JP2000200940A

JP2000200940A - 半導体レ―ザダイオ―ド

Info

Publication number: JP2000200940A
Application number: JP11000362A
Authority: JP
Inventors: Kimio Shigihara; 君男鴫原
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1999-01-05
Filing date: 1999-01-05
Publication date: 2000-07-18
Anticipated expiration: 2019-01-05
Also published as: JP4094756B2

Abstract

(57)【要約】【課題】横モードの単一化が図れかつ高出力化が可能
な半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】共振方向に長手方向が一致しかつレーザ
光の基本モードに対する実効的な屈折率より大きい第１
の屈折率を有する活性領域と、活性領域の両側に第２の
屈折率を有するクラッド領域とを並置して形成すること
により活性領域に光を閉じ込めるようにし、活性領域と
クラッド領域の各間に第１と第２の屈折率より小さい第
３の屈折率を有する低屈折率領域を設けかつ、活性領域
の一部に半導体レーザダイオードが発振するレーザ光の
基本モードを伝播させかつ高次モードの伝播を阻止する
カットオフ領域が形成されるように、活性領域の幅と上
記低屈折率領域の幅とを設定した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主として情報処理
あるいは光通信等の光源として用いられる半導体レーザ
ダイオードに関する。

【０００２】

【従来の技術】情報処理又は光通信の光源として半導体
レーザダイオードが使用されている。これらの用途に使
用される半導体レーザダイオードでは、ビーム形状を安
定させるために横モードを単一モード化しておく必要が
ある。横モードを単一化するためには、活性領域をその
活性領域より屈折率の低い領域で挟んで活性領域の幅を
ある一定以下に制限する必要があり、この活性領域の幅
を制限する具体的な構造としては、リッジ導波路を形成
する構造が、比較的簡単で安価に製造することができる
ことから、広く用いられている。この構造は、半導体レ
ーザダイオードの共振方向に、所定の幅のリッジ部を形
成することにより、リッジ部の両側に活性領域より屈折
率の低い領域を形成することにより、活性領域の幅を制
限して横モードを単一化するものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
リッジ部を形成して活性領域の幅を制限する半導体レー
ザダイオードでは、横モードの単一化を図るために活性
領域の幅を比較的狭くする必要があり、その結果、狭い
活性領域に光のエネルギーを集中させることになるの
で、高出力化が困難であるという問題点があった。

【０００４】そこで、本発明は、従来例の問題点を解決
して、横モードの単一化が図れかつ高出力化が可能な半
導体レーザダイオードを提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに、本発明に係る第１の半導体レーザダイオードは、
共振方向に長手方向が一致しかつレーザ光の基本モード
に対する実効的な屈折率より大きい第１の屈折率を有す
る活性領域と、上記活性領域の両側に第２の屈折率を有
するクラッド領域とを並置して形成することにより上記
活性領域に光を閉じ込めるようにした半導体レーザダイ
オードであって、上記活性領域と上記クラッド領域の各
間にさらに上記第１と第２の屈折率より小さい第３の屈
折率を有する低屈折率領域を設けかつ、上記活性領域の
一部に上記半導体レーザダイオードが発振するレーザ光
の基本モードを伝播させかつ高次モードの伝播を阻止す
るカットオフ領域が形成されるように、上記活性領域の
幅と上記低屈折率領域の幅とを設定したことを特徴とす
る。このようにすると、上記カットオフ領域において上
記高次モードの伝播を阻止できるので、横モードを単一
化することができる。尚、本明細書において、単に基本
モード、１次モード、高次モードというときは、特にこ
とわらない限り、横モードについて言うものとする。

【０００６】また、本発明に係る第１の半導体レーザダ
イオードでは、上記活性領域は、幅が徐々に減少するよ
うに形成されたテーパ部を有していることが好ましい。

【０００７】また、本発明に係る第２の半導体レーザダ
イオードは、半導体基板上に、下クラッド層と、上クラ
ッドと、上記上クラッド層と上記下クラッド層との間に
位置する活性層とを含む複数の半導体層が積層されてな
り、該積層された半導体層においてそれぞれ上記上クラ
ッド層の途中まで達しかつ一端から他端に至る２つの溝
を形成することによりリッジ部を形成した半導体レーザ
ダイオードであって、上記リッジ部の一部又は全部を徐
々に幅が狭くなるように形成し、上記リッジ部と上記溝
とを形成することにより構成される活性領域の一部に、
上記半導体レーザダイオードが発振するレーザ光の基本
モードを伝播させかつ高次モードの伝播を阻止するカッ
トオフ領域が形成されるように、上記リッジ部の形状と
上記溝の形状とを設定したことを特徴とする。このよう
にすると、上記カットオフ領域において上記高次モード
の伝播を阻止できるので、横モードを単一化することが
できる。

