JPS6131509Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6131509Y2 JPS6131509Y2 JP5953881U JP5953881U JPS6131509Y2 JP S6131509 Y2 JPS6131509 Y2 JP S6131509Y2 JP 5953881 U JP5953881 U JP 5953881U JP 5953881 U JP5953881 U JP 5953881U JP S6131509 Y2 JPS6131509 Y2 JP S6131509Y2
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- Japan
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- signal
- diode
- induction heating
- circuit
- switching element
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- Expired
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、誘導加熱調理器に関し、特に高周波
インバータの発振周波数を制御する半導体スイツ
チング素子のオフ信号の生成に改良を加えたもの
である。
インバータの発振周波数を制御する半導体スイツ
チング素子のオフ信号の生成に改良を加えたもの
である。
第１図は、本考案一実施例を示し、１は交流電
源、２はスイツチ、３は、整流回路、４はチヨー
クコイル、５は平滑コンデンサである。６は、単
方向半導体スイツチング素子として使用されるゲ
ートターンオフ（GTO）サイリスタで、トラン
ジスタを使用することもできる。７は、GTOサ
イリスタ６を逆並列に接続されたダイオード、８
は偏平渦巻状に巻かれた誘導加熱コイルで、調理
鍋９が近接配置される。１０は、共振コンデンサ
ーである。上記GTOサイリスタ６、ダイオード
７、誘導加熱コイル８および共振コンデンサ１０
にてインバータ１１を構成する。１２はダイオー
ド７のカノード側電圧VAを検出し、この電圧
が、ダイオード７のアノード側を基準として正か
ら負に反転したとき信号を発生し、フリツプフロ
ツプよりなる制御回路１３を介してGTOサイリ
スタ６にオフ信号を与えるオフ信号発生回路１４
は、このオフ信号発生回路１２からの信号が発振
のためのタイマ回路１５を経て入力されるオン信
号発生回路で、制御回路１３を介して、GTOサ
イリスタ６にオン信号を与えるものである。制御
回路１３より発せられるGTOサイリスタ６駆動
信号VGは、上記のようにオン信号発生回路１４
からの出力を受けて“Ｈ”レベルとなり、他方オ
フ信号発生回路１２からの出力を受けて“Ｌ”レ
ベルに反転する。この駆動信号VGは、その
“Ｈ”レベル期間、GTOサイリスタ６を導通し、
“Ｌ”レベル期間遮断する。なお、GTOサイリス
タ６の最初の起動信号は、別途制御回路１３へ与
えられる。
源、２はスイツチ、３は、整流回路、４はチヨー
クコイル、５は平滑コンデンサである。６は、単
方向半導体スイツチング素子として使用されるゲ
ートターンオフ（GTO）サイリスタで、トラン
ジスタを使用することもできる。７は、GTOサ
イリスタ６を逆並列に接続されたダイオード、８
は偏平渦巻状に巻かれた誘導加熱コイルで、調理
鍋９が近接配置される。１０は、共振コンデンサ
ーである。上記GTOサイリスタ６、ダイオード
７、誘導加熱コイル８および共振コンデンサ１０
にてインバータ１１を構成する。１２はダイオー
ド７のカノード側電圧VAを検出し、この電圧
が、ダイオード７のアノード側を基準として正か
ら負に反転したとき信号を発生し、フリツプフロ
ツプよりなる制御回路１３を介してGTOサイリ
スタ６にオフ信号を与えるオフ信号発生回路１４
は、このオフ信号発生回路１２からの信号が発振
のためのタイマ回路１５を経て入力されるオン信
号発生回路で、制御回路１３を介して、GTOサ
イリスタ６にオン信号を与えるものである。制御
回路１３より発せられるGTOサイリスタ６駆動
信号VGは、上記のようにオン信号発生回路１４
からの出力を受けて“Ｈ”レベルとなり、他方オ
フ信号発生回路１２からの出力を受けて“Ｌ”レ
ベルに反転する。この駆動信号VGは、その
“Ｈ”レベル期間、GTOサイリスタ６を導通し、
“Ｌ”レベル期間遮断する。なお、GTOサイリス
タ６の最初の起動信号は、別途制御回路１３へ与
えられる。
第２図は、オフ信号発生回路１２の具体例を示
し、１６は、信号VAが入力する端子、１７は、
この信号VAが端子１６からダイオード１８、抵
坑１９を介してベースに入力されるトランジス
タ、２０，２１は、抵坑およびコンデンサで、ト
ランジスタ１７のベースに続続され、時定数CR
（秒）の充放電回路を構成している、２２はトラ
ンジスタ１７のエミツタに設けられた出力端子、
Vccは、定電圧電源である。
し、１６は、信号VAが入力する端子、１７は、
この信号VAが端子１６からダイオード１８、抵
坑１９を介してベースに入力されるトランジス
タ、２０，２１は、抵坑およびコンデンサで、ト
ランジスタ１７のベースに続続され、時定数CR
（秒）の充放電回路を構成している、２２はトラ
ンジスタ１７のエミツタに設けられた出力端子、
Vccは、定電圧電源である。
次に動作を、第３図とともに説明する。起動信
号により駆動信号VGが“Ｈ”レベルになると、
GTOサイリスタ６が導通し共振コンデンサ１０
へ蓄積された電荷は、誘導加熱コイル８、GTO
サイリスタ６を通つて放電する（電流IL）かか
る放電が終了すると上記放電により共振コンデン
サ１０に逆方向に充電された電荷が放電すること
となるが、このときダイオード７は順方向へバイ
アスされる。電圧VAがダイオード７のアノード
側を基準として正の状態にある間コンデンサ２１
の充電々荷によりオフ状態となつていたトランジ
スタ１７は、上記信号VAの負反転により、導通
し、出力端子２２の電位は、“Ｈ”レベル電位か
ら“Ｌ”レベル電位へ変る。この信号は制御回路
１３に加わり、制御回路１３を動作させ駆動信号
VGを“Ｌ”レベルに反転させる。かくして、
GTOサイリスタ６は、遮断状態となる。その
後、共振コンデンサ１０の放電が終了し、ダイオ
ード７のカソード電位がダイオード７のアノード
側を基準として正に変わると、電源からの電流
が、誘導加熱コイル８を通つて共振コンデンサ１
０に加わり、充電されるため、電圧VAは上昇し
ていく。一方、先のオフ信号発生回路１２からの
信号は、発振のためのタイマー回路１５を経て一
定時間経過した後、オン信号発生回路１４へ加え
られるから、このオン信号発生回路１４の出力に
より、GTOサイリスタ６は、遮断後タイマー回
路１５により一定時間経過した後、駆動信号が与
えられて導通する。しかして、再び共振コンデン
サ１０の充電々荷の放電が、このGTOサイリス
タ６を通つてなされ次の発振サイクルがはじま
る。このようにして、オン、オフ駆動信号VGが
GTOサイリスタ６のゲートへ加えられ、インバ
ータ１１は、発振する。この発振周波数は、約
20KHzから約40ないし50KHz程度の範囲内で、上
記オン、オフ駆動信号VGにより制御される。な
お、上記例では、オン信号発生回路１４の動作
を、タイマー回路１５を利用して、オフ信号出力
後、一定時間後に発生する場合につき説明した
が、オン信号発生については、このほか、電圧
VAを検知して、その値が所定値に達したとき、
発生させる構成としてもよい。
号により駆動信号VGが“Ｈ”レベルになると、
GTOサイリスタ６が導通し共振コンデンサ１０
へ蓄積された電荷は、誘導加熱コイル８、GTO
サイリスタ６を通つて放電する（電流IL）かか
る放電が終了すると上記放電により共振コンデン
サ１０に逆方向に充電された電荷が放電すること
となるが、このときダイオード７は順方向へバイ
アスされる。電圧VAがダイオード７のアノード
側を基準として正の状態にある間コンデンサ２１
の充電々荷によりオフ状態となつていたトランジ
スタ１７は、上記信号VAの負反転により、導通
し、出力端子２２の電位は、“Ｈ”レベル電位か
ら“Ｌ”レベル電位へ変る。この信号は制御回路
１３に加わり、制御回路１３を動作させ駆動信号
VGを“Ｌ”レベルに反転させる。かくして、
GTOサイリスタ６は、遮断状態となる。その
後、共振コンデンサ１０の放電が終了し、ダイオ
ード７のカソード電位がダイオード７のアノード
側を基準として正に変わると、電源からの電流
が、誘導加熱コイル８を通つて共振コンデンサ１
０に加わり、充電されるため、電圧VAは上昇し
ていく。一方、先のオフ信号発生回路１２からの
信号は、発振のためのタイマー回路１５を経て一
定時間経過した後、オン信号発生回路１４へ加え
られるから、このオン信号発生回路１４の出力に
より、GTOサイリスタ６は、遮断後タイマー回
路１５により一定時間経過した後、駆動信号が与
えられて導通する。しかして、再び共振コンデン
サ１０の充電々荷の放電が、このGTOサイリス
タ６を通つてなされ次の発振サイクルがはじま
る。このようにして、オン、オフ駆動信号VGが
GTOサイリスタ６のゲートへ加えられ、インバ
ータ１１は、発振する。この発振周波数は、約
20KHzから約40ないし50KHz程度の範囲内で、上
記オン、オフ駆動信号VGにより制御される。な
お、上記例では、オン信号発生回路１４の動作
を、タイマー回路１５を利用して、オフ信号出力
後、一定時間後に発生する場合につき説明した
が、オン信号発生については、このほか、電圧
VAを検知して、その値が所定値に達したとき、
発生させる構成としてもよい。
以上の説明のように本考案は、インバータを構
成するスイツチング素子に並列に接続されたダイ
オードのカソード電位を監視し、電圧降下の方向
が反転するのを検知してスイツチング素子を遮断
するものであるから、従来のカレントトランスを
利用して負荷電流を検知していた方式がノイズに
より正常に動作しない場合が生じていたのに対
し、発振を一層正確かつ確実に実行させることが
可能となり、また比較的高価なカレントトランス
を使用しないから、一段のコスト低下を図ること
ができる。
成するスイツチング素子に並列に接続されたダイ
オードのカソード電位を監視し、電圧降下の方向
が反転するのを検知してスイツチング素子を遮断
するものであるから、従来のカレントトランスを
利用して負荷電流を検知していた方式がノイズに
より正常に動作しない場合が生じていたのに対
し、発振を一層正確かつ確実に実行させることが
可能となり、また比較的高価なカレントトランス
を使用しないから、一段のコスト低下を図ること
ができる。
第１図は、本考案一実施例ブツク図、第２図は
同要部回路図、第３図は信号波形図である。 １２……オフ信号発生回路、１３……制御回
路、１４……オン信号発生回路、１５……タイマ
ー回路。
同要部回路図、第３図は信号波形図である。 １２……オフ信号発生回路、１３……制御回
路、１４……オン信号発生回路、１５……タイマ
ー回路。
Claims (1)
- 直流電源、該直流電源より高周波交流を得るイ
ンバータ、高周波交流が供給される誘導加熱コイ
ルを含む誘導加熱調理器において、上記インバー
タは、発振周波数を制御する単方向半導体スイツ
チング素子および該素子と逆並列に接続されたダ
イオードを含み、該ダイオードに順バイアスがか
つたときこれを検知して上記半導体スイツチング
素子にオフ信号を与えることを特徴とする誘導加
熱調理器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5953881U JPS6131509Y2 (ja) | 1981-04-23 | 1981-04-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5953881U JPS6131509Y2 (ja) | 1981-04-23 | 1981-04-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57171298U JPS57171298U (ja) | 1982-10-28 |
| JPS6131509Y2 true JPS6131509Y2 (ja) | 1986-09-12 |
Family
ID=29855890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5953881U Expired JPS6131509Y2 (ja) | 1981-04-23 | 1981-04-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6131509Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000315574A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘導加熱装置 |
-
1981
- 1981-04-23 JP JP5953881U patent/JPS6131509Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57171298U (ja) | 1982-10-28 |
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