JPS61286288A - メタライズ膜転写用シ−ト及びセラミツクパツケ−ジへのメタライズ膜形成方法 - Google Patents
メタライズ膜転写用シ−ト及びセラミツクパツケ−ジへのメタライズ膜形成方法Info
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- JPS61286288A JPS61286288A JP12581385A JP12581385A JPS61286288A JP S61286288 A JPS61286288 A JP S61286288A JP 12581385 A JP12581385 A JP 12581385A JP 12581385 A JP12581385 A JP 12581385A JP S61286288 A JPS61286288 A JP S61286288A
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- ceramic package
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路用素子をセラミックスパッケ
ージに接合するに際してのメタライズ膜形成に用いるメ
タライズ膜転写用シート及び該シートを用いるセラミッ
クパッケージへのメタライズ膜形成方法に関する。
ージに接合するに際してのメタライズ膜形成に用いるメ
タライズ膜転写用シート及び該シートを用いるセラミッ
クパッケージへのメタライズ膜形成方法に関する。
ＩＣ！、ＬＳＩ等の半導体集積回路のパッケージとして
、特に信頼性を要求されるものにおいてはセラミック製
のパッケージが広く用いられている。
、特に信頼性を要求されるものにおいてはセラミック製
のパッケージが広く用いられている。
このセラミックスパッケージと半導体集積回路用素子（
例えばシリコン）との接合に際しては、これらは直接接
合することができないので、通常以下に示す如き手段が
用いられる。
例えばシリコン）との接合に際しては、これらは直接接
合することができないので、通常以下に示す如き手段が
用いられる。
まず、Ａｕ％ Ａｆｓ Ｐｄ等の貴金属粉体、接合用ガ
ラスフリット・バインダー・溶剤等からなるメタライズ
液を調製し、セラミックパッケージの半導体集積回路用
素子設置用の溝の部分に該メタライズ液を滴下し、一様
に展開させた後、加熱焼成して下地のセラミックスと強
く接合したメタライズ膜を形成させる。次いで、半導体
集積回路用素子をメタライズ膜上に載せて、素子とメタ
ライズ膜材料との共晶点近くまで加熱して、共晶反応に
より、素子をセラミックパッケージに接合する。
ラスフリット・バインダー・溶剤等からなるメタライズ
液を調製し、セラミックパッケージの半導体集積回路用
素子設置用の溝の部分に該メタライズ液を滴下し、一様
に展開させた後、加熱焼成して下地のセラミックスと強
く接合したメタライズ膜を形成させる。次いで、半導体
集積回路用素子をメタライズ膜上に載せて、素子とメタ
ライズ膜材料との共晶点近くまで加熱して、共晶反応に
より、素子をセラミックパッケージに接合する。
上記した方法においては、セラミックパッケージに設け
られた溝にメタライズ液を滴下展開する方法をとるので
、半導体集積回路用素子の接合のために直接必要な部分
以外にもメタライズ膜が形成される。
られた溝にメタライズ液を滴下展開する方法をとるので
、半導体集積回路用素子の接合のために直接必要な部分
