JPH0479979B2 - - Google Patents

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JPH0479979B2
JPH0479979B2 JP59081849A JP8184984A JPH0479979B2 JP H0479979 B2 JPH0479979 B2 JP H0479979B2 JP 59081849 A JP59081849 A JP 59081849A JP 8184984 A JP8184984 A JP 8184984A JP H0479979 B2 JPH0479979 B2 JP H0479979B2
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ray diffraction
sio
chromosilicate
diffraction pattern
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Hiroshi Ishida
Hitoshi Nakajima
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KEISHITSU RYUBUN SHINYOTO KAIHATSU GIJUTSU KENKYU KUMIAI
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KEISHITSU RYUBUN SHINYOTO KAIHATSU GIJUTSU KENKYU KUMIAI
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、新規なクロモシリケートに関するも
ので、さらに詳しくは、従来から公知のクロモシ
リケートとは異なつたX線回折パターンを示し、
かつ特異な特性を有する結晶性クロモシリケート
に関するものである。 結晶性クロモシリケートは、一般にゼオライト
と称される結晶性アルミノシリケート類似の剛性
の三次元構造を有する無機結晶体である。 ゼオライトはアルミニウム原子とケイ素原子の
和と酸素原子との比が1:2であり、また、アル
ミニウムを含有する四面体の電子価は、結晶内に
種々のカチオンを含有することによつて平衡が保
たれている。このゼオライトは、その結晶構造、
シリカ/アルミナモル比、含有カチオン等によ
り、種々の反応に有効な触媒活性を有することが
知られている。 また、近年、このゼオライトのアルミニウムお
よび/またはケイ素の代りに、ホウ素
(USP4269813)、鉄(特開昭56−22623号)、パナ
ジウム(ドイツ特許出願公開第2831631号)、クロ
ム(特開昭57−7817号)をゼオライトの骨格に組
込んで、特異な触媒性能を出そうとする試みが成
されている。 本発明者らも、このような試みの一つとして、
アルミニウムおよび/またはケイ素の代りに、ク
ロムを含有するゼオライトについて鋭意研究を進
めた結果、結晶化時に、特定の有機アミン、すな
わち、1,8−ジアミノ−4−アミノメチルオク
タンを共存させ、特定の製造条件下で製造するこ
とにより、従来から公知の結晶性クロモシリケー
トとは明らかに異なるX線回折パターンを示す新
規な結晶性クロモシリケートが得られることを見
い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに
至つた。 すなわち、本発明は、 a 酸化物のモル比として表わされた下記の組成
を有し、 M2/nO・xSiO2・yAl2O3・zCr2O3 (たゞし、Mはn価の少なくとも1種のカチオ
ンを示し、y+z=1、y≧0、z≧0.3、x≧
5である。) b X線回折図において、下記の表1に示す特徴
的な回折像を有することを特徴とするクロモシ
リケートに関するものである。
【表】 X線回折分析はCuKα線を用いて測定する。た
