JPS6133134A - １，４−ジアルキルベンゼンの製造方法 - Google Patents
１，４−ジアルキルベンゼンの製造方法Info
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- JPS6133134A JPS6133134A JP15304984A JP15304984A JPS6133134A JP S6133134 A JPS6133134 A JP S6133134A JP 15304984 A JP15304984 A JP 15304984A JP 15304984 A JP15304984 A JP 15304984A JP S6133134 A JPS6133134 A JP S6133134A
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- dialkylbenzene
- monoalkylbenzene
- crystalline borosilicate
- Prior art date
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、各種機能性ポリマーの出発原料として有用な
１，４−ジアルキルベンゼンを選択的に製造する方法に
関するものである。
１，４−ジアルキルベンゼンを選択的に製造する方法に
関するものである。
（従来の技術）
結晶性ボロシリケートを用いる１、４−ジアルキルベン
ゼンの選択的製造法に関しては、近年、結晶性アルミノ
シリケー）ＺＳＭ−５類似のボロシリケートをマグネシ
ウムやカルシウムの酸化物で処理した触媒を用いるトル
エンとメタノールからのパラキシレンの製造法（％開昭
５９−７３０４８号参照）や、本発明者らが先に％許出
願した結晶性ポロシリケートムＺ−２’ｉ用するアルキ
ル化法（特願昭５９−８４）６８号）などが知られてい
る。
ゼンの選択的製造法に関しては、近年、結晶性アルミノ
シリケー）ＺＳＭ−５類似のボロシリケートをマグネシ
ウムやカルシウムの酸化物で処理した触媒を用いるトル
エンとメタノールからのパラキシレンの製造法（％開昭
５９−７３０４８号参照）や、本発明者らが先に％許出
願した結晶性ポロシリケートムＺ−２’ｉ用するアルキ
ル化法（特願昭５９−８４）６８号）などが知られてい
る。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら４２８Ｍ−５類似の結晶性ボロシリケート
を用いる方法や、結晶性ボロシリケートＡＺ−２１−用
いる方法は、確かに１，４一体の選択率は、平衡組成の
３０−に比べてかなり高く、９０チに達するものもある
が、９５％以上という極めて高い選択率の実現は困離で
あった。
を用いる方法や、結晶性ボロシリケートＡＺ−２１−用
いる方法は、確かに１，４一体の選択率は、平衡組成の
３０−に比べてかなり高く、９０チに達するものもある
が、９５％以上という極めて高い選択率の実現は困離で
あった。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、９５−以上という極めて高い選択率を有
する触媒を開発すべく鋭意検討を重ねた結果、結晶性ボ
ロシリケートをケイ酸エステルで処理した触媒を用ｋａ
ると、七ノアルキルベンゼンから９５−以上という非常
に高い選択率で１，４−ジアルキルベンゼンが得られる
ことを見い出し、本発明を完成するに至りた。
する触媒を開発すべく鋭意検討を重ねた結果、結晶性ボ
ロシリケートをケイ酸エステルで処理した触媒を用ｋａ
ると、七ノアルキルベンゼンから９５−以上という非常
に高い選択率で１，４−ジアルキルベンゼンが得られる
ことを見い出し、本発明を完成するに至りた。
すなわち、本発明は、七ノアルキルベンゼンを気相にお