以外にもメタライズ膜が形成される。
このため高価な貴金属材料を無駄に使用することになり
、製造原価低減のための大きな障害となっている。また
、上記メタライズ液は、セラミックパッケージの溝の部
分で均等に展開することが必要であることから一般に低
粘度であシ、このため以下に示す如き問題点がある。
、製造原価低減のための大きな障害となっている。また
、上記メタライズ液は、セラミックパッケージの溝の部
分で均等に展開することが必要であることから一般に低
粘度であシ、このため以下に示す如き問題点がある。
（１） メタライズ液中の粉体が沈殿し易く、保’ｌ
−管理、使用時等に注意を要する。
−管理、使用時等に注意を要する。
（２） 溝に展開させた後７リツトが表面に浮き易く
、共晶反応を阻害するため、フリットの選択条件が厳し
くなる。
、共晶反応を阻害するため、フリットの選択条件が厳し
くなる。
（３） 溝の壁面をメタライズ液が毛細管現象で上シ
易く、焼成後溝縁上部に金属膜が形成されて電極と接し
て絶縁不良になる事例が多い。
易く、焼成後溝縁上部に金属膜が形成されて電極と接し
て絶縁不良になる事例が多い。
（４）溝に展開後メタライズ膜材料粉が分離し易いため
、これを焼成すると柚肌の膜となシ、不良メタライズ膜
が生じることが多い。
、これを焼成すると柚肌の膜となシ、不良メタライズ膜
が生じることが多い。
本発明者は、上記した如きセラミックパッケージに半導
体集積回路用素子を接合するに際しての問題点を解決す
ぺ〈鋭意研究を重ねてきた。その結果、貴金属粉、ガラ
スフリット、バインダー及び溶剤からなるメタライズ膜
用ペーストを使用し、これを剥離可能な離型性基体に半
導体集積回路用素子を接合するために必要十分な大きさ
に塗布し、乾燥させた後、この上に粘着性の糊を塗布し
て得られるメタライズ膜転写用シートを用いて、セラミ
ックパッケージの半導体集積回路用素子設置位置に上記
糊及びペースト層を転写し、次いで焼成することによっ
て、セラミックパッケージの半導体集積回路用素子設置
位置のみにメタライズ膜を形成させることができ、メタ
ライズ膜用貴金閤粉の使用量を著るしく減少させること
が可能となり、更に１低粘度のメタライズ液を使用する
ことに伴なう従来技術の問題点を解決できることを見出
した０ 即ち本発明は、下記のメタライズ膜転写用シート及びセ
ラミックパッケージへのメタライズ膜形成方法を提供す
るものである。
体集積回路用素子を接合するに際しての問題点を解決す
ぺ〈鋭意研究を重ねてきた。その結果、貴金属粉、ガラ
スフリット、バインダー及び溶剤からなるメタライズ膜
用ペーストを使用し、これを剥離可能な離型性基体に半
導体集積回路用素子を接合するために必要十分な大きさ
に塗布し、乾燥させた後、この上に粘着性の糊を塗布し
て得られるメタライズ膜転写用シートを用いて、セラミ
ックパッケージの半導体集積回路用素子設置位置に上記
糊及びペースト層を転写し、次いで焼成することによっ
て、セラミックパッケージの半導体集積回路用素子設置
位置のみにメタライズ膜を形成させることができ、メタ
ライズ膜用貴金閤粉の使用量を著るしく減少させること
が可能となり、更に１低粘度のメタライズ液を使用する
ことに伴なう従来技術の問題点を解決できることを見出
した０ 即ち本発明は、下記のメタライズ膜転写用シート及びセ
ラミックパッケージへのメタライズ膜形成方法を提供す
るものである。
■Ｉ）剥離可能な離型性基体、
＋１） １１金属粉、ガラスフリット、バインダー及
