JPS6129095A - 薄膜ｅｌパネル - Google Patents
薄膜ｅｌパネルInfo
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- JPS6129095A JPS6129095A JP14962084A JP14962084A JPS6129095A JP S6129095 A JPS6129095 A JP S6129095A JP 14962084 A JP14962084 A JP 14962084A JP 14962084 A JP14962084 A JP 14962084A JP S6129095 A JPS6129095 A JP S6129095A
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- JP
- Japan
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- thin film
- oxide
- light
- panel
- composite oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、情報化社会における今後一層の進歩発展が期
待されるＯＡ分野において、人間と機器との接点の役割
を果すブイスジレイ・ぐネルに関するものである。その
中で本発明に係る薄膜ＥＬパネルは、薄膜軽量の全固体
式で、かつ見易い特徴を持ち、キャラクタ−およびグラ
フィックディスプレイとして、パソコン端末ディスプレ
イ等に最適なものである。
待されるＯＡ分野において、人間と機器との接点の役割
を果すブイスジレイ・ぐネルに関するものである。その
中で本発明に係る薄膜ＥＬパネルは、薄膜軽量の全固体
式で、かつ見易い特徴を持ち、キャラクタ−およびグラ
フィックディスプレイとして、パソコン端末ディスプレ
イ等に最適なものである。
（従来例の構成とその問題点）
一般にＥ Ｌ 、ａ！’ネルは、ガラス基板の」二に透
明電極（インゾウム・スズ混晶酸化物：■ＴＯ）、下部
絶縁体層、蛍光体層、上部絶縁体層および背面電極（普
通はＡ、ｌ金属）の順に、Ａｌ以外は透明な薄膜を積層
した構造を持つ。従って観測者側のガラス基板側から見
た場合、積層された薄膜が透明であり、外光（周囲光）
はＡｌ電極面で反射されるために、ノぐネル全体が鏡面
になってしまう。
明電極（インゾウム・スズ混晶酸化物：■ＴＯ）、下部
絶縁体層、蛍光体層、上部絶縁体層および背面電極（普
通はＡ、ｌ金属）の順に、Ａｌ以外は透明な薄膜を積層
した構造を持つ。従って観測者側のガラス基板側から見
た場合、積層された薄膜が透明であり、外光（周囲光）
はＡｌ電極面で反射されるために、ノぐネル全体が鏡面
になってしまう。
外光がノｅネル面に垂直に入射した場合について説明す
る。表面ガラスおよび薄膜界面により、Ａｌ電極入射直
前までに約８チが反射される。残り９２チの光のうち、
Ａｌ電極により９０φが反射されて、すべて表面に出て
くるとすると、・ぞネル全体で９１チの高い反射率と々
る。実際には薄膜内の吸収や界面での散乱で光が失なわ
れ、８０〜９０係となる。従って外光が全く無い時の輝
度が標準的な］ ００ ｎｉｔのパネルは、かなり明る
いオフィスの照度４． ＯＯｌｌｘと同じ面照度で、か
つ光が面に垂直入射し垂直に反射して、その方向から見
た場合入射した４００１ｘが反射して約］ ００ ｎｉ
ｔの輝度分としてブラックレベル（消灯時）をあげ、コ
ントラストは約２１と低くなる欠点があった。このこと
は次に示すコントラストを求める式から明らかである。
る。表面ガラスおよび薄膜界面により、Ａｌ電極入射直
前までに約８チが反射される。残り９２チの光のうち、
Ａｌ電極により９０φが反射されて、すべて表面に出て
くるとすると、・ぞネル全体で９１チの高い反射率と々
る。実際には薄膜内の吸収や界面での散乱で光が失なわ
れ、８０〜９０係となる。従って外光が全く無い時の輝
