誤更新は防止出来ない問題点
があった。
C問題点を解決するための手段〕 上記従来の問題点は、タイマーを起動する手段と、上記
タイマーの動作中以外は該メモリの書込みを禁止する手
段とを有し、該メモリの書込みに際して、前記タイマを
起動させ、タイマ起動中に該メモリにアクセスして記録
更新を行う本発明のメモリの保護方式によって解決され
る。
(作用〕 上記本発明によれば、バックアンプメモリにW動作を行
う際、W動作時間のみ該メモリのゲートを開いてW動作
を行い、他の動作時間にはゲートが閉じて書込みを禁止
するため、MPUの暴走等による誤アクセスが生じても
該メモリの誤更新が保護される効果がある。
〔実施例〕
本発明の実施例を図を用いて説明する。
第1図(司は実施例の構成を表すブロンク図、第1図(
b)は書込み禁止動作を表すタイム・チャートである。
なお全図を通じて同一記号は同一対象物を表す。
第1図(alにおいて、1は8ピツ)MPUであって、
、DO−D7はデータ入出力端子、AO−A15はアド
レス端子、R/Wは読出し/書込み制御出力端子、Eは
1記データの有効を表し、メモリ2のR/W動作を制御
するイネーブル出力端子である。
゛  2は2000語容量の1チンプスタテインク・メ
モリであって、*OEはR動作を制御するイネーブル線
の入力端子、  *WEはW動作を制御するイネーブル
線の入力端子、*CSは上位5ビツトのアドレスをアド
レス・デコーダ6の出力により該メモリ・チップを選択
するチップ・セレクト入力端子である。
以上の構成において、ゲート8が開いている時は第2図
18)に示すブロック図と同一であり、MPU1は前述
のごとくメモリ2をアクセスすることができる。
メモリ・バンクアップについても前述したように、電圧
検出器11によりメモリ゛2に印可している電圧を監視
し、該電圧がメモリ保持に必要な電圧範囲を逸脱した場
合は、切換器12を動作させてパンテリ13に切換える
以上のMPU−R/W回路において1本発明はメモリ2
のW動作時のみゲート8を開き、所定のW動作を行うも
のであって、第1図(a)に示すタイマー15.タイマ
ー15を起動するアドレス・デコーダ14およびインバ
ータ7、タイマー動作中。
メモリ2の*WE信号を禁止するゲート8より構成され
る。
タイマー15において、10は32進カウンタで、出力
QO,Ql、Q2.Q3.Q4はそれぞれ0,0,0,
0.1にプリセットされていてゲート9の入力即ちイネ
ーブル信号Eは禁止され。
カウンタ10は停止している′。
いまアドレス・デコーダ14の出力があるとカウンタ1
0はリセットされ、C4が0となってゲート9が開き、
クロック端子CLKにイネーブル信号Eが入力されて2
イネ一ブル信号Eのカウントを開始する。
イネーブル信号Eを16カウントする間ゲート8が開く
ため、この期間に所定のW動作を行う。
イネーブル信号を16カウントした後は再びC4が1と
なりゲート8および9が閉じて、W動作が禁止される。
アドレス・デコーダ14を動作するためにはW動作を開
始するに先立ち、指定のアドレス(以下KEY番地とす
る)をMPUIがアクセスする。
例えば、置数命令または格納命令等を用いてKEY番地
をアクセスすると、アドレス・デコーダ14は所定のア
ドレスをデコードしてカウンタ10をリセットする。
以上の動作を説明するタイム・チャートを第1図中)に
示す。第1図山)において、(1)はタイマに入力する
クロック、(2)はアドレス信号、(3)はイネーブル
信号E、(4)はカウンタ動作期間を表す図、(5)は
C4の出力を表す。ここでT1は指定のアドレスをアク
セスする期間、T2はW動作可能期間を表す。
第1図(C1はプログラム指定によるW動作のフロー・
チャートである。上記カウンタはIW動作に必要なサイ
クルとして16進をもちいているため。
W動作ごとに置数命令でKEY番地をアクセスしてW動
作禁止を解除し、続いてW動作を行う。
以上によりバックアップメモリのW動作中を除く期間に
おけるマイクロ・プロセッサの暴走等による誤更新が防
止出来る。
(発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、バンクアップメモ
リをアクセスするとき、キーとなるアドレスをアクセス
した後、該メモリのW動作を可能とするため、マイクロ
・プロセッサの暴走等によるメモリアクセスが生じても
W動作が禁止されているため、誤更新が避けうる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明の構成を表すブロック図。 第1図tb)は本発明の動作を表すタイム・チャート第
1図(C1はプログラム指定によるW動作を表すフロー
・チャート。 第2図(alは従来の技術を説明するブロック図。 第2図(b)はR動作のタイム・チャート。 第2図(C1はW動作のタイム・チャート。 である。図中。 1はマイクロ・コンピュタ。 2はメモリ。 8はW動作禁止用ゲート 9はカウンタ・イネーブル用ゲート。 10はカウンタ。 11は電圧検出器。 12は切換器。 13はバッテリ。 14はアドレス・デコーダ。 15はタイマーである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 記録保護され書込み保護されたメモリへの書込み方式で
    あつて、タイマーを起動する手段と、上記タイマーの動
    作中以外は該メモリの書込みを禁止する手段とを有し、
    該メモリの書込みに際して、前記タイマを起動させ、タ
    イマ起動中に該メモリにアクセスして記録更新を行うこ
    とを特徴とするメモリの書込み保護方式。
JP15466184A 1984-07-25 1984-07-25 メモリの書込み保護方式 Pending JPS6133556A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62211755A (ja) * 1986-03-12 1987-09-17 Fujitsu Denso Ltd 記憶手段のための誤デ−タ書込み防止回路
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