び溶剤からなるペーストを該基体上に塗布乾燥してなる
メタライズ膜用ペースト層、並ヒに ＩＩ＋） ＃ペースト層上に形成された粘着性糊層カ
ラなるメタライズ膜転写用シート。
び溶剤からなるペーストを該基体上に塗布乾燥してなる
メタライズ膜用ペースト層、並ヒに ＩＩ＋） ＃ペースト層上に形成された粘着性糊層カ
ラなるメタライズ膜転写用シート。
■１）剥離可能な離型性基体、
ｉｉ）貴金属粉、ガラスフリット、バインダー及び溶剤
からなるペーストを該基体上１ｃ塗布乾燥してなるメタ
ライズ膜用ペースト層、並ヒに ｌｉｉ）該ペースト層上に形成された粘着性糊層からな
るメタライズ膜転写用シートを用いて、セラミックスパ
ッケージの半導体回路用素子設置位雪に、メタライズ膜
用ペースト層及び粘着性糊層を転写し、加熱焼成するこ
とを特徴とするセラミックパッケージへのメタライズ膜
形成方法。
からなるペーストを該基体上１ｃ塗布乾燥してなるメタ
ライズ膜用ペースト層、並ヒに ｌｉｉ）該ペースト層上に形成された粘着性糊層からな
るメタライズ膜転写用シートを用いて、セラミックスパ
ッケージの半導体回路用素子設置位雪に、メタライズ膜
用ペースト層及び粘着性糊層を転写し、加熱焼成するこ
とを特徴とするセラミックパッケージへのメタライズ膜
形成方法。
本発明メタライズ膜転写用シートは、剥離可能な離型性
基体、メタライズ膜用ペースト層及び粘着性糊層からな
る◇ 上記した剥離可能な離型性基体とは、該基体上に形成さ
れたメタライズ膜用ペースト層及び粘着性糊層を雪ラミ
ックパッケージに圧着させた後、該基体を引き剥がすこ
とにより該ペースト層及び糊層と容易に分離するもので
あって、該ペースト層及び糊層に損傷を与えることなく
セラミックパッケージから簡単に剥離できるものである
ことが必要である。このような離型性基体としては、例
えばパラフィンやシリコンｍ脂で表面を処理した離型紙
、ポリエステルフィルム、ポリテレフタレートフィルム
等を例示できる。
基体、メタライズ膜用ペースト層及び粘着性糊層からな
る◇ 上記した剥離可能な離型性基体とは、該基体上に形成さ
れたメタライズ膜用ペースト層及び粘着性糊層を雪ラミ
ックパッケージに圧着させた後、該基体を引き剥がすこ
とにより該ペースト層及び糊層と容易に分離するもので
あって、該ペースト層及び糊層に損傷を与えることなく
セラミックパッケージから簡単に剥離できるものである
ことが必要である。このような離型性基体としては、例
えばパラフィンやシリコンｍ脂で表面を処理した離型紙
、ポリエステルフィルム、ポリテレフタレートフィルム
等を例示できる。
本発明転写用シートにおけるメタライズ膜用ペースト層
は、メタライズ膜用貴金属粉、ガラスフリット、バイン
ダー及び溶媒からなるメタライズ膜用ペーストを上記離
型性基体に塗布し、乾燥させることによって形成される
。メタライズ膜用貴金属粉としては、ムｕ ｓ ｐ ｄ
ｓ Ａ ｆ等の貴金属、これらの合金、これらの貴金
属単体や合金の混合物等を例示できる。貴金属粉の粒径
は、０．１〜６μｍ程度が好ましく、粒径が０．１μｍ
を下回ると、ペーストを焼成する時に、焼結が進みすぎ
て、メタライズ膜の下部にある糊膜の燃焼ガスの逃げる
穴が少なくなったり、あるいは過焼結の状態になってメ
タライズ膜〈ふくれやクラックが生ずることが多く、一
方粒径が６μｍを上回ると、焼結が不充分となシ、焼成
後に賞金属粉間に隙間が多く残シ、半導体集積回路用素
子接合時に共晶反応が十分に起こらず密着性が悪くなる
等の欠陥が発生し易いので好ましくない。
は、メタライズ膜用貴金属粉、ガラスフリット、バイン
ダー及び溶媒からなるメタライズ膜用ペーストを上記離
型性基体に塗布し、乾燥させることによって形成される
。メタライズ膜用貴金属粉としては、ムｕ ｓ ｐ ｄ
ｓ Ａ ｆ等の貴金属、これらの合金、これらの貴金
属単体や合金の混合物等を例示できる。貴金属粉の粒径
は、０．１〜６μｍ程度が好ましく、粒径が０．１μｍ
を下回ると、ペーストを焼成する時に、焼結が進みすぎ
て、メタライズ膜の下部にある糊膜の燃焼ガスの逃げる
穴が少なくなったり、あるいは過焼結の状態になってメ
タライズ膜〈ふくれやクラックが生ずることが多く、一
方粒径が６μｍを上回ると、焼結が不充分となシ、焼成
後に賞金属粉間に隙間が多く残シ、半導体集積回路用素
子接合時に共晶反応が十分に起こらず密着性が悪くなる
等の欠陥が発生し易いので好ましくない。
ガラスフリットとしては、軟化点が４５０〜９００’Ｃ
程度で、醪化鉛、酸化ブイ素、Ｂ２Ｏ３、酸化亜鉛等を
主成分とするものが好ましく、貴金属粉１ ｏ Ｏｉ：
ｉｓＫ対して３〜６重量部程度配合すればよい。配合量
がこれを上回ると半導体集積回路用素子接合時における
共晶反応を阻害し、一方これを下回るとセラミックスと
メタライズ膜との接着性が劣るものとなるので好ましく
なり０ハインタートシてハ、エチルセルロース、ニトロ
セルロース、ポリビニルブチラール−メタクリルの混合
物等が好ましく、貴金属粉１００宣量部に対して８〜６
重量部程度使用すればよい。
程度で、醪化鉛、酸化ブイ素、Ｂ２Ｏ３、酸化亜鉛等を
主成分とするものが好ましく、貴金属粉１ ｏ Ｏｉ：
ｉｓＫ対して３〜６重量部程度配合すればよい。配合量
がこれを上回ると半導体集積回路用素子接合時における
共晶反応を阻害し、一方これを下回るとセラミックスと
メタライズ膜との接着性が劣るものとなるので好ましく
なり０ハインタートシてハ、エチルセルロース、ニトロ
セルロース、ポリビニルブチラール−メタクリルの混合
物等が好ましく、貴金属粉１００宣量部に対して８〜６
重量部程度使用すればよい。
溶剤としては、蒸発温度が１６０〜２００°Ｃであるも
のが好ましく、例えばテルピネオール、ブチルカルピト
ール、酢酸エチル、酢酸アミンなどが適する。メタライ
ズ膜用ペーストは、離型性基体上に塗布した場合に表面
状態が良好となるような適度なレベリング適性をもち、
十分な厚みの塗膜を形成保持でき、かつ離型性基体上で
塗膜の移動が生じないものであることが必要であり、そ
のためペーストの粘度け５ Ｘ １ ０８〜５ ０Ｘ
１ ０８ｃｐｓ程度であることが好ましい。このために
は、溶剤の配合量は、通常貴金属粉１００重量部に対し
て１０〜７０！景部程度とすればよい。
のが好ましく、例えばテルピネオール、ブチルカルピト
ール、酢酸エチル、酢酸アミンなどが適する。メタライ
ズ膜用ペーストは、離型性基体上に塗布した場合に表面
状態が良好となるような適度なレベリング適性をもち、
十分な厚みの塗膜を形成保持でき、かつ離型性基体上で
塗膜の移動が生じないものであることが必要であり、そ
のためペーストの粘度け５ Ｘ １ ０８〜５ ０Ｘ
１ ０８ｃｐｓ程度であることが好ましい。このために
は、溶剤の配合量は、通常貴金属粉１００重量部に対し
て１０〜７０！景部程度とすればよい。
本発明転写用シートにおいて用いる粘着性糊は、セラミ
ックスパッケージに転写用シートを圧着させることによ
って離形性基体上のメタライス膜ペースト層をセラミッ
クスパッケージ上知転写できるような適度な粘海性を有
しかつメタライズ膜形成のための焼成温度において燃焼
焼失するものであることが必要である。このような粘着
性糊として以下の組成のものを例示することができる。
ックスパッケージに転写用シートを圧着させることによ
って離形性基体上のメタライス膜ペースト層をセラミッ
クスパッケージ上知転写できるような適度な粘海性を有
しかつメタライズ膜形成のための焼成温度において燃焼
焼失するものであることが必要である。このような粘着
性糊として以下の組成のものを例示することができる。
０ゴム系粘着性糊
天然ゴム・合成ゴム等 １００重量部ロジン、テ
ンベル等の 粘着付与剤 ６０〜１２０Ｍ量部ポリブ
テン等の軟化剤 ２〜１５重量部老化防止剤
１〜３重量部溶 剤
適 量Ｏアクリル系粘着性態 アクリル酸ブチル及び／又は ２エチルへキシルアクリレート ６０〜８０ Ｎ置部酸
化ビニル及び／又は ブチルメタクリレート ２０〜４０重量部アクリル
酸 θ〜 ５重量部溶 剤
適 量Ｏその他
の粘着性糊 ポリビニルブチラール １００ Ｎ蓋部ヒマ
シ油 ４０〜６０重量部溶 剤
適 量率発明
メタライズ膜転写用シートを作製するＫは、まずメタラ
イズ膜用ペーストを充分混合した後、上記した剥離可能
な離型性基体上に塗布する。
ンベル等の 粘着付与剤 ６０〜１２０Ｍ量部ポリブ
テン等の軟化剤 ２〜１５重量部老化防止剤
１〜３重量部溶 剤
適 量Ｏアクリル系粘着性態 アクリル酸ブチル及び／又は ２エチルへキシルアクリレート ６０〜８０ Ｎ置部酸
化ビニル及び／又は ブチルメタクリレート ２０〜４０重量部アクリル
酸 θ〜 ５重量部溶 剤
適 量Ｏその他
の粘着性糊 ポリビニルブチラール １００ Ｎ蓋部ヒマ
シ油 ４０〜６０重量部溶 剤
適 量率発明
メタライズ膜転写用シートを作製するＫは、まずメタラ
イズ膜用ペーストを充分混合した後、上記した剥離可能
な離型性基体上に塗布する。
塗布方法は、特に限定されることはなく例えばスクリー
ン印刷法などでよい。塗布する面積は、接合する半導体
集積回路用素子と同じ広さでは、接合時の投置誤差によ
り接合不良の部分が発生し易いので半導体素子の大きさ
よシも１０〜８００％程度広くシ、かつセラミックバジ
ケージの半導体集積回路用素子設置用の溝よシも狭い面
積とすればよい。塗布量は、焼成前で７〜８０μｍ程度
、焼成後で５〜２０μｍ程度の厚みとなるように＃ｉ整
すればよい。次いで、塗布したペーストを乾燥させて・
離型性基体上にペースト層を形成させる。
ン印刷法などでよい。塗布する面積は、接合する半導体
集積回路用素子と同じ広さでは、接合時の投置誤差によ
り接合不良の部分が発生し易いので半導体素子の大きさ
よシも１０〜８００％程度広くシ、かつセラミックバジ
ケージの半導体集積回路用素子設置用の溝よシも狭い面
積とすればよい。塗布量は、焼成前で７〜８０μｍ程度
、焼成後で５〜２０μｍ程度の厚みとなるように＃ｉ整
すればよい。次いで、塗布したペーストを乾燥させて・
離型性基体上にペースト層を形成させる。
続いて、このメタライズ膜用ペースト層上に、粘着性糊
を塗布する。粘着性糊の塗布面積は、ペースト層を完全
にｌ１ｌｉし、かつ半導体集積回路用素子設置用溝より
も狭い範囲とすればよい。粘着性糊の塗布厚は、８〜１
０μｍ程度とすることが望ましい。
を塗布する。粘着性糊の塗布面積は、ペースト層を完全
にｌ１ｌｉし、かつ半導体集積回路用素子設置用溝より
も狭い範囲とすればよい。粘着性糊の塗布厚は、８〜１
