JPS6129021A - 電気接点およびその製造方法 - Google Patents
電気接点およびその製造方法Info
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- JPS6129021A JPS6129021A JP11217484A JP11217484A JPS6129021A JP S6129021 A JPS6129021 A JP S6129021A JP 11217484 A JP11217484 A JP 11217484A JP 11217484 A JP11217484 A JP 11217484A JP S6129021 A JPS6129021 A JP S6129021A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/615—Microstructure of the layers, e.g. mixed structure
- C25D5/619—Amorphous layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
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- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/021—Composite material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、低接触抵抗、かなり低」ス1〜、ハンダ容易
性、高耐腐蝕竹を有する(電気スイッヂ接点のような)
電気接触表面(接点)および製造方法に関する。
性、高耐腐蝕竹を有する(電気スイッヂ接点のような)
電気接触表面(接点)および製造方法に関する。
本発明による電気接触表面およびその形成方法は、特に
少なくとも約0.762ミクロンの厚みの金膜が結晶性
基板に加えられる従来の電気接点表面に買換されるよう
になっている。
少なくとも約0.762ミクロンの厚みの金膜が結晶性
基板に加えられる従来の電気接点表面に買換されるよう
になっている。
低電圧あるいは電流が高信頼性を有して通電しなければ
ならない電気接続玉業界において、また中間の電圧ある
いは電流信号が通電され4T()ればならないある状態
においては、金が実際に低接触抵抗、従って効果的な導
電を確保するために用いられていた。通常金は、ニッケ
ルの中間層の有無にかかわらず銅、真鍮、銀のような結
晶f1卑金属上に加えられる。その金の厚みは通常少な
くとも約0.762ミクロン(すなわち1.27〜2゜
54ミク1」ン)である。1.27ミクロンの金層の原
価は、5セント/ crjである。このような厚みの金
層は、多孔質であり、従って長時間をかけて敷設物質す
なわちその腐蝕物質を金入面上に移動 □さけて
、接触抵抗を許容値以上に上品させる特性を有している
。さらに、ある有機物質あるいは硫化物は、金入面上で
重合して高接触抵抗を生じさせる。また、金は、あるハ
ンダ合金に溶は込んで脆くするので理想的なハンダ容易
噴11からほど遠い。
ならない電気接続玉業界において、また中間の電圧ある
いは電流信号が通電され4T()ればならないある状態
においては、金が実際に低接触抵抗、従って効果的な導
電を確保するために用いられていた。通常金は、ニッケ
ルの中間層の有無にかかわらず銅、真鍮、銀のような結
晶f1卑金属上に加えられる。その金の厚みは通常少な
くとも約0.762ミクロン(すなわち1.27〜2゜
54ミク1」ン)である。1.27ミクロンの金層の原
価は、5セント/ crjである。このような厚みの金
層は、多孔質であり、従って長時間をかけて敷設物質す
なわちその腐蝕物質を金入面上に移動 □さけて
、接触抵抗を許容値以上に上品させる特性を有している
。さらに、ある有機物質あるいは硫化物は、金入面上で
重合して高接触抵抗を生じさせる。また、金は、あるハ
ンダ合金に溶は込んで脆くするので理想的なハンダ容易
噴11からほど遠い。
本発明によれば、電気接触表面が前述した従来の電気接
触表面に関連覆る欠点を克服して形成され、中間以下の
電圧あるいは電流信号の応用例において、導電効果が低
コス1〜で、また長時間にかけて実現できる。本発明に
よれば、電気接触表面が(好ましくは、銅、真鍮、ブ[
1ンズ、アルミニウム、あるいは銀のような金属)電気
導体基板と、この基板トに電解j11積させられたアモ
ーファス遷移金属合金(結晶性とは異なって)を備えて
形成される。
