JPS61296739A - 多層配線の形成方法 - Google Patents
多層配線の形成方法Info
- Publication number
- JPS61296739A JPS61296739A JP13795785A JP13795785A JPS61296739A JP S61296739 A JPS61296739 A JP S61296739A JP 13795785 A JP13795785 A JP 13795785A JP 13795785 A JP13795785 A JP 13795785A JP S61296739 A JPS61296739 A JP S61296739A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- film
- forming
- organic insulating
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は多層配線の形成方法に関する。
〔発明の技術的背景〕−
従来から使用されている多層配線の形成方法の一例とし
ては、第３図に示すようなものがある。
ては、第３図に示すようなものがある。
即ちまず同図（ａ）に示すように、種々の工程を経て素
子等（図では省略）を形成された基板（１）上に、電極
或いは配線として用いられる第１導電層（２）を所定の
パターンに形成する。次に同図（ｂ）に示すように、基
板（１）及び第１導電層（２）上に有機絶縁層（３）を
塗布した後にスルーホール（４）を設ける。続いて同図
（Ｃ）に示すように、スルーホール（４）を覆うように
有機絶縁層（３）上に、電極或いは配線として用いられ
る第２導電層（５）を形成する。
子等（図では省略）を形成された基板（１）上に、電極
或いは配線として用いられる第１導電層（２）を所定の
パターンに形成する。次に同図（ｂ）に示すように、基
板（１）及び第１導電層（２）上に有機絶縁層（３）を
塗布した後にスルーホール（４）を設ける。続いて同図
（Ｃ）に示すように、スルーホール（４）を覆うように
有機絶縁層（３）上に、電極或いは配線として用いられ
る第２導電層（５）を形成する。
このようにシて構成される従来の方法では、第２導電層
（５）に比し有機絶縁層（３）が厚い場合に、スルーホ
ール（４）の端部周辺の第２導電層（５）の厚さが薄く
なるため、配線抵抗が高くなり、装置の動作速度が遅く
なったり動作不良を起こすことがあった。また極端な場
合には、この部分で第２導電層（５）が切れて断線が起
こり、装置の製造歩留りが著しく低下することがあった
。
（５）に比し有機絶縁層（３）が厚い場合に、スルーホ
ール（４）の端部周辺の第２導電層（５）の厚さが薄く
なるため、配線抵抗が高くなり、装置の動作速度が遅く
なったり動作不良を起こすことがあった。また極端な場
合には、この部分で第２導電層（５）が切れて断線が起
こり、装置の製造歩留りが著しく低下することがあった
。
不発明はこのような従来の欠点を解決するためになされ
たものであり、層間絶縁膜である有機絶縁１−の厚さに
は関係なく、下部導電層と上部棉電層とを電気的に良好
に接続することの可能な多層配線の形成方法の提供を目
的とする。
たものであり、層間絶縁膜である有機絶縁１−の厚さに
は関係なく、下部導電層と上部棉電層とを電気的に良好
に接続することの可能な多層配線の形成方法の提供を目
的とする。
即ち本発明は、基板上に第１導電；置を所定のパターン
に形成する工程と、第１導電層を覆うよう（：有機絶縁
層を形成する工程と、光を照射することにより有機絶縁
層を選択的；二導電層に変化させる工程と、有機絶縁層
上に第２導電層を所定のパターンに形成する工程とを備
え、第１導′鑞層と第２導電層とを結ぶのは有機絶縁層
をグラファイト化して形成した導電層であることを特徴
とする多層配線の形成方法である。
に形成する工程と、第１導電層を覆うよう（：有機絶縁
層を形成する工程と、光を照射することにより有機絶縁
層を選択的；二導電層に変化させる工程と、有機絶縁層
上に第２導電層を所定のパターンに形成する工程とを備
え、第１導′鑞層と第２導電層とを結ぶのは有機絶縁層
をグラファイト化して形成した導電層であることを特徴
とする多層配線の形成方法である。
以下本発明の詳細を、光導電膜積層をの固体撮像装Ｗ
＋：進用した場合を例にあげ、図面を参照して説明する
。
＋：進用した場合を例にあげ、図面を参照して説明する
。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
これからこの実施例を製造工程に従って説明する。
同図（、）において基板α１例えばｐ型シリコン基板に
は、ｐｎ接合からなる電荷蓄積ダイオード０１）と埋め
込みチャネルＣＯＤからなる垂直Ｃ０Ｄ（１３とが隣接
して形成され、この一体となったものはチャネルストッ
パ＜１３により互いに分離されている。そして転送電極
α荀を絶縁するための絶縁膜α９が、電荷蓄積ダイオー
ドαυのｎ＋聾領域上の一部が露出するように転送電極
α４とともに形成されている。そして基板α〔上に露出
した電荷蓄積ダイオードαυに接触するように、例えば
アルミニウムからなる第１導１！層αｅをフォトリソグ
ラフィーにより所定のパターンに形成し、第１工程が完
了する。次に同図（ｂ）に示すように、第１導電層αＱ
を覆うように例えばポリイミドからなる有機絶縁層αη
を回転塗布法により形成し、第２工程が完了する。
は、ｐｎ接合からなる電荷蓄積ダイオード０１）と埋め
込みチャネルＣＯＤからなる垂直Ｃ０Ｄ（１３とが隣接
して形成され、この一体となったものはチャネルストッ
パ＜１３により互いに分離されている。そして転送電極
α荀を絶縁するための絶縁膜α９が、電荷蓄積ダイオー
ドαυのｎ＋聾領域上の一部が露出するように転送電極
α４とともに形成されている。そして基板α〔上に露出
した電荷蓄積ダイオードαυに接触するように、例えば
アルミニウムからなる第１導１！層αｅをフォトリソグ
ラフィーにより所定のパターンに形成し、第１工程が完
了する。次に同図（ｂ）に示すように、第１導電層αＱ
を覆うように例えばポリイミドからなる有機絶縁層αη
を回転塗布法により形成し、第２工程が完了する。
続いて同図（Ｃ）に示すように、圧力５×１０″″”Ｔ
ｏｒｒのアルゴンガス雰囲気中でのスパッタリングによ
す、例えばモリブデンからなるマスクの役割を果たす膜
αａを０．１〜０．５μｍの厚さく＝形成した後、フォ
トリソグラフィーにより所定のパターンにする。
ｏｒｒのアルゴンガス雰囲気中でのスパッタリングによ
す、例えばモリブデンからなるマスクの役割を果たす膜
αａを０．１〜０．５μｍの厚さく＝形成した後、フォ
トリソグラフィーにより所定のパターンにする。
このパターンは、第１導電層（１ｅと後述する第２導電
層（１１とを結ぶスルーホール部にする予定の領域を除
いた形状である。そして真空度１０−４〜１Ｏ−６Ｔｏ
ｒｒの真空炉内で、基板（１Ｇの面と垂直に光（至）例
えば高圧Ｃｏレーザ光を照射する。すると照射された部
分の有機絶縁層（Ｉ７）の温度は８００Ｃ程度になり、
熱分解されてグラファイト化する。ここでグラファイト
の電気伝導度は２．５ Ｘ ＩＱＱ 口 であるため、
同図（ｄ）；二示すように膜α樽の働きにより、有機絶
縁層（１７）は選択的に導電層（１７１） Ｅ変化する
。
層（１１とを結ぶスルーホール部にする予定の領域を除
いた形状である。そして真空度１０−４〜１Ｏ−６Ｔｏ
ｒｒの真空炉内で、基板（１Ｇの面と垂直に光（至）例
えば高圧Ｃｏレーザ光を照射する。すると照射された部
分の有機絶縁層（Ｉ７）の温度は８００Ｃ程度になり、
熱分解されてグラファイト化する。ここでグラファイト
の電気伝導度は２．５ Ｘ ＩＱＱ 口 であるため、
同図（ｄ）；二示すように膜α樽の働きにより、有機絶
縁層（１７）は選択的に導電層（１７１） Ｅ変化する
。
なお有機絶縁層（ｌηの一部をグラファイト化するに際
しては、ポリイミドの赤外吸収帯が５．７〜９．１μｍ
の範囲（：あるので、波長が５．２〜６．５μｍの高圧
Ｃ。
しては、ポリイミドの赤外吸収帯が５．７〜９．１μｍ
の範囲（：あるので、波長が５．２〜６．５μｍの高圧
Ｃ。
レーザを光（１）として使用するのは有効である。
次に同図（ｅ）に示すように、膜（ｌを除去して第３工
程を完了させた後、例えばモリブデンからなる第２導電
層σ湯をフォトリソグラフィーにより所定のパターンに
形成して第４工程が完了する。続いて同図＜ｆ） Ｉ：
示すように第２導電層（１！Ｊ及び露出する有機絶縁層
αη上には、例えばアモルファスシリコンからなる光導
電層Ｑυが形成されている。アモルファスシリコンは一
般に、Ｈ！で希釈された８ｉＨ。
程を完了させた後、例えばモリブデンからなる第２導電
層σ湯をフォトリソグラフィーにより所定のパターンに
形成して第４工程が完了する。続いて同図＜ｆ） Ｉ：
示すように第２導電層（１！Ｊ及び露出する有機絶縁層
αη上には、例えばアモルファスシリコンからなる光導
電層Ｑυが形成されている。アモルファスシリコンは一
般に、Ｈ！で希釈された８ｉＨ。
ガスをグロー放電分解して得られる。このようにして形
成されたアモルファスシリコン膜はややｎ型であり、暗
比抵抗は１０’−１０”Ω１程度の値を示す。この暗比
抵抗では撮像動作を行なうに若干比抵抗が小さいが、微
量のボロンなドーピングすることζ二よって真性化し、
比抵抗を大きくすることが可能である。この実施例では
、°Ｈ１を１Ｇ％希釈した月Ｈ４ガスに１０ ｐｐｍ程
度のＢ、Ｈ，ガスを混合して、アモルファスシリコン膜
を約３μｍの厚さに形成した。なお形成条件は圧力２．
０ Ｔｏｒｒ 、温度２５０Ｃ及び電力８Ｗである。そ
して光導電膜（２１）上に、例えばＩＴＯからなる透明
導電層四をスパッタリングにより形成し、所望の固体撮
像装置が得られる。
成されたアモルファスシリコン膜はややｎ型であり、暗
比抵抗は１０’−１０”Ω１程度の値を示す。この暗比
抵抗では撮像動作を行なうに若干比抵抗が小さいが、微
量のボロンなドーピングすることζ二よって真性化し、
比抵抗を大きくすることが可能である。この実施例では
、°Ｈ１を１Ｇ％希釈した月Ｈ４ガスに１０ ｐｐｍ程
度のＢ、Ｈ，ガスを混合して、アモルファスシリコン膜
を約３μｍの厚さに形成した。なお形成条件は圧力２．
０ Ｔｏｒｒ 、温度２５０Ｃ及び電力８Ｗである。そ
して光導電膜（２１）上に、例えばＩＴＯからなる透明
導電層四をスパッタリングにより形成し、所望の固体撮
像装置が得られる。
この実施例では、第１導電層αＱと第２導電層α９とを
、スルーホールを設けず）；回転塗布法により形成した
平滑な有機絶縁層αηの一部をグラファイト化すること
により接続するので、第２導電層Ｉは完全に平坦に形成
することができる。従って第２導を層（１１が部分的に
著しく薄くなるようなことはなくなり、完成した固体撮
像装置の信頼性が向上する。
、スルーホールを設けず）；回転塗布法により形成した
平滑な有機絶縁層αηの一部をグラファイト化すること
により接続するので、第２導電層Ｉは完全に平坦に形成
することができる。従って第２導を層（１１が部分的に
著しく薄くなるようなことはなくなり、完成した固体撮
像装置の信頼性が向上する。
８２図は本発明の他の実施例を示す断面図であり、第１
図と対応する部分には同一の符号を付しである。まず同
図（ａ） Ｅ示すよう（：、第１図の場合と同様の平原
で第３工程まで完了させた後、有機絶縁層住η上に再度
例えばポリイミドからなる有機絶縁層（至）を回転塗布
法により形成する。続いて同図（ｂ）に示すよう（：、
圧力５×１Ｏ−３Ｔｏｒｒのアルゴンガス雰囲気中での
スパッタリング（：より、例えばモリブデンからなるマ
スクの役割を果たす膜のυを０．１〜０．５μｍの厚さ
に形成した後、フォトリソグラフィーにより所定のパタ
ーンにする。このパターンは、第２導’Ｊｉｆｉ’ｌｌ
ｌニする予定の領域を除いた形状である。そして真空度
１０−４〜１０＝Ｔｏｒｒの真空炉内で、半導体基板α
〔の面と垂直に光（イ）例えば高圧ＣＯレーザ光を照射
する。すると光（１）が膜Ｇυで反射され、同図（ｃ）
Ｅ示すように有機絶縁層（至）は選択的；：変化して所
定のパターン：二第２導電層α］が形成され、第４工程
が完了する。次に同図（ｄ）に示すように、膜Ｇυを除
去した後、第１図の場合と同様の手順で、有機絶縁層（
７）上に光導電膜Ｑ１）と透明導電１四を順次形成し、
所望の固体撮像装置が得られる。
図と対応する部分には同一の符号を付しである。まず同
図（ａ） Ｅ示すよう（：、第１図の場合と同様の平原
で第３工程まで完了させた後、有機絶縁層住η上に再度
例えばポリイミドからなる有機絶縁層（至）を回転塗布
法により形成する。続いて同図（ｂ）に示すよう（：、
圧力５×１Ｏ−３Ｔｏｒｒのアルゴンガス雰囲気中での
スパッタリング（：より、例えばモリブデンからなるマ
スクの役割を果たす膜のυを０．１〜０．５μｍの厚さ
に形成した後、フォトリソグラフィーにより所定のパタ
ーンにする。このパターンは、第２導’Ｊｉｆｉ’ｌｌ
ｌニする予定の領域を除いた形状である。そして真空度
１０−４〜１０＝Ｔｏｒｒの真空炉内で、半導体基板α
〔の面と垂直に光（イ）例えば高圧ＣＯレーザ光を照射
する。すると光（１）が膜Ｇυで反射され、同図（ｃ）
Ｅ示すように有機絶縁層（至）は選択的；：変化して所
定のパターン：二第２導電層α］が形成され、第４工程
が完了する。次に同図（ｄ）に示すように、膜Ｇυを除
去した後、第１図の場合と同様の手順で、有機絶縁層（
７）上に光導電膜Ｑ１）と透明導電１四を順次形成し、
所望の固体撮像装置が得られる。
この実施例は第１図に示した実施例と同様の効果がある
ばかりでなく、１２導電層α）をよりいっそう平坦（；
形成することができる。そしてこのことは、光導電膜（
財）の下地はなるべく平坦であるのが望ましいという事
情を考慮すれば、完成した固体撮像装置に明らかに良い
影響をもたらす。
ばかりでなく、１２導電層α）をよりいっそう平坦（；
形成することができる。そしてこのことは、光導電膜（
財）の下地はなるべく平坦であるのが望ましいという事
情を考慮すれば、完成した固体撮像装置に明らかに良い
影響をもたらす。
なお今までは、有機絶縁層αη、（７）がポリイミドで
ある場合について述べたが、ポリエチレン等であっても
よい。また有機絶縁層αＤ、（７）をグラファイト化す
るときのマスクである膜αＳ、Ｏ１）の材料としては、
