JPH01230279A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH01230279A JPH01230279A JP5499988A JP5499988A JPH01230279A JP H01230279 A JPH01230279 A JP H01230279A JP 5499988 A JP5499988 A JP 5499988A JP 5499988 A JP5499988 A JP 5499988A JP H01230279 A JPH01230279 A JP H01230279A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
発振波長を変化させることが可能な範囲を広く採り得る
ようにした半導体レーザ装置に関し、現在、安定に製造
することが可能になった量子井戸構造を利用し、発振可
能な波長範囲を広げることができるようにすることを目
的とし、複数の量子井戸層に於けるそれぞれの利得スペ
クトルの一部が重なり合って連続しそれ等の全体で単一
の活性層に於ける利得スペクトル幅と比較して拡幅され
たそれをもつ多重量子井戸層からなる活性層と、該活性
層の一端面との間でキャビティを構成してレーザ光を反
射する回折格子とを備えてなるよう構成する。
ようにした半導体レーザ装置に関し、現在、安定に製造
することが可能になった量子井戸構造を利用し、発振可
能な波長範囲を広げることができるようにすることを目
的とし、複数の量子井戸層に於けるそれぞれの利得スペ
クトルの一部が重なり合って連続しそれ等の全体で単一
の活性層に於ける利得スペクトル幅と比較して拡幅され
たそれをもつ多重量子井戸層からなる活性層と、該活性
層の一端面との間でキャビティを構成してレーザ光を反
射する回折格子とを備えてなるよう構成する。
本発明は、発振波長を変化させることが可能な範囲を広
く採り得るようにした半導体レーザ装置に関する。
く採り得るようにした半導体レーザ装置に関する。
近年、光多重通信や光情報処理を実現させる為、発振波
長を可変にした半導体レーザの開発・研究がなされ、成
る程度の成果が得られている。
長を可変にした半導体レーザの開発・研究がなされ、成
る程度の成果が得られている。
第８図は発振波長を可変にした半導体レーザ装置の従来
例を説明する為の要部側断面説明図を表している。
例を説明する為の要部側断面説明図を表している。
図に於いて、１はｎ型ＧａＡｓ１板、２はｎ型ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層、３はＧａＡｓ活性層、４はｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層、５はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、６
は無反射コーテイング膜、７ｐ側電極、８はｎ側電極、
９は回折格子、θは回折格子の回転角、λ、は回折格子
で反射される光の波長をそれぞれ示している。
Ａｓクラッド層、３はＧａＡｓ活性層、４はｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層、５はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、６
は無反射コーテイング膜、７ｐ側電極、８はｎ側電極、
９は回折格子、θは回折格子の回転角、λ、は回折格子
で反射される光の波長をそれぞれ示している。
この半導体レーザ装置に於ける回折格子９を除いた半導
体レーザ部分、即ち、利得領域の構成は基本的には従来
から多用されている通常のダブル・ヘテロ構造をもつ半
導体レーザと変わりないのであるが、唯、本来、導波方
向の両端にある鏡面の片方には無反射コーテイング膜６
が形成されていることから、光はその鏡面では反射され
ることなく、無反射コーテイング膜６を抜けて外に出て
しまい、回折格子９で反射されて戻るようになっている
。従って、キャビティは無反射コーテイング膜６が形成
されていない端面と回折格子９との間に構成されるもの
であり、そして、回折格子９の回転角θを変えることで
反射させる波長を選択することができるようになってい
る。
体レーザ部分、即ち、利得領域の構成は基本的には従来
から多用されている通常のダブル・ヘテロ構造をもつ半
導体レーザと変わりないのであるが、唯、本来、導波方
向の両端にある鏡面の片方には無反射コーテイング膜６
が形成されていることから、光はその鏡面では反射され
ることなく、無反射コーテイング膜６を抜けて外に出て
しまい、回折格子９で反射されて戻るようになっている
。従って、キャビティは無反射コーテイング膜６が形成
されていない端面と回折格子９との間に構成されるもの
であり、そして、回折格子９の回転角θを変えることで
反射させる波長を選択することができるようになってい
る。
前記説明した半導体レーザ装置の外に、回折格子、即ち
、グレーティングを半導体レーザ部分内に形成し、電気
的に反射波長を変えるものも知られている。尚、前記従
来例では、０．７〜０．９〔μｍ〕帯のレーザ光を発生
させるものである為、材料としてはＧａＡｓ系を用いて
いるが、ｌ 〔μｍ〕帯のレーザ光を必要とする場合に
はＩｎＰ系を利用するものであり、その場合は、 基板１−ｈ Ｈ型１ｎＰ クラッド層２→ｎ型１ｎＰ 活性層３−１ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐクラッド層４−
ｐ型１ｎＰ コンタクト層５−ｐ型１ ｎＧａＡｓ Ｐとする。
、グレーティングを半導体レーザ部分内に形成し、電気
的に反射波長を変えるものも知られている。尚、前記従
来例では、０．７〜０．９〔μｍ〕帯のレーザ光を発生
させるものである為、材料としてはＧａＡｓ系を用いて
いるが、ｌ 〔μｍ〕帯のレーザ光を必要とする場合に
はＩｎＰ系を利用するものであり、その場合は、 基板１−ｈ Ｈ型１ｎＰ クラッド層２→ｎ型１ｎＰ 活性層３−１ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐクラッド層４−
ｐ型１ｎＰ コンタクト層５−ｐ型１ ｎＧａＡｓ Ｐとする。
前記説明したような従来技術に依る半導体レーザ装置で
は、発振可能な波長範囲は利得スペクトル幅で決められ
、その利得スペクトル幅は基本的には材料と注入キャリ
ヤ密度で決まってしまうので、大幅に変化させることは
困難である。
は、発振可能な波長範囲は利得スペクトル幅で決められ
、その利得スペクトル幅は基本的には材料と注入キャリ
ヤ密度で決まってしまうので、大幅に変化させることは
困難である。
若し、発振波長の変化幅を広げることが出来れば、光多
重通信では、より一層の多重化を、また、光情報処理で
は、より多種類の処理が可能になる。
重通信では、より一層の多重化を、また、光情報処理で
は、より多種類の処理が可能になる。
本発明は、現在、安定に製造することが可能になった量
子井戸構造を利用し、発振可能な波長範囲を広げること
ができるようにする。
子井戸構造を利用し、発振可能な波長範囲を広げること
ができるようにする。
前記したように、半導体レーザに於ける利得スペクトル
幅は材料或いは注入キャリヤ密度で決まるのであるが、
利得領域を寸法や組成を変えた複数の量子井戸で構成す
ると全体として利得スペクトル幅を拡大することができ
る。
幅は材料或いは注入キャリヤ密度で決まるのであるが、
利得領域を寸法や組成を変えた複数の量子井戸で構成す
ると全体として利得スペクトル幅を拡大することができ
る。
一般に、量子井戸構造を用いると、量子サイズ効果に依
って状態密度関数がシャープになり、利得スペクトル幅
は狭くなる。然しなから、前記したように、量子井戸の
構造、例えば、層厚や組成を若干変えれば利得スペクト
ルを簡単に変化させることができることから、多重量子
井戸に於ける各量子井戸の層厚や組成を僅かずつ変える
ことで利得スペクトルを少しずつ変化させ、それを重ね
合わせると、通常のダブル・ヘテロ構造の半導体レーザ
に於ける利得スペクトル幅よりも広くすることが可能に
なるものである。尚、長波長側の量子井戸層は短波長側
の量子井戸層の発光を吸収するので損失を生ずることに
なるが、量子井戸層は極めて薄いので、光の閉じ込め係
数が小さく、従って、導波される光の大部分は透明なり
ラッド層の方を通過するので、吸収損失は余り大きくな
らない。
って状態密度関数がシャープになり、利得スペクトル幅
は狭くなる。然しなから、前記したように、量子井戸の
構造、例えば、層厚や組成を若干変えれば利得スペクト