いて１，４−ジアルキルベンゼンに転化ｆる際に、結晶
性ボロシリケートをケイ酸エステル含有ガスで処理した
後、酸素含有ガス中で焼成するととくよって少なくとも
０．１重量−のシリカを担持した触媒を用いる仁とｔ−
特徴とする１、４−ジアルキルベンゼンの製造法を提供
するものである。
いて１，４−ジアルキルベンゼンに転化ｆる際に、結晶
性ボロシリケートをケイ酸エステル含有ガスで処理した
後、酸素含有ガス中で焼成するととくよって少なくとも
０．１重量−のシリカを担持した触媒を用いる仁とｔ−
特徴とする１、４−ジアルキルベンゼンの製造法を提供
するものである。
本発Ｆ！ＡＫ用いられる結晶性ボロシリケートとは、例
えば特開昭５５−７５９８号や特開昭５４−８４Ｍ１３
号に示される結晶性アルミノシリケー）２８Ｍ−５類似
のボロシリケートや、本発明者らが先に見い出したＸ線
回折図において下表のＸ線回折パターンを有する結晶性
ポロシリケートムｚ−２（特願昭５９−８４）６８号）
などが挙げられるが、中でも４ＦＫ好ましいのは、結晶
性ポロシリケートムＺ−２である。
えば特開昭５５−７５９８号や特開昭５４−８４Ｍ１３
号に示される結晶性アルミノシリケー）２８Ｍ−５類似
のボロシリケートや、本発明者らが先に見い出したＸ線
回折図において下表のＸ線回折パターンを有する結晶性
ポロシリケートムｚ−２（特願昭５９−８４）６８号）
などが挙げられるが、中でも４ＦＫ好ましいのは、結晶
性ポロシリケートムＺ−２である。
ただし、Ｘ線回折分析はＣｕＫａ線を用いて測定する。
本発ｑＫ用いられるケイ酸エステルとは、ケイ酸メチル
、ケイ酸エチル、ケイ酸ｎ−プロピル、ケイ酸ｊ＠ｏ−
プロピル、ケイ酸ｎ−ブチル、ケイ酸ｊｅｒｔ−ブチル
などが挙げシれるが、％に好ましいのは一ケイ酸メチル
、ケイ酸エチルである。これらのケイ酸エステルはその
まま、または適当な希釈剤を用いてガス状で用いられる
が、その際のケイ酸エステルの濃度は１〜１００容量チ
、好ましくは５〜１００容量−である、ま友、希釈剤と
しては、窒素、ヘリウム、アルゴン、空気、水蒸気等を
周込ることができるが、好ましいのは窒素である。
、ケイ酸エチル、ケイ酸ｎ−プロピル、ケイ酸ｊ＠ｏ−
プロピル、ケイ酸ｎ−ブチル、ケイ酸ｊｅｒｔ−ブチル
などが挙げシれるが、％に好ましいのは一ケイ酸メチル
、ケイ酸エチルである。これらのケイ酸エステルはその
まま、または適当な希釈剤を用いてガス状で用いられる
が、その際のケイ酸エステルの濃度は１〜１００容量チ
、好ましくは５〜１００容量−である、ま友、希釈剤と
しては、窒素、ヘリウム、アルゴン、空気、水蒸気等を
周込ることができるが、好ましいのは窒素である。
これらのケイ酸エステル含有ガスで結晶性ボロシリケー
トを処理する温度は、ケイ酸エステルを気相に保持でき
る温度であれば！Ｆ＃に制限はないが、通常１００〜５
ｏｏＣ，好ましくは２００〜４００Ｃの範囲で行なわれ
る。さらに、これらのケイ酸エステル含有ガスで処理す
る際の圧力も、ケイ酸エステル管気相に保持できる圧力
であれば特に制限はなく、減圧、常圧、加圧いずれでも
よい。
トを処理する温度は、ケイ酸エステルを気相に保持でき
る温度であれば！Ｆ＃に制限はないが、通常１００〜５
ｏｏＣ，好ましくは２００〜４００Ｃの範囲で行なわれ
る。さらに、これらのケイ酸エステル含有ガスで処理す
る際の圧力も、ケイ酸エステル管気相に保持できる圧力
であれば特に制限はなく、減圧、常圧、加圧いずれでも
よい。
さらに１ケイ酸エステル含有ガスで処理した結晶性ボロ
シリケートは、酸素含有ガス中で焼成する必要があるが
、その際のガス中の酸素ａｌｔは５〜１００容量−１好
ましくは１０−３０容量−であル、通常は空気が用いら
れる。また、この焼成時の温度は５００・〜７００’Ｃ
，好ましくは３５０〜６００ｃの範囲である。
シリケートは、酸素含有ガス中で焼成する必要があるが