度が標準的な］ ００ ｎｉｔのパネルは、かなり明る
いオフィスの照度４． ＯＯｌｌｘと同じ面照度で、か
つ光が面に垂直入射し垂直に反射して、その方向から見
た場合入射した４００１ｘが反射して約］ ００ ｎｉ
ｔの輝度分としてブラックレベル（消灯時）をあげ、コ
ントラストは約２１と低くなる欠点があった。このこと
は次に示すコントラストを求める式から明らかである。
ＬＯ：映像の輝度（ｎｉｔ）
ＡＬ パネル面における外光の強さく１ｘ）Ｒｆ、・
ぐネルの外光反射率 上式において、ＬＯ＝］ ＯＯｎｉｔ 、 Ｒｆ ＝
０．８〜０．９、ＡＬ＝４００１ｘを入れれば前記の結
果が導き出せる。
ぐネルの外光反射率 上式において、ＬＯ＝］ ＯＯｎｉｔ 、 Ｒｆ ＝
０．８〜０．９、ＡＬ＝４００１ｘを入れれば前記の結
果が導き出せる。
一般にパネル面が４００ ｌｘの照度でも５：１以上の
コントラストが望ましい。
コントラストが望ましい。
コントラストを改善するために、・やネル前面に円偏光
フィルターを配置する方法や、蛍光体層と背面電極の間
に黒色絶縁膜を介在させる方法が考えられている。前者
は輝度が４０％程度に減少し、かつ高価であるという欠
点を持つ。後者は最高５０−１で輝度が落ちることがあ
るが、コントラスト改善にはコストも低く、優れた方法
といえる。
フィルターを配置する方法や、蛍光体層と背面電極の間
に黒色絶縁膜を介在させる方法が考えられている。前者
は輝度が４０％程度に減少し、かつ高価であるという欠
点を持つ。後者は最高５０−１で輝度が落ちることがあ
るが、コントラスト改善にはコストも低く、優れた方法
といえる。
しかし一般に光を十分吸収する黒色で、かつ絶縁性の高
い薄膜は得難い。一般に黒色絶縁薄膜は約１０Ω／（」
以上のシート抵抗を持つことが要求される。もちろん薄
膜の透過率は可視領域において、０％に近い程よく、捷
だ誘電率が高い方が）Ｅネルの駆動電圧を低くするのに
都合がよい。すでに本発明者らは、プラセオジウム（Ｐ
ｒ）酸化物黒色絶縁薄膜で構成したＥＬ−ｅネルを提案
した（特願昭５９−５６９５４号参照）。プラセオジウ
ム酸化物はＥＬ・母ネルにおける高コントラスト化に良
好な特性を示しているが、希土類元素であるのでコスト
高になる欠点があった。従って性能、コスト共に優れた
黒色絶縁薄膜はいまだ見い出されていない。
い薄膜は得難い。一般に黒色絶縁薄膜は約１０Ω／（」
以上のシート抵抗を持つことが要求される。もちろん薄
膜の透過率は可視領域において、０％に近い程よく、捷
だ誘電率が高い方が）Ｅネルの駆動電圧を低くするのに
都合がよい。すでに本発明者らは、プラセオジウム（Ｐ
ｒ）酸化物黒色絶縁薄膜で構成したＥＬ−ｅネルを提案
した（特願昭５９−５６９５４号参照）。プラセオジウ
ム酸化物はＥＬ・母ネルにおける高コントラスト化に良
好な特性を示しているが、希土類元素であるのでコスト
高になる欠点があった。従って性能、コスト共に優れた
黒色絶縁薄膜はいまだ見い出されていない。
（発明の目的）
本発明は、・ぐネル面の照度がたとえば４００１ｘと大
きい場合でも、５：１以上の高いコントラストを持つ見
易いＥ Ｌフラット・やネルを提供することを目的とす
る。
きい場合でも、５：１以上の高いコントラストを持つ見
易いＥ Ｌフラット・やネルを提供することを目的とす
る。
（発明の構成）
本発明は、（従来例の構成とその問題点）の項で述べた
黒色絶縁薄膜に必要な特性、すなわち可視光をほとんど
吸収し、かつ絶縁性と誘電率も高いという性能を持つ薄
膜を新だに見い出し、それをＥＬフラット・クネルに適
用したものであり、端末グラフィックあるいはキャラク
タ−ディスプレイとしてＥＬフラット・やネルの実用性
を一層向上させたものである。すなわち、黒色絶縁薄膜
として、プラセオジウムとマンガンの複合酸化物あるい
はマンガン酸化物を新たに見い出し、その高い光吸収特
性と高誘電率および高絶縁抵抗を利用し、蛍光体層と背
面電極層との間に配置して、優れたコントラストのＥＬ
ｉ８ネルを提供するものである。
