JPS61296787A - 干渉型半導体レーザ装置 - Google Patents
干渉型半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPS61296787A JPS61296787A JP14133785A JP14133785A JPS61296787A JP S61296787 A JPS61296787 A JP S61296787A JP 14133785 A JP14133785 A JP 14133785A JP 14133785 A JP14133785 A JP 14133785A JP S61296787 A JPS61296787 A JP S61296787A
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- Japan
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- resonator
- laser
- semiconductor laser
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- laser device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、半導体レーザにおける発振軸モード特性の安
定性改善に関するものである。
定性改善に関するものである。
〈従来技術〉
光通信や光情報処理システム等の光源として半導体レー
ザを適用する場合１周囲温度やレーザ光出力あるいは外
部系で反射されたレーザ光の、帰還光に対して影響を受
けることなく安定に発振することが強く要求される。こ
れは、上述のような諸パラメータの変動によって半導体
レーザの発振状態が不安定となるような場合には、レー
ザ軸モード間あるいはレーザ軸モードと外部モードとの
相互作用によってモード競合雑音や帰還光誘起雑音を発
生し、またファイバを用いた光伝送ではモーダル雑音を
招来し、システムの能力低下に重大な影響を及ぼす力・
らである。従って、従来からこの半導体レーザにおける
発振軸モード特性の安定化には種々の提案や試みがなさ
れてきた。
ザを適用する場合１周囲温度やレーザ光出力あるいは外
部系で反射されたレーザ光の、帰還光に対して影響を受
けることなく安定に発振することが強く要求される。こ
れは、上述のような諸パラメータの変動によって半導体
レーザの発振状態が不安定となるような場合には、レー
ザ軸モード間あるいはレーザ軸モードと外部モードとの
相互作用によってモード競合雑音や帰還光誘起雑音を発
生し、またファイバを用いた光伝送ではモーダル雑音を
招来し、システムの能力低下に重大な影響を及ぼす力・
らである。従って、従来からこの半導体レーザにおける
発振軸モード特性の安定化には種々の提案や試みがなさ
れてきた。
ここにいくつかの例を列挙すると、第１には、レーザ共
振器両端面の反射率を高くし、帰還光の半導体レーザへ
の再入射を防ぐとともにレーザ発振部の内部光密度を上
昇させて非発振軸モードを抑制した素子があるが、との
レーザ素子では出力光を多く取シ出せないという難点を
有する。第２には、導波路内部にグレーティング（回折
格子）を形成する分布帰還型ＣＤＦＢ）レーザやブラッ
グ反射型（ＤＢＲ）レーザがあげられる。これらの半導
体レーザは導波路内部にグレーティングを形成すること
により強い波長選択性を付与しているため、擾乱に対し
て優れた軸モードの安定性を有するが、製造工程が煩雑
であったり、半導体レーザの材質によっては製作そのも
のが困難であったりする。第３は臂開面を介して２つの
半導体レーザもしくは導波路を並置した構造の通称Ｃ３
（Ｃ１ｅａｖｅｄ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｃａｖ：ｉｔ
ｙ ）レーザである。このレーザは２つのレーザ軸モー
ドの結合により安定化を計るものであるが、この場合の
難点は２つのレーザを結合性よく配置するのが難しいこ
と及び２つのレーザ注入を個別に制御して幅広い領域で
軸モードの安定性を実現するために高度な技術を必要と
する点にある。第４としては。
振器両端面の反射率を高くし、帰還光の半導体レーザへ