、その際のガス中の酸素ａｌｔは５〜１００容量−１好
ましくは１０−３０容量−であル、通常は空気が用いら
れる。また、この焼成時の温度は５００・〜７００’Ｃ
，好ましくは３５０〜６００ｃの範囲である。
このようＫして結晶性ボロシリケートをケイ酸エステル
で処理することＫより担持されるシリカの量は、もとの
結晶性ボロシリケートに対して少なくとも０．１重量％
であル、好ましくは０．５〜１０重量％である。担持量
が非常に少ない場合には、１，４一体の選択率を向上さ
せる効果が小さく、逆に多過ぎると１，４一体の選択率
は極めて高くなるが、活性が著しく低下する。
で処理することＫより担持されるシリカの量は、もとの
結晶性ボロシリケートに対して少なくとも０．１重量％
であル、好ましくは０．５〜１０重量％である。担持量
が非常に少ない場合には、１，４一体の選択率を向上さ
せる効果が小さく、逆に多過ぎると１，４一体の選択率
は極めて高くなるが、活性が著しく低下する。
本発明に用いられるモノアルキルベンゼンとは、炭素数
が１〜３のアルキル基を有するモノアルキルベンゼンで
アシ、具体的には、トルエン、エチルベンゼン、イング
ロビルベンゼン等が挙げられる。
が１〜３のアルキル基を有するモノアルキルベンゼンで
アシ、具体的には、トルエン、エチルベンゼン、イング
ロビルベンゼン等が挙げられる。
本発明における１、４−ジアルキルベンゼントハ、バラ
ｄｔシレン、バラエチルトルエン、パラジエチルベンゼ
ン、パラジイソグロビルベンゼン、パラシメン等が挙け
られる。
ｄｔシレン、バラエチルトルエン、パラジエチルベンゼ
ン、パラジイソグロビルベンゼン、パラシメン等が挙け
られる。
このモノアルキルベンゼンからの１，４−ジアルキルベ
ンゼンの製造には、アルコールやオレフィンを用いるア
ルキル化反応とモノアルキルベンゼン単独からの不均化
反応がある。アルキル化反応の場合に用いられるアルコ
ールとしては、メタノール、エタノール、ｎ−ま九は１
ｓｏ−グロパノールが、オレフィンとしては、エチレン
、プロピレンなどが挙げられる。
ンゼンの製造には、アルコールやオレフィンを用いるア
ルキル化反応とモノアルキルベンゼン単独からの不均化
反応がある。アルキル化反応の場合に用いられるアルコ
ールとしては、メタノール、エタノール、ｎ−ま九は１
ｓｏ−グロパノールが、オレフィンとしては、エチレン
、プロピレンなどが挙げられる。
本発明を実施するに当シ、反応温度は反応原料と反応の
種類によって異なるが、反応系を気相に保つためＫ、少
なくと４２００ｃの温度が必要であり、また、７００Ｃ
以上の温度では選択性が極めて低くなるので、好ましい
温度として通常３ｏ。
種類によって異なるが、反応系を気相に保つためＫ、少
なくと４２００ｃの温度が必要であり、また、７００Ｃ
以上の温度では選択性が極めて低くなるので、好ましい
温度として通常３ｏ。
〜６００Ｃの範囲が用いられる。さらに、反応圧力は減
圧、常圧、加圧のいずれでもよく、反応方式としては、
固定床や流動床などの流通方式が好ましい。
圧、常圧、加圧のいずれでもよく、反応方式としては、
固定床や流動床などの流通方式が好ましい。
（発明の効果）
本発明の方法によれば、従来の結晶性ボロシリケートを
そのまま触媒として用いる方法に比べて、１．４一体の
選択率が極めて高くなる。このことは、工業的に実施す
る際に極めて有利になる。
そのまま触媒として用いる方法に比べて、１．４一体の
選択率が極めて高くなる。このことは、工業的に実施す
る際に極めて有利になる。
（実施例）
実施例１
１．８−ジアミノ−４−アミノメチルオクタン２０ｔ、
ホウ酸（Ｈ，ＢＯ，） ０．５ ？ 、水酸化ナトリウ
ム１ｆを水５４ｆＫ溶かし、さらに１シリカゾル（３０
重量％Ｓｉｎ、 ） ４０ ｔｆ：加えて均質な溶液を
得た。
ホウ酸（Ｈ，ＢＯ，） ０．５ ？ 、水酸化ナトリウ