黒色絶縁薄膜に必要な特性、すなわち可視光をほとんど
吸収し、かつ絶縁性と誘電率も高いという性能を持つ薄
膜を新だに見い出し、それをＥＬフラット・クネルに適
用したものであり、端末グラフィックあるいはキャラク
タ−ディスプレイとしてＥＬフラット・やネルの実用性
を一層向上させたものである。すなわち、黒色絶縁薄膜
として、プラセオジウムとマンガンの複合酸化物あるい
はマンガン酸化物を新たに見い出し、その高い光吸収特
性と高誘電率および高絶縁抵抗を利用し、蛍光体層と背
面電極層との間に配置して、優れたコントラストのＥＬ
ｉ８ネルを提供するものである。
寸だ上記薄膜は従来のプラセオジウム酸化物薄膜に比し
、廉価なマンガンを使用しており、かつ、ス・ぐツタ−
法で薄膜を作製する場合、酸素なしのアルゴン雰囲気で
作製できるのでデＩジションレートが速く効率的であり
、総合的により廉価で作製容易である特徴を持つ。
、廉価なマンガンを使用しており、かつ、ス・ぐツタ−
法で薄膜を作製する場合、酸素なしのアルゴン雰囲気で
作製できるのでデＩジションレートが速く効率的であり
、総合的により廉価で作製容易である特徴を持つ。
（実施例の説明）
はじめにＰｒ −Ｍｎ複合酸化物系を選定した理由を以
下述べる。
下述べる。
（１） Ｐｒは希土類元素であり、Ｙ２Ｏ３、Ｓｍ２
Ｏ３の例のごとく、ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光膜や他の酸化物に
対し強い付着強度を有し、ＥＬ素子に適した絶縁薄膜と
なる。まだＭｎもＺｎＳ −ＭｎＳ固溶体の例のごとく
、ＺｎＳとの付着強度は強いと考えられる。
Ｏ３の例のごとく、ＺｎＳ：Ｍｎ蛍光膜や他の酸化物に
対し強い付着強度を有し、ＥＬ素子に適した絶縁薄膜と
なる。まだＭｎもＺｎＳ −ＭｎＳ固溶体の例のごとく
、ＺｎＳとの付着強度は強いと考えられる。
（２） Ｐｒ酸化物は希土類元素の中で、需要が多い
ため、最も廉価に入手できるが、しかし典型元素や通常
の遷移元素より高価である。従ってＺｎＳ ：Ｍｎ蛍光
膜に対し、発光の害の少いと考えられるＭｎとＰｒの複
合酸化物とすれば、Ｐｒの使用量が減少してコストをよ
り低くすることができる。
ため、最も廉価に入手できるが、しかし典型元素や通常
の遷移元素より高価である。従ってＺｎＳ ：Ｍｎ蛍光
膜に対し、発光の害の少いと考えられるＭｎとＰｒの複
合酸化物とすれば、Ｐｒの使用量が減少してコストをよ
り低くすることができる。
（３） Ｐｒ 、 Ｍｎ酸化物は両者とも強く黒色系
に着色しており、強い光吸収能力が期待できる。
に着色しており、強い光吸収能力が期待できる。
（４） Ｐｒ 、 Ｍｎ酸化物は両者とも高い電気抵
抗率が期待される。Ｍｎはｐ型のＭｎＯあるいはＭｎＯ
２にならなければよいし、たとえｐ型の他のＭｎ酸化物
でも一般に抵抗は高く、還元性雰囲気で作製した場合、
ｐ型がおさえられ、より高抵抗になる。
抗率が期待される。Ｍｎはｐ型のＭｎＯあるいはＭｎＯ
２にならなければよいし、たとえｐ型の他のＭｎ酸化物
でも一般に抵抗は高く、還元性雰囲気で作製した場合、
ｐ型がおさえられ、より高抵抗になる。
Ｐｒ −Ｍｎ複合酸化物の薄膜は、高周波あるいは直流
ス・ぞツタ−法、ＥＢ蒸着法にて作製できた。
ス・ぞツタ−法、ＥＢ蒸着法にて作製できた。
以下ス・ぐツタ−法について説明する。ＰｒとＭｎ金属
を適当な面積比に組合せだターケ９ットを用い、酸素中
活性ス・やツタ−で薄膜は作製できるが、より廉価なＰ
ｒ６Ｏ１１酸化物とＭｎＣＯ３を原料にし、それらを適
当な原子比で配合し、仮焼（１−０００℃）、焼結（１
３８０℃で２時間）して厚み５叫のセラミック板となし
、それをス・ｅツタ−ターゲットとした。
を適当な面積比に組合せだターケ９ットを用い、酸素中
活性ス・やツタ−で薄膜は作製できるが、より廉価なＰ
ｒ６Ｏ１１酸化物とＭｎＣＯ３を原料にし、それらを適
当な原子比で配合し、仮焼（１−０００℃）、焼結（１
３８０℃で２時間）して厚み５叫のセラミック板となし
、それをス・ｅツタ−ターゲットとした。