【０００８】また、本発明に係る第２の半導体レーザダ
イオードでは、上記２つの溝の幅をそれぞれ、上記一端
から他端に至るまで一定になるように形成することが好
ましい。これによって、リッジ部の形状の設計が容易と
なる。

【０００９】また、本発明に係る第２の半導体レーザダ
イオードでは、上記各溝の外側に位置するクラッド領域
の上面と上記リッジ部の上面とが実質的に同一平面上に
位置するように構成することが好ましく、このようにす
ると、１度のエッチングで溝を形成することにより構成
でき、製造工程を簡略化できる。

【００１０】また、本発明に係る第２の半導体レーザダ
イオードでは、上記リッジ部の上面が、上記各溝の外側
に位置するクラッド領域の上面より高くなるように形成
してもよく、このようにすると、上記活性領域に効果的
に光を閉じ込めることができる。

【００１１】また、本発明に係る第２の半導体レーザダ
イオードでは、上記リッジ部は一端面の幅が他端面の幅
より広くなるように形成され、上記一端面から光を出力
するようにすると、高出力化に有利であり好ましい。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る実施の形態の半導体レーザダイオードについて説明す
る。本実施の形態の半導体レーザダイオードは、下面に
ｎ側電極が形成されたｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層３、アンドープＡｌＧａＡｓガイ
ド層４、アンドープＩｎＧａＡｓ活性層５、アンドープ
ＡｌＧａＡｓガイド層６、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
７及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を含む半導体層が積
層されたリッジ部２１を備え、リッジ部２１の上にｐ側
電極９が形成されてなる。また、本実施の形態の半導体
レーザダイオードは、リッジ部２１及びリッジ部２１の
下に位置する半導体層によって構成される活性領域の横
方向に光を閉じ込めるために、活性領域の両側に該活性
領域より屈折率の小さいクラッド領域２３を有し、かつ
クラッド領域２３と活性領域の間にそれぞれ、１対の溝
２２ａ，２２ｂが形成されることにより構成された、ク
ラッド領域２３よりさらに屈折率の低い低屈折率領域３
２ａ，３２ｂとを有する。

【００１３】ここで、リッジ部２１は、一方の端面１０
４における幅Ｔｆが他方の端面１０５における幅Ｔｒに
比較して大きくなるように、テーパ部２１ｂを有し、少
なくとも他方の端面１０５側の活性領域では高次モード
の伝播を阻止するように形成したことを特徴とし、これ
によって高次モードのレーザ発振を抑圧でき、基本モー
ドのみのレーザ発振を可能にしている。

【００１４】すなわち、実施の形態の半導体レーザダイ
オードを作成する場合、まず、下面にｎ側電極が形成さ
れたｎ型ＧａＡｓ基板２上に、（１）ｎ型ＡｌＧａＡｓ
クラッド層３を形成ための、例えば厚さが１〜２μｍの
ｎ型Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓ半導体層、（２）アンドープＡ
ｌＧａＡｓガイド層４を形成するための、例えば厚さが
０．１〜０．２μｍのＡｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ半導体層、
（３）アンドープＩｎＧａＡｓ活性層５を形成するため
の、例えば、厚さが０．０１〜０．０２μｍのＩｎ_0.2
Ｇａ_0.8Ａｓ半導体層、（４）アンドープＡｌＧａＡｓ
ガイド層６を形成するための、例えば厚さが０．１〜
０．２μｍのＡｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ半導体層、（５）ｐ型
ＡｌＧａＡｓクラッド層７を形成するための、例えば厚
さが１〜２μｍのＡｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓ半導体層、（６）
ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を形成するための、例えば
厚さが１μｍのｐ型ＧａＡｓ半導体層、を順次、有機金
属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を形成する。