ム１ｆを水５４ｆＫ溶かし、さらに１シリカゾル（３０
重量％Ｓｉｎ、 ） ４０ ｔｆ：加えて均質な溶液を
得た。
この溶液に５かきまぜながら２０−硫酸８ｔを滴下して
、均質なゲルを得た。さらに、このゲルをホモジナイザ
ー中で１１０００Ｏｒｐで高速攪拌した後、テフロン内
張力耐圧容器中で１８０ｃ、７０時間靜装して結晶化を
行った。
、均質なゲルを得た。さらに、このゲルをホモジナイザ
ー中で１１０００Ｏｒｐで高速攪拌した後、テフロン内
張力耐圧容器中で１８０ｃ、７０時間靜装して結晶化を
行った。
得られ友生成物ｔ−濾過洗浄し几後、１２０Ｃ’で５時
間乾燥して、さらに５００Ｃで６時間空気中で焼成した
後のＸ線回折パターンを第１図に”示す。
間乾燥して、さらに５００Ｃで６時間空気中で焼成した
後のＸ線回折パターンを第１図に”示す。
また、焼成後の生成物を０．５Ｎ塩酸中で２４時間イオ
ン交換して一過、洗浄した後、１２０Ｃで４時間乾燥、
５００Ｃで４時間空気中で焼成し友後、化学分析よシ求
めたＳｉＯ＠／Ｂ＊Ｏｍモル比は３０であった。
ン交換して一過、洗浄した後、１２０Ｃで４時間乾燥、
５００Ｃで４時間空気中で焼成し友後、化学分析よシ求
めたＳｉＯ＠／Ｂ＊Ｏｍモル比は３０であった。
この結晶性ボロシリケート１０３Ｆ−ｉ１０〜２０メツ
シュに成型したものを、ガラス裏反応管に充填して、２
０容量−のケイ酸エチルを含む窒素ガｘ′ｆｔ３００Ｃ
，ＢＹ−１０００ｈｒ−”で２０分間流した。その後、
温度を５ｏｏＣＫ上げ、空気を流しながら２時間焼成を
行った。
シュに成型したものを、ガラス裏反応管に充填して、２
０容量−のケイ酸エチルを含む窒素ガｘ′ｆｔ３００Ｃ
，ＢＹ−１０００ｈｒ−”で２０分間流した。その後、
温度を５ｏｏＣＫ上げ、空気を流しながら２時間焼成を
行った。
この結果、得られた触媒の重量分析から得られたシリカ
担持量は１．３重量−であった。 −この触媒ヲ用
すて、エチルベンゼンとエチレンからのジエチルベンゼ
ンの合成反応を行つ次。実験条件ハ、エチルベンゼン転
化率レ７ モル比３，０、触媒量２ ｆ 、 ＷＨＢＶ
４．Ｏｈｒ’−１、反応温ｒｔｓ ｓ ａＣ１常圧で
行った。
担持量は１．３重量−であった。 −この触媒ヲ用
すて、エチルベンゼンとエチレンからのジエチルベンゼ
ンの合成反応を行つ次。実験条件ハ、エチルベンゼン転
化率レ７ モル比３，０、触媒量２ ｆ 、 ＷＨＢＶ
４．Ｏｈｒ’−１、反応温ｒｔｓ ｓ ａＣ１常圧で
行った。
反応開始後、２〜３時間の成績は、エチルベンゼン転化
率２２％、ジエチルベン（ン選択皐９６チ、ジエチルベ
ンゼン中のバラ体の割合９７−であつ穴。
率２２％、ジエチルベン（ン選択皐９６チ、ジエチルベ
ンゼン中のバラ体の割合９７−であつ穴。
実施例２
実施例１で得られた触媒葡用いて、トルエンとエチレン
からのエチルトルエンの合成反応を行つｙｔ、 実験条
件は、トルエン／エチレｙ ／ Ｈｔモル比６ ／ １
／ ５、ＷＨＢＶ ４．Ｏｈｒ−”、圧力４．Ｏｋｇ
／ｃＩｉ。
からのエチルトルエンの合成反応を行つｙｔ、 実験条
件は、トルエン／エチレｙ ／ Ｈｔモル比６ ／ １
／ ５、ＷＨＢＶ ４．Ｏｈｒ−”、圧力４．Ｏｋｇ
／ｃＩｉ。
反応温度４００Ｃで行った。
反応開始後、２〜５時間、２０〜２１時間の成績を表１
に示す。
に示す。
表 １
実施例３
実施例１で得られ次触媒を用いて、トルエンの不均化反
応を行った。実験条件は、馬／トルニジモル比６．０、
ＷＨＢＶ ２．Ｏｈｒ−’、反応温１Ｅ５００Ｃ１圧力
１０ｋＩＩ／ｃｓＥで行った。
応を行った。実験条件は、馬／トルニジモル比６．０、
ＷＨＢＶ ２．Ｏｈｒ−’、反応温１Ｅ５００Ｃ１圧力
１０ｋＩＩ／ｃｓＥで行った。
反応開始後、２〜Ｓ時間と２０〜２１時間の成績を表２
に示す。
に示す。
表 ２
実施例４
実施例１で得られた触媒を用いて、トルエンとメタノー