ＲＦマグネトロンス・ぐツタ−装置を用い、基板温度２
００℃でＡｒガスあるいは０２ガス中で、ガラス基板あ
るいはＡ７を蒸着したガラス基板上に薄膜を形成した。
００℃でＡｒガスあるいは０２ガス中で、ガラス基板あ
るいはＡ７を蒸着したガラス基板上に薄膜を形成した。
ＰｒとＭｎの原子比を変えてターデッドを作り、それら
を３Ｘ１０ＴｏｒｒのＡｒ中でスパッターして作製した
薄膜の光吸収係数を測定し、第１表にまとめた。
を３Ｘ１０ＴｏｒｒのＡｒ中でスパッターして作製した
薄膜の光吸収係数を測定し、第１表にまとめた。
第１表
第１表から波長５０００Ｘ付近の、可視光の中で最も視
感度の高い領域において、ＳｉやＧａＡｓの基礎吸収に
匹適する１ ０”（ｍ”）オーダーの吸収係数は、３５
〜１００原子係のＭｎを含む複合酸化物あるいはＭｎ酸
化物で得られることが判る。一般に短波長はど吸収が強
くなる直向を示す。前出願のＰｒ酸化物と異り、Ａｒの
みの雰囲気で作製した膜でも」二記のような良好な結果
が得られている。このことは一般に０２を含むことによ
るデポジションレイトの低下をまねかず、生産上非常に
有利なことといえる。もちろん酸素を含んでもか捷わず
、純粋な酸素中スパッターの場合、たとえば第１表にお
ける篇４の組成の場合、波長５０００Ｘでの吸収係数が
約４０係上昇する。しかしデポジションレイトは約１／
４に低下してしまう。上記光吸収の結果、肉眼ではＭｎ
が多い程より黒褐色に、Ｐｒが多い程より黄味がかった
褐色になる。
感度の高い領域において、ＳｉやＧａＡｓの基礎吸収に
匹適する１ ０”（ｍ”）オーダーの吸収係数は、３５
〜１００原子係のＭｎを含む複合酸化物あるいはＭｎ酸
化物で得られることが判る。一般に短波長はど吸収が強
くなる直向を示す。前出願のＰｒ酸化物と異り、Ａｒの
みの雰囲気で作製した膜でも」二記のような良好な結果
が得られている。このことは一般に０２を含むことによ
るデポジションレイトの低下をまねかず、生産上非常に
有利なことといえる。もちろん酸素を含んでもか捷わず
、純粋な酸素中スパッターの場合、たとえば第１表にお
ける篇４の組成の場合、波長５０００Ｘでの吸収係数が
約４０係上昇する。しかしデポジションレイトは約１／
４に低下してしまう。上記光吸収の結果、肉眼ではＭｎ
が多い程より黒褐色に、Ｐｒが多い程より黄味がかった
褐色になる。
第１図に、第１表のいくつかの組成のガラス基板上に形
成した薄膜の光透過分光曲線を示した。
成した薄膜の光透過分光曲線を示した。
図中の扁は第１表の扁と同一であり、薄膜の厚さも第１
表に記した値と同じである。図中Ｇは０．８闘厚のガラ
ス基板を透過したタングステンハロケ９ンランデのス波
りトルで、これを基準にして比較すると、Ａ１．２，３
．５のカーブで示されるように、光をほとんど吸収して
しまうことが明らかである。すなわち、黒色絶縁膜とし
て好適な光学特性を持っている。
表に記した値と同じである。図中Ｇは０．８闘厚のガラ
ス基板を透過したタングステンハロケ９ンランデのス波
りトルで、これを基準にして比較すると、Ａ１．２，３
．５のカーブで示されるように、光をほとんど吸収して
しまうことが明らかである。すなわち、黒色絶縁膜とし
て好適な光学特性を持っている。
以上説明した光学特性から、Ｐｒ −Ｍｎ複合酸化物系
薄膜およびＭｎ酸化物薄膜は本発明の目的に合った光吸
収特性を備えているが、より好ましくは、１０ｃｒｎ
以上の吸収係数を持ち、肉眼でより黒褐色を呈する３５
原子チ以」二のＭｎを含むＰｒ−Ｍｎ複合酸化物薄膜お
よびＭｎ酸化物薄膜が適当である。
薄膜およびＭｎ酸化物薄膜は本発明の目的に合った光吸
収特性を備えているが、より好ましくは、１０ｃｒｎ
以上の吸収係数を持ち、肉眼でより黒褐色を呈する３５
原子チ以」二のＭｎを含むＰｒ−Ｍｎ複合酸化物薄膜お
よびＭｎ酸化物薄膜が適当である。
Ｘ線回折の結果、第１表中扁１のＭｎのみの組成はＭｎ
２Ｏ３相が見い出された。他の扁２〜５はすべてブロー
ドな・・ローピーりであった。一方電気特性は、アルミ