【００１５】次に、リッジ部２１となる部分の両側の半
導体層を、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層７を形成するた
めのＡｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓ半導体層の途中（クラッド領域
２３の上面）まで１回目のエッチングを行う。その後、
リッジ部２１の両側に溝２２ａ，２２ｂを形成するため
に、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層７を形成するためのＡ
ｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓ半導体層の途中（溝２２ａ，２２ｂの
底面）まで、２回目のエッチングを行う。尚、本エッチ
ングは、通常リッジ部を形成するために用いられる方法
を用いることができ、ウェット又はドライエッチングの
いずれを用いてもよい。また、本実施の形態において、
溝２２ａ，２２ｂの幅は、長手方向のいずれの部分でも
同じ幅ｄ０となるように形成される。

【００１６】ここで、本実施の形態において、リッジ部
２１は前端面１０４側に位置する幅広部２１ａと後端面
１０５側に位置する幅狭部２１ｃと、幅広部２１ａと幅
狭部２１ｃとの間に位置するテーパ部２１ｂとを有し、
各部の幅は以下のように設定される。すなわち、本実施
の形態では、幅狭部２１ｃと該幅狭部２１ｃの直下とに
よって構成される光導波路が、レーザ発振における基本
モードのみを伝送させ１次モード以上の高次モードが伝
播できないように、幅狭部２１ｃの幅は設定され、幅広
部２１ａの幅は高出力化を図るために、比較的広い幅に
設定される。例えば、発振波長が１μ程度の半導体レー
ザダイオードを構成する場合、前端部１０４における幅
広部２１ａの幅Ｔｆは、例えば７μ程度に設定し、後端
面１０５の幅狭部２１ｃの幅は、例えば３．５μ程度に
設定すると、高次モードの発振を効果的に抑制し、かつ
高出力化が図れる。

【００１７】詳細に説明すると、実施の形態の半導体レ
ーザダイオードでは、リッジ部２１における屈折率：ｎａ、クラッド領域２３における屈折率：ｎｃ、低屈折率領域３２ａ，３２ｂの屈折率：ｎｌ、活性領域内における基本モードの伝播定数：β₀、活性領域内における１次モードの伝播定数：β₁、レーザ発振光の自由空間における波数：ｋ₀ としたときに、幅狭部２１ｃにおいて、ｎｃ＜β₀／ｋ₀
＜ｎａ及びｎｌ＜β₁／ｋ₀＜ｎｃを満足するように、幅
狭部２１ｃの幅Ｔｒ、溝２２ａ，２２ｂの各幅ｄ０及び
深さ（図１におけるｄ１及びｄ２）とを設定している。
この様子を模式的に表すと図２（ａ）に示すようにな
る。

【００１８】ここで、β₀／ｋ₀は、基本モードに対する
実効的な屈折率であり、β₁／ｋ₀は、１次モードの実効
的な屈折率である。尚、ｎｃ＜β₀／ｋ₀＜ｎａ及びｎｌ
＜β₁／ｋ₀＜ｎｃを満足する条件は、横モードの基本モ
ードを伝播させ、横モードの１次以上の高次モードを伝
播させないようにする条件である。すなわち、ｎｃ＜β
₀／ｋ₀＜ｎａ及びｎｌ＜β₁／ｋ₀＜ｎｃの双方を満足す
る領域は、横モードの基本モードを伝播させ、横モード
の１次以上の高次モードを伝播させないカットオフ領域
が満足すべき条件である。

【００１９】以上のようにリッジ部２１の幅をテーパ状
に変化させると、すなわち、活性領域の幅をテーパ状に
変化させると、図２に模式的に示すように、活性領域３
１において幅の広いところ（例えば、図中ｚ₀で示す部
分）では、基本モードＢだけではなく高次モード（１次
モードＳ１）も活性領域３１に閉じ込められる。一方、
活性領域３１の幅の狭いところ（ｎｃ＜β₀／ｋ₀＜ｎａ
及びｎｌ＜β₁／ｋ₀＜ｎｃを満足する部分、例えば、図
中ｚ₁で示す部分）では、光は活性領域３１の外にも広
がり、低屈折率領域３２ａ，３２ｂの外側に位置するク
ラッド領域２３の影響を強く受けるようになるので、基
本モードＢは伝播するが、１次モードＳ１及びそれ以上
の高次モードは伝播できなくなる。このように、前端面
１０４と後端面１０５との間を光が往復するレーザダイ
オードでは、活性領域の一部において、高次モード（１
次モードを含む）が伝播することができないカットオフ
領域を設けると、高次モードはレーザ発振条件を満足し
なくなり、その結果、基本モードのみで発振させること
が可能となる。