だし、8.8±0.2と8.9±0.2の回折線のどちらかを
相対強度100とする。 このものは、クロム供給物質、アルミナ供給物
質、クロミア供給物質、ナトリウム供給物質、水
および1,8−ジアミノ−4−アミノメチルオク
タンを含有し、かつそれぞれの成分モル比が下記
の範囲である組成物を、100〜250℃の温度に加熱
して結晶が生成するのに十分な時間反応させるこ
とによつて製造される。 Na/SiO2=0.01〜0.5 H2O/SiO2=2〜100 1,8−ジアミノ−4−アミノメチルオクタ
ン/SiO2=0.1〜10 Al2O3/SiO2=0〜0.05 Cr2O3/SiO2=0.0005〜0.05 このようにして得られる結晶性クロモシリケー
トAZ−3は、従来知られているクロモシリケー
ト、例えば、ゼオライトZSM−5類似のクロモ
シリケート(特開昭57−169434号参照)とは明ら
かに異なるX線回折パターンを有する。 表2に、上記の方法により製造された結晶性ク
ロモシリケートAZ−3と、特開昭57−169434号
に基づいて製造したゼオライトZSM−5類似の
結晶性クロモシリケートのX線回折データの1例
を示した。
【表】 表2から明らかなように、本発明のAZ−3は、
ZSM−5類似の結晶性クロモシリケートと比較
し、各ピークの相対強度が顕著に異なることがわ
かる。特にAZ−3の最強ピークが2θ=8.9゜である
のに対して、ZSM−5類似クロモシリケートの
それは23.0゜であり、両者の各X線回折パターン
における2θ=8.9゜と23.0°の強度比を求めると、
AZ−3はZSM−5類似のクロモシリケートの約
10倍となる。また、両者の回折角(2θ)7.9゜と
8.9゜の強度比が顕著に異なつている。すなわち、
ZSM−5類似クロモシリケートの2θ:7.9゜に対す
る8.9゜の強度比が約1/2であるのに対し、AZ−
3のそれは約14であり、両者の強度比の差異は約
28倍となつている。 さらに、AZ−3の8.8゜と8.9゜の回折角は明らか
に分裂しているのに対し、ZSM−5類似クロモ
シリケートのそれは一本のピークとなつている。 このように、AZ−3が特異なX線回折パター
ンを示すことは、ZSM−5類似クロモシリケー
トとは異なつた特異かつ新規な結晶構造を持つた
ものであることを示している。 本発明のAZ−3中のクロムがどのような形で
結晶中に含まれるかは明らかではないが、希塩酸
で数回イオン交換を行つても除去されないことか
ら考えて、ゼオライト中のアルミニウムと同様に
格子中に入つているものと考えられる。 前記の方法において製造される結晶性クロモシ
リケートは、水熱合成によつて合成された段階に
おいては、カチオンとしてナトリウムイオン、水
素イオン、1,8−ジアミノ−4−アミノメチル
オクタンのアンモニウムカチオンを含んでいる
が、300℃以上の高温で空気中で焼成することに
より、1,8−ジアミノ−4−アミノメチルオク
タンのアンモニウムカチオンは水素イオンに転化
することができる。また、上記以外のカチオンに
ついても、通常の結晶性アルミノシリケートにお
けるイオン交換と同じ方法によつて、周期律表上
のすべての金属のカチオンを導入することができ
る。例えば、a,b,a,b,a,
b,b,族、希土類等の金属カチオンが挙げ
られる。その場合、イオン交換しても結晶性クロ
モシリケートのX線回折パターンは変らない。 本発明のAZ−3は、シリカ供給物質、アルミ
ナ供給物質、クロミア供給物質、ナトリウム供給
物質、水および1,8−ジアミノ−4−アミノメ
チルオクタンを原料として合成される。 上記の方法で用いるシリカ供給物質としては、
シリカ粉末、ケイ酸、シリカゾル、ケイ酸ナトリ
ウム水溶液等が用いられるが、好ましいのはシリ
カゾルである。 上記の方法で用いるナトリウム供給物質として
は、水酸化ナトリウム、塩化ナトリウム、ケイ酸
ナトリウム等が用いられるが、好ましいのは水酸
化ナトリウムである。また、ナトリウム供給物質