触表面に関連覆る欠点を克服して形成され、中間以下の
電圧あるいは電流信号の応用例において、導電効果が低
コス1〜で、また長時間にかけて実現できる。本発明に
よれば、電気接触表面が(好ましくは、銅、真鍮、ブ[
1ンズ、アルミニウム、あるいは銀のような金属)電気
導体基板と、この基板トに電解j11積させられたアモ
ーファス遷移金属合金(結晶性とは異なって)を備えて
形成される。
ア−し一ファス合金は、結晶性合金から異なった合金を
形成する原子の幾何学的あるいはトポロジ的な外形を有
する一つ(非結晶f!l)である。代表的に、金属合金
は結晶性である。これらの結晶性物質にX線回折検査を
実施した時には、高次の結晶構造の面間にdだけ離れた
鋭利なピークが各々現れる。厚みに対するこれらのピー
クの狭さ寸なわち幅は、結晶の寸法を指示している。ア
モーファス物質にどっては、アモーファス物質が原子構
造に序数がないことが特徴イ1ので特別鋭利なピークが
現れない。アモーノ1ス構造の正確な性質は知られてい
ないが、アモーーノアス遷移金属物質における原子外郭
を記述しようとする数多くの理論が存在しでいる。この
点に関して、チャウドハリ氏その他による[メタリック
ガラス1米国科学会、242巻、第4.1980年、
98〜117頁が注目される。
形成する原子の幾何学的あるいはトポロジ的な外形を有
する一つ(非結晶f!l)である。代表的に、金属合金
は結晶性である。これらの結晶性物質にX線回折検査を
実施した時には、高次の結晶構造の面間にdだけ離れた
鋭利なピークが各々現れる。厚みに対するこれらのピー
クの狭さ寸なわち幅は、結晶の寸法を指示している。ア
モーファス物質にどっては、アモーファス物質が原子構
造に序数がないことが特徴イ1ので特別鋭利なピークが
現れない。アモーノ1ス構造の正確な性質は知られてい
ないが、アモーーノアス遷移金属物質における原子外郭
を記述しようとする数多くの理論が存在しでいる。この
点に関して、チャウドハリ氏その他による[メタリック
ガラス1米国科学会、242巻、第4.1980年、
98〜117頁が注目される。
本発明によるアモーファス遷移金属合金は、好ましくは
」バルトを有し、あるいはニッケルの代りあるいは添加
された他の遷移金属を右して、約15〜25(好ましく
は約20%)原子%燐を有するニッケル燐合金である。
」バルトを有し、あるいはニッケルの代りあるいは添加
された他の遷移金属を右して、約15〜25(好ましく
は約20%)原子%燐を有するニッケル燐合金である。
メッキ槽には、形成される電気接触表面の耐腐蝕性を向
上させるために、種々の物質が加えられる。特に石器な
物質が6弗化シリケイトSj F eイオン、6弗化ヂ
タネイトTL F eあるいは6弗化ジル]ネイh Z
r F sイオンである。
上させるために、種々の物質が加えられる。特に石器な
物質が6弗化シリケイトSj F eイオン、6弗化ヂ
タネイトTL F eあるいは6弗化ジル]ネイh Z
r F sイオンである。
このアモーファスニッケル合金は、電解堆積させられた
後、金の被膜で塗布されるのが好ましい。
後、金の被膜で塗布されるのが好ましい。
このIモーノアスニッケル合金に所定の厚みの金被膜が
加えられた場合には、得られた接触子は、同じ厚みの金
が結晶金属合金に加えられた従来の接触子に比べて優れ
た特性を示している。例えば、アモーファスニッケル合
金−トの0.762ミクロン以下の厚みの金【J、本発
明による電気接触構造を創造するが、これは1.27〜
2.54ミクロンの金が加えられた従来の接触子に等価
があるいは優れている。事実、0.127〜0.381
ミクロンの範囲が好ましい(プれども、金被膜が0゜0
254ミクロンである場合(この時の金の原価が約0.
1センh / cIjである)でも充分にr[容できる
1g触了が得られることが可能である。この結果、電気
接触表面は、初期状態から、通常の大気腐蝕物にり゛っ
と露された後でも、安定した接触抵抗をli L、初期
状態におけるASTM B667−80の検査が4ミ
リオーム以下の接触抵抗を有している。
加えられた場合には、得られた接触子は、同じ厚みの金
が結晶金属合金に加えられた従来の接触子に比べて優れ
た特性を示している。例えば、アモーファスニッケル合
金−トの0.762ミクロン以下の厚みの金【J、本発
明による電気接触構造を創造するが、これは1.27〜
2.54ミクロンの金が加えられた従来の接触子に等価
があるいは優れている。事実、0.127〜0.381
ミクロンの範囲が好ましい(プれども、金被膜が0゜0
254ミクロンである場合(この時の金の原価が約0.
1センh / cIjである)でも充分にr[容できる
1g触了が得られることが可能である。この結果、電気
接触表面は、初期状態から、通常の大気腐蝕物にり゛っ
と露された後でも、安定した接触抵抗をli L、初期
状態におけるASTM B667−80の検査が4ミ
リオーム以下の接触抵抗を有している。
本発明の他の目的によれば、電気接触表面の製造り法が
形成される。この方法は、導電基板にアモーノ1ス遷移
金属合金を電解堆積させるメッキ槽を形成し、この槽に
基板を浸し、次にアモーファス電解11積合金に金を加
える段階を備えている。
形成される。この方法は、導電基板にアモーノ1ス遷移
金属合金を電解堆積させるメッキ槽を形成し、この槽に
基板を浸し、次にアモーファス電解11積合金に金を加
える段階を備えている。
塩化ニッケル、炭酸コバルトおよび燐酸は、メツt、
I!酸成分して好ましい。数々のメツV槽添加物が接触
抵抗および腐蝕保護を積極的な方法で影響1)で形成さ
れる。代表的な槽添加物は、ホウ酸、グリコール酸、耐
酸、β−アラニン、こはく酸、金属水酸化鎖状アルコー
ルの表面活性剤、TL F 6.5LF6およびZr
F 6イオンを含んでいる。メツ1槽の温度状態および
陰極での電流密度は、効果的な電解堆積が実施されるよ
うに維持される。
I!酸成分して好ましい。数々のメツV槽添加物が接触
抵抗および腐蝕保護を積極的な方法で影響1)で形成さ
れる。代表的な槽添加物は、ホウ酸、グリコール酸、耐
酸、β−アラニン、こはく酸、金属水酸化鎖状アルコー
ルの表面活性剤、TL F 6.5LF6およびZr
F 6イオンを含んでいる。メツ1槽の温度状態および
陰極での電流密度は、効果的な電解堆積が実施されるよ
うに維持される。
本発明の第1の目的は、たとえ腐蝕状態を受けても艮り
間にわたって安定な低接触抵抗表面をかなり低い]ス1
へで製造することである。この本発明の目的および他の
本発明の目的は、以下の配達から明白にされる。
間にわたって安定な低接触抵抗表面をかなり低い]ス1
へで製造することである。この本発明の目的および他の
本発明の目的は、以下の配達から明白にされる。
アt−ファス遷移金属合金のJイを積は、基板上に、メ
ッキ槽内に基板を全部あるいは部分的に浸して形成され
る。アモーファス遷移金属合金は、結晶物質に比べてよ
り良好な腐蝕抵抗力を有し、アモーノ7ス遷移金属ニッ
ケル合金上の薄い金被膜が結晶物黄土の厚い金被膜で形
成された接触子より同等あるいはより優れた特性を有す
る接触子を製造できることが発見された。さらに、本発
明によれば、許容できる接触子が非常に薄い金被膜で得
ることかできる。
ッキ槽内に基板を全部あるいは部分的に浸して形成され
る。アモーファス遷移金属合金は、結晶物質に比べてよ
り良好な腐蝕抵抗力を有し、アモーノ7ス遷移金属ニッ
ケル合金上の薄い金被膜が結晶物黄土の厚い金被膜で形
成された接触子より同等あるいはより優れた特性を有す
る接触子を製造できることが発見された。さらに、本発
明によれば、許容できる接触子が非常に薄い金被膜で得
ることかできる。
本発明によれば、電気スイッチ接点のような電気接触表
面を形成するに有用な代表的な遷移金属合金はニッケル
およびコバルトである。ニッケルは、安い原価と高耐腐
蝕性を有しているので適当な遷移金属の内で最適な遷移
金属である。しかし、通常量等で、場合により優れた結
果がメツV槽内のニッケルを全であるいは部分を置換え
て達成される。
面を形成するに有用な代表的な遷移金属合金はニッケル
およびコバルトである。ニッケルは、安い原価と高耐腐
蝕性を有しているので適当な遷移金属の内で最適な遷移
金属である。しかし、通常量等で、場合により優れた結
果がメツV槽内のニッケルを全であるいは部分を置換え
て達成される。
銅、ブ[1ンズ、真鍮、アルミニウム、銀あるいはこれ
らの合金を好ましく備えた導電基板へのニッケルのアモ
ーファスJ(r積は、メツ1槽内に燐酸が含まれ、かな
り高濃度の燐が合金内に形成される時に形成される。少
なくとも約12%、好ましくは15〜25原子%の燐濃
度が良好な耐腐蝕性および低接触抵抗を達成するために
望まれる。最も好ましいアモーファス1ff積合金は約
20原子%の燐を有l〕でいる。
らの合金を好ましく備えた導電基板へのニッケルのアモ
ーファスJ(r積は、メツ1槽内に燐酸が含まれ、かな
り高濃度の燐が合金内に形成される時に形成される。少
なくとも約12%、好ましくは15〜25原子%の燐濃
度が良好な耐腐蝕性および低接触抵抗を達成するために
望まれる。最も好ましいアモーファス1ff積合金は約
20原子%の燐を有l〕でいる。
メツi槽温度条件および陰極での電流密度は、腐蝕抵抗
力を最大にし、接触抵抗を最小にするために制御される
。代表的な電流密度は約0.0535〜2.675アン
ペア/ crlであり、好ましくは107〜969ミリ
アンペア/cIIである。代表的な温度は70〜85度
Cで、75〜80度Cが好ましい。湿度は重大で4丁い
が、ニッケルと]バルトとがメツ1槽内に共存している
限り、より低い温度がニッケルの代りにコバルトのIf
f ffiを増加させる傾向にあるようである。
力を最大にし、接触抵抗を最小にするために制御される
。代表的な電流密度は約0.0535〜2.675アン
ペア/ crlであり、好ましくは107〜969ミリ
アンペア/cIIである。代表的な温度は70〜85度
Cで、75〜80度Cが好ましい。湿度は重大で4丁い
が、ニッケルと]バルトとがメツ1槽内に共存している
限り、より低い温度がニッケルの代りにコバルトのIf
f ffiを増加させる傾向にあるようである。
メッキ槽内には、種々の添加物が接触抵抗および腐蝕抵
抗力に積極的に影響させるために加えられてもよい。こ
の槽が(もし必要ならば溶解度を維持するために11F
の少量を添加して)0.1モルから溶解限度モル数まで
の6弗化シリケイトイオンを含んでいる時には、アモー
フIス ニッケル合金の全体の腐蝕抵抗力が向上する。
抗力に積極的に影響させるために加えられてもよい。こ
の槽が(もし必要ならば溶解度を維持するために11F
の少量を添加して)0.1モルから溶解限度モル数まで
の6弗化シリケイトイオンを含んでいる時には、アモー
フIス ニッケル合金の全体の腐蝕抵抗力が向上する。
通常開等の腐蝕抵抗力は、5LF6イオンの全であるい
は部分の代りに、TL r eイオンあるいは7r F
sイオンを含んで1qられてもよい。
は部分の代りに、TL r eイオンあるいは7r F
sイオンを含んで1qられてもよい。
ニッケルあるいはコバルトおよび燐酸が含まれるメツ1
:Iにおいて(j、どの好適な陽極および陰極材料が用
いられてもよい。例えば、陽極は、不活竹材111(白
金化され1=チタン、白金あるいはグラファイト)ある
いはニッケル(あるいは堆積される遷移金属等)のいず
れかで構成される。もし、槽内に5LF6、TLF6あ
るいはZr F 6イオンが含まれていたならば、ニッ
ケルあるいはコバルト陽極が用いられなければならない
。
:Iにおいて(j、どの好適な陽極および陰極材料が用
いられてもよい。例えば、陽極は、不活竹材111(白
金化され1=チタン、白金あるいはグラファイト)ある
いはニッケル(あるいは堆積される遷移金属等)のいず
れかで構成される。もし、槽内に5LF6、TLF6あ
るいはZr F 6イオンが含まれていたならば、ニッ
ケルあるいはコバルト陽極が用いられなければならない
。
不活性陽極では、ニッケルあるいはコバル1〜を時間、
時間毎に追加してニッケルの成分く好ましくはNL C
O3あるいはC0C03)を維持しなければならない。
時間毎に追加してニッケルの成分く好ましくはNL C
O3あるいはC0C03)を維持しなければならない。
ニッケル陽極では、陽極上の各2個の電子が約1つのニ
ッケル イオンを溶解させるのでメッキ槽内のニッケル
含楢が上品しがちである。一方、陰極では、ニッケルお
よび燐が減少する。ニッケルおよび不活性陽極は、各々
が電流の部分のみを運び、従って、ニッケルに関して平
衡したメッキ槽を維持するように互いに使用できる3、
燐酸あるいはハイポ燐酸、好ましくは燐酸の形態の燐は
、1!l酸の比率が重大でなくメッキ槽の平衡かむしろ
容易に維持できるが、適切なメツ(槽平衡を維持するた
めに、陽極構造に関わらず、定期的に加えられなければ
ならない。
ッケル イオンを溶解させるのでメッキ槽内のニッケル
含楢が上品しがちである。一方、陰極では、ニッケルお
よび燐が減少する。ニッケルおよび不活性陽極は、各々
が電流の部分のみを運び、従って、ニッケルに関して平
衡したメッキ槽を維持するように互いに使用できる3、
燐酸あるいはハイポ燐酸、好ましくは燐酸の形態の燐は
、1!l酸の比率が重大でなくメッキ槽の平衡かむしろ
容易に維持できるが、適切なメツ(槽平衡を維持するた
めに、陽極構造に関わらず、定期的に加えられなければ
ならない。
基板へのニッケル燐合金の[積後、このアモーファス合
金上には金の被膜が塗布される。好ましくは、これが制
御された電流密度で、制御された温度で加えられる電解
1ff積を形成して達成される。
金上には金の被膜が塗布される。好ましくは、これが制
御された電流密度で、制御された温度で加えられる電解
1ff積を形成して達成される。
この金被膜の厚みは、製造される接触子の所定の最終特
性によって決定される。広い範囲内では、アモーファス
合金に被覆される金被膜の厚みは、得られた接触子が結
晶物質に同じ厚みの金を被覆 )して形成された
接触子と比べて向上した特f1が期待できる。実際、許
容できる電気接点は、約O9= 12− 0254ミク1]ンの金の厚みでも製造できる。好まし
くは、金被膜が0.127へ−0,762ミクロン、更
に好ましくは0.127〜0.381ミクロンである。
性によって決定される。広い範囲内では、アモーファス
合金に被覆される金被膜の厚みは、得られた接触子が結
晶物質に同じ厚みの金を被覆 )して形成された
接触子と比べて向上した特f1が期待できる。実際、許
容できる電気接点は、約O9= 12− 0254ミク1]ンの金の厚みでも製造できる。好まし
くは、金被膜が0.127へ−0,762ミクロン、更
に好ましくは0.127〜0.381ミクロンである。
被覆に用いられる金は、軟質金が実際的で通常好ましい
結果より僅かに程遠いが、硬質金が好ましい、、 ji
t板十のアモーファス遷移金属合金の厚みは、特に重大
でない。本発明によれば所定の結果を達成するに充分な
厚みでいい。好ましい厚みは約1.27〜381ミクロ
ンであり、現実には0.635〜25.4ミクロンであ
る。
結果より僅かに程遠いが、硬質金が好ましい、、 ji
t板十のアモーファス遷移金属合金の厚みは、特に重大
でない。本発明によれば所定の結果を達成するに充分な
厚みでいい。好ましい厚みは約1.27〜381ミクロ
ンであり、現実には0.635〜25.4ミクロンであ
る。
本発明による代表的な電気接点(これらはエツジ カー
ド ]ネクタ、接触バネ、強固な電気スイッヂ接触構造
等に作られてもよい)の製造方法においては、電気導電
基板が所定の最終接点形状に形成されることが好ましい
。その後、導電基板は洗浄器内に、その後蓋溜水に、そ
の後希釈塩酸溶液内に浸される。その後洗浄基板は、N
1−Co−Pメッキ槽に浸され、メッキ後、蒸溜水でリ
ンスされる。その後金メツレが従来の方法、例えば約1
0,7ミリアンペア/Cdの電流密度および約30〜3
5度Cを維持した金メツキ槽で形成される9゜金メッキ
が施された後、接点相別は再び洗浄される。
ド ]ネクタ、接触バネ、強固な電気スイッヂ接触構造
等に作られてもよい)の製造方法においては、電気導電
基板が所定の最終接点形状に形成されることが好ましい
。その後、導電基板は洗浄器内に、その後蓋溜水に、そ
の後希釈塩酸溶液内に浸される。その後洗浄基板は、N
1−Co−Pメッキ槽に浸され、メッキ後、蒸溜水でリ
ンスされる。その後金メツレが従来の方法、例えば約1
0,7ミリアンペア/Cdの電流密度および約30〜3
5度Cを維持した金メツキ槽で形成される9゜金メッキ
が施された後、接点相別は再び洗浄される。
これの代りに、エツジ カード 」ネクタのような数々
の電気接点形状にとっては、まずブランクあるいは折目
付き板をメッキし、メツi後金のストライクが加えられ
て所定形状に形成することが可能である。
の電気接点形状にとっては、まずブランクあるいは折目
付き板をメッキし、メツi後金のストライクが加えられ
て所定形状に形成することが可能である。
以下は、本発明の実施例である。
第1実施例
メツ1一槽は次の成分を有して形成された。
0.75M/JのN= CR2・61−1200.25
M/JのN′LCO3 1,25M/Jの1−+3PO3 但しMはモル数である。
M/JのN′LCO3 1,25M/Jの1−+3PO3 但しMはモル数である。
電気導電基板は、約80度Cの温度および約15011
1a/ cmの陰極での電流密度が維持されて、メッキ
槽内に浸された。このメッキ槽から取出された時には、
基板上にアモーファスニッケル燐合金が形成されていた
。このアセ−21フ合金には0゜0254ミク[]ンの
ス1〜ライク金が形成された。
1a/ cmの陰極での電流密度が維持されて、メッキ
槽内に浸された。このメッキ槽から取出された時には、
基板上にアモーファスニッケル燐合金が形成されていた
。このアセ−21フ合金には0゜0254ミク[]ンの
ス1〜ライク金が形成された。
この結果、電気接触表面は、1.27ミクロン以上の金
被覆を施した類似の基板ど略同じ稈低い一定低抗値を有
していた。この一定抵抗値は、時間に対して安定で、S
02検査(100%の相対湿度および1%の亜流酸ガス
内を40時間放置する検査)に受()るような腐蝕物環
境内でも安定で、また混合ガス検査(前記SO2検査と
同じ条件に、更に1%の硝酸ガスおよび1%の塩素ガス
を)0加1ノで実施した検査)でも安定であった。この
結果、電気接触表面は、従来のものと比べて相当安価で
、良好なハンダ容易性を有していた。
被覆を施した類似の基板ど略同じ稈低い一定低抗値を有
していた。この一定抵抗値は、時間に対して安定で、S
02検査(100%の相対湿度および1%の亜流酸ガス
内を40時間放置する検査)に受()るような腐蝕物環
境内でも安定で、また混合ガス検査(前記SO2検査と
同じ条件に、更に1%の硝酸ガスおよび1%の塩素ガス
を)0加1ノで実施した検査)でも安定であった。この
結果、電気接触表面は、従来のものと比べて相当安価で
、良好なハンダ容易性を有していた。
第2実施例
この実施例において(よ、電流密度性11が第1実施例
ど1371”51じである。アモーファス ニッケル燐
合金を有する槽板がメツ1:1intから取出された後
、このア干−ファス合金上に約0.25/Iミクロンの
ス1〜ライク金が形成された。この結果、電気接触表面
は、−・定の抵抗値を有し、他の特f1が結晶構造の類
似物質を用いて、1,27ミク[−1ンの金被膜を有し
て形成された電気接触表面にり同等あるいは優れていた
。
ど1371”51じである。アモーファス ニッケル燐
合金を有する槽板がメツ1:1intから取出された後
、このア干−ファス合金上に約0.25/Iミクロンの
ス1〜ライク金が形成された。この結果、電気接触表面
は、−・定の抵抗値を有し、他の特f1が結晶構造の類
似物質を用いて、1,27ミク[−1ンの金被膜を有し
て形成された電気接触表面にり同等あるいは優れていた
。
第3実施例
この実施例にお(Jるメツに僧の組成は次のJ−うであ
る。
る。
0.2M/JのNj Cj 2 ・61−1200.
8M/〕のNL S O4・6 t−l 200.5M
/Jの1−13PO3 0,5M/、i!の113PO4 メッキ槽温度状態、電流密度および等価パラメータは第
1実施例と略等々である。単板に7モーフアス ニッケ
ル燐合金を1fl積させた後、0.0254ミクロンの
フラッジ]金が加えられた。検査によって、得られた電
気接触表面は、第1実施例で製造された電気接触表面程
良くはなかったが、許容値以内の接触抵抗(すなわち、
ASTM B677−80による検査時の4ミリオ一
ム以手)および耐腐蝕f1を有していることが発見され
た。
8M/〕のNL S O4・6 t−l 200.5M
/Jの1−13PO3 0,5M/、i!の113PO4 メッキ槽温度状態、電流密度および等価パラメータは第
1実施例と略等々である。単板に7モーフアス ニッケ
ル燐合金を1fl積させた後、0.0254ミクロンの
フラッジ]金が加えられた。検査によって、得られた電
気接触表面は、第1実施例で製造された電気接触表面程
良くはなかったが、許容値以内の接触抵抗(すなわち、
ASTM B677−80による検査時の4ミリオ一
ム以手)および耐腐蝕f1を有していることが発見され
た。
第4実施例
この実施例におけるメツV槽の組成は次のようである。
0.88M/JのNLCR2・6H200,25M/J
のNi C03 1,25M/J(7)H3PO3 0,4M/J の1−イ3 [3030,2M/J
の酢酸 0.1M/JのCo C03 メッキ槽濃度は、約200 ma/、cmの陰極電流密
度を右しながら、約80度Cに維持された。このメッキ
槽内における基板の侵入時にお(」るメツ1分析は、6
.8±4%のコバルト、0.6%の酸素、73.3%の
ニッケルおよび19.3%の燐の容積量を示した。この
アモーファス合金には0゜0254ミクロンのストライ
ク金が形成された。
のNi C03 1,25M/J(7)H3PO3 0,4M/J の1−イ3 [3030,2M/J
の酢酸 0.1M/JのCo C03 メッキ槽濃度は、約200 ma/、cmの陰極電流密
度を右しながら、約80度Cに維持された。このメッキ
槽内における基板の侵入時にお(」るメツ1分析は、6
.8±4%のコバルト、0.6%の酸素、73.3%の
ニッケルおよび19.3%の燐の容積量を示した。この
アモーファス合金には0゜0254ミクロンのストライ
ク金が形成された。
この結果、電気接触表面は、低接触抵抗および高耐腐蝕
竹を有し、結晶基部金属に被覆された約1゜27ミクロ
ン(あるいはこれ以上の厚み)の金を有する従来の電気
接触表面に十分に置換できた。
竹を有し、結晶基部金属に被覆された約1゜27ミクロ
ン(あるいはこれ以上の厚み)の金を有する従来の電気
接触表面に十分に置換できた。
第5実施例
数々のメツtが次の表に示された組成を用いて約20%
の燐、X%のコバルトおよび(80−X)%のニッケル
を有するメッキを製造するために、電気導電基板に形成
された。
の燐、X%のコバルトおよび(80−X)%のニッケル
を有するメッキを製造するために、電気導電基板に形成
された。
メッキは、硬質陽極(白金あるいは白金化チタニウム)
を用いて75〜78度Cおよび約0.106アンペア/
ctMで達成された。
を用いて75〜78度Cおよび約0.106アンペア/
ctMで達成された。
ニッケルとコバルトとの合計は、各実施毎に1モル/J
であり、Co CO3が各実施におけるすべての」バル
トの供給源である。従って、槽内のω” / N= 2
+比率は、M/ 1 C0CO3/ (1−M/ 1C
OCO3)である。メッキ内のCo / NL比率は、
%Co(80−%CO)である。
であり、Co CO3が各実施におけるすべての」バル
トの供給源である。従って、槽内のω” / N= 2
+比率は、M/ 1 C0CO3/ (1−M/ 1C
OCO3)である。メッキ内のCo / NL比率は、
%Co(80−%CO)である。
槽内のCo2+/NL”“およびメッキ内のCo/NL
間の関係は、 槽内の メッキの メッキのCo / NシCo
2”/NL” Co/NL 槽のCo
2”/NL”■ 0.031 ’0.067
2.2■ 0.081 0.143 1.8
■ 0.136 0.231 1.7コバルト
は、ニッケルより優先してメツヤ堆積されるが、低いコ
バルト濃度ではこの優先度が僅かに1胃する。より低い
温度での操作では、より高い電流密度で操作したのと同
様に優先度を大きくさせる。更に、これらの形成は、新
しい時の公称のコバルト量より低く産出する。すなわち
、第1の100アンペア・分7/リットル毎に、槽はメ
ッキの所望のコバルト成分の1/2〜・2/3のみを産
出する。
間の関係は、 槽内の メッキの メッキのCo / NシCo
2”/NL” Co/NL 槽のCo
2”/NL”■ 0.031 ’0.067
2.2■ 0.081 0.143 1.8
■ 0.136 0.231 1.7コバルト
は、ニッケルより優先してメツヤ堆積されるが、低いコ
バルト濃度ではこの優先度が僅かに1胃する。より低い
温度での操作では、より高い電流密度で操作したのと同
様に優先度を大きくさせる。更に、これらの形成は、新
しい時の公称のコバルト量より低く産出する。すなわち
、第1の100アンペア・分7/リットル毎に、槽はメ
ッキの所望のコバルト成分の1/2〜・2/3のみを産
出する。
実際の電気接点として形成された10%のコバルトを有
するメツ1は、0.127.0.254あるいは0.3
81ミクロンの硬質金、あるいは0.127の軟質金で
被覆されて、従来の技術に用いられるサイクル試験を受
【プ、PC基板とコネフタの開口とに同じ材質を用いて
BCI−クラス■環境に露呈される。次の結果(第1表
)が達成されl〔。
するメツ1は、0.127.0.254あるいは0.3
81ミクロンの硬質金、あるいは0.127の軟質金で
被覆されて、従来の技術に用いられるサイクル試験を受