ルからのキシレン合成反応を行つ次。実験条件は、トル
エン／メタノールモル比４ 、 ＷＨＢＶ４、Ｏｈｒ−
重、反応温度５００ Ｇ、常圧で行つ九。
ルからのキシレン合成反応を行つ次。実験条件は、トル
エン／メタノールモル比４ 、 ＷＨＢＶ４、Ｏｈｒ−
重、反応温度５００ Ｇ、常圧で行つ九。
反応開始後、２〜５時間の成績は、トルエン転化率２０
％、キシレン選択率９５嗟、キシレン中の異性体組成は
、ｐ一体９５チ、ｍ一体４チ、Ｏ一体１−であった。
％、キシレン選択率９５嗟、キシレン中の異性体組成は
、ｐ一体９５チ、ｍ一体４チ、Ｏ一体１−であった。
実施例５
実施例１で得られたイオン交換後の結晶性ボｐシリケー
トムＺ−２１０９を１０〜２０メツシユに成製したもの
を、ガラス製反応管に充填して、２５容量−のケイ酸メ
チルを含む窒素ガスを３２０Ｃ％ ５Ｖ１５００ｈｒ−
”で２０分間流し友。その後、温度を５ｏａＣに上げ、
空気を流しながら２時間焼成を行った。
トムＺ−２１０９を１０〜２０メツシユに成製したもの
を、ガラス製反応管に充填して、２５容量−のケイ酸メ
チルを含む窒素ガスを３２０Ｃ％ ５Ｖ１５００ｈｒ−
”で２０分間流し友。その後、温度を５ｏａＣに上げ、
空気を流しながら２時間焼成を行った。
この結果、得られた触媒の重量分析から得られ。
次シリカ担持量は０．８重量−であった。
この触媒ヲ用いて、エチルベンゼンとエチレンからのジ
エチルベンゼンの合成反応を行つ九。実験条件ａ、エチ
ルベンゼン／エチレ７／Ｈ！モル比５／１／４．ＷＨＢ
Ｖ４．αｈｒ″′１、反応温度３５０ｃ５圧力５ ｋｌ
ｉ／ｄで行りｙ（。
エチルベンゼンの合成反応を行つ九。実験条件ａ、エチ
ルベンゼン／エチレ７／Ｈ！モル比５／１／４．ＷＨＢ
Ｖ４．αｈｒ″′１、反応温度３５０ｃ５圧力５ ｋｌ
ｉ／ｄで行りｙ（。
反応開始後、２〜３時間、２０〜２１時間の成績を表５
に示す。
に示す。
表 ３
実施例６
実施例５で得られた触媒を用いて、トルエンの不均化反
応を行つ次。実験条件は、Ｈ，／トルエンモル比４．０
、ＷＨＢＶ ５．Ｑ ｈｒ−’、反応温度４８０Ｃ１圧
力？、Ｏｋｇ／メで行った。
応を行つ次。実験条件は、Ｈ，／トルエンモル比４．０
、ＷＨＢＶ ５．Ｑ ｈｒ−’、反応温度４８０Ｃ１圧
力？、Ｏｋｇ／メで行った。
反応開始後、２〜Ｓ時間、２０〜２１時間の成績を表４
に示す。
に示す。
表４
実施例７
実施例５で得られた触媒を用いて、トルエンとプロピレ
ンからのシメンの合成反応を行った。
ンからのシメンの合成反応を行った。
実験条件は、トルエン／プロピレン／鳥モル比５ ／
１ ／ ４、ＷＨＢＶ Ｂ、Ｏｈｒ″″１、反応温度３
２０Ｃ５圧力２．０に９／ａ１テ行ツ７１゜反応開始後
、２〜３時間、１０〜ｊ１時間の成績を表５に示す。
１ ／ ４、ＷＨＢＶ Ｂ、Ｏｈｒ″″１、反応温度３
２０Ｃ５圧力２．０に９／ａ１テ行ツ７１゜反応開始後
、２〜３時間、１０〜ｊ１時間の成績を表５に示す。
表 ５
実施例８
１．８−ジアミノ−４−７ミノメチルオクタン２５ Ｇ
？、ホウ酸５ ｔ ％水酸化ナトリウム１０１を水４
００９にとかし、さらにシリカゾル（３０重量嚢ＳｉＯ
，）５００ｆ１に加えて均質な溶液を得友。
？、ホウ酸５ ｔ ％水酸化ナトリウム１０１を水４
００９にとかし、さらにシリカゾル（３０重量嚢ＳｉＯ
，）５００ｆ１に加えて均質な溶液を得友。
この溶液に、かきまぜながら２０チ硫酸６０ｆを滴下し
て、均質なゲルを得た。さらに、このゲルをホモジナイ
ザー中で１０Ω０Ｏｒｐｍで高速攪拌した後、テフ四ン
内張シ耐圧容器中で１７０Ｃ１８０時間靜置して、結晶
化を行つ友。
て、均質なゲルを得た。さらに、このゲルをホモジナイ
ザー中で１０Ω０Ｏｒｐｍで高速攪拌した後、テフ四ン
内張シ耐圧容器中で１７０Ｃ１８０時間靜置して、結晶
化を行つ友。
得られた生成物ｅ濾過洗浄し友後、１２０Ｃで８時間焼