の使用量は、Na/SiO2モル比で0.01〜0.5、好ま
しくは0.02〜0.4の範囲である。 上記の方法におけるアルミナ供給物質は、積極
的に加える場合と加えない場合がある。積極的に
加える場合に用いられるアルミナ供給物質として
は、従来の結晶性アルミノシリケートの製造に通
常使用されているものであれば特に制限はなく、
例えば、アルミナ粉末、硫酸アルミニウム、アル
ミン酸ナトリウムなどが用いられる。また、積極
的に加えない場合でも、特に特殊な精製法によつ
て原料のシリカ源、ナトリウム源を精製しない限
り、不純物として数百ppm程度のアルミニウムが
原料中に混入する。 上記の方法におけるクロミア供給物質として
は、従来の結晶性クロモシリケートの製造に通常
使用されているものであれば特に制限はなく、例
えば、クロミア粉末、硝酸クロム、硫酸クロムな
どが用いられる。 これらのシリカ供給物質とアルミナ供給物質お
よびクロミア供給物質の使用割合は、Al2O3
SiO2モル比が0〜0.05、好ましくは0〜0.02の範
囲であり、Cr2O3/SiO2モル比が0.0005〜0.05、
好ましくは0.001〜0.3の範囲である。 上記の方法においては、1,8−ジアミノ−4
−アミノメチルオクタンの共存下に結晶させる必
要があるが、その際の使用量は、シリカ1モルに
対して0.1〜10、好ましくは0.5〜5モルの範囲で
ある。 また、上記の方法における結晶性クロモシリケ
ートの製造は、水の共存下で行なわれるが、この
際の水の量は、H2O/SiO2モル比で2〜100、好
ましくは5〜50の範囲である。 本発明においては、前記のシリカ供給物質、ア
ルミナ供給物質、クロミア供給物質、ナトリウム
供給物質、1,8−ジアミノ−4−アミノメチル
オクタンおよび水を、前記したような組成比を有
する原料組成物として使用する必要があり、ま
た、本発明の特異なX線回折パターンを示す結晶
性クロモシリケートを得るためには、さらに、次
に示すような条件下で製造することが重要であ
る。 まず、前記の原料組成物を、結晶化の前に回転
ミキサーやホモジナイザーなどを用いてよく混合
することが好ましい。さらに、この原料組成物の
PHを、例えば酸を添加して11〜13の範囲に調整す
ることが好ましい。 次に、このようにして調製された原料組成物
を、常圧または自己発生圧力下で100〜250℃の温
度に加熱して、結晶性クロモシリケートを結晶化
させる。この時の反応時間は温度や圧力によつて
左右されるが、通常5〜200時間である。 このようにして得られた結晶性クロモシリケー
トは、触媒の用途として、例えば、炭化水素のク
ラツキンング反応、アルキル化反応、不均化反
応、メタノールからの炭化水素合成反応などに用
いることができる。特に、本発明の結晶性クロモ
シリケートは、アルキル化反応による1,4−ジ
置換ベンゼンの製造や、メタノールからの低級オ
レフインの製造用触媒として好適である。 例えば、エチルベンゼンとエチレンからパラジ
エチルベンゼンを製造する場合、塩化アルミニウ
ム等を用いる従来の方法では、オルソー、メタ
ー、パラーの異性体が約10:60:30の割合で得ら
れるのに対し、AZ−3を触媒として用いる場合、
ジエチルベンゼン中のパラ体の割合が80%以上と
いう非常に高い割合になることが見い出された。 また、メタノールからの低級オレフインの製造
に関しては、従来のZSM−5等の結晶性アルミ
ノシリケートでは芳香族化活性が高いため、C4
以下の低級オレフインの選択率が約40%どまりで
あつたが、AZ−3を触媒として用いる場合、60
%以上の非常に高い割合で低級オレフインが得ら
れる。 なお、本発明における結晶性クロモシリケート
のX線回折データは、X線回折計としてガイガー
フレツクス(理学電機製)を、X線としてCuKα
線を使用した。この測定において、結晶性クロモ
シリケート自体のバラツキおよび測定誤差などに
より、数%程度の相対誤差を生じることがある
が、回折角相互の相対的位置および相対的強度に