ルを簡単に変化させることができることから、多重量子
井戸に於ける各量子井戸の層厚や組成を僅かずつ変える
ことで利得スペクトルを少しずつ変化させ、それを重ね
合わせると、通常のダブル・ヘテロ構造の半導体レーザ
に於ける利得スペクトル幅よりも広くすることが可能に
なるものである。尚、長波長側の量子井戸層は短波長側
の量子井戸層の発光を吸収するので損失を生ずることに
なるが、量子井戸層は極めて薄いので、光の閉じ込め係
数が小さく、従って、導波される光の大部分は透明なり
ラッド層の方を通過するので、吸収損失は余り大きくな
らない。
このようなことから、本発明に依る半導体レーザ装置に
於いては、それぞれの利得スペクトルの一部が重なり合
って連続しそれ等の全体で単一の活性層に於ける利得ス
ペクトル幅と比較して拡幅されたそれをもつ多重量子井
戸層（例えば多重量子井戸層２３）からなる活性層と、
該活性層の一端面との間でキャビティを構成してレーザ
光を反射する回折格子（例えば回折格子２９）とを備え
てなるよう構成する。
於いては、それぞれの利得スペクトルの一部が重なり合
って連続しそれ等の全体で単一の活性層に於ける利得ス
ペクトル幅と比較して拡幅されたそれをもつ多重量子井
戸層（例えば多重量子井戸層２３）からなる活性層と、
該活性層の一端面との間でキャビティを構成してレーザ
光を反射する回折格子（例えば回折格子２９）とを備え
てなるよう構成する。
前記手段を採ることに依り、各量子井戸層の利得スペク
トルが少しずつずれて連続し、多重量子井戸層全体とし
て広い利得スペクトル幅をもち、通常のダブル・ヘテロ
構造の半導体レーザに於ける利得スペクトル幅と比較す
ると二倍以上も広くすることができるから、発振波長の
可変範囲は著しく大になり、光多重通信成いは光情報処
理の為の光源として好適である。
トルが少しずつずれて連続し、多重量子井戸層全体とし
て広い利得スペクトル幅をもち、通常のダブル・ヘテロ
構造の半導体レーザに於ける利得スペクトル幅と比較す
ると二倍以上も広くすることができるから、発振波長の
可変範囲は著しく大になり、光多重通信成いは光情報処
理の為の光源として好適である。
第１図は本発明一実施例の要部側断面説明図を表してい
る。
る。
図に於いて、２１はｎ型ＧａＡｓ１板、２２はｎ型Ａｆ
ｆＧａＡｓクラッド層、２３は多重量子井戸層、２４は
ｐ型ＡｆｆＧａＡｓクラッド層、２５はｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層、２６は無反射コーテイング膜、２７はｐ側
電極、２８はｎ側電極、２９は回折格子をそれぞれ示し
ている。尚、多重量子井戸層２３が活性層の役目を果た
すことは云うまでもない。また、ＧａＡｓ系に代えてＩ
ｎＰ系を用いるときは、 基板２１−ｎ型！ｎＰ クラッド層２２−ｎ型？ｎＰ ウェル層−１ｎＧａＡｓ （Ｐ） バリヤ層−１ｎＧａＡｓ Ｐ クラッド層２４−ｐ型１ｎＰ コンタクト層２５−ｐ型ＩｎＧａＡｓＰとすれば良い。
ｆＧａＡｓクラッド層、２３は多重量子井戸層、２４は
ｐ型ＡｆｆＧａＡｓクラッド層、２５はｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層、２６は無反射コーテイング膜、２７はｐ側
電極、２８はｎ側電極、２９は回折格子をそれぞれ示し
ている。尚、多重量子井戸層２３が活性層の役目を果た
すことは云うまでもない。また、ＧａＡｓ系に代えてＩ
ｎＰ系を用いるときは、 基板２１−ｎ型！ｎＰ クラッド層２２−ｎ型？ｎＰ ウェル層−１ｎＧａＡｓ （Ｐ） バリヤ層−１ｎＧａＡｓ Ｐ クラッド層２４−ｐ型１ｎＰ コンタクト層２５−ｐ型ＩｎＧａＡｓＰとすれば良い。
尚、ウェル層はＩｎＧａＡｓ或いハＩ ｎ Ｇ ａ Ａ
ｓ Ｐを用い、また、ウェル層とバリヤ層とは組成を
異にし、バリヤ層のエネルギ・ハンド・ギャップが大に
、従って、短波長側にずれた組成になっている。
ｓ Ｐを用い、また、ウェル層とバリヤ層とは組成を
異にし、バリヤ層のエネルギ・ハンド・ギャップが大に
、従って、短波長側にずれた組成になっている。
本実施例に於ける各半導体層を形成するには、極めて薄
い層である量子井戸層を成長させることができれば良く
、通常は分子線エピタキシャル成長（ｍｏｌｅｃｕｌａ
ｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法や有機
金属化学気相成長（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
：ＭＯＣＶＤ）法を用いるが、気相エピタキシャル成長
（ｖ ａ ｐ 。
い層である量子井戸層を成長させることができれば良く
、通常は分子線エピタキシャル成長（ｍｏｌｅｃｕｌａ
ｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法や有機
金属化学気相成長（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
：ＭＯＣＶＤ）法を用いるが、気相エピタキシャル成長
（ｖ ａ ｐ 。
ｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ：ＶＰＥ）法や液
相エピタキシャル成長（ｌｉｑｕｉｄ ｐｈａｓｅ
ｅｐｉｔａｘｙ：ＬＰＥ）法を適用することも可能で
ある。
相エピタキシャル成長（ｌｉｑｕｉｄ ｐｈａｓｅ
ｅｐｉｔａｘｙ：ＬＰＥ）法を適用することも可能で
ある。
第２図は第１図に見られる線Ａ−Ａに沿う断面で見た多
重量子井戸層２３近傍のエネルギ・ハンド・ダイヤグラ
ムである。尚、ここでは、伝導帯の底のみを表してあり
、また、第１図に於いて用いた記号と同記号は同部分を
表すが或いは同じ意味を持つものとする。
重量子井戸層２３近傍のエネルギ・ハンド・ダイヤグラ
ムである。尚、ここでは、伝導帯の底のみを表してあり
、また、第１図に於いて用いた記号と同記号は同部分を
表すが或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、２３ＡはＧａＡｓ井戸層、２３ＢはＡ Ｉ
Ｇ ａ Ａ Ｓ ／Ｎリヤ層、ｄ、、ｄ２．ｄ、、ｄ
。
Ｇ ａ Ａ Ｓ ／Ｎリヤ層、ｄ、、ｄ２．ｄ、、ｄ
。
は井戸層２３Ａの厚さを示している。
各部分に関する主要データを例示すると次の通りである
。
。
（１１ｎ型Ａ６ＧａＡｓクラッド層２２についてＸ値（
Ａ１のモル比）二０．５ （２１ＣａＡｓ井戸層２３Ａについて ｄ、二〜３８ 〔人〕 ｄ２ ：〜５０ 〔人〕 ｄ３ ：〜７０ 〔人〕 ｄ４ ：〜１２０ 〔人〕 ｆ３） Ａ Ｉ！ Ｇ ａ Ａ ｓ バリヤ層２３Ｂ
Ｘ値：０．２ 厚さ：〜３５ 〔人〕 （４）ｐ型ＡｆｆＧａＡｓクラッド層２４についてＸ値
：０．５ 第３図は第１図及び第２図について説明した多重量子井
戸ｒ！２３に於ける各量子井戸層２３ＡのＴＥモード波
に対する利得スペクトルを表す線図であり、横軸に波長
を、縦軸に利得をそれぞれ採っである。
Ａ１のモル比）二０．５ （２１ＣａＡｓ井戸層２３Ａについて ｄ、二〜３８ 〔人〕 ｄ２ ：〜５０ 〔人〕 ｄ３ ：〜７０ 〔人〕 ｄ４ ：〜１２０ 〔人〕 ｆ３） Ａ Ｉ！ Ｇ ａ Ａ ｓ バリヤ層２３Ｂ
Ｘ値：０．２ 厚さ：〜３５ 〔人〕 （４）ｐ型ＡｆｆＧａＡｓクラッド層２４についてＸ値
：０．５ 第３図は第１図及び第２図について説明した多重量子井
戸ｒ！２３に於ける各量子井戸層２３ＡのＴＥモード波
に対する利得スペクトルを表す線図であり、横軸に波長
を、縦軸に利得をそれぞれ採っである。
全体の利得は、短波長側で吸収の効果で若干減少するも
のの、はぼ、重ね合わせた分布となり、その結果、８１
５ （ｎｍ） 〜８８０ （ｎｍ）に亙り、発振波長
の選択を行うことが可能になり、この間の幅〜６５（ｎ
ｍ）、即ち、６５０ 〔人〕は従来技術に依る半導体レ
ーザ装置に於ける発振波長可変幅の二倍以上に相当する
。
のの、はぼ、重ね合わせた分布となり、その結果、８１
５ （ｎｍ） 〜８８０ （ｎｍ）に亙り、発振波長
の選択を行うことが可能になり、この間の幅〜６５（ｎ
ｍ）、即ち、６５０ 〔人〕は従来技術に依る半導体レ
ーザ装置に於ける発振波長可変幅の二倍以上に相当する
。
前記実施例に於いては、利得スペクトル幅を拡幅するの
に各量子井戸層の厚さを変えたが、このほか、組成を変
化させたり、或いは、厚さと組成の両方を変化させるな
どしても良い。
に各量子井戸層の厚さを変えたが、このほか、組成を変
化させたり、或いは、厚さと組成の両方を変化させるな
どしても良い。
また、このような発振波長可変範囲を大きくした半導体
レーザ装置に於いても横モード制御は必要であり、それ
には、通常の埋め込み構造やリッジ導波路構造など屈折
率分布を付与する手段を採れば良い。
レーザ装置に於いても横モード制御は必要であり、それ
には、通常の埋め込み構造やリッジ導波路構造など屈折
率分布を付与する手段を採れば良い。
更にまた、前記実施例に於いては、縦方向の光閉じ込め
にクラッド層を利用しているが、これに変えて、ＳＣＨ
（ｓｅｐａｒａｔｅ−ｃｏｎｆ ｉｎｅｍｅｎｔ ｈ
ｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造やＧＲＩＮ−３Ｃ
Ｈ（ｇｒａｄｅｄ−ｉｎｄｅｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ
ｓｅｐａｒａｔｅ−ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ ｈ
ｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造にすることができ
る。
にクラッド層を利用しているが、これに変えて、ＳＣＨ
（ｓｅｐａｒａｔｅ−ｃｏｎｆ ｉｎｅｍｅｎｔ ｈ
ｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造やＧＲＩＮ−３Ｃ
Ｈ（ｇｒａｄｅｄ−ｉｎｄｅｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ
ｓｅｐａｒａｔｅ−ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ ｈ
ｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造にすることができ
る。
第４図はＳＣＨ構造を採った場合の多重量子井戸層近傍
に於ける伝導帯のエネルギ・ハンド・ダイヤグラムを表
し、第２図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表す
か或いは同じ意味を持つものとする。
に於ける伝導帯のエネルギ・ハンド・ダイヤグラムを表
し、第２図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表す
か或いは同じ意味を持つものとする。
第５図はＧＲＩＮ−３ＣＨ構造を採った場合の多重量子
井戸層近傍に於ける伝導帯のエネルギ・バンド・ダイヤ
グラムを表し、第２図及び第４図に於いて用いた記号と
同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとす
る。
井戸層近傍に於ける伝導帯のエネルギ・バンド・ダイヤ
グラムを表し、第２図及び第４図に於いて用いた記号と
同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとす
る。
第４図及び第５図に見られる構造にすると、第１図乃至
第３図について説明した実施例に比較して光の閉じ込め
を改善でき、従って、発振閾値電流を低減することが可
能になる。
第３図について説明した実施例に比較して光の閉じ込め
を改善でき、従って、発振閾値電流を低減することが可
能になる。
前記実施例は何れも回折格子を半導体レーザ部分の外に
設ける構成を対象としたものであるが、回折格子が半導
体レーザ部分とモノリシックに形成された装置に実施す
ることもできる。
設ける構成を対象としたものであるが、回折格子が半導
体レーザ部分とモノリシックに形成された装置に実施す
ることもできる。
第６図及び第７図は回折格子を内蔵した実施例の要部側
断面説明図を表している。
断面説明図を表している。
図に於いて、３１は発光領域、３２は位相調整領域、３
３はＤＢＲ（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇｇ ｒ
ｅｆ １ｅｃｔｏｒ）領域、３１Ａは多重量子井戸層、
３２Ａは専波層、３３Ａは回折格子をそれぞれ示してい
る。
３はＤＢＲ（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇｇ ｒ
ｅｆ １ｅｃｔｏｒ）領域、３１Ａは多重量子井戸層、
３２Ａは専波層、３３Ａは回折格子をそれぞれ示してい
る。
各実施例に於ける発光領域３１は、前記説明した各実施
例に於ける半導体レーザ部分に相当するものであり、ま
た、位相調整領域３２は安定した単一波長発振を得る為
の位相制御を、そして、ＤＢＲｐＪｆ域はブラッグ波長
の制御をそれぞれ行うものである。
例に於ける半導体レーザ部分に相当するものであり、ま
た、位相調整領域３２は安定した単一波長発振を得る為
の位相制御を、そして、ＤＢＲｐＪｆ域はブラッグ波長
の制御をそれぞれ行うものである。
この実施例に於いても、発光領域３１の多重量子井戸層
３ＬＡとして前記説明した条件を取り込むことに依り、
発振波長の可変範囲を拡大することが可能である。
３ＬＡとして前記説明した条件を取り込むことに依り、
発振波長の可変範囲を拡大することが可能である。
前記各実施例に於いては、Ａ ｊ！ Ｇ ａ Ａ ｓ
／ Ｇ ａＡｓ系を対象に説明しであるが、Ｉ ｎＧａ
Ａｓ Ｐ／ＩｎＰ系、或いは、Ａｊ！ＧａＳｂ／ＧａＳ
ｂ系、或いは、Ｉ ｎ Ａ Ｉ！Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ ／ １ ｎ Ｐ系などの材料を用いて
も良い。
／ Ｇ ａＡｓ系を対象に説明しであるが、Ｉ ｎＧａ
Ａｓ Ｐ／ＩｎＰ系、或いは、Ａｊ！ＧａＳｂ／ＧａＳ
ｂ系、或いは、Ｉ ｎ Ａ Ｉ！Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ ／ １ ｎ Ｐ系などの材料を用いて
も良い。
本発明に依る半導体レーザ装置に於いては、活性層が多
重量子井戸層で構成され、その多重量子井戸層は、厚さ
或いは組成或いはその両方が僅かずつ変化している複数
の量子井戸層からなっている。
重量子井戸層で構成され、その多重量子井戸層は、厚さ
或いは組成或いはその両方が僅かずつ変化している複数
の量子井戸層からなっている。
前記構成を採ることに依り、各量子井戸層の利得スペク
トルは少しずつずれて連続している状態になるので、多
重量子井戸層全体として広い利得スペクトル幅となり、
通常のダブル・ヘテロ構造の半導体レーザに於ける利得
スペクトル幅と比較すると二倍以上も広くなるから発振
波長の可変範囲は著しく大になり、光多重通信或いは光
情報処理の為の光源として好適である。
トルは少しずつずれて連続している状態になるので、多
重量子井戸層全体として広い利得スペクトル幅となり、
通常のダブル・ヘテロ構造の半導体レーザに於ける利得
スペクトル幅と比較すると二倍以上も広くなるから発振
波長の可変範囲は著しく大になり、光多重通信或いは光
情報処理の為の光源として好適である。
第１図は本発明一実施例の要部側断面説明図、第２図は
第１図に見られる線Ａ−Ａに沿う断面で見た多重量子井
戸層２３近傍のエネルギ・ハンド・ダイヤグラム、第３
図は第１図及び第２図について説明した多重量子井戸層
２３に於ける各量子井戸層２３ＡのＴＥモード波に対す
る利得スペクトルを表す線図、第４図はＳＣＨ構造を採
った場合の多重量子井戸層近傍のエネルギ・バンド・ダ
イヤグラム、第５図はＧＲＩＮ−３ＣＨ構造を採った場
合の多重量子井戸層近傍のエネルギ・バンド・ダイヤグ
ラム、 第６図及び第７図は回折格子を内蔵した実施例
の要部側断面説明図、第８図は従来例の要部側断面説明
図をそれぞれ表している。 図に於いて、２１はｎ型ＧａＡｓ基板、２２はｎ型Ａｆ
ＧａＡｓクラッド層、２３は多重量子井戸層、２４はｐ
型／’ｔ’ＧａＡｓクラフト層、２５はｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層、２６は無反射コーテイング膜、２７はｐ側
電極、２８はｎ側電極、２９は回折格子をそれぞれ示し
ている。 特許出願人 光技術研究開発株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 本完明−実施例の要部側′！ｆｒ面説ＦＡ図第１図 第２図 第３図 ロＲＩＮ−ＳＣＨ構Ａを採フた場合の多重雪子井戸層近
岱のエネルギ・バンド・り゛イヤグラム回折格子を内蔵
した実施例の要部側断面説ｇＡ図第６図 回折格子空内蔵した実施例の要部側断面説明図第７図
第１図に見られる線Ａ−Ａに沿う断面で見た多重量子井
戸層２３近傍のエネルギ・ハンド・ダイヤグラム、第３
図は第１図及び第２図について説明した多重量子井戸層
２３に於ける各量子井戸層２３ＡのＴＥモード波に対す
る利得スペクトルを表す線図、第４図はＳＣＨ構造を採
った場合の多重量子井戸層近傍のエネルギ・バンド・ダ
イヤグラム、第５図はＧＲＩＮ−３ＣＨ構造を採った場
合の多重量子井戸層近傍のエネルギ・バンド・ダイヤグ
ラム、 第６図及び第７図は回折格子を内蔵した実施例
の要部側断面説明図、第８図は従来例の要部側断面説明
図をそれぞれ表している。 図に於いて、２１はｎ型ＧａＡｓ基板、２２はｎ型Ａｆ
ＧａＡｓクラッド層、２３は多重量子井戸層、２４はｐ
型／’ｔ’ＧａＡｓクラフト層、２５はｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層、２６は無反射コーテイング膜、２７はｐ側
電極、２８はｎ側電極、２９は回折格子をそれぞれ示し
ている。 特許出願人 光技術研究開発株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 本完明−実施例の要部側′！ｆｒ面説ＦＡ図第１図 第２図 第３図 ロＲＩＮ−ＳＣＨ構Ａを採フた場合の多重雪子井戸層近
岱のエネルギ・バンド・り゛イヤグラム回折格子を内蔵
した実施例の要部側断面説ｇＡ図第６図 回折格子空内蔵した実施例の要部側断面説明図第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の量子井戸層に於けるそれぞれの利得スペクトルの
一部が重なり合って連続しそれ等の全体で単一の活性層
に於ける利得スペクトル幅と比較して拡幅されたそれを
もつ多重量子井戸層からなる活性層と、 該活性層の一端面との間でキャビティを構成してレーザ
光を反射する回折格子と を備えてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5499988A JPH01230279A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5499988A JPH01230279A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01230279A true JPH01230279A (ja) | 1989-09-13 |
Family
ID=12986355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5499988A Pending JPH01230279A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01230279A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03148891A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 外部共振器型半導体レーザ及びこれを用いた光伝送装置 |
| JPH07235734A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-09-05 | Nec Corp | 多重量子井戸分布帰還型半導体レ−ザ |
| JP2009152261A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
-
1988
- 1988-03-10 JP JP5499988A patent/JPH01230279A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03148891A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 外部共振器型半導体レーザ及びこれを用いた光伝送装置 |
| JPH07235734A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-09-05 | Nec Corp | 多重量子井戸分布帰還型半導体レ−ザ |
| JP2009152261A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
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