成した後のＸ線回折分析よシ、この生成物は、結晶性ポ
ロシリケー）ＡＺ−２と同定され友。
成した後のＸ線回折分析よシ、この生成物は、結晶性ポ
ロシリケー）ＡＺ−２と同定され友。
ｉた、焼成後の生成物１０．５ Ｎ塩酸中で２４時間イ
オン交換して濾過洗浄した後、１２０Ｃで４時間乾燥、
５００Ｃで４時間空気中で焼成し次後の化学分析より求
めた８ｉ０． ／ Ｉｔ、Ｏ，モル比は６０であった。
オン交換して濾過洗浄した後、１２０Ｃで４時間乾燥、
５００Ｃで４時間空気中で焼成し次後の化学分析より求
めた８ｉ０． ／ Ｉｔ、Ｏ，モル比は６０であった。
この結晶性ポロシリケー）Ａｉ−２２０ｆｉ１０〜２０
メツシユに成型したものを、ガラス屋反応管に充填して
、１０容量チのケイ酸エチルを含む窒素ガスを２５０Ｃ
，５Ｖ１０００ｈｒ−”で２０分間流した。その後、温
度５５０Ｃに上げ空気を流して４時間焼成を行つ几。
メツシユに成型したものを、ガラス屋反応管に充填して
、１０容量チのケイ酸エチルを含む窒素ガスを２５０Ｃ
，５Ｖ１０００ｈｒ−”で２０分間流した。その後、温
度５５０Ｃに上げ空気を流して４時間焼成を行つ几。
この結果、得られた触媒の重量分析から求めたシリカ担
持量は２．０重量−でらった。
持量は２．０重量−でらった。
この触媒を用いて、エチルベンゼンの不均化反Ｇｔ行っ
た。実験条件は、Ｈ２／エチルベンゼンモル比４．０、
ＷＨ８Ｖ ５．Ｏｈｒ″″１、反応温度ｓ ｓ ＯＣ。
た。実験条件は、Ｈ２／エチルベンゼンモル比４．０、
ＷＨ８Ｖ ５．Ｏｈｒ″″１、反応温度ｓ ｓ ＯＣ。
圧力３．Ｏｋｇ／ｄで行った。
反応開始後、２〜３時間、２０〜２１時間の成績を表６
に示す。
に示す。
表６
実施例９
ホウ酸２．Ｏｆ、濃硫酸１８を訃よびテトラプロピルア
ンモニウムブロマイド２７ Ｐｉ水２５０ｄＫ加えた溶
液Ａと、水ガラス（Ｓｉｎ、 ２９重量％、Ｎａｎｏ
９．４重量％、水６１．６重量％）２００りを。
ンモニウムブロマイド２７ Ｐｉ水２５０ｄＫ加えた溶
液Ａと、水ガラス（Ｓｉｎ、 ２９重量％、Ｎａｎｏ
９．４重量％、水６１．６重量％）２００りを。
水２５０ｙｄＫ加えた溶液Ｂをそれぞれ調製した。
次いで、溶液ＡおよびＢを、塩化ナトリウム８０ｆを水
１３（１−［加えた溶液に約１０分間で同時に滴下し、
さらに硫酸を加えてｐ Ｈ９，５４Ｃ１１袈した。この
溶液をテフロン内張り耐圧容器に入れ、反応温度１７０
Ｃで２４時間結晶ｆｌｌ、を行つ几。
１３（１−［加えた溶液に約１０分間で同時に滴下し、
さらに硫酸を加えてｐ Ｈ９，５４Ｃ１１袈した。この
溶液をテフロン内張り耐圧容器に入れ、反応温度１７０
Ｃで２４時間結晶ｆｌｌ、を行つ几。
得られた生成物を濾過洗浄後、１２０Ｃで６時間乾燥し
、さらに５００Ｃで６時間焼成し次後のＸ線回折パター
ンを第２図に示す。
、さらに５００Ｃで６時間焼成し次後のＸ線回折パター
ンを第２図に示す。
また、焼成後の生成物を１Ｎの塩化アンモニウム水溶液
中で２４時間イオン交換して濾過洗浄後、１２０Ｃで４
時間乾燥、５００Ｃで４時間空気中で焼成した後の化学
分析よシ求め７ｃ ５ｉｆｔ ／ Ｂｔｕｓモル比Ｆｉ
４０であつ友。
中で２４時間イオン交換して濾過洗浄後、１２０Ｃで４
時間乾燥、５００Ｃで４時間空気中で焼成した後の化学
分析よシ求め７ｃ ５ｉｆｔ ／ Ｂｔｕｓモル比Ｆｉ
４０であつ友。
この結晶性ボロシリケート１０ｆｉ１０〜２０メツシユ
に成型したものを、ガラス裂反広管に充填して、１５容
量チのケイ酸エチルを含有する窒素ガスヲ、３５０Ｃ，
５Ｖ２０００ｈｒ−”で２５分間流した。その後、５ｓ
ｏＣで２時間空気を流しながら焼成を行った。
に成型したものを、ガラス裂反広管に充填して、１５容
量チのケイ酸エチルを含有する窒素ガスヲ、３５０Ｃ，
５Ｖ２０００ｈｒ−”で２５分間流した。その後、５ｓ