関しては不変である。 次に実施例によつて本発明をさらに詳細に説明
する。 実施例 1 1,8−ジアミノ−4−アミノメチルオクタン
20g、硝酸クロム(Cr(NO33・9H2O)0.5g、
水酸化ナトリウム1gを水34gにとかし、さら
に、シリカゾル(30重量%SiO2)40gを加えて
均質な溶液を得た。この溶液に、かきまぜながら
20%硫酸6gを滴下して均質なゲルを得た。さら
に、このゲルをホモジナイザー中で10000rpmで
高速撹拌した後、テフロン内張り耐圧容器中で
180℃、90時間静置して結晶化を行つた。 得られた生成物を過、洗浄した後、120℃で
10時間乾燥して、さらに500℃で6時間空気中で
焼成した後のX線回折パターンを第1図に示す。 また、焼成後の生成物を0.1N塩酸中で、24時
間イオン交換して過、洗浄した後、120℃で4
時間乾燥、500℃で4時間空気中で焼成した後、
ケイ光X線分折でSiO2/Cr2O3、SiO2/Al2O3
ル比を測定した結果、SiO2/Cr2O3モル比は20、
SiO2/Al2O3モル比は800であつた。また、この
生成物の電子顕微鏡写真を第6図に示す。 実施例 2 1,8−ジアミノ−4−アミノメチルオクタン
500g、硝酸クロム20g、水酸化ナトリウム32g
を水1200gに加えて均質な溶液を得た。この溶液
に、シリカゾル(30重量%SiO2)1300gを撹拌
しながら滴下して、さらに20%硫酸130gを加え
て均質なゲルを得た。このゲルをミキサー中
12000rpmで高速撹拌して、ゲル化を促進した。
得られたゲルをテフロン内張りオートクレーブに
仕込み、160℃、120時間結晶化させた。 得られた生成物を過洗浄した後、120℃で15
時間乾燥した後、500℃で8時間空気中で焼成し
た後のX線回折パターンを第2図に示す。 また、焼成後の生成物を0.1N塩酸中で2回イ
オン交換を行つた後、過洗浄、120℃で8時間
乾燥後、ケイ光X線分折で測定したSiO2
Cr2O3、SiO2/Al2O3モル比は、SiO2/Cr2O3
ル比30、SiO2/Al2O3モル比1100であつた。 実施例 3 1,8−ジアミノ−4−アミノメチルオクタン
20g、硫酸アルミニウム(Al2(SO43・18H2O)
0.2g、硝酸クロム0.5g、水酸化ナトリウム1.0g
を水40gに加えて、均質な溶液を得た。この溶液
に、シリカゾル(30重量%SiO2)40gを撹拌し
ながら滴下し、さらに、20%硫酸を加えてPHを約
12に調整し、均質なゲルを得た。 このゲルをホモジナイザー中5000rpmで高速撹
拌して、ゲル化を促進した。得られたゲルをテフ
ロン内張り耐圧空器中で、170℃、55時間結晶化
させた。 得られた生成物を過洗浄した後、120℃で6
時間乾燥した後、510℃で5時間空気中で焼成し
た後のX線回折パターンを第3図に示す。 また、焼成後の生成物を1N塩化アンモニウム
水溶液中で24時間イオン交換した後、過洗浄、
120℃で4時間乾燥、500℃で4時間焼成後、ケイ
光X線分折でSiO2/Cr2O3、SiO2/Al2O3モル比
を測定した。その結果、SiO2/Cr2O3モル比40、
SiO2/Al2O3モル比80であつた。 実施例 4 1,8−ジアミノ−4−アミノメチルオクタン
200g、硫酸アルミニウム5g、硝酸クロム5g、
水酸化ナトリウム10gを水340gに加えて均質な
溶液を得た。この溶液に、シリカゾル(30重量%
SiO2)300gを撹拌しながら滴下して、さらに、
20%硫酸40gを加えて均質なゲルを得た。このゲ
ルをミキサー中で10000rpmで高速撹拌して、ゲ
ル化を促進した。得られたゲルをテフロン内張り
オートクレーブ中で160℃、150時間結晶化させ
た。 得られた生成物を過洗浄した後、120℃で10
時間乾燥した後、500℃で8時間空気中で焼成し
た後のX線回折パターンを第4図に示す。また、
ケイ光X線分折によるこの生成物のSiO2
Cr2O3、SiO2/Al2O3モル比は、SiO2/Cr2O3
ル比30、SiO2/Al2O3モル比60であつた。 比較例 特開昭57−169434号にしたがつて、ZSM−5
類似結晶性クロモシリケートを合成した。 硫酸アルミニウム〔Al2(SO43・18H2O〕0.66
g、硝酸クロム〔Cr(NO33・9H2O〕1.61g、モ
ルホリン0.89g、97%硫酸1.76gを水25gに加え
た溶液を、塩化ナトリウム7.9gを水12.2gに溶
かした溶液に除々に滴下して、さらに、水ガラス
(SiO237.6重量%、Na2O17.5重量%、水44.9重量
%)16.2gを水30gに溶かした溶液を滴下して均
質な混合物を得た。 この混合物をテフロン内張りオートクレーブ中
で、170℃で24時間撹拌しながら結晶化させた。 得られた生成物を過洗浄、120℃で6時間乾
燥後、500℃で6時間空気中で焼成した後のX線
回折パターンを第5図に示す。この回折パターン
は、ZSM−5の回折パターンとほとんど一致し
た。 実施例 5 実施例1で得られたAZ−3を用いて、エチル
ベンゼンとエチレンからのジエチルベンゼンの合
成反応を行つた。実験条件は、エチルベンゼン/
エチレンモル比2.95、AZ−3 2g、
WHSV4.0hr-1、反応温度350℃、常圧で行つた。 反応開始後、2〜3時間の成績は、エチルベン
ゼン転化率20%、ジエチルベンゼン選択率95%、
ジエチルベンゼン中のパラ体の割合90%であつ
た。 実施例 6 実施例2で得られたAZ−3を用いて、トルエ
ンとエチレンからのエチルトルエンの合成反応を
行つた。実験条件は、トルエン/エチレン/H2
モル比8/1/6、SV1150hr-1、圧力3.0Kg/cm2
反応温度400℃で行つた。 反応開始後、2〜3時間、20〜21時間の成績を
表3に示す。
【表】 実施例 7 実施例2で合成したAZ−3を用いて、メタノ
ールからの炭化水素の合成反応を行つた。 反応条件は、メタノール/N2(モル比)=1/
3、反応温度330℃、SV3000hr-1、常圧で行つ
た。 反応開始後、9〜10時間の結果は、メタノール
転化率100%、炭化水素選択率95%であつた。得
られた炭化水素中の生成物分布は、以下のとおり
である。
【表】
【表】 生成炭化水素の
炭素数の総和
実施例 8 実施例1で得られたAZ−3を、La(NO33
6H2Oの1N水溶液中で24時間イオン交換した後、
過洗浄、120℃で5時間乾燥した後のX線回折
パターンを第7図に示す。 このX線回折パターンは、もとのAZ−3(第1
図)とほとんど変らないことがわかる。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例1において得られた生成物のX
線回折パターン、第2図は実施例2において得ら
れた生成物のX線回折パターン、第3図は実施例
3において得られた生成物のX線回折パターン、
第4図は実施例4において得られた生成物のX線
回折パターン、第5図は比較例において得られた
生成物のX線回折パターン、第6図は実施例1に
おいて得られた生成物の結晶の構造を示す電子顕
微鏡写真、第7図は実施例8において得られた生
成物のX線回折パターンである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 a 酸化物のモル比として表わされた下記の
    組成を有し、 M2/nO・xSiO2・yAl2O3・zCr2O3 (ただし、Mはn価の少なくとも1種のカチオ
    ンを示し、y+z=1、y≧0、z≧0.3、x≧
    5である。) b X線回折図において、下表に示す特徴的な回
    折像を有することを特徴とするクロモシリケー
    ト。 【表】 X線回折分析はCuKα線を用いて測定する。た
    だし、8.8±0.2と8.9±0.2の回折線のどちらかを
    相対強度100とする。
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