【００２０】以上のように構成された実施の形態の半導
体レーザダイオードは、後端面１０５側に位置する活性
領域３１の幅を基本モードのみが伝播できる幅に設定し
ているので、高次モードの発振を抑圧でき、単一モード
で発振させることができる。また、本実施の形態の半導
体レーザダイオードは、活性領域３１の後端面１０５側
に位置する一部分だけを、狭い幅にして単一モードの発
振を実現しているので、その一部分を除く他の部分の幅
を比較的広くできるので、高出力化が可能である。

【００２１】また、以上の実施の形態の半導体レーザダ
イオードでは、活性領域３１において一部分が高次モー
ドに対してカットオフ領域となるようにすればよいの
で、比較的設計が容易である。

【００２２】以上の実施の形態の半導体レーザダイオー
ドでは、リッジ部２１において、幅広部２１ａとテーパ
部２１ｂと幅狭部２１ｃとを設けたが、本発明はこれに
限られるものではなく、少なくとも一部の活性領域が高
次モードに対してカットオフ領域となるようにリッジ部
を形成するようにすれば良い。しかしながら、本発明に
係る構成では、安定した発振をさせるために本実施の形
態のように一部にテーパ状の部分を設けるか、又はリッ
ジ部全体をテーパ状にする等により、徐々に幅を変化さ
せることが好ましい。

【００２３】また、本実施の形態の半導体レーザダイオ
ードでは、リッジ部２１の上面が、各溝の外側に位置す
るクラッド領域の上面より高くなるように形成してい
る。このようにすると、活性領域に効果的に光を閉じ込
めることができるので、横方向により安定した振動をさ
せることができ、より安定した発振をさせることができ
る。以上の実施の形態の半導体レーザダイオードでは、
低屈折率領域３２ａ，３２ｂの外側にクラッド領域２３
を形成するようにしたが、本発明はこれに限らず、１回
のエッチングにより、溝２２ａ，２２ｂを形成すること
により、リッジ部２１の両側に低屈折率領域３２ａ，３
２ｂのみを形成するようにしてもよい（すなわち、ｎａ
＝ｎｃとする。）。この場合、後端面１０５の部分にお
いて屈折率ｎｌが、１次モードのβ₁／ｋ₀（１次モード
に対する実効的な誘電率）より小さくなるように設定す
ることはいうまでもない。このようにクラッド領域２３
を特に設けることなく構成すると、リッジ部２１を形成
するためのエッチング工程を一回にでき、製造工程を簡
略化できる。尚、本実施の形態のように、リッジ部２１
の上面が、クラッド領域２３の上面より高くなるように
形成した場合は、活性領域に効果的に光を閉じ込めるこ
とができるので、横方向により安定した振動をさせるこ
とができ、より安定した発振をさせることができる。

【００２４】また、本実施の形態の半導体レーザダイオ
ードは、いわゆるＧａＡｓ系半導体レーザダイオードに
限らず、ＩｎＰ系半導体レーザダイオード、ＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザダイオード及びＧａＮ系半導体レー
ザダイオード等の他の半導体レーザダイオードでも同様
に適用できる。

【００２５】（参考例）以下、参考例としてテーパ導波
路を示す。図３は、特開平１−１８３６０３で開示され
たテーパ導波路の構成を模式的に示す平面図である。図
３のテーパ導波路は、溝１０２の間に導波領域１０１が
形成され、溝１０２の外側に、導波領域１０１より屈折
率が低く溝１０２を形成することにより形成される低屈
折率領域より屈折率の高いクラッド領域が形成されて構
成されている。すなわち、テーパ導波路の断面における
屈折率分布は図３の下図に示すようになる。尚、図３の
下図において、ｎ₁₀₁は導波領域１０１の屈折率を示
し、ｎ₁₀₂は溝１０２を形成することにより形成される
低屈折率領域の屈折率を示し、ｎ₁₀₃はクラッド領域１
０３の屈折率を示している。

【００２６】ここで、図３のテーパ導波路において、導
波領域１０１は、前端面１０４における幅Ｔｆが後端面
１０５における幅Ｔｒに比較して大きくなるようにテー
パ状に形成されている。また、溝１０２は、前端面１０
４における幅ｄｆが後端面１０５における幅ｄｒに比較
して小さくなるようにテーパ状に形成されている。そし
て、図３のテーパ導波路では、導波領域１０１及び溝１
０２の幅ｄｆ，ｄｒ等を所定の値に設定することによ
り、図３のテーパ導波路では、導波路内のどの位置にお
いても基本モードを伝播させかつ高次モードをカットす
るように構成されている。しかしながら、導波路内のい
ずれの位置においても、基本モードを伝播させかつ高次
モードをカットするように各寸法を決定することは、テ
ーパ導波路では、通常のスラブ導波路の考え方が使用で
きないので、設計には多くの労力を必要とし困難であっ
た。

【００２７】これに対して、本願発明の半導体レーザダ
イオードは、テーパ状のリッジ部２１を備えるものであ
るが、この参考例とは異なり、導波路ではなく半導体レ
ーザダイオードであるために、活性領域３１の全ての位
置で高次モードをカットする必要はなく、活性領域３１
の一部において高次モードをカットすることができれば
よい。従って、図３のテーパ導波路に比較すると本願の
半導体レーザダイオードにおけるリッジ部２１の形状の
設計は比較的容易である。また、上述したように、本発
明の半導体レーザダイオードでは、溝２２ａ，２２ｂを
一定の幅にすることも可能であり、溝の幅を一定にする
とリッジ部２１の設計はさらに容易となる。

【００２８】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る第１の半導体レーザダイオードは、上記活性領域と、
上記活性領域の両側に上記クラッド領域とを並置して形
成することにより上記活性領域に光を閉じ込め、上記活
性領域と上記クラッド領域の各間にさらに上記第１と第
２の屈折率より小さい第３の屈折率を有する低屈折率領
域を設けかつ、上記カットオフ領域が形成されるよう
に、上記活性領域の幅と上記低屈折率領域の幅とを設定
しているので、上記カットオフ領域において上記高次モ
ードの伝播を阻止でき横モードを単一化することができ
る。また、上記カットオフ領域以外の領域を比較的広く
することができるので、高出力化が可能となる。従っ
て、本発明の第１の半導体レーザダイオードによれば、
横モードの単一化が図れかつ高出力化が可能な半導体レ
ーザダイオードを提供することができる。

【００２９】また、本発明に係る第１の半導体レーザダ
イオードでは、上記活性領域に幅が徐々に減少するよう
に形成されたテーパ部を形成することにより、安定した
レーザ発振をさせることができる。

【００３０】また、本発明に係る第２の半導体レーザダ
イオードは、上記積層された半導体層において上記２つ
の溝を形成することにより上記リッジ部を形成し、その
リッジ部の一部又は全部を徐々に幅が狭くなるように形
成し、上記リッジ部と上記溝とを形成したことにより構
成される活性領域の一部に、上記カットオフ領域が形成
されるように、上記リッジ部の形状と上記溝の形状とを
設定したので、上記カットオフ領域において上記高次モ
ードの伝播を阻止でき、横モードを単一化することがで
きる。また、上記カットオフ領域以外の領域を比較的広
くすることができるので、高出力化が可能となる。従っ
て、本発明の第２の半導体レーザダイオードによれば、
横モードの単一化が図れかつ高出力化が可能な半導体レ
ーザダイオードを提供することができる。

【００３１】また、本発明に係る第２の半導体レーザダ
イオードでは、上記２つの溝の幅をそれぞれ、上記一端
から他端に至るまで一定になるように形成することによ
り、リッジ部の形状の設計が容易となるので、設計コス
トを低減できる。

【００３２】また、本発明に係る第２の半導体レーザダ
イオードでは、上記各溝の外側に位置するクラッド領域
の上面と上記リッジ部の上面とが実質的に同一平面上に
位置するように構成することにより、１度のエッチング
で溝を形成することにより構成できるので、製造工程を
簡略化でき、製造コストを低減できる。