の再入射を防ぐとともにレーザ発振部の内部光密度を上
昇させて非発振軸モードを抑制した素子があるが、との
レーザ素子では出力光を多く取シ出せないという難点を
有する。第２には、導波路内部にグレーティング（回折
格子）を形成する分布帰還型ＣＤＦＢ）レーザやブラッ
グ反射型（ＤＢＲ）レーザがあげられる。これらの半導
体レーザは導波路内部にグレーティングを形成すること
により強い波長選択性を付与しているため、擾乱に対し
て優れた軸モードの安定性を有するが、製造工程が煩雑
であったり、半導体レーザの材質によっては製作そのも
のが困難であったりする。第３は臂開面を介して２つの
半導体レーザもしくは導波路を並置した構造の通称Ｃ３
（Ｃ１ｅａｖｅｄ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｃａｖ：ｉｔ
ｙ ）レーザである。このレーザは２つのレーザ軸モー
ドの結合により安定化を計るものであるが、この場合の
難点は２つのレーザを結合性よく配置するのが難しいこ
と及び２つのレーザ注入を個別に制御して幅広い領域で
軸モードの安定性を実現するために高度な技術を必要と
する点にある。第４としては。
１個の半導体レーザの導波路内部にＩりまたは複数の反
射部を形成することによシ全体の導波路を複数に分割し
１分割された各導波路における軸モード間の干渉効果に
よって軸モードの安定化を計るもの（干渉型レーザ）が
あり、シー・ワンらによってＩ ＥＥＥ 、ジャーナル
、オブ、カンタムエレクトロニクス１９８２年Ｑ Ｅ
−１８巻％４号％６１０頁に提案されている。このレー
ザは、内部の反射部を簡便に作製することができれば製
造工程に特別な技術を必要とせず、また軸モードの安定
性にも優れる可能性がある。
射部を形成することによシ全体の導波路を複数に分割し
１分割された各導波路における軸モード間の干渉効果に
よって軸モードの安定化を計るもの（干渉型レーザ）が
あり、シー・ワンらによってＩ ＥＥＥ 、ジャーナル
、オブ、カンタムエレクトロニクス１９８２年Ｑ Ｅ
−１８巻％４号％６１０頁に提案されている。このレー
ザは、内部の反射部を簡便に作製することができれば製
造工程に特別な技術を必要とせず、また軸モードの安定
性にも優れる可能性がある。
〈発明の目的〉
本発明は上記干渉型レーザの先導波路構造に関するもの
であわ、簡便な手法によって安定な複合共振器を同一基
板内に形成し発振軸モードの安定性を改善した半導体レ
ーザ装置を提供することを目的とする。
であわ、簡便な手法によって安定な複合共振器を同一基
板内に形成し発振軸モードの安定性を改善した半導体レ
ーザ装置を提供することを目的とする。
〈発明の概要〉
本発明の複合共振器型半導体レーザ装置は、基板上に形
成した電流挾窄用チャンネル内側とチャンネル外側との
間で基板による光吸収の差に基く実効屈折率差を活性層
内に作り付けた屈折率導波型構造において、少なくとも
１ケ所からなめらかに分岐された導波路を有し、その導
波路の終端ｆこ基板上に形成されたチャンネルの内側と
外側との間で基板による光吸収の差に基く実効屈折率差
によって共振器面を形成してこれを内部反射部とする干
渉型半導体レーザを構成したものである。上記構成とす
ることにより、同一素子基板内に極めて簡単にかつ確実
に複数のレーザ共振器を形成することができ１発振軸モ
ードの安定な干渉型半導体レーザが得られる。
成した電流挾窄用チャンネル内側とチャンネル外側との
間で基板による光吸収の差に基く実効屈折率差を活性層
内に作り付けた屈折率導波型構造において、少なくとも
１ケ所からなめらかに分岐された導波路を有し、その導
波路の終端ｆこ基板上に形成されたチャンネルの内側と
外側との間で基板による光吸収の差に基く実効屈折率差
によって共振器面を形成してこれを内部反射部とする干
渉型半導体レーザを構成したものである。上記構成とす
ることにより、同一素子基板内に極めて簡単にかつ確実
に複数のレーザ共振器を形成することができ１発振軸モ
ードの安定な干渉型半導体レーザが得られる。
〈実施例〉
第１図は本発明の一実施例を示す複合共振器−半導体レ
ーザ素子の構成斜視図である。また第２図は第１図のＡ
−Ａ’断面を示す断面図である。
ーザ素子の構成斜視図である。また第２図は第１図のＡ
−Ａ’断面を示す断面図である。