光（４）に対する反射率が大きいことが必要であるため
、モリブデンの他には同じく高融点金属であるクロムや
タングステン等が望ましい。
ある場合について述べたが、ポリエチレン等であっても
よい。また有機絶縁層αＤ、（７）をグラファイト化す
るときのマスクである膜αＳ、Ｏ１）の材料としては、
光（４）に対する反射率が大きいことが必要であるため
、モリブデンの他には同じく高融点金属であるクロムや
タングステン等が望ましい。
以上説明したように本発明の多層配線の形成方法は、有
機絶縁層を光照射により選択的に導電層に変化させる工
程を備えてなるので、多層配線を形成する際に生じる段
差を低減できて、信頼性に富む装置を提供することがで
きる。
機絶縁層を光照射により選択的に導電層に変化させる工
程を備えてなるので、多層配線を形成する際に生じる段
差を低減できて、信頼性に富む装置を提供することがで
きる。
第１図は不発明の一実施例を示す断面図、第２図は不発
明の他の実施例を示す断面図、第３図は従来の多層配線
の形成方法の一例を示す断面図である。 αＯ・・・半導体基板 αｅ・・・第１導電層 αη・・・有機絶縁層 （１７１）・・・導電層 ａ９・・・第２導電層 （至）・・・光 （αン
（８）（Ｃン
（ハ（
α） （ｋ）
第２図 （Ｃ） 第 ３ 図
明の他の実施例を示す断面図、第３図は従来の多層配線
の形成方法の一例を示す断面図である。 αＯ・・・半導体基板 αｅ・・・第１導電層 αη・・・有機絶縁層 （１７１）・・・導電層 ａ９・・・第２導電層 （至）・・・光 （αン
（８）（Ｃン
（ハ（
α） （ｋ）
第２図 （Ｃ） 第 ３ 図
Claims (2)
- （１）基板上に第１導電層を所定のパターンに形成する
第１工程と、前記第１導電層を覆うように有機絶縁層を
形成する第２工程と、光を照射することにより前記有機
絶縁層を選択的に導電層に変化させる第３工程と、前記
有機絶縁層上に第２導電層を所定のパターンに形成する
第４工程とを備えたことを特徴とする多層配線の形成方
法。 - （２）前記第３工程は、前記導電層に変化させる予定の
ない前記有機絶縁層上に前記光に対してマスクの役割を
果たす膜を形成する工程と、前記有機絶縁層及び前記膜
上に光を照射する工程と、前記膜を除去する工程とを備
えたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層
配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13795785A JPS61296739A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 多層配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13795785A JPS61296739A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 多層配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296739A true JPS61296739A (ja) | 1986-12-27 |
Family
ID=15210674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13795785A Pending JPS61296739A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 多層配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61296739A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9756955B2 (en) | 2009-11-09 | 2017-09-12 | Argon Technologies, Inc. | Inflatable pad and methods for using same |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP13795785A patent/JPS61296739A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9756955B2 (en) | 2009-11-09 | 2017-09-12 | Argon Technologies, Inc. | Inflatable pad and methods for using same |
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