ｏＣで２時間空気を流しながら焼成を行った。
得られた触媒の重量分析より求めたシリカ担持量は３．
５重量％であった。
５重量％であった。
この触媒を用いて、エチルベンゼンとエチレンからのジ
エチルベンゼンの合成反応を行う九。実験条件は、エチ
ルベンゼン／エチレン／馬モル比５ ／ １ ／ ４、
ＷＨＢＶ ４．Ｏｈｒ”、反応温度３５０Ｃ５圧力３．
５に９／ｃｄＬで行ッＶＡ。
エチルベンゼンの合成反応を行う九。実験条件は、エチ
ルベンゼン／エチレン／馬モル比５ ／ １ ／ ４、
ＷＨＢＶ ４．Ｏｈｒ”、反応温度３５０Ｃ５圧力３．
５に９／ｃｄＬで行ッＶＡ。
反応開始後、２〜３時間、２０〜２１時間の成績を表７
に示す。
に示す。
表 ７
第１図は実施例１で得られた結晶性ボロシリケートのＸ
線回折パターン、第２図は実施例９で得られた結晶性ボ
ロシリケートのＸ＊ａ折パターンである。 手続補正書 昭和６０年１月１６日
線回折パターン、第２図は実施例９で得られた結晶性ボ
ロシリケートのＸ＊ａ折パターンである。 手続補正書 昭和６０年１月１６日
Claims (4)
- （１）モノアルキルベンゼンを気相において１，４−ジ
アルキルベンゼンに転化する際に、結晶性ボロシリケー
トをケイ酸エステル含有ガスで処理した後、酸素含有ガ
ス中で焼成することによって少なくとも０．１重量％の
シリカを担持した触媒を用いることを特徴とする１，４
−ジアルキルベンゼンの製造法。 - （２）結晶性ボロシリケートがＸ線回折図において、下
表の回折パターンを有するものである特許請求の範囲第
１項記載の製造法。 ただし、Ｘ線回折分析はＣｕＫα線を用いて測定する。 - （３）モノアルキルベンゼンが炭素数１〜３のアルキル
基を有するモノアルキルベンゼンである特許請求の範囲
第１項または第２項記載の製造法。 - （４）１，４−ジアルキルベンゼンがパラキシレン、パ
ラエチルトルエンまたはパラジエチルベンゼンである特
許請求の範囲第１項または第２項記載の製造法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15304984A JPS6133134A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | １，４−ジアルキルベンゼンの製造方法 |
| US06/741,629 US4613717A (en) | 1984-06-25 | 1985-06-04 | Process for producing a 1,4-dialkylbenzene |
| GB08515692A GB2163176B (en) | 1984-06-25 | 1985-06-20 | A process for producing a 1,4-dialkylbenzene |
| FR8509578A FR2566389B1 (fr) | 1984-06-25 | 1985-06-24 | Procede de production d'un 1,4-dialkylbenzene |
| KR1019850004480A KR870001873B1 (ko) | 1984-06-25 | 1985-06-24 | 1,4-디알킬벤젠의 제조방법 |
| DE19853522727 DE3522727A1 (de) | 1984-06-25 | 1985-06-25 | Verfahren zur herstellung eines 1,4-dialkylbenzols |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15304984A JPS6133134A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | １，４−ジアルキルベンゼンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6133134A true JPS6133134A (ja) | 1986-02-17 |