０μｍ程度とすることが望ましい。
以上の方法によって得られたメタライズ膜転写用シート
を使用する半導体集積回路用素子のセラミックパッケー
ジへの接合は、以下に示す方法で行なうことができる。
を使用する半導体集積回路用素子のセラミックパッケー
ジへの接合は、以下に示す方法で行なうことができる。
まず−セラミックパッケージの半導体集積回路用素子設
置用溝の素子投置位置に転写用シートの粘着性動部分を
押しあてて、粘着性糊をセラミックパッケージに圧着さ
せる。次いで＃を型性基体を剥離することによって粘着
性糊層及びメタライズ膜用ペースト層をセラミックパッ
ケージに転写スる＠続いて、セラミックパッケージを加
熱して、メタライズ膜用ペースト層中のバインダー及び
粘着性糊を十分燃焼させると共に、ガラスフリットを溶
融し、メタライズ膜用貴金編粉を適度に焼結させてセラ
ミックパッケージ上にメタライズ膜を形成させる◇この
際、高分子材料が完全に燃焼し、かつメタライズ膜に剥
離や割れが生じることなくセラミックパッケージに強く
接合されるように２昇温速度、燃焼時間、焼成時間等の
条件を常法に従って、適宜選択することが必要である。
置用溝の素子投置位置に転写用シートの粘着性動部分を
押しあてて、粘着性糊をセラミックパッケージに圧着さ
せる。次いで＃を型性基体を剥離することによって粘着
性糊層及びメタライズ膜用ペースト層をセラミックパッ
ケージに転写スる＠続いて、セラミックパッケージを加
熱して、メタライズ膜用ペースト層中のバインダー及び
粘着性糊を十分燃焼させると共に、ガラスフリットを溶
融し、メタライズ膜用貴金編粉を適度に焼結させてセラ
ミックパッケージ上にメタライズ膜を形成させる◇この
際、高分子材料が完全に燃焼し、かつメタライズ膜に剥
離や割れが生じることなくセラミックパッケージに強く
接合されるように２昇温速度、燃焼時間、焼成時間等の
条件を常法に従って、適宜選択することが必要である。
例えば４００〜ｂ
５０°Ｃまで昇温した後、７００〜９００℃で５〜２０
分加熱焼成することＫよってセラミックパッケージに強
く接合されたメタライズ膜が得られる。
分加熱焼成することＫよってセラミックパッケージに強
く接合されたメタライズ膜が得られる。
次に、上記メタライズ膜上に半導体素子を載せてメタラ
イズ膜中の責金編材料と素子との共晶点以上まで加熱し
、貴金属材料と素子との共晶反応を起こさせて、セラミ
ックパッケージと素子とを接合する。加熱方法は常法に
従えばよく、例えば通常の炉を使用してもよく、また超
音波等の手段で加熱してもよい。メタライズ膜に使用し
た賃金−粉と半導体集積回路用素子とが直接共晶反応を
起こさないものである場合には、両者の間に、両者と共
通して共晶反応を起こす物質を介在させた後−加熱して
接合することが可能であり、又、ハンダ箔を介在させて
、ハン、ダで接合させることも可能である。
イズ膜中の責金編材料と素子との共晶点以上まで加熱し
、貴金属材料と素子との共晶反応を起こさせて、セラミ
ックパッケージと素子とを接合する。加熱方法は常法に
従えばよく、例えば通常の炉を使用してもよく、また超
音波等の手段で加熱してもよい。メタライズ膜に使用し
た賃金−粉と半導体集積回路用素子とが直接共晶反応を
起こさないものである場合には、両者の間に、両者と共
通して共晶反応を起こす物質を介在させた後−加熱して
接合することが可能であり、又、ハンダ箔を介在させて
、ハン、ダで接合させることも可能である。
発明の効果
本発明方法により、半導体集積回路用素子とセラミック
パッケージとの接合に必要々部分にのみメタライズ膜を
形成させることができる。依ってメタライズ膜の原料と
して用いる貴金属粉の使用量の減少が可能となり、半導
体集積回路の製造原価を著るしく低減させることができ
る。
パッケージとの接合に必要々部分にのみメタライズ膜を
形成させることができる。依ってメタライズ膜の原料と
して用いる貴金属粉の使用量の減少が可能となり、半導
体集積回路の製造原価を著るしく低減させることができ
る。
また、本発明では、メタライズ膜形成に高粘度を有する
ペースト状物を使用するため、従来法における低粘度の
メタライズ液の使用に伴なう問題点を解消でき、このた
め従来法と比較して不良品の発生率を著るしく減少させ
ることができる◇実 施 例 以下、本発明を実施例により更に具体的に説明する０ 実施例１ 下記組成のメタライズ膜用ペーストラ三本ロールにて配
合分散させた後、シリコン処理をしたテープ状の離型紙
の上に４００メツシユのスクリーンで直径６ ｍｍの円
形のパターンを２０ 、ｍｍ間隔で印刷し、乾燥させた
。乾燥後の膜厚は１０μｍであった。
ペースト状物を使用するため、従来法における低粘度の
メタライズ液の使用に伴なう問題点を解消でき、このた
め従来法と比較して不良品の発生率を著るしく減少させ
ることができる◇実 施 例 以下、本発明を実施例により更に具体的に説明する０ 実施例１ 下記組成のメタライズ膜用ペーストラ三本ロールにて配
合分散させた後、シリコン処理をしたテープ状の離型紙
の上に４００メツシユのスクリーンで直径６ ｍｍの円
形のパターンを２０ 、ｍｍ間隔で印刷し、乾燥させた
。乾燥後の膜厚は１０μｍであった。
メタライズ膜用ペースト
Ａｕ粉（平均粒径０．９５．ｕｍ） １００３ｉｆ
ｊｔ部ガラスフリット ｐｂ（）−Ｂ２０Ｂ−ＺｎＯガラス 軟化点７５０℃ ８重量部バインダー
にトロセルロース） ５重Ｊｉ部溶 剤 酢酸エチル、酢酸アミン、 及び１テμビネオールの等倉混合物 １５重量部次
いで下記組成の粘着性態を用いて、上記メタライズ膜用
ペースト層上に２５０メツシユのスクリーンで７ ｍｍ
直径の円形パターンを印刷し、乾燥させて、メタライズ
膜転写用シートを作製した。
ｊｔ部ガラスフリット ｐｂ（）−Ｂ２０Ｂ−ＺｎＯガラス 軟化点７５０℃ ８重量部バインダー
にトロセルロース） ５重Ｊｉ部溶 剤 酢酸エチル、酢酸アミン、 及び１テμビネオールの等倉混合物 １５重量部次
いで下記組成の粘着性態を用いて、上記メタライズ膜用
ペースト層上に２５０メツシユのスクリーンで７ ｍｍ
直径の円形パターンを印刷し、乾燥させて、メタライズ
膜転写用シートを作製した。
粘着性態の乾燥後の膜厚は３μｍであった。
粘着性態
ポリビニルブチラール １００重ｆ部ヒマシ油
５０重量部テルビ永オール
８０重量部次に、８
．５ Ｘ １０．５ ｍｍの半導体素子設置用溝を有す
るセラミックパッケージに、上記転写用シートを用いて
、メタライズ膜用ペースト層及び粘着性態を転写した。
５０重量部テルビ永オール
８０重量部次に、８
．５ Ｘ １０．５ ｍｍの半導体素子設置用溝を有す
るセラミックパッケージに、上記転写用シートを用いて
、メタライズ膜用ペースト層及び粘着性態を転写した。
続いて、４００℃／ｈで４２０用素子設置位置に形成さ
せた。
せた。
このようにして形成したメタライズ膜上にシリコン製の
素子を置き、４５０°Ｃで加熱共晶を行なって接着した
ところ十分なる接着性がφられた。