【プ、PC基板とコネフタの開口とに同じ材質を用いて
BCI−クラス■環境に露呈される。次の結果(第1表
)が達成されl〔。
但し、RCは接触抵抗おJ:びσは個々の接点の平均値
からの偏差値である。
からの偏差値である。
これらの結果は、従来のリルファ ニッケルに1.27
ミク1]ンの硬質金を被覆したちのに比べて本発明【、
、′J、る電気接触子が改良されたパフオーマンスを6
している(ことを示している。
ミク1]ンの硬質金を被覆したちのに比べて本発明【、
、′J、る電気接触子が改良されたパフオーマンスを6
している(ことを示している。
出願人 バーリングトン インジス1〜リーズインj−
ボレーデツド
ボレーデツド
Claims (9)
- (1)電気的な導電基板と、この導電基板に堆積させら
れるアモーファス遷移金属と、このアモーファス遷移金
属の上に被覆される金とを備え、前記金の厚みが約0.
0254〜0.762ミクロンであることを特徴とする
製造後の接触抵抗が4ミリオーム以下である、アモーフ
ァス遷移金属に薄い金被膜を有する合金電気接点。 - (2)前記遷移金属合金は、ニッケル燐合金であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電気接点。 - (3)前記ニッケル燐合金は、約15〜25原子%の燐
と、約5〜15原子%のコバルトを含むことを特徴とす
る特許請求の範囲第2項記載の電気接点。 - (4)前記被覆金は、約0.127〜0.381ミクロ
ンの厚みの硬質金であることを特徴とする特許請求の範
囲第3項記載の電気接点。 - (5)(a)遷移金属合金要素を含むメッキ槽に基板を
浸し、 (b)この槽の温度条件および陰極での電流密度を各々
制御して、前記遷移金属合金要素を前記導電基板にアモ
ーファスの形態で電解堆積させ、(c)前記電解堆積ア
モーファス遷移金属合金に0.0254〜0.762ミ
クロンの厚みの金被膜を加えたことを特徴とする電気接
点の製造方法。 - (6)前記(a)段階における前記メッキ槽には、燐酸
とニッケルのみ、あるいは燐酸とニッケルおよびコバル
トが含まれていることを特徴とする金膜を有する特許請
求の範囲第5項記載の電気接点の製造方法。 - (7)前記(b)段階においては、前記槽の温度条件を
約70〜85度C、前記陰極での電流密度を約107〜
969ミリアンペア/cm^2に制御して、前記アモー
ファス遷移金属合金を0.635〜25.4ミクロンの
厚みに電解堆積させ、 前記(a)段階における前記メッキ槽には、TiF_6
、SiF_6およびZrF_6イオンからなる群から選
択されたイオンの0.1モルから不溶解になる限界まで
のモル数が含まれていることを特徴とする特許請求の範
囲第5項記載の電気接点の製造方法。 - (8)前記(a)および(b)において、前記基板に堆
積させられる前記アモーファス合金は、約15〜25原
子%の燐と、少なくとも約5原子%のコバルトを含むニ
ッケル燐合金であることを特徴とする特許請求の範囲第
7項記載の電気接点の製造方法。 - (9)前記(c)における前記被覆金は、約0.127
〜0.381ミクロンの厚みの硬質金であることを特徴
とする特許請求の範囲第5項記載の電気接点の製造方法
。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US60913784A | 1984-05-11 | 1984-05-11 | |
US609137 | 1984-05-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6129021A true JPS6129021A (ja) | 1986-02-08 |
Family
ID=24439500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11217484A Pending JPS6129021A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-31 | 電気接点およびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0160761B1 (ja) |
JP (1) | JPS6129021A (ja) |
AT (1) | ATE40721T1 (ja) |
DE (1) | DE3476684D1 (ja) |
ES (1) | ES533300A0 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08306256A (ja) * | 1984-08-31 | 1996-11-22 | At & T Corp | ニッケルを基本とする電気接点 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01132072A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Yazaki Corp | 端子、接点等の金メッキ部品 |
US5637925A (en) * | 1988-02-05 | 1997-06-10 | Raychem Ltd | Uses of uniaxially electrically conductive articles |
US4891480A (en) * | 1989-02-01 | 1990-01-02 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Apparatus including electrical contacts |
JPH0359972A (ja) | 1989-07-27 | 1991-03-14 | Yazaki Corp | 電気接点 |
US5408574A (en) * | 1989-12-01 | 1995-04-18 | Philip Morris Incorporated | Flat ceramic heater having discrete heating zones |
US5468936A (en) * | 1993-03-23 | 1995-11-21 | Philip Morris Incorporated | Heater having a multiple-layer ceramic substrate and method of fabrication |
US6335107B1 (en) * | 1999-09-23 | 2002-01-01 | Lucent Technologies Inc. | Metal article coated with multilayer surface finish for porosity reduction |
FI113912B (fi) * | 2001-12-13 | 2004-06-30 | Outokumpu Oy | Lisäaineellisella pinnoitteella varustettu yhdysterminaali |
US7615255B2 (en) | 2005-09-07 | 2009-11-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Metal duplex method |
DE102005047799A1 (de) * | 2005-10-05 | 2007-05-24 | W.C. Heraeus Gmbh | Schleifringkörper zur kontinuierlichen Stromübertragung |
US8652649B2 (en) * | 2009-07-10 | 2014-02-18 | Xtalic Corporation | Coated articles and methods |
DE102010033715A1 (de) | 2010-08-07 | 2012-02-09 | Audi Ag | Ausgleichsbehälter für einen Kühlmittelkreislauf |
US20130065069A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Yun Li Liu | Electrodeposition of Hard Magnetic Coatings |
US20170100916A1 (en) | 2015-10-12 | 2017-04-13 | Tyco Electronics Corporation | Electronic Component and Process of Producing Electronic Component |
US20170100744A1 (en) | 2015-10-12 | 2017-04-13 | Tyco Electronics Corporation | Electronic Component and Process of Producing Electronic Component |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1059738B (de) * | 1957-12-06 | 1959-06-18 | Duerrwaechter E Dr Doduco | Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtenmetalls |
GB1507782A (en) * | 1976-04-13 | 1978-04-19 | Lea Ronal Inc | Electrodeposition of gold |
US4101389A (en) * | 1976-05-20 | 1978-07-18 | Sony Corporation | Method of manufacturing amorphous alloy |
-
1984
- 1984-05-30 EP EP84303633A patent/EP0160761B1/en not_active Expired
- 1984-05-30 DE DE8484303633T patent/DE3476684D1/de not_active Expired
- 1984-05-30 AT AT84303633T patent/ATE40721T1/de not_active IP Right Cessation
- 1984-05-31 JP JP11217484A patent/JPS6129021A/ja active Pending
- 1984-06-11 ES ES533300A patent/ES533300A0/es active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08306256A (ja) * | 1984-08-31 | 1996-11-22 | At & T Corp | ニッケルを基本とする電気接点 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES8601557A1 (es) | 1985-10-16 |
EP0160761A1 (en) | 1985-11-13 |
ES533300A0 (es) | 1985-10-16 |
ATE40721T1 (de) | 1989-02-15 |
DE3476684D1 (en) | 1989-03-16 |
EP0160761B1 (en) | 1989-02-08 |
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