ニウムを蒸着したガラス基板の上に前記黒色絶縁薄膜を
形成し、更にその上に１電極をつけてサンドイッチ状に
して測定した。比抵抗ρと誘電率εを求め、第２図にそ
れらの組成に対する変化を示した。扁が多い程ρが低く
なり、逆にεは増加する。３５〜１００原子チのＭｎを
含む組成領域で比抵抗３〜８×１０Ω・ｍｌ ε３００
〜６００を有する。薄膜の面積抵抗Ｒ［］と比抵抗ρの
関係式 Ｒロー −（Ω／口）（ｔ：厚さ） におイテｔ ＝４０００ Ｘとすると、ρ＝３×１０Ω
°ｍの時でＲローフ、 ５ Ｘ １．．０ Ω／口と
なり、１００７口以上を十分満足する。壕だ高いεは、
ＺｎＳのそれ（ε≧８）と比較して判るように、十分大
きく、駆動電圧を高めることはない。
２Ｏ３相が見い出された。他の扁２〜５はすべてブロー
ドな・・ローピーりであった。一方電気特性は、アルミ
ニウムを蒸着したガラス基板の上に前記黒色絶縁薄膜を
形成し、更にその上に１電極をつけてサンドイッチ状に
して測定した。比抵抗ρと誘電率εを求め、第２図にそ
れらの組成に対する変化を示した。扁が多い程ρが低く
なり、逆にεは増加する。３５〜１００原子チのＭｎを
含む組成領域で比抵抗３〜８×１０Ω・ｍｌ ε３００
〜６００を有する。薄膜の面積抵抗Ｒ［］と比抵抗ρの
関係式 Ｒロー −（Ω／口）（ｔ：厚さ） におイテｔ ＝４０００ Ｘとすると、ρ＝３×１０Ω
°ｍの時でＲローフ、 ５ Ｘ １．．０ Ω／口と
なり、１００７口以上を十分満足する。壕だ高いεは、
ＺｎＳのそれ（ε≧８）と比較して判るように、十分大
きく、駆動電圧を高めることはない。
つぎに上記のようにして作製しだＰｒ 、 Ｍｎ複合酸
化物あるいはＭｎ酸化物を第２絶縁層として、組込んだ
ＥＬパネルについて説明する。作製したＥＬパネルの構
造を第２表に示しだ。
化物あるいはＭｎ酸化物を第２絶縁層として、組込んだ
ＥＬパネルについて説明する。作製したＥＬパネルの構
造を第２表に示しだ。
表中ＩＴＯはインジウムスズ混晶酸化物からなる透明電
極、ＳＴは厚さ６０． Ｏｏ 久の５ｒＴｉ０３薄膜で
第１絶縁層を形成しており、誘電率約１４０を有する。
極、ＳＴは厚さ６０． Ｏｏ 久の５ｒＴｉ０３薄膜で
第１絶縁層を形成しており、誘電率約１４０を有する。
ＺＳＭはＺｎＳ ： Ｍｎ （０，８原子係）の蛍光体
膜で４５００Ｘの厚さである。その他は実際の化学式で
示しカッコ中はその膜厚（Ｘ）を示した。発光の観測は
ＴＴＯ側から行う。発光輝度は６０ Ｈｚで３０μｓｅ
ｅ幅の交流・（ルスを印加し、１サイクルあたり１，８
μ脇２の電荷密度を蛍光体層に流した時の値を求めた。
膜で４５００Ｘの厚さである。その他は実際の化学式で
示しカッコ中はその膜厚（Ｘ）を示した。発光の観測は
ＴＴＯ側から行う。発光輝度は６０ Ｈｚで３０μｓｅ
ｅ幅の交流・（ルスを印加し、１サイクルあたり１，８
μ脇２の電荷密度を蛍光体層に流した時の値を求めた。
この電荷密度は通常のパネルの駆動条件にほぼ合ってい
る。コントラストは・ぐネ、ルの面照度が４００１ｘの
時の発光セグメントが発光している時と発光していない
時の輝度比として求めた。更に発光開始しきい電圧を求
め、これらをまとめて第３表に示した。扁は第２表に記
したものと同じＥＬ ／４’ネル構造に対応する。
る。コントラストは・ぐネ、ルの面照度が４００１ｘの
時の発光セグメントが発光している時と発光していない
時の輝度比として求めた。更に発光開始しきい電圧を求
め、これらをまとめて第３表に示した。扁は第２表に記
したものと同じＥＬ ／４’ネル構造に対応する。
第３表
第３表の結果から、第２絶縁層の一部あるいは全部をＰ
ｒ 、 Ｍｎ複合酸化物あるいはＭｎ酸化物にすること
によってコントラストの良好な低電圧駆動のＥＬフラッ
トノやネルを作製でき゛ることか判る。
ｒ 、 Ｍｎ複合酸化物あるいはＭｎ酸化物にすること
によってコントラストの良好な低電圧駆動のＥＬフラッ
トノやネルを作製でき゛ることか判る。
黒色絶縁層の光吸収により、いくぶん輝度は落ちるが、