【００３３】また、本発明に係る第２の半導体レーザダ
イオードでは、上記リッジ部の上面が、上記各溝の外側
に位置するクラッド領域の上面より高くなるように形成
することにより、上記活性領域に効果的に光を閉じ込め
ることができるので、横方向により安定した振動をさせ
ることができ、より安定した発振をさせることができ
る。

【００３４】また、本発明に係る第２の半導体レーザダ
イオードでは、上記リッジ部は一端面の幅が他端面の幅
より広くなるように形成し、上記一端面から光を出力す
ることにより、出射端面における破壊を効果的に防止で
き高出力化が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る実施の形態の半導体レーザダイ
オードの構成を示す斜視図である。

【図２】（ａ）は、実施の形態の半導体レーザダイオ
ードの平面図であり、（ｂ）は、実施の形態の半導体レ
ーザダイオードの幅狭部における縦断面の屈折率分布を
示す図であり、（ｃ）は、実施の形態の半導体レーザダ
イオードの幅広部における縦断面の屈折率分布を示す図
である。

【図３】（ａ）は、参考例として示すテーパ導波路の
平面図であり、（ｂ）は、該テーパ導波路の幅の狭い部
分の縦断面における屈折率分布を示す図である。

【符号の説明】

１ｎ側電極、２ｎ型ＧａＡｓ基板、３ｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層、４アンドープＡｌＧａＡｓガイド
層、５アンドープＩｎＧａＡｓ活性層、６アンドー
プＡｌＧａＡｓガイド層、７ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層、８ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、２１リッジ
部、２１ａ幅広部、２１ｂテーパ部、２１ｃ幅狭
部、２２ａ，２２ｂ溝、２３クラッド領域、３１
活性領域、３２ａ，３２ｂ低屈折率領域。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】共振方向に長手方向が一致しかつレーザ
光の基本モードに対する実効的な屈折率より大きい第１
の屈折率を有する活性領域と、上記活性領域の両側に第
２の屈折率を有するクラッド領域とを並置して形成する
ことにより上記活性領域に光を閉じ込めるようにした半
導体レーザダイオードであって、上記活性領域と上記クラッド領域の各間にさらに上記第
１と第２の屈折率より小さい第３の屈折率を有する低屈
折率領域を設けかつ、上記活性領域の一部に上記レーザ
光の基本モードを伝播させかつ高次モードの伝播を阻止
するカットオフ領域が形成されるように、上記活性領域
の幅と上記低屈折率領域の幅とを設定したことを特徴と
する半導体レーザダイオード。
【請求項２】上記活性領域は、幅が徐々に減少するよ
うに形成されたテーパ部を有している請求項１記載の半
導体レーザダイオード。
【請求項３】半導体基板上に、下クラッド層と、上ク
ラッドと、上記上クラッド層と上記下クラッド層との間
に位置する活性層とを含む複数の半導体層が積層されて
なり、該積層された半導体層においてそれぞれ上記上ク
ラッド層の途中まで達しかつ一端から他端に至る２つの
溝を形成することによりリッジ部を形成した半導体レー
ザダイオードであって、上記リッジ部の一部又は全部を徐々に幅が狭くなるよう
に形成し、上記リッジ部と上記溝とを形成することによ
り構成される活性領域の一部に、上記半導体レーザダイ
オードが発振するレーザ光の基本モードを伝播させかつ
高次モードの伝播を阻止するカットオフ領域が形成され
るように、上記リッジ部の形状と上記溝の形状とを設定
したことを特徴とする半導体レーザダイオード。
【請求項４】上記２つの溝の幅をそれぞれ、上記一端
面から他端面に至るまで一定になるように形成した請求
項３記載の半導体レーザダイオード。
【請求項５】上記各溝の外側に位置するクラッド領域
の上面と上記リッジ部の上面とが実質的に同一平面上に
位置する請求項３又は４に記載の半導体レーザダイオー
ド。
【請求項６】上記リッジ部の上面が、上記各溝の外側
に位置するクラッド領域の上面より高くなるように形成
されている請求項３又は４に記載の半導体レーザダイオ
ード。
【請求項７】上記リッジ部は一端面の幅が他端面の幅
より広くなるように形成され、上記一端面から光を出力
するようにした請求項３〜６のうちのいずれか１項に記
載の半導体レーザダイオード。