ｐ−ＧａＡｓ基板（１１）上にｎ−ＧａＡｓから成る電
流阻止層（１２）を堆積し、電流阻止層（１２〕表面上
りＧａＡｓ基板（１１）に達するＶ字状のストライプ溝
をエツチング加工することにより電流通路を開通させる
。即ち、ストライプ溝により電流阻止層（１２）が基板
（１１）から除去された部分のみに電流が流れるストラ
イプ構造が形成される。この上に順次液相エピタキシャ
ル成長法を用いてｐ Ｇ ａ １− ｙ ＡノｙＡ５
からなるクラッド層（１３）、ｐ−（もしくはｎまたは
ノンドープ）Ｇａｘ−ｘＡノＸＡＳから成る活性層（１
４）。
流阻止層（１２）を堆積し、電流阻止層（１２〕表面上
りＧａＡｓ基板（１１）に達するＶ字状のストライプ溝
をエツチング加工することにより電流通路を開通させる
。即ち、ストライプ溝により電流阻止層（１２）が基板
（１１）から除去された部分のみに電流が流れるストラ
イプ構造が形成される。この上に順次液相エピタキシャ
ル成長法を用いてｐ Ｇ ａ １− ｙ ＡノｙＡ５
からなるクラッド層（１３）、ｐ−（もしくはｎまたは
ノンドープ）Ｇａｘ−ｘＡノＸＡＳから成る活性層（１
４）。
ｎ Ｇ ａ １−ｙ ＡノｙＡ５から成るクラッド層
（１５）、ｎ−ＧａＡｓから成るキャップ層（１６）が
積層され活性層（１４）に屈折率分布が付与されたレー
ザ発振用ダブルへテロ接合型多層結晶構造が構成されて
いる。また、液晶比はｘ−０，０５、ｙ＝０．３に設定
する。ＧａＡｓ基板（１１）の裏面にはＡｕ−Ｚｎを蒸
着した後、加熱合金化して得られるｎ側電極（１７）、
キ＋７プ層（１６）上にはＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉを蒸着した
後、加熱合金化して得られるｎ側電極（１８）がそれぞ
れ蒸着形成されている。上記構造に於いて、ストライプ
溝は結晶の対向する両端面を結ぶほぼ直線状の溝から成
る主チャネル部１９と該主チャネル部１９の途中よシな
めらかに屈曲して分岐された直線状及び曲線状の溝から
成る副チャネル部２２で構成される。この分岐された溝
即ち副チャネル部２２は結晶端面まで延展されることな
く途中で消滅している。
（１５）、ｎ−ＧａＡｓから成るキャップ層（１６）が
積層され活性層（１４）に屈折率分布が付与されたレー
ザ発振用ダブルへテロ接合型多層結晶構造が構成されて
いる。また、液晶比はｘ−０，０５、ｙ＝０．３に設定
する。ＧａＡｓ基板（１１）の裏面にはＡｕ−Ｚｎを蒸
着した後、加熱合金化して得られるｎ側電極（１７）、
キ＋７プ層（１６）上にはＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉを蒸着した
後、加熱合金化して得られるｎ側電極（１８）がそれぞ
れ蒸着形成されている。上記構造に於いて、ストライプ
溝は結晶の対向する両端面を結ぶほぼ直線状の溝から成
る主チャネル部１９と該主チャネル部１９の途中よシな
めらかに屈曲して分岐された直線状及び曲線状の溝から
成る副チャネル部２２で構成される。この分岐された溝
即ち副チャネル部２２は結晶端面まで延展されることな
く途中で消滅している。
各溝に対応する直上の活性層（１４）の領域がレーザ動
作用導波路となり、各溝の端面即ち主チャネル部Ｉ９の
両端臂開面と副チャネル部２２の終端面が共振面となる
。この際、分岐された副チャネル部２２が主チャネル部
１９に近接して形成された場合には、２つの溝によって
形成される導波路間で光学的結合が生じ、横モードが結
合されることとなる。この結果、この光学的結合が生じ
ている領域では互いのレーザ光の間に位相同期状態が形
成されることになる。一方、２つの導波路が十分離れて
いる場合には導波路間の光学的結合が得られず互いの横
モードは個別の溝によって決定され、互いに影響を受け
ない。
作用導波路となり、各溝の端面即ち主チャネル部Ｉ９の
両端臂開面と副チャネル部２２の終端面が共振面となる
。この際、分岐された副チャネル部２２が主チャネル部
１９に近接して形成された場合には、２つの溝によって
形成される導波路間で光学的結合が生じ、横モードが結
合されることとなる。この結果、この光学的結合が生じ
ている領域では互いのレーザ光の間に位相同期状態が形
成されることになる。一方、２つの導波路が十分離れて
いる場合には導波路間の光学的結合が得られず互いの横