| JPH0446248B2 JPH0446248B2 (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=15553858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15304984A Granted JPS6133134A (ja) | 1984-06-25 | 1984-07-25 | １，４−ジアルキルベンゼンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6133134A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63274454A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-11-11 | タイワン・スチアリ−ン・モノマ−・コ−ポレイシヨン | 新規なＳｉ／ＨＺＳＭ−５触媒及びその製造方法並びに該触媒を利用するモノアルキルベンゼンからの高純度ｐ−ジアルキルベンゼンの合成方法 |
| JPH0219761A (ja) * | 1988-05-20 | 1990-01-23 | Westinghouse Electric Corp <We> | プローブ支持体を移動させる駆動装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59107921A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ｐ―キシレンの製造方法 |
| JPS59216833A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-06 | Idemitsu Kosan Co Ltd | エチレンの製造方法 |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15304984A patent/JPS6133134A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59107921A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ｐ―キシレンの製造方法 |
| JPS59216833A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-06 | Idemitsu Kosan Co Ltd | エチレンの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63274454A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-11-11 | タイワン・スチアリ−ン・モノマ−・コ−ポレイシヨン | 新規なＳｉ／ＨＺＳＭ−５触媒及びその製造方法並びに該触媒を利用するモノアルキルベンゼンからの高純度ｐ−ジアルキルベンゼンの合成方法 |
| JPH0219761A (ja) * | 1988-05-20 | 1990-01-23 | Westinghouse Electric Corp <We> | プローブ支持体を移動させる駆動装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0446248B2 (ja) | 1992-07-29 |
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