高いコントラストが、より効果的で見易くなる。前出願
のＰｒ酸化物に比し、酸素を含まぬＡｒ中でスミ４ツタ
−できるので、より高いデポジションレートが得られ、
かつ廉価なＭｎ元素を含むのでより製造コストを低減す
ることができる長所を持つ。また本発明のＰｒ 、 Ｍ
ｎ複合酸化物あるいはＭｎ酸化物を黒色絶縁層として用
いた上記ＥＬ Ａ？ネルは、発光ならびに絶縁破壊に対
してずとぶる安定な特桟を示し、３０００時間後はとん
ど輝度劣化や絶縁破壊を示さなかった。
高いコントラストが、より効果的で見易くなる。前出願
のＰｒ酸化物に比し、酸素を含まぬＡｒ中でスミ４ツタ
−できるので、より高いデポジションレートが得られ、
かつ廉価なＭｎ元素を含むのでより製造コストを低減す
ることができる長所を持つ。また本発明のＰｒ 、 Ｍ
ｎ複合酸化物あるいはＭｎ酸化物を黒色絶縁層として用
いた上記ＥＬ Ａ？ネルは、発光ならびに絶縁破壊に対
してずとぶる安定な特桟を示し、３０００時間後はとん
ど輝度劣化や絶縁破壊を示さなかった。
以上ＥＬＡ’ネルに光吸収性薄膜として応用したＰｒ−
Ｍｎ系複合酸化物またはＭｎ酸化物の薄膜は、ＥＬ ｙ
Ｐネル以外にも、光吸収膜として光学デバイスに応用さ
れ得ることは、前に説明した特性より明らかである。ま
た非常に高抵抗の薄膜抵抗体としても応用できる可能性
を持ち、更に、光吸収性と高抵抗の両方を利用した応用
も考えられる工業上有用な薄膜材料である。
Ｍｎ系複合酸化物またはＭｎ酸化物の薄膜は、ＥＬ ｙ
Ｐネル以外にも、光吸収膜として光学デバイスに応用さ
れ得ることは、前に説明した特性より明らかである。ま
た非常に高抵抗の薄膜抵抗体としても応用できる可能性
を持ち、更に、光吸収性と高抵抗の両方を利用した応用
も考えられる工業上有用な薄膜材料である。
（発明の効果）
Ｐｒ −Ｍｎ複合酸化物あるいはＭｎ酸化物をＥ Ｌ
ｙＲネル構造の第２絶縁層の一部あるいは全部に適用し
たパネルは、４００１１Ｘの外囲光の中でも、従来に比
し、２倍強のコントラストを持ち、かつ低電圧で駆動で
きる。従って、明るい所でも優れた見易い表示画質によ
って、Ｅ Ｌ ｔ９ネルのキャラクタ−あるいはグラフ
ィックディスプレイとしての実用性が一層高まる。
ｙＲネル構造の第２絶縁層の一部あるいは全部に適用し
たパネルは、４００１１Ｘの外囲光の中でも、従来に比
し、２倍強のコントラストを持ち、かつ低電圧で駆動で
きる。従って、明るい所でも優れた見易い表示画質によ
って、Ｅ Ｌ ｔ９ネルのキャラクタ−あるいはグラフ
ィックディスプレイとしての実用性が一層高まる。
第１図ハ、タングステンノ）ロケ９７ランプを光源とし
たときのガラス基板、およびこのガラス基板上に形成し
たＰｒ 、 Ｍｎ複合酸化物あるいはＭｎ酸化物薄膜の
光透過スペクトルを示す図で、Ｇニガラス基板、Ａ １
： Ｍｎ酸化物、Ａ５ 、Ａ ２ 。 扁３：Ｐｒ、Ｍｎ複合酸化物、 第２図は、Ｐｒ 、 Ｍｎ複合酸化物系の組成による比
抵抗と誘電率を示す図である。
たときのガラス基板、およびこのガラス基板上に形成し
たＰｒ 、 Ｍｎ複合酸化物あるいはＭｎ酸化物薄膜の
光透過スペクトルを示す図で、Ｇニガラス基板、Ａ １
： Ｍｎ酸化物、Ａ５ 、Ａ ２ 。 扁３：Ｐｒ、Ｍｎ複合酸化物、 第２図は、Ｐｒ 、 Ｍｎ複合酸化物系の組成による比
抵抗と誘電率を示す図である。
Claims (2)
- （１） 蛍光体層と背面電極層との間の絶縁体層の一部
あるいは全部を、プラセオジウム（Ｐｒ）とマンガン（
Ｍｎ）を主成分とする複合酸化物またはＭｎ酸化物で構
成し、前記背面電極層と対向して設けられた透明電極層
を介してＥＬ発光を取り出すことを特徴とする薄膜ＥＬ
パネル。 - （２） 前記ＰｒとＭｎを主成分とする複合酸化物また
はＭｎ酸化物において、Ｍｎの原子数をｘ、Ｐｒの原子
数をｙとしたとき、ｘ／（ｘ＋ｙ）が０．３５以上であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の薄
膜ＥＬパネル。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14962084A JPS6129095A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 薄膜ｅｌパネル |
| DE8585103125T DE3561435D1 (en) | 1984-03-23 | 1985-03-18 | Thin film el panel |
| EP85103125A EP0159531B1 (en) | 1984-03-23 | 1985-03-18 | Thin film el panel |
| US06/713,597 US4668582A (en) | 1984-03-23 | 1985-03-19 | Thin film EL panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14962084A JPS6129095A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 薄膜ｅｌパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129095A true JPS6129095A (ja) | 1986-02-08 |
| JPH0148630B2 JPH0148630B2 (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=15479194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14962084A Granted JPS6129095A (ja) | 1984-03-23 | 1984-07-20 | 薄膜ｅｌパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129095A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307693A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-15 | Toppan Printing Co Ltd | 表示素子に於ける遮光性絶縁膜 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5743392A (en) * | 1980-08-28 | 1982-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric field light emitting element |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP14962084A patent/JPS6129095A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5743392A (en) * | 1980-08-28 | 1982-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric field light emitting element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307693A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-15 | Toppan Printing Co Ltd | 表示素子に於ける遮光性絶縁膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0148630B2 (ja) | 1989-10-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |