JPS6132666B2 - - Google Patents
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- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 20
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N Cyclopropane Chemical compound C1CC1 LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 11
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 229920002102 polyvinyl toluene Polymers 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- -1 silver halide Chemical class 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- JPDUPGAVXNALOL-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n,4-n-tetraphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JPDUPGAVXNALOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N n-vinylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical compound [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URJAUSYMVIZTHC-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris(tribromomethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound BrC(Br)(Br)C1=NC(C(Br)(Br)Br)=NC(C(Br)(Br)Br)=N1 URJAUSYMVIZTHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004011 3 membered carbocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001845 4 membered carbocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical class ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000891 common polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011532 electronic conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005059 halophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 229910052981 lead sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940056932 lead sulfide Drugs 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012538 light obscuration Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Polymers 0.000 description 1
- 125000003011 styrenyl group Polymers [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
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- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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- G03G5/0609—Acyclic or carbocyclic compounds containing oxygen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
- H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Description
半導体材料は、それの抵抗が室温で10-2と109
オーム−センチメータ（Ω/cm）との間であつ
て、ある温度範囲にわたつて温度の上昇と共に電
荷担体濃度が増加するような電子的導体である。
重要な半導体にはシリコン、ゲルマニウム、セレ
ン、酸化第一銅、炭化ケイ素、硫化鉛、テルル化
鉛、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどが含まれる。
それらは整流器、光電導体、トランジスター、モ
ジユレータ、検出器、サーミスター、及び太陽エ
ネルギー変換のような広範囲の技術的領域にも又
使用される。一般に、半導体材料、そしてそれの
電子的特性が変化され得る半導体は特に商業的に
非常に重要なものである。 現在重要な半導体材料の全部、そして工業的に
用いられているもののすべては無機材料である。
これらの材料は有機溶媒又は樹脂バインダー及び
キヤリヤー中に一般に溶解しない。この溶解性が
ないことが、半導体材料の有機材料中への分布を
困難にしている。より重要なことは、半導体微粒
子の潜在的な集合及びバインダーのための微粒子
の電気的絶縁が、コンポジツト中の半導体的特性
を有機材料の全体にわたつて不均一なものとす
る。ありふれた重合体溶媒、重合体用の単量体又
は重合体に可溶性の有機半導体の使用は、そのよ
うな不均一性の減少に非常に重要であろう。 より時間がかゝり、且つ費用のかかる蒸着法又
は結晶成長法よりも、むしろ湿式塗布法によつて
半導体を調製する能力は、もしも有機半導体添加
剤を見い出すことができたならば、大きく高めら
れることであろう。 通常は絶縁的であるけれども、その材料がそれ
に対して敏感な電磁放射でたゝかれた場合に、電
導的になるある種の半導体材料が知られている。
そのような材料は光電導性である。この現象は映
像又は工業的光電導法のような光再生技術の中で
使用され、その場合に (1) 電導性裏材を有する光電導性層を静電気的に
荷電し、 (2) その荷重した層を強い放射（例えば水銀蒸気
灯）の像に露出して、その光の当つた領域での
電導特性を変更させ、 (3) 光電導特性の変化（絶縁性から電導性に）は
静電気的荷電を光電導的層を通して電導性裏材
に放電を可能にするけれども放射線に当らなか
つた領域では荷電が保持されていて、そのため
に (4) 永久に固定されていることのできる着色微粒
子（トナーパーテイクル）は、そこで微粒子が
無映像領域中で引き付けられたり、反撥（微粒
子の荷電、中性、プラス、又はマイナスに従つ
て）したりする部分に放電した光電導性表面の
表面全体に分散し、そして (5) その微粒子は熱、溶媒、及び（又は）圧力で
その面に永久に固定されるか、又はリセプター
エレメントに運ばれて永久に固定されるかであ
る。 (6) 光電導性層及びリセプター層の両方共が可視
放射線に透明又は不透明であり得るけれども、
もしも得られた映像層が投影の目的を意味する
ならば最終映像層はもちろん可視放射線に透明
でなければならない。 より効率よく作動するそのような光電導系を作る
ためには克服しなければならない多数の問題が存
在する。現在の系は他の市販の映像系（ハロゲン
化銀写真系のような）に比較した場合に比較的に
鈍感で露出段階で高い強力な照射を要求する。現
在用いられている光電導性材料は又電磁スペクト
ル的に非常に制限された範囲の感度を有して光電
導系の効率を大きく減少させている。 それ故にバインダー材料に対して、これらのバ
インダーに半導体特性を生じさせることのでき
る、添加剤を示すことが本発明の一つの姿であ
る。 有機、合成、重合体的バインダーに対して、こ
れらのバインダーに半導体特性を生じさせること
のできる、添加剤を示すことが本発明の第二の姿
である。 光電導性エレメントの新規なデザイン及びこれ
らのエレメント中に含まれている新規な活性物質
によつて光電導系のこれらの問題の影響を減少さ
せることが本発明の第三の姿である。 光電導エレメントの増感のため及び電磁スペク
トルに対しそのようなエレメントに対して感度の
範囲を拡大させるために染料のある種の物の使用
を開示することが本発明の第四の姿である。 本発明のこれら及びその他の姿が、この技術的
開示によつて明瞭になるであろう。 半導体及び光電導体技術は、これらの問題を認
識した。光電導体系に対して半導体添加剤又は増
感剤として多くの異なつた材料が示唆された（米
国特許第3037861号明細書、1962年６月５日、参
照）、しかしながら今日までに用いられた増感剤
は光電導体系の感度問題を顕著に減少しなかつた
し、添加剤は半導体材料を大きく改良することが
なかつた。感度の範囲も、そのような増感された
エレメントのスピードも、共に本発明の実施で達
成される程度には改められなかつた。その上、本
発明の実施例よる光電導体エレメントの増加した
感度のため光電導体エレメントに対しての新規な
構成及び新規な用途が見い出され、それはそれら
の、例えばゼオグラフイー的方法、磁気力学的及
び他の静電気的方法での用途を許容するものであ
る。 本発明の実施によつて半導体エレメントを製造
するためには、限定された種類の染料が、いずれ
のバインダー材料にも加えられなければならな
い。 特殊な性者及びエレメントから要求される応答
性に依存して、光電導体エレメントに使用できる
異なつた構造には色々と変化がある。もちろんそ
れには最低バインダー材料がなければならない。
一般にこれらはポリビニル トルエン、ポリスチ
レン、ポリハロゲン化スチレン及びそれらの共重
合体、ポリビニル トルエン及び置換PVT−ブ
タジエン共重合体、ポリアクリレート（類）及び
それらの共重合体、エポキシ樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂のような高い絶縁耐力の有機重合体材料
である。バインダーの特別に有用な種類はポリ−
Ｎ−ビニル カルバゾール、ポリアンスラセン
ポリビニルアセナフタリン、ポリ２・９−メチレ
ン フルオレン ポリビニル フエロセン、ポリ
ベンゾカルバゾール、ポリベンゾアンスラセンの
ような有機光電導体である。本発明の実施に際し
て光電導層（単数あるいは複数）は増感性染料の
改良された種類と組み合わされなければならない
が、その他の点では多くのエレメントの構造は当
業界で普通に用いられるものと同一である。 第１ないし第７図は本発明の光電導体エレメン
トに対して予期している種々の物理的構造を例示
するものである。 第１図は、基板（この構造で基体は光電導体が
光に露出したとき放電できるようにある程度の電
導性を有しなければならない）の上に重ねられた
光電導体層からなる光電導エレメントを示す。 第２図は、それぞれ基板、電導体層及び光電導
体層で構成されている光電導性エレメントを示
す。 第３図は、それぞれ基体、光電導体及び増感性
染料を含有する層で構成されているか光電導性エ
レメントを示す。この構造は染料及び光電導性材
料が分離されていて、染料層の適用方法（例えば
染料の溶液でコーテイングする）が、その染料が
光電導体層の中に浸透していないことで第３図の
それと異なつている。 第４図は、それぞれ基体、電導体層、障壁層及
び光電導性層で構成されている光電導性エレメン
トを示す。障壁層は光電導性層と電導体層との間
を、それらの層が相互に反応性である場合又はエ
レメントの中で電導性の減少とそして絶縁性の増
加が所望の場合に、保護している。 第５図は、それぞれ基体、半導体性層、電導体
層及び光電導性層で構成される光電導性エレメン
トを示す。この配列は又基体の反対側に第２の半
導体層を有することができる。第１半導体層は密
着の増加及び光電導性層中の荷電消失効率の増大
の両方の作業をすることができる。第２半導体層
は基体の裏面に、特にエレメントの両方が荷電さ
れたところで再生工程で展開する荷電の気配を低
下させる。 第６図はそれぞれピエゾ／パイロ電気的重合体
層、光電導体層及び電導体層から構成される光電
導体エレメントを示す。 第７図はそれぞれ基体、光電導体層及び水性／
油性半導体層から構成される光電導性エレメント
に示す。この構成は静電気印刷法に用いるエレメ
ントとしての用途に適している。映像のできたフ
イルムでトナー粉末が溶融させられた領域はイン
キを受け入れる基体として働きその結果リトグラ
フ プレートとなる。 この開示から本発明のこれら及びその他の物理
的実施態様が理解されるであろう。 本発明の実施に活用される光電導性層は好まし
くは有機的、重合体的、多核熱可塑的樹脂及びそ
れらの共重合体（例えばポリ〔Ｎ−ビニル カル
バゾール〕又はビニル カルバゾール／ビニルア
セテート共重合体）及び本発明の実施に用いられ
る他の増感性染料である。当業界に知られた他の
増感性染料（ドイツ国特許第1068115号明細書に
開示されたようなもの）は、フイルム改良剤（例
えば可塑剤、接着促進剤、硬化剤、エポキシ樹脂
及びポリカーボネートのように他の熱可塑性樹
脂）、ロイコ染料の酸化によつて着色映像形成を
増強するための有機酸（例えばビス〔トリフルオ
ルメチル−スルホニル−メタン〕）、ホトハロゲン
（photohalogen）（例えばトリストリブロモ−ｓ−
トリアジン）及び電導を助けるルイス酸類のよう
な光電導体構造に有用であると知られる添加剤と
同様に使用され得る。 電導体層は本質的に、金属コーテイング（例え
ばAl、Cu、Ag、Crなど）、無機金属酸化物（例
えば鉄酸化物、酸化インジウム、酸化第一ス
ズ）、無機塩（例えばヨウ化銅）及びポリビニル
ベンゼンピリジウム クロリド（1967年５月15日
公布、イタリア国特許第767082号明細書、及び
1968年２月１日公布イタリア国特許第801584号明
細書参照）及びスルホン化ポリビニルトルエン類
のような電気伝導性樹脂（分子充てん樹脂を含
む）のような電導特性を有する材料のいずれの層
でもよろしい。 最も多くの構成の基体は紙、熱可塑性樹脂（ポ
リエステル類、アセテート類、塩化ビニル類、ポ
リカーボネート類など）、ポリマー マトリツク
スなどのようないずれかの支持体材料であり得
る。その基体は個々の影像方法に依存して絶縁的
又は電導的で高い又は低い誘電率を有するもので
あり得る。 本発明の実施中にある種の染料材料がバインダ
ーに対して半導体特性を寄与して光電導性材料に
対して増感剤として用いた場合に顕著な特性を有
することが見い出された。本発明の実施に用いら
れる染料の一般的種類は著しい特性特別に増感剤
として要求される、低い半電圧−光消失時間、あ
りふれた溶媒中の有用溶解性範囲、活性増感剤と
しての高い量子効率、赤外域まで拡大する広い増
感範囲、及び高い電荷の受容、を一般的に提供す
ることが見い出された。 本発明の実施に有用である染料は最低２個のキ
ノイドベンゼン環がそれに結合した３又は４員炭
素環又はエチレン性基（すなわち＝（Ｃ＝Ｃ）＝）
を有するもので、すべての残りの環形成炭素はカ
ーボニル部分の部分として満足している原子価を
有している。 本発明の実施に用いられたようなキノ−及びキ
ノイド ベンゼンという用語は１個の酸素で満足
させられた１個のエクソ環状二重結合（すなわ
ち、
オーム−センチメータ（Ω/cm）との間であつ
て、ある温度範囲にわたつて温度の上昇と共に電
荷担体濃度が増加するような電子的導体である。
重要な半導体にはシリコン、ゲルマニウム、セレ
ン、酸化第一銅、炭化ケイ素、硫化鉛、テルル化
鉛、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどが含まれる。
それらは整流器、光電導体、トランジスター、モ
ジユレータ、検出器、サーミスター、及び太陽エ
ネルギー変換のような広範囲の技術的領域にも又
使用される。一般に、半導体材料、そしてそれの
電子的特性が変化され得る半導体は特に商業的に
非常に重要なものである。 現在重要な半導体材料の全部、そして工業的に
用いられているもののすべては無機材料である。
これらの材料は有機溶媒又は樹脂バインダー及び
キヤリヤー中に一般に溶解しない。この溶解性が
ないことが、半導体材料の有機材料中への分布を
困難にしている。より重要なことは、半導体微粒
子の潜在的な集合及びバインダーのための微粒子
の電気的絶縁が、コンポジツト中の半導体的特性
を有機材料の全体にわたつて不均一なものとす
る。ありふれた重合体溶媒、重合体用の単量体又
は重合体に可溶性の有機半導体の使用は、そのよ
うな不均一性の減少に非常に重要であろう。 より時間がかゝり、且つ費用のかかる蒸着法又
は結晶成長法よりも、むしろ湿式塗布法によつて
半導体を調製する能力は、もしも有機半導体添加
剤を見い出すことができたならば、大きく高めら
れることであろう。 通常は絶縁的であるけれども、その材料がそれ
に対して敏感な電磁放射でたゝかれた場合に、電
導的になるある種の半導体材料が知られている。
そのような材料は光電導性である。この現象は映
像又は工業的光電導法のような光再生技術の中で
使用され、その場合に (1) 電導性裏材を有する光電導性層を静電気的に
荷電し、 (2) その荷重した層を強い放射（例えば水銀蒸気
灯）の像に露出して、その光の当つた領域での
電導特性を変更させ、 (3) 光電導特性の変化（絶縁性から電導性に）は
静電気的荷電を光電導的層を通して電導性裏材
に放電を可能にするけれども放射線に当らなか
つた領域では荷電が保持されていて、そのため
に (4) 永久に固定されていることのできる着色微粒
子（トナーパーテイクル）は、そこで微粒子が
無映像領域中で引き付けられたり、反撥（微粒
子の荷電、中性、プラス、又はマイナスに従つ
て）したりする部分に放電した光電導性表面の
表面全体に分散し、そして (5) その微粒子は熱、溶媒、及び（又は）圧力で
その面に永久に固定されるか、又はリセプター
エレメントに運ばれて永久に固定されるかであ
る。 (6) 光電導性層及びリセプター層の両方共が可視
放射線に透明又は不透明であり得るけれども、
もしも得られた映像層が投影の目的を意味する
ならば最終映像層はもちろん可視放射線に透明
でなければならない。 より効率よく作動するそのような光電導系を作る
ためには克服しなければならない多数の問題が存
在する。現在の系は他の市販の映像系（ハロゲン
化銀写真系のような）に比較した場合に比較的に
鈍感で露出段階で高い強力な照射を要求する。現
在用いられている光電導性材料は又電磁スペクト
ル的に非常に制限された範囲の感度を有して光電
導系の効率を大きく減少させている。 それ故にバインダー材料に対して、これらのバ
インダーに半導体特性を生じさせることのでき
る、添加剤を示すことが本発明の一つの姿であ
る。 有機、合成、重合体的バインダーに対して、こ
れらのバインダーに半導体特性を生じさせること
のできる、添加剤を示すことが本発明の第二の姿
である。 光電導性エレメントの新規なデザイン及びこれ
らのエレメント中に含まれている新規な活性物質
によつて光電導系のこれらの問題の影響を減少さ
せることが本発明の第三の姿である。 光電導エレメントの増感のため及び電磁スペク
トルに対しそのようなエレメントに対して感度の
範囲を拡大させるために染料のある種の物の使用
を開示することが本発明の第四の姿である。 本発明のこれら及びその他の姿が、この技術的
開示によつて明瞭になるであろう。 半導体及び光電導体技術は、これらの問題を認
識した。光電導体系に対して半導体添加剤又は増
感剤として多くの異なつた材料が示唆された（米
国特許第3037861号明細書、1962年６月５日、参
照）、しかしながら今日までに用いられた増感剤
は光電導体系の感度問題を顕著に減少しなかつた
し、添加剤は半導体材料を大きく改良することが
なかつた。感度の範囲も、そのような増感された
エレメントのスピードも、共に本発明の実施で達
成される程度には改められなかつた。その上、本
発明の実施例よる光電導体エレメントの増加した
感度のため光電導体エレメントに対しての新規な
構成及び新規な用途が見い出され、それはそれら
の、例えばゼオグラフイー的方法、磁気力学的及
び他の静電気的方法での用途を許容するものであ
る。 本発明の実施によつて半導体エレメントを製造
するためには、限定された種類の染料が、いずれ
のバインダー材料にも加えられなければならな
い。 特殊な性者及びエレメントから要求される応答
性に依存して、光電導体エレメントに使用できる
異なつた構造には色々と変化がある。もちろんそ
れには最低バインダー材料がなければならない。
一般にこれらはポリビニル トルエン、ポリスチ
レン、ポリハロゲン化スチレン及びそれらの共重
合体、ポリビニル トルエン及び置換PVT−ブ
タジエン共重合体、ポリアクリレート（類）及び
それらの共重合体、エポキシ樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂のような高い絶縁耐力の有機重合体材料
である。バインダーの特別に有用な種類はポリ−
Ｎ−ビニル カルバゾール、ポリアンスラセン
ポリビニルアセナフタリン、ポリ２・９−メチレ
ン フルオレン ポリビニル フエロセン、ポリ
ベンゾカルバゾール、ポリベンゾアンスラセンの
ような有機光電導体である。本発明の実施に際し
て光電導層（単数あるいは複数）は増感性染料の
改良された種類と組み合わされなければならない
が、その他の点では多くのエレメントの構造は当
業界で普通に用いられるものと同一である。 第１ないし第７図は本発明の光電導体エレメン
トに対して予期している種々の物理的構造を例示
するものである。 第１図は、基板（この構造で基体は光電導体が
光に露出したとき放電できるようにある程度の電
導性を有しなければならない）の上に重ねられた
光電導体層からなる光電導エレメントを示す。 第２図は、それぞれ基板、電導体層及び光電導
体層で構成されている光電導性エレメントを示
す。 第３図は、それぞれ基体、光電導体及び増感性
染料を含有する層で構成されているか光電導性エ
レメントを示す。この構造は染料及び光電導性材
料が分離されていて、染料層の適用方法（例えば
染料の溶液でコーテイングする）が、その染料が
光電導体層の中に浸透していないことで第３図の
それと異なつている。 第４図は、それぞれ基体、電導体層、障壁層及
び光電導性層で構成されている光電導性エレメン
トを示す。障壁層は光電導性層と電導体層との間
を、それらの層が相互に反応性である場合又はエ
レメントの中で電導性の減少とそして絶縁性の増
加が所望の場合に、保護している。 第５図は、それぞれ基体、半導体性層、電導体
層及び光電導性層で構成される光電導性エレメン
トを示す。この配列は又基体の反対側に第２の半
導体層を有することができる。第１半導体層は密
着の増加及び光電導性層中の荷電消失効率の増大
の両方の作業をすることができる。第２半導体層
は基体の裏面に、特にエレメントの両方が荷電さ
れたところで再生工程で展開する荷電の気配を低
下させる。 第６図はそれぞれピエゾ／パイロ電気的重合体
層、光電導体層及び電導体層から構成される光電
導体エレメントを示す。 第７図はそれぞれ基体、光電導体層及び水性／
油性半導体層から構成される光電導性エレメント
に示す。この構成は静電気印刷法に用いるエレメ
ントとしての用途に適している。映像のできたフ
イルムでトナー粉末が溶融させられた領域はイン
キを受け入れる基体として働きその結果リトグラ
フ プレートとなる。 この開示から本発明のこれら及びその他の物理
的実施態様が理解されるであろう。 本発明の実施に活用される光電導性層は好まし
くは有機的、重合体的、多核熱可塑的樹脂及びそ
れらの共重合体（例えばポリ〔Ｎ−ビニル カル
バゾール〕又はビニル カルバゾール／ビニルア
セテート共重合体）及び本発明の実施に用いられ
る他の増感性染料である。当業界に知られた他の
増感性染料（ドイツ国特許第1068115号明細書に
開示されたようなもの）は、フイルム改良剤（例
えば可塑剤、接着促進剤、硬化剤、エポキシ樹脂
及びポリカーボネートのように他の熱可塑性樹
脂）、ロイコ染料の酸化によつて着色映像形成を
増強するための有機酸（例えばビス〔トリフルオ
ルメチル−スルホニル−メタン〕）、ホトハロゲン
（photohalogen）（例えばトリストリブロモ−ｓ−
トリアジン）及び電導を助けるルイス酸類のよう
な光電導体構造に有用であると知られる添加剤と
同様に使用され得る。 電導体層は本質的に、金属コーテイング（例え
ばAl、Cu、Ag、Crなど）、無機金属酸化物（例
えば鉄酸化物、酸化インジウム、酸化第一ス
ズ）、無機塩（例えばヨウ化銅）及びポリビニル
ベンゼンピリジウム クロリド（1967年５月15日
公布、イタリア国特許第767082号明細書、及び
1968年２月１日公布イタリア国特許第801584号明
細書参照）及びスルホン化ポリビニルトルエン類
のような電気伝導性樹脂（分子充てん樹脂を含
む）のような電導特性を有する材料のいずれの層
でもよろしい。 最も多くの構成の基体は紙、熱可塑性樹脂（ポ
リエステル類、アセテート類、塩化ビニル類、ポ
リカーボネート類など）、ポリマー マトリツク
スなどのようないずれかの支持体材料であり得
る。その基体は個々の影像方法に依存して絶縁的
又は電導的で高い又は低い誘電率を有するもので
あり得る。 本発明の実施中にある種の染料材料がバインダ
ーに対して半導体特性を寄与して光電導性材料に
対して増感剤として用いた場合に顕著な特性を有
することが見い出された。本発明の実施に用いら
れる染料の一般的種類は著しい特性特別に増感剤
として要求される、低い半電圧−光消失時間、あ
りふれた溶媒中の有用溶解性範囲、活性増感剤と
しての高い量子効率、赤外域まで拡大する広い増
感範囲、及び高い電荷の受容、を一般的に提供す
ることが見い出された。 本発明の実施に有用である染料は最低２個のキ
ノイドベンゼン環がそれに結合した３又は４員炭
素環又はエチレン性基（すなわち＝（Ｃ＝Ｃ）＝）
を有するもので、すべての残りの環形成炭素はカ
ーボニル部分の部分として満足している原子価を
有している。 本発明の実施に用いられたようなキノ−及びキ
ノイド ベンゼンという用語は１個の酸素で満足
させられた１個のエクソ環状二重結合（すなわ
ち、
【式】）を有するキノイド環を意
味する。３及び４員環及びエチレン性基に結合し
ているこれらのキノ基はキノイド型ベンゼンカル
ボニル基のオルト位*に塩素よりも電子引き抜き
性でない置換基を持ち得る。 ＊ （すなわち置換基X1及びX2は次の示すよう
にだけ独立に位置を占めることができる） 式中X1及びX2は塩素よりも電子引き抜き性の
基である。塩素よりも電子引き抜き性でない１個
又は２個の置換基が存在し得る。キノイドベンゼ
ン基のそのような置換基には例えばアルキル及び
アルコキシ（直鎖又は分枝、好ましくはC1−C20
基）、フエニル、フエノキシ、ハロフエニル、C1
−C10アルキル及びアルコキシ置換フエニル、ハ
ロ−置換直鎖及び分枝アルキル（炭素原子１個当
り１個を越さないハロゲン原子を有する）、アミ
ノ、ヨード、ブロモ、クロロ、カルボキシル、カ
ルバミル、及びアミド基が含まれる。塩素よりも
電子引き抜き性でない置換基を有するそのような
化合物は当業界に公知の後で引用されるR.ウエ
スト（West）博士らの方法で造ることができ
る。好ましくはこれらの基の中に全体で60個を超
える原子が存在すべきでなく、そして最も好まし
くは20を超える原子がないことである。本発明の
実施の中の化合物についてのこの明細書中でキノ
−又はキノイド ベンゼンの用語の使用は置換さ
れた（上記定義によつて限定された）及び置換さ
れてない基を含有する。これらの置換基は記載し
たように機能に対して化合物の能力を有効的に影
響を及ぼすことはないけれども、それらは全然不
活性の基ではない。その置換基はキノイド基の要
求されない還元を妨止して化合物に安定性を提供
するのに奉仕し又染料の溶解性を改良する（例え
ば長鎖炭化水素基は無極性溶媒のより良い溶解性
のために、そして極性基は極性溶媒のより良い溶
解性のために）。染料それ自身は通常のコーテイ
ング溶媒中に光電導体１モル当り染料0.5×10-6
モルからその染料の溶解性限界までの濃度で用い
られるのが好ましい。半導体添加剤として用いら
れる場合にはバインダー中の染料のいかなる濃度
でもその目的に対して有効であつても意図される
のは要求される量である。最低でも染料なしのバ
インダーの電導性を20％変更する染料の分量が効
果的の量であるだろう。 その上置換基（単）中に20個を超える炭素原子
及び４個を超える異種原子をオルト位の置換基
（複）が有しないことが一般的に好ましい。 染料が次の式で順次代表される
ているこれらのキノ基はキノイド型ベンゼンカル
ボニル基のオルト位*に塩素よりも電子引き抜き
性でない置換基を持ち得る。 ＊ （すなわち置換基X1及びX2は次の示すよう
にだけ独立に位置を占めることができる） 式中X1及びX2は塩素よりも電子引き抜き性の
基である。塩素よりも電子引き抜き性でない１個
又は２個の置換基が存在し得る。キノイドベンゼ
ン基のそのような置換基には例えばアルキル及び
アルコキシ（直鎖又は分枝、好ましくはC1−C20
基）、フエニル、フエノキシ、ハロフエニル、C1
−C10アルキル及びアルコキシ置換フエニル、ハ
ロ−置換直鎖及び分枝アルキル（炭素原子１個当
り１個を越さないハロゲン原子を有する）、アミ
ノ、ヨード、ブロモ、クロロ、カルボキシル、カ
ルバミル、及びアミド基が含まれる。塩素よりも
電子引き抜き性でない置換基を有するそのような
化合物は当業界に公知の後で引用されるR.ウエ
スト（West）博士らの方法で造ることができ
る。好ましくはこれらの基の中に全体で60個を超
える原子が存在すべきでなく、そして最も好まし
くは20を超える原子がないことである。本発明の
実施の中の化合物についてのこの明細書中でキノ
−又はキノイド ベンゼンの用語の使用は置換さ
れた（上記定義によつて限定された）及び置換さ
れてない基を含有する。これらの置換基は記載し
たように機能に対して化合物の能力を有効的に影
響を及ぼすことはないけれども、それらは全然不
活性の基ではない。その置換基はキノイド基の要
求されない還元を妨止して化合物に安定性を提供
するのに奉仕し又染料の溶解性を改良する（例え
ば長鎖炭化水素基は無極性溶媒のより良い溶解性
のために、そして極性基は極性溶媒のより良い溶
解性のために）。染料それ自身は通常のコーテイ
ング溶媒中に光電導体１モル当り染料0.5×10-6
モルからその染料の溶解性限界までの濃度で用い
られるのが好ましい。半導体添加剤として用いら
れる場合にはバインダー中の染料のいかなる濃度
でもその目的に対して有効であつても意図される
のは要求される量である。最低でも染料なしのバ
インダーの電導性を20％変更する染料の分量が効
果的の量であるだろう。 その上置換基（単）中に20個を超える炭素原子
及び４個を超える異種原子をオルト位の置換基
（複）が有しないことが一般的に好ましい。 染料が次の式で順次代表される
【式】
【式】及びＡ＝（Ｃ＝Ｃ）o＝Ａ
式中ｎ＝１又は２式中Ａはキノイドベンゼン基
であり、そしてＢはキノイドベンゼン基又は１ケ
の酸素原子である。 これらの染料の製造は、例えばロバート ウエ
スト博士（Dr.Robert West）及び彼の協同研究
者がウイスコンシン（Wisconsin）大学で出版し
た多数の報告の中で見い出すことができる。これ
らの論文はロバート ウエストら（Robert West
et al.）の「トリクロルシクロプロペニウム イ
オンからトリアリールシクロプロペニウム イオ
ン及びジアリールシクロプロペノン」、ジヤーナ
ル オブ ジ アメリカン ケミカル ソサイエ
テイ（J.A.C.S.）第92巻、第１号、1970年１月14
日発行第149−154ページ、「ジキノシクロプロペ
ン及びトリキノシクロプロパン」ロバート ウエ
ストら（Robert West et al）、同上誌の同巻、
同号の第155−161ページ、「ジキノシクロ プロ
パノン及びジキノエチレンの合成」ロバート ウ
エストら、（Robert West et al）、J.A.C.S.第89
巻、第１号1967年１月１日発行第153ページ、及
び「トリキノシクロプロパン」ロバート ウエス
トら（Robert West et al）、J.A.C.S.第88巻第６
号、第11ページ、 を含んでいる。 以下の実施例によつて本発明を更に説明する。 実施例 １ ポリビニルカルバゾール（PVK）１ｇをクロ
ロベンゼン中に溶解させて10重量％溶液を造つ
た。その溶液にヘキサ（ｔ−ブチル）トリキノシ
クロプロパン（TQCP）４mgを加えて４mg染料／
１ｇPVKの割合とした。その溶液を0.0127mm（1/
２ミル）厚のアルミニウム箔にナイフエツジでコ
ートし50℃で10分間オーブンで乾燥した。そのコ
ート（被覆）したアルミニウムをコロナでマイナ
スに荷電させた。映像させるように光に露出させ
た後、その中に＊48.52ズルーブルー（Zulu
Blue）818−026−16（ハーシヨー ケミカル社
〔Harshaw Chemical Co〕製）の顔料が分散させ
られているケロシンのような非極性炭化水素媒体
で構成されている液体現像剤中に含浸させた。そ
のエレメントを短時間後取り出したところ高品質
で高鮮明なカラー陽映像が観察された。 実施例 ２ クロロベンゼン中ポリビニル カルバゾール10
％溶液にヘキサ（ｔ−ブチル）トリキノシクロプ
ロパン（TQCP）を添加してTPCP0.1重量％溶液
を造つた。この溶液の半分に更にトリス−トリブ
ロモメチル−ｓ−トリアジン５mgを加えて得られ
た溶液を電導性ベース（金属充てん熱可塑性樹
脂）上に約10μ厚の薄い層にコートした後、前同
様にオーブンで乾燥させた。残りの半分を同様に
コートした後同様に乾燥させた。光誘導電荷消失
の測定はマイナスに静電気的に荷電した試料を
30.480cm（１フート）の距離に置いた15燭光の光
源に露出させて（15foot candle light source）
行つた。トリアジン化合物なし10秒間後の残存電
圧は100Vであつたが、トリアジンのあるものは
わずかに10Vでこのことは遊離ハロゲン化合物が
本発明の染料と一緒に光減衰（photdecay）、を
強めることを実証している。 実施例 ３ クロルベンゼン／１・２−ジクロルエタン重量
80／20混合物中ポリビニルカルバゾール20重量％
溶液に５mg染料／ｇポリビニルカルバゾールの比
になるのに十分なだけのオクタ（ｔ−ブチル）−
テトラキノシクロブタンを加えた。その溶液を電
導体支持体にコートしてから乾燥した。その試料
を光電導体としての効率を試験するために次の装
置にかけた。 径2.54cm（１インチ）の円板を上記の光電導体
試料からポンチで抜き取つて静電気的に荷電して
いるMKシステム モデル169C「スタテイテスタ
ー」（“State−Tester”）のような静電気式ボルト
メータのリシービング エレメントに差込んだ。
それは暗所減衰、そのエレメントを光に露出後に
感光度を測定して横軸−縦軸の二元グラフに記録
する。ネガテイブ及びポジテイブの両方の荷電及
びあらかじめ設定した期間暗電流測定が得られ
る。照射は15ft（30.480cm〜15燭光）の強さであ
らかじめ設定した時間行う。このような装置は一
連の物理的段階のいずれかの時刻での存在電荷の
測定値を提供するので工程中の電荷の変化を測定
する。 上記の試料は10秒間ネガテイブ コロナ荷電、
５秒間暗所減衰時間、及び15fcのタングステン光
源に10秒間露出で次の結果を与えた。 500 Ｖ 受けた荷電 20 Ｖ 暗所減衰 0.45秒 1/2の電圧になるまでに（250V） 1.0 秒 1/50の電圧になるまでに（残存10ボル
ト） 実施例 ４ 80／20クロロベンゼン／１・２−ジクロロエタ
ン10ｇ中にポリビニル カルバゾール1.0ｇ溶液
にヘキサ−ｔ−ブチル トリキノシクロプロパン
2.0mgを加えた。アルミニウムで蒸気コートされ
た0.0762mm（３ミル）厚のポリエステル フイル
ムで構成されている導電体支持フイルムのアルミ
ニウム面上に上記の液を湿時0.0635mm（2.5ミ
ル）厚にコートした。その光電導性層の上に、ポ
リ塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体中に溶解させ
た酸に敏感なロイコ染料の非常に薄いコーテイン
グを適用した。その透明にできているものを次い
でマイナスに荷電させタングステン光源で映像露
出した後サリチル酸の分散微粒子から成る現像液
中に浸入させた。その酸が荷電している領域の映
像に付着して加熱するとカラー陽画となる。 実施例 ５ 容積80／20クロロベンゼン／１・２−ジクロロ
エタン溶液90ｇ中にポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル10ｇを溶解させた。この溶液にヘキサ−イソプ
ロピルトリキノシクロプロパン500mgを加えた。
得られた濃緑色溶液を約25μの厚さに、スルホン
化ポリエステル*でサブコート（薄膜被覆）され
た0.0381mm（1.5ミル）アルミニウムシート上
に、ナイフ−エツジでコートした。 ＊ （ポリビニルカルバゾール フイルムの粘着
促進剤としてイーストマン コダツク
〔Eastman Kodak〕社で製造販売している
“WDサイズ”） このコーテイングを50℃の暖かい空気オーブン
中で溶媒を除去するために空気を送りながら10分
間均一に乾燥させた。このフイルムを切断して
別々の試料にして感光性を電子写真的モードで試
験して、10秒間100maでマイナスにコロナ荷電さ
せて、５秒間暗所減衰、2850〓のタングステン
フイラメント光源で15fc １秒で行つて次のデー
タを得た 受けた荷電 650 Ｖ 暗所減衰 50 Ｖ 1/2の電圧（325V）までの時間 0.30秒 50V（ｆ＜ｓで）までの時間 0.75秒 10秒後の残存電圧 ０ Ｖ 残存荷電が低いのでその複合物は電子複写装置
のエンドレス ベルトの組立に有用性を示してい
る。 次の実施例はいずれかのバインダー材料に添加
された場合の本発明の染料の半導体的特性を研究
調査する。フイルム状のバインダー材料の対照を
バインダーに本発明の染料を更に含有している試
料と比較した。 バインダーの試料及び対照コーテイングを体積
及び表面直流電導度を光照射及び暗黒状態で調査
して光電導性及び半導体性を試験した。電磁的照
射のためにタングステン光源及び赤外線照射源の
両方が使用された。光露出中（ＩL）及び暗黒状
態（ＩD）の測定を行つた。1.00を越すＩL／ＩD
の値が最終的に半導体的又は光電導体的特性を示
す。次の実施例で100Wタングステンランプ及び
250W赤外線ランプと一緒に104V/cmの電荷の場
に適用した。 実施例 ６−13 次の工程はこれらの試料のすべてを造るのに用
いられた。記載した重合体をクロロベンゼンに溶
解させて10重量％溶液とした。いずれにしても添
加剤の記載された量を十分にその溶液中に混合し
次いでそれを蒸着されたアルミニウムフイルムを
有する0.1006mm（４ミル）厚のポリエステルフイ
ルム上にスピン−コート（spin−coated）した。
すべての場合コーテイングは約0.0254mm（1.0ミ
ル）厚であつた。 製造された試料組成 実施例６ ポリメチル メタアクリレート（対
照）。 実施例７ ポリメチル メタアクリレート及びテ
トラフエニル−ｐ−フエニレンジアミン0.5％
（単量体的電子供与者）。 実施例８ ポリメチル メタアクリレート、ヘキ
サ−ｔ−ブチル−トリキノシクロプロパン0.4
％及びテトラフエニル−ｐ−フエニレンジアミ
ン。 実施例９ ポリビニルトルエン−ブタジエン共重
合体（対照）。 実施例10 ポリビニルトルエン−ブタジエン共重
合体及ヘキサ−ｔ−ブチルトリキノシクロプロ
パンの等モル量。 実施例11 ポリビニルトルエン−ブタジエン共重
合体及びテトラフエニル−ｐ−フエニレンジア
ミンを重合体に対して0.5重量％ 実施例12 単量体１ｇ当りヘキサ−ｔ−ブチル
トリキノシクロプロパン５×10-4モルを含有し
ているポリビニルトルエン。 実施例13 ヘキサ−ｔ−ブチル トリキノシクロ
プロパン及びテトラフエニル−ｐ−フエニレン
ジアミンの両者を５×10-4モルを含有している
ポリビニルトルエン。 すべての測定を試料の大部分で行つた結果を次
に記録する。
であり、そしてＢはキノイドベンゼン基又は１ケ
の酸素原子である。 これらの染料の製造は、例えばロバート ウエ
スト博士（Dr.Robert West）及び彼の協同研究
者がウイスコンシン（Wisconsin）大学で出版し
た多数の報告の中で見い出すことができる。これ
らの論文はロバート ウエストら（Robert West
et al.）の「トリクロルシクロプロペニウム イ
オンからトリアリールシクロプロペニウム イオ
ン及びジアリールシクロプロペノン」、ジヤーナ
ル オブ ジ アメリカン ケミカル ソサイエ
テイ（J.A.C.S.）第92巻、第１号、1970年１月14
日発行第149−154ページ、「ジキノシクロプロペ
ン及びトリキノシクロプロパン」ロバート ウエ
ストら（Robert West et al）、同上誌の同巻、
同号の第155−161ページ、「ジキノシクロ プロ
パノン及びジキノエチレンの合成」ロバート ウ
エストら、（Robert West et al）、J.A.C.S.第89
巻、第１号1967年１月１日発行第153ページ、及
び「トリキノシクロプロパン」ロバート ウエス
トら（Robert West et al）、J.A.C.S.第88巻第６
号、第11ページ、 を含んでいる。 以下の実施例によつて本発明を更に説明する。 実施例 １ ポリビニルカルバゾール（PVK）１ｇをクロ
ロベンゼン中に溶解させて10重量％溶液を造つ
た。その溶液にヘキサ（ｔ−ブチル）トリキノシ
クロプロパン（TQCP）４mgを加えて４mg染料／
１ｇPVKの割合とした。その溶液を0.0127mm（1/
２ミル）厚のアルミニウム箔にナイフエツジでコ
ートし50℃で10分間オーブンで乾燥した。そのコ
ート（被覆）したアルミニウムをコロナでマイナ
スに荷電させた。映像させるように光に露出させ
た後、その中に＊48.52ズルーブルー（Zulu
Blue）818−026−16（ハーシヨー ケミカル社
〔Harshaw Chemical Co〕製）の顔料が分散させ
られているケロシンのような非極性炭化水素媒体
で構成されている液体現像剤中に含浸させた。そ
のエレメントを短時間後取り出したところ高品質
で高鮮明なカラー陽映像が観察された。 実施例 ２ クロロベンゼン中ポリビニル カルバゾール10
％溶液にヘキサ（ｔ−ブチル）トリキノシクロプ
ロパン（TQCP）を添加してTPCP0.1重量％溶液
を造つた。この溶液の半分に更にトリス−トリブ
ロモメチル−ｓ−トリアジン５mgを加えて得られ
た溶液を電導性ベース（金属充てん熱可塑性樹
脂）上に約10μ厚の薄い層にコートした後、前同
様にオーブンで乾燥させた。残りの半分を同様に
コートした後同様に乾燥させた。光誘導電荷消失
の測定はマイナスに静電気的に荷電した試料を
30.480cm（１フート）の距離に置いた15燭光の光
源に露出させて（15foot candle light source）
行つた。トリアジン化合物なし10秒間後の残存電
圧は100Vであつたが、トリアジンのあるものは
わずかに10Vでこのことは遊離ハロゲン化合物が
本発明の染料と一緒に光減衰（photdecay）、を
強めることを実証している。 実施例 ３ クロルベンゼン／１・２−ジクロルエタン重量
80／20混合物中ポリビニルカルバゾール20重量％
溶液に５mg染料／ｇポリビニルカルバゾールの比
になるのに十分なだけのオクタ（ｔ−ブチル）−
テトラキノシクロブタンを加えた。その溶液を電
導体支持体にコートしてから乾燥した。その試料
を光電導体としての効率を試験するために次の装
置にかけた。 径2.54cm（１インチ）の円板を上記の光電導体
試料からポンチで抜き取つて静電気的に荷電して
いるMKシステム モデル169C「スタテイテスタ
ー」（“State−Tester”）のような静電気式ボルト
メータのリシービング エレメントに差込んだ。
それは暗所減衰、そのエレメントを光に露出後に
感光度を測定して横軸−縦軸の二元グラフに記録
する。ネガテイブ及びポジテイブの両方の荷電及
びあらかじめ設定した期間暗電流測定が得られ
る。照射は15ft（30.480cm〜15燭光）の強さであ
らかじめ設定した時間行う。このような装置は一
連の物理的段階のいずれかの時刻での存在電荷の
測定値を提供するので工程中の電荷の変化を測定
する。 上記の試料は10秒間ネガテイブ コロナ荷電、
５秒間暗所減衰時間、及び15fcのタングステン光
源に10秒間露出で次の結果を与えた。 500 Ｖ 受けた荷電 20 Ｖ 暗所減衰 0.45秒 1/2の電圧になるまでに（250V） 1.0 秒 1/50の電圧になるまでに（残存10ボル
ト） 実施例 ４ 80／20クロロベンゼン／１・２−ジクロロエタ
ン10ｇ中にポリビニル カルバゾール1.0ｇ溶液
にヘキサ−ｔ−ブチル トリキノシクロプロパン
2.0mgを加えた。アルミニウムで蒸気コートされ
た0.0762mm（３ミル）厚のポリエステル フイル
ムで構成されている導電体支持フイルムのアルミ
ニウム面上に上記の液を湿時0.0635mm（2.5ミ
ル）厚にコートした。その光電導性層の上に、ポ
リ塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体中に溶解させ
た酸に敏感なロイコ染料の非常に薄いコーテイン
グを適用した。その透明にできているものを次い
でマイナスに荷電させタングステン光源で映像露
出した後サリチル酸の分散微粒子から成る現像液
中に浸入させた。その酸が荷電している領域の映
像に付着して加熱するとカラー陽画となる。 実施例 ５ 容積80／20クロロベンゼン／１・２−ジクロロ
エタン溶液90ｇ中にポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル10ｇを溶解させた。この溶液にヘキサ−イソプ
ロピルトリキノシクロプロパン500mgを加えた。
得られた濃緑色溶液を約25μの厚さに、スルホン
化ポリエステル*でサブコート（薄膜被覆）され
た0.0381mm（1.5ミル）アルミニウムシート上
に、ナイフ−エツジでコートした。 ＊ （ポリビニルカルバゾール フイルムの粘着
促進剤としてイーストマン コダツク
〔Eastman Kodak〕社で製造販売している
“WDサイズ”） このコーテイングを50℃の暖かい空気オーブン
中で溶媒を除去するために空気を送りながら10分
間均一に乾燥させた。このフイルムを切断して
別々の試料にして感光性を電子写真的モードで試
験して、10秒間100maでマイナスにコロナ荷電さ
せて、５秒間暗所減衰、2850〓のタングステン
フイラメント光源で15fc １秒で行つて次のデー
タを得た 受けた荷電 650 Ｖ 暗所減衰 50 Ｖ 1/2の電圧（325V）までの時間 0.30秒 50V（ｆ＜ｓで）までの時間 0.75秒 10秒後の残存電圧 ０ Ｖ 残存荷電が低いのでその複合物は電子複写装置
のエンドレス ベルトの組立に有用性を示してい
る。 次の実施例はいずれかのバインダー材料に添加
された場合の本発明の染料の半導体的特性を研究
調査する。フイルム状のバインダー材料の対照を
バインダーに本発明の染料を更に含有している試
料と比較した。 バインダーの試料及び対照コーテイングを体積
及び表面直流電導度を光照射及び暗黒状態で調査
して光電導性及び半導体性を試験した。電磁的照
射のためにタングステン光源及び赤外線照射源の
両方が使用された。光露出中（ＩL）及び暗黒状
態（ＩD）の測定を行つた。1.00を越すＩL／ＩD
の値が最終的に半導体的又は光電導体的特性を示
す。次の実施例で100Wタングステンランプ及び
250W赤外線ランプと一緒に104V/cmの電荷の場
に適用した。 実施例 ６−13 次の工程はこれらの試料のすべてを造るのに用
いられた。記載した重合体をクロロベンゼンに溶
解させて10重量％溶液とした。いずれにしても添
加剤の記載された量を十分にその溶液中に混合し
次いでそれを蒸着されたアルミニウムフイルムを
有する0.1006mm（４ミル）厚のポリエステルフイ
ルム上にスピン−コート（spin−coated）した。
すべての場合コーテイングは約0.0254mm（1.0ミ
ル）厚であつた。 製造された試料組成 実施例６ ポリメチル メタアクリレート（対
照）。 実施例７ ポリメチル メタアクリレート及びテ
トラフエニル−ｐ−フエニレンジアミン0.5％
（単量体的電子供与者）。 実施例８ ポリメチル メタアクリレート、ヘキ
サ−ｔ−ブチル−トリキノシクロプロパン0.4
％及びテトラフエニル−ｐ−フエニレンジアミ
ン。 実施例９ ポリビニルトルエン−ブタジエン共重
合体（対照）。 実施例10 ポリビニルトルエン−ブタジエン共重
合体及ヘキサ−ｔ−ブチルトリキノシクロプロ
パンの等モル量。 実施例11 ポリビニルトルエン−ブタジエン共重
合体及びテトラフエニル−ｐ−フエニレンジア
ミンを重合体に対して0.5重量％ 実施例12 単量体１ｇ当りヘキサ−ｔ−ブチル
トリキノシクロプロパン５×10-4モルを含有し
ているポリビニルトルエン。 実施例13 ヘキサ−ｔ−ブチル トリキノシクロ
プロパン及びテトラフエニル−ｐ−フエニレン
ジアミンの両者を５×10-4モルを含有している
ポリビニルトルエン。 すべての測定を試料の大部分で行つた結果を次
に記録する。
【表】
上記のデータはバインダー材料に対し本発明の
染料の添加はそれに半導体特性又は光電導体特性
を創造する（ポリメチル メタアクリレート及び
ポリビニルトルエン−ブタジエン共重合体におい
て）か又はバインダー中に既に現在しているこれ
らの特性の有用性を実質的に増大させる（ポリビ
ニルトルエンの例と共に）ことを開示する。この
ことは本発明の実施の中で列挙された染料を含有
するバインダーの一般的有用性を支持する。 実施例 14 クロロベンゼン及び１・２−ジクロロエタン重
量８／２溶液の９ｇ中にポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール１ｇを溶解させた。この溶液にジキノエチ
レン50mgを添加して溶解するまでかきまぜた。そ
の組成物をナイフ−エツジを用いて市場で入手で
きる透明な導電性重合体樹脂（ECR−34、ダウ
ケミカル〔Dow Chemical〕社製）でコートさ
れているポリエステル フイルムに約25μの薄い
フイルムになるようにコートした。その光電導組
成物をオーブンで50℃で５分間一様に乾燥させ
た。光減衰及び光電導性の測定を上記のように行
ない半分の電圧にまで光で減衰するまでの時間を
15fcs（15燭光、30.480cm、秒）で記録した。
染料の添加はそれに半導体特性又は光電導体特性
を創造する（ポリメチル メタアクリレート及び
ポリビニルトルエン−ブタジエン共重合体におい
て）か又はバインダー中に既に現在しているこれ
らの特性の有用性を実質的に増大させる（ポリビ
ニルトルエンの例と共に）ことを開示する。この
ことは本発明の実施の中で列挙された染料を含有
するバインダーの一般的有用性を支持する。 実施例 14 クロロベンゼン及び１・２−ジクロロエタン重
量８／２溶液の９ｇ中にポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール１ｇを溶解させた。この溶液にジキノエチ
レン50mgを添加して溶解するまでかきまぜた。そ
の組成物をナイフ−エツジを用いて市場で入手で
きる透明な導電性重合体樹脂（ECR−34、ダウ
ケミカル〔Dow Chemical〕社製）でコートさ
れているポリエステル フイルムに約25μの薄い
フイルムになるようにコートした。その光電導組
成物をオーブンで50℃で５分間一様に乾燥させ
た。光減衰及び光電導性の測定を上記のように行
ない半分の電圧にまで光で減衰するまでの時間を
15fcs（15燭光、30.480cm、秒）で記録した。
第１図は基板の上に重ねられた光電導体層から
なる光電導エレメントを示す拡大断面図。第２図
は、それぞれ基体、電導体層及び光電導体層で構
成されている光電導性エレメントを示す拡大断面
図。第３図は、それぞれ基体光電導体及び増感性
染料を含有する層で構成されている光電導性エレ
メントを示す拡大断面図。第４図はそれぞれ基
体、電導体層、障壁層及び光電導性層で構成され
ている光電導性エレメントを示す拡大断面図。第
５図は、それぞれ基体、半導体性層、電導体層及
び光電導性層で構成される光電導性エレメントを
示す拡大断面図。第６図はそれぞれピエゾ／パイ
ロ電気的重合体層、光電導体層及び電導体層から
構成された光電導性エレメントを示す拡大断面
図。第７図はそれぞれ基体、光電導体層及び水
性／親油性半導体層から構成される光電導性エレ
メントを示す拡大断面図。
なる光電導エレメントを示す拡大断面図。第２図
は、それぞれ基体、電導体層及び光電導体層で構
成されている光電導性エレメントを示す拡大断面
図。第３図は、それぞれ基体光電導体及び増感性
染料を含有する層で構成されている光電導性エレ
メントを示す拡大断面図。第４図はそれぞれ基
体、電導体層、障壁層及び光電導性層で構成され
ている光電導性エレメントを示す拡大断面図。第
５図は、それぞれ基体、半導体性層、電導体層及
び光電導性層で構成される光電導性エレメントを
示す拡大断面図。第６図はそれぞれピエゾ／パイ
ロ電気的重合体層、光電導体層及び電導体層から
構成された光電導性エレメントを示す拡大断面
図。第７図はそれぞれ基体、光電導体層及び水
性／親油性半導体層から構成される光電導性エレ
メントを示す拡大断面図。
Claims (1)
- １ 重合体バインダー及び最低２個のキノイドベ
ンゼン環がシクロプロパン、シクロブタン及び＝
（Ｃ＝Ｃ）o＝（式中、ｎは１又は２である）の組か
ら選ばれた架橋部分を通して結合しており、且つ
シクロプロパン及びシクロブタン架橋部分の直接
にキノイドベンゼン環と結合していない、いずれ
の環形成炭素がカーボニル基を完成させるために
酸素と結合して構成されている染料を包含する半
導体組成物。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/556,400 US4052209A (en) | 1975-03-07 | 1975-03-07 | Semiconductive and sensitized photoconductive compositions |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51117039A JPS51117039A (en) | 1976-10-14 |
| JPS6132666B2 true JPS6132666B2 (ja) | 1986-07-28 |
Family
ID=24221194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51024048A Granted JPS51117039A (en) | 1975-03-07 | 1976-03-05 | Semiconductor composition |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4052209A (ja) |
| JP (1) | JPS51117039A (ja) |
| AR (1) | AR219235A1 (ja) |
| BE (1) | BE839263A (ja) |
| BR (1) | BR7601346A (ja) |
| CA (1) | CA1074169A (ja) |
| CH (1) | CH620697A5 (ja) |
| DE (1) | DE2609149A1 (ja) |
| FR (1) | FR2303316A1 (ja) |
| GB (1) | GB1545796A (ja) |
| IT (1) | IT1057315B (ja) |
| SE (1) | SE409513B (ja) |
| ZA (1) | ZA761084B (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4222902A (en) * | 1975-03-07 | 1980-09-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Semiconductive and sensitized photoconductive compositions |
| US4133821A (en) * | 1977-03-15 | 1979-01-09 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Alkylidenediquinocyclopropanes and Diarylcyclopropenes and method for preparation |
| US4205005A (en) * | 1977-08-11 | 1980-05-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Anthraquino-cycloalkane dyes |
| DE2908123A1 (de) * | 1978-03-03 | 1979-09-06 | Canon Kk | Bildaufzeichnungsmaterial fuer elektrophotographie |
| US4282297A (en) * | 1978-12-14 | 1981-08-04 | Dennison Manufacturing Company | Charge transfer imaging |
| JPS55127561A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| DE3264472D1 (en) * | 1981-02-23 | 1985-08-08 | Minnesota Mining & Mfg | Electron donor compounds and photoconductive charge transport materials |
| US4367274A (en) * | 1981-02-23 | 1983-01-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sensitized organic electron donor bis-benzocarbazole compounds |
| US4448492A (en) * | 1982-12-23 | 1984-05-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Cycloalkyl-type isotropic dyes for liquid crystal display devices |
| US4511492A (en) * | 1983-10-19 | 1985-04-16 | Uop Inc. | Electrically conducting aromatic azopolymers and method of preparation |
| JPS60184577A (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-20 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 導電性高分子樹脂電着組成物 |
| US4585895A (en) * | 1985-02-20 | 1986-04-29 | Xerox Corporation | Processes for the preparation of mixed squaraine compositions |
| DE3507379A1 (de) * | 1985-03-02 | 1986-11-06 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Optisches aufzeichnungsmedium |
| US4746756A (en) * | 1985-06-24 | 1988-05-24 | Xerox Corporation | Photoconductive imaging members with novel fluorinated squaraine compounds |
| US5284705A (en) * | 1990-09-06 | 1994-02-08 | Garland Floor Co. | Antistatic coating comprising tin-oxide-rich pigments and process and coated substrate |
| US20030228534A1 (en) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | Jiayi Zhu | Organophotoreceptor with a light stabilizer |
| US7220985B2 (en) * | 2002-12-09 | 2007-05-22 | Spansion, Llc | Self aligned memory element and wordline |
| US6872500B2 (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Method of patterning an electroconductive layer on a support |
| EP2180029B1 (en) * | 2008-10-23 | 2011-07-27 | Novaled AG | Radialene compounds and their use |
| US9956118B2 (en) | 2014-09-15 | 2018-05-01 | 3M Innovative Properties Company | Personal protective system tool communication adapter |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| LU36383A1 (ja) * | 1957-09-07 | |||
| BE585555A (ja) * | 1960-03-31 | |||
| US3408185A (en) * | 1965-01-18 | 1968-10-29 | Xerox Corp | Electrophotographic materials and method employing photoconductive resinous charge transfer complexes |
| US3485624A (en) * | 1966-06-07 | 1969-12-23 | Eastman Kodak Co | Photoconductive properties of poly-n-vinyl carbazole |
| DE1772688A1 (de) * | 1968-06-20 | 1971-05-27 | Agfa Gevaert Ag | Sinsibilisierte photoleitfaehige Schichten |
| US3764315A (en) * | 1972-07-24 | 1973-10-09 | Xerox Corp | Ambipolar electrophotographic plate |
| US3824099A (en) * | 1973-01-15 | 1974-07-16 | Ibm | Sensitive electrophotographic plates |
-
1975
- 1975-03-07 US US05/556,400 patent/US4052209A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-02-24 ZA ZA761084A patent/ZA761084B/xx unknown
- 1976-02-27 AR AR262426A patent/AR219235A1/es active
- 1976-03-05 CA CA247,243A patent/CA1074169A/en not_active Expired
- 1976-03-05 BE BE164915A patent/BE839263A/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-03-05 IT IT48434/76A patent/IT1057315B/it active
- 1976-03-05 SE SE7603029A patent/SE409513B/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-03-05 JP JP51024048A patent/JPS51117039A/ja active Granted
- 1976-03-05 CH CH280476A patent/CH620697A5/de not_active IP Right Cessation
- 1976-03-05 GB GB8977/76A patent/GB1545796A/en not_active Expired
- 1976-03-05 DE DE19762609149 patent/DE2609149A1/de active Granted
- 1976-03-05 FR FR7606270A patent/FR2303316A1/fr active Granted
- 1976-03-05 BR BR7601346A patent/BR7601346A/pt unknown
- 1976-11-19 US US05/743,171 patent/US4134764A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1545796A (en) | 1979-05-16 |
| DE2609149A1 (de) | 1976-09-09 |
| FR2303316B1 (ja) | 1981-04-30 |
| DE2609149C2 (ja) | 1987-03-26 |
| SE409513B (sv) | 1979-08-20 |
| IT1057315B (it) | 1982-03-10 |
| ZA761084B (en) | 1977-02-23 |
| BR7601346A (pt) | 1976-09-14 |
| US4052209A (en) | 1977-10-04 |
| AR219235A1 (es) | 1980-07-31 |
| FR2303316A1 (fr) | 1976-10-01 |
| BE839263A (fr) | 1976-09-06 |
| CA1074169A (en) | 1980-03-25 |
| CH620697A5 (ja) | 1980-12-15 |
| US4134764A (en) | 1979-01-16 |
| JPS51117039A (en) | 1976-10-14 |
| SE7603029L (sv) | 1976-09-08 |
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