モードは個別の溝によって決定され、互いに影響を受け
ない。
以上のように、光学的結合の有無によって主チャネル部
１９と副チャネル幅２２で決定される２つの導波路の横
モード状態が変動するが、いずれの場合においても、分
岐された導波路によって定まる共振器が内部に形成され
る。即ち、副チャネル部２２の終端部では、溝の内側と
外側との間で基板の光吸収に基く実効屈折率差（Δｎ）
が生じこの（Δｎ）をストライプ溝外における下部クラ
ッド層厚ｄ（平坦部）に対して示すと第３図の如くとな
る。いま溝深さを１μｍｍｄを０．１μｍ、活性層（１
４）の厚さを０．０８μｍとすると、ストライプ溝部と
それ以外の領域との間に約１×１０″のΔｎが生じ、こ
の実効屈折率差によってレーザ光の反射が生じ共振面が
形成される。即ち、対向する共振面（２０）（２１）と
ストライプ溝に対応した導波路によって共振器長ノｌの
第１のレーザ共振器（１９’）が構成される。また、分
岐されたストライプの溝の副チャネル部（２２）に対応
して活性層（１４）内で導波路を有する共振器長ｉ２の
第２のレーザ共振器（２２’）が形成される。この第２
のレーザ共振器（２２’）は一方の共振面を上記第１の
共振器（１９’）の共振面（２０）と共有しまたこの共
振面（２０）よりストライプ溝が分岐される位置まで導
波路を第１のレーザ共振器（１９’）と共有している。
１９と副チャネル幅２２で決定される２つの導波路の横
モード状態が変動するが、いずれの場合においても、分
岐された導波路によって定まる共振器が内部に形成され
る。即ち、副チャネル部２２の終端部では、溝の内側と
外側との間で基板の光吸収に基く実効屈折率差（Δｎ）
が生じこの（Δｎ）をストライプ溝外における下部クラ
ッド層厚ｄ（平坦部）に対して示すと第３図の如くとな
る。いま溝深さを１μｍｍｄを０．１μｍ、活性層（１
４）の厚さを０．０８μｍとすると、ストライプ溝部と
それ以外の領域との間に約１×１０″のΔｎが生じ、こ
の実効屈折率差によってレーザ光の反射が生じ共振面が
形成される。即ち、対向する共振面（２０）（２１）と
ストライプ溝に対応した導波路によって共振器長ノｌの
第１のレーザ共振器（１９’）が構成される。また、分
岐されたストライプの溝の副チャネル部（２２）に対応
して活性層（１４）内で導波路を有する共振器長ｉ２の
第２のレーザ共振器（２２’）が形成される。この第２
のレーザ共振器（２２’）は一方の共振面を上記第１の
共振器（１９’）の共振面（２０）と共有しまたこの共
振面（２０）よりストライプ溝が分岐される位置まで導
波路を第１のレーザ共振器（１９’）と共有している。
他方の共振面（２３）は副チャネル部（２２）の端部が
位置する面で結晶内部に形成される。以上の結果、２つ
のノ、及びノ２なる長さの共振器が形成され、これらの
干渉効果により安定な軸モード特性を有する半導体レー
ザ装置が得られる。第１のレーザ共振器長ノ、を２５０
μｍ。
位置する面で結晶内部に形成される。以上の結果、２つ
のノ、及びノ２なる長さの共振器が形成され、これらの
干渉効果により安定な軸モード特性を有する半導体レー
ザ装置が得られる。第１のレーザ共振器長ノ、を２５０
μｍ。
第２のレーザ共振器長ノ２を２２０μｍとした干渉型レ
ーザは発振閾値電流６０〜７０ｍＡで発振し、軸モード
の温度変化は第４図に示すように２２℃から３８℃まで
の１６℃の間モードジャンプを生じることなく安定であ
った。
ーザは発振閾値電流６０〜７０ｍＡで発振し、軸モード
の温度変化は第４図に示すように２２℃から３８℃まで
の１６℃の間モードジャンプを生じることなく安定であ
った。
このように基板上にチャネルを形成する際に。
その一部から分岐されたチャネル部を付加するのみで非
常に簡単な製作方法により再現性良く軸モードの安定化
に優れた干渉型半導体レーザ装置の実現が可能となる。
常に簡単な製作方法により再現性良く軸モードの安定化
に優れた干渉型半導体レーザ装置の実現が可能となる。
なお１本発明は光の吸収の差によって導波路を形成する
構造の半導体レーザに対して一般的に適用可能な技術で
あり、第５図に示す如＜ＭＢＥ成長あるいはＭＯＣＶＤ
成長法を用いて製作可能な半導体レーザ素子にも適用で
き、ストライプ溝の形状も第６図（Ａｌβ）（Ｃ）に示
す様な種々の形状とすることができる。
構造の半導体レーザに対して一般的に適用可能な技術で
あり、第５図に示す如＜ＭＢＥ成長あるいはＭＯＣＶＤ
成長法を用いて製作可能な半導体レーザ素子にも適用で
き、ストライプ溝の形状も第６図（Ａｌβ）（Ｃ）に示
す様な種々の形状とすることができる。
第５図に示すレーザ素子構造はｎ−ＧａＡｓ基板５１上
にｎ−ＧａＡｊ？Ａｓ第１クラッド層５２、ＧａＡノＡ
ｓ活性層５：Ｌｐ−ＧａＡノＡｓ第２クラッド層５４に
順次エピタキシャル成長させ、この上にｎ−ＧａＡｓ電
流阻止層５５を重畳させ力・つ、ストライプ溝を形成し
て主チャネル部と副チャネル部を形成し、さらにｐ−Ｇ
ａＡノＡｓ第３クラッド層５６を積層して主副チャネル
部を埋設しＰ −ＧａＡｓ層５７を堆積した構造を有す
る。尚、キャツプ層５７上にはｎ側電極５８．ＧａＡｓ
基板５１にはｎ側電極５９が形成されている。主チャネ
ル部より分岐される副チャネル部は一木に限定されず、
２本以上の多数分岐構造として主チャネル部に副チャネ
ル部を並設するようにしても良い。
にｎ−ＧａＡｊ？Ａｓ第１クラッド層５２、ＧａＡノＡ
ｓ活性層５：Ｌｐ−ＧａＡノＡｓ第２クラッド層５４に
順次エピタキシャル成長させ、この上にｎ−ＧａＡｓ電
流阻止層５５を重畳させ力・つ、ストライプ溝を形成し
て主チャネル部と副チャネル部を形成し、さらにｐ−Ｇ
ａＡノＡｓ第３クラッド層５６を積層して主副チャネル
部を埋設しＰ −ＧａＡｓ層５７を堆積した構造を有す
る。尚、キャツプ層５７上にはｎ側電極５８．ＧａＡｓ
基板５１にはｎ側電極５９が形成されている。主チャネ
ル部より分岐される副チャネル部は一木に限定されず、
２本以上の多数分岐構造として主チャネル部に副チャネ
ル部を並設するようにしても良い。
上記実施例はＧａＡｓ−ＧａＡｌＡｓ系につめて説明し
たが本発明はＧａＡｓ−ＧａＡ、＃Ａｓ系の半導体レー
ザのみならずＩｎｐ−１ｎＧａＰ系その他の材料によっ
て構成される半導体レーザにも適用可能である。
たが本発明はＧａＡｓ−ＧａＡ、＃Ａｓ系の半導体レー
ザのみならずＩｎｐ−１ｎＧａＰ系その他の材料によっ
て構成される半導体レーザにも適用可能である。
〈発明の効果〉
以上詳説した如く本発明によれば、従来の干渉型レーザ
装置で問題となっていた内部共振面の形成を簡単にかつ
確実に形成することができるため生産性の高い干渉型半
導体レーザ装置を提供することができる。
装置で問題となっていた内部共振面の形成を簡単にかつ
確実に形成することができるため生産性の高い干渉型半
導体レーザ装置を提供することができる。
第１図は本発明に係る干渉型レーザの一実施例を示す構
成斜視図である。 第２図は第１図のＡ−Ａ’断面図である。 第３図は実効屈折差の下部クラッド層厚（ｄ）依存性を
示す説明図である。 第４図は第１図に示す干渉型レーザの発振波長（軸モー
ド）の温度依存性を示す特性図である。 第５図は本発明の他の実施例を示す半導体レーザの断面
図である。 第６図は本発明に係るチャネル部の他の溝構造（導波路
構造）を示す構成図である。 １１ ・ｐ −Ｇ ａＡｓ基板。 Ｉ２・・・ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層 １３・・・ｐ−ＧａＡノＡｓ第１クラッド層１４・・・
ＧａＡノＡｓ活性層 １５・・・ｎ−ＧａＡノＡｓ第２クラッド層１６・・・
ｎ−ＧａＡｓキャップ層 １７・・・ｎ側電極 １８・・・ｎ側電極 Ｉ９・・・主チャネル部 ２０．２１．２３・・・共振面 ２２・・・副チャネル部 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ｄ （７
ｙｎ） 第３図 第イ図
成斜視図である。 第２図は第１図のＡ−Ａ’断面図である。 第３図は実効屈折差の下部クラッド層厚（ｄ）依存性を
示す説明図である。 第４図は第１図に示す干渉型レーザの発振波長（軸モー
ド）の温度依存性を示す特性図である。 第５図は本発明の他の実施例を示す半導体レーザの断面
図である。 第６図は本発明に係るチャネル部の他の溝構造（導波路
構造）を示す構成図である。 １１ ・ｐ −Ｇ ａＡｓ基板。 Ｉ２・・・ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層 １３・・・ｐ−ＧａＡノＡｓ第１クラッド層１４・・・
ＧａＡノＡｓ活性層 １５・・・ｎ−ＧａＡノＡｓ第２クラッド層１６・・・
ｎ−ＧａＡｓキャップ層 １７・・・ｎ側電極 １８・・・ｎ側電極 Ｉ９・・・主チャネル部 ２０．２１．２３・・・共振面 ２２・・・副チャネル部 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ｄ （７
ｙｎ） 第３図 第イ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ストライプ状のチャンネル内側と外側との間に光吸
収の差に基く実効屈折率差を作りつけた屈折率導波型半
導体レーザ装置において、対向する両劈開端面間を連結
する第１のレーザ共振器と、該第１のレーザ共振器の一
部と片端部を共有し途中分岐された第２の共振器とを具
備して成り、該第２のレーザ共振器の他方の端面が光吸
収の差に基く実効屈折率差によって形成されていること
を特徴とする複合共振器型半導体レーザ装置。 ２、第１のレーザ共振器と第２のレーザ共振器の分岐導
波路部が互いに光学的に結合していない特許請求の範囲
第１項記載の複合共振器型半導体レーザ装置。 ３、第１のレーザ共振器と第２のレーザ共振器の分岐導
波路部が互いに光学的に結合している特許請求の範囲第
１項記載の複合共振器型半導体レーザ装置。 ４、途中分岐された多数のレーザ共振器を有する特許請
求の範囲第１項、第２項又は第３項記載の複合共振器型
半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14133785A JPS61296787A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 干渉型半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14133785A JPS61296787A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 干渉型半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296787A true JPS61296787A (ja) | 1986-12-27 |
| JPH0315831B2 JPH0315831B2 (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=15289606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14133785A Granted JPS61296787A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 干渉型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61296787A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106292051B (zh) | 2016-10-21 | 2017-08-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及其显示方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58206183A (ja) * | 1982-05-27 | 1983-12-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザ装置 |
-
1985
- 1985-06-25 JP JP14133785A patent/JPS61296787A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58206183A (ja) * | 1982-05-27 | 1983-12-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0315831B2 (ja) | 1991-03-04 |
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