素子を置き、４５０°Ｃで加熱共晶を行なって接着した
ところ十分なる接着性がφられた。
以上の結果から、本発明方法では、直径６ ｍｙｎの円
形のメタライズ膜を形成させることにより半導体集積回
路用素子をセラミックパッケージに強く接合できること
が判る。よって、従来法によれば、８．５Ｘ１０．５ｍ
ｍの溝部分の全体にメタライズ膜を形成させていたこと
と比較して、約６８％の金材料の節減ができた。また、
本発明方法では、メタライズ膜形成にペースト状物を使
用したことから、低粘度のメタライズ液を使用すること
〈伴なう従来法の欠点を解消できた。゛ 実施例２ 下記組成のメタライズ膜用ペーストラ三本ロールにて配
合分散させた後、シリコン処理を施したテープ状の離型
紙の上に４００メツシユのスクリーンで直径６ ｍｍの
円形パターンを２０ ｍｍ間隔で印刷し、乾燥させた。
形のメタライズ膜を形成させることにより半導体集積回
路用素子をセラミックパッケージに強く接合できること
が判る。よって、従来法によれば、８．５Ｘ１０．５ｍ
ｍの溝部分の全体にメタライズ膜を形成させていたこと
と比較して、約６８％の金材料の節減ができた。また、
本発明方法では、メタライズ膜形成にペースト状物を使
用したことから、低粘度のメタライズ液を使用すること
〈伴なう従来法の欠点を解消できた。゛ 実施例２ 下記組成のメタライズ膜用ペーストラ三本ロールにて配
合分散させた後、シリコン処理を施したテープ状の離型
紙の上に４００メツシユのスクリーンで直径６ ｍｍの
円形パターンを２０ ｍｍ間隔で印刷し、乾燥させた。
乾燥後の膜厚は、２０μｍであった。
メタライズ膜用ペースト
Ａｙ粉（平均粒径１．１０ ｔｔｌｎ ） ９
７Ｍ社部Ｐｄ粉（平均粒径０．９０ ｉｔｍ ）
ＢＭＬｆｌｃ部ガラスフリット ＰｂＯ−Ｂ２０８−ＺｎＯガラス 軟化点７００°Ｃ３Ｍ量部 バインダーにトロセルロース） ５！ＪＩＢ溶
剤 酢酸エチル、酢酸アミン及ヒ テルビ木トルの等景況合物 １５３ｉ量部次
いで下記組成の粘着性筒を上記メタライズ膜用ヘースト
層上に４００メツシユのスクリーンで７ ｍｍの円形パ
ターンに印刷し、乾燥させて、メタライズ腰転写用シー
トを作製した。粘着性筒の乾燥後の膜厚は３μｍであっ
た。
７Ｍ社部Ｐｄ粉（平均粒径０．９０ ｉｔｍ ）
ＢＭＬｆｌｃ部ガラスフリット ＰｂＯ−Ｂ２０８−ＺｎＯガラス 軟化点７００°Ｃ３Ｍ量部 バインダーにトロセルロース） ５！ＪＩＢ溶
剤 酢酸エチル、酢酸アミン及ヒ テルビ木トルの等景況合物 １５３ｉ量部次
いで下記組成の粘着性筒を上記メタライズ膜用ヘースト
層上に４００メツシユのスクリーンで７ ｍｍの円形パ
ターンに印刷し、乾燥させて、メタライズ腰転写用シー
トを作製した。粘着性筒の乾燥後の膜厚は３μｍであっ
た。
粘着性筒
ポリビニルブチラール １００ Ｍ量ｍヒマシ
油 ５０．ｆｉ凰部テμビネオ
ール ８０重量部次
に８．５×１０゜５ ｍｍの半導体集積回路用素子設置
用面を有するセラミックパッケージの素子設置位置に、
上記転写用シートを用いて、メタライズ膜用ペースト層
及び粘着性筒を転写した。続いて、４００°Ｃ／ｈで４
２０℃まで昇温した後、７５０℃で１θ分間加熱焼成し
て厚さ１５μｍのメタライズ膜をセラミックパッケージ
の素子設置位Ｔに形成させた。
油 ５０．ｆｉ凰部テμビネオ
ール ８０重量部次
に８．５×１０゜５ ｍｍの半導体集積回路用素子設置
用面を有するセラミックパッケージの素子設置位置に、
上記転写用シートを用いて、メタライズ膜用ペースト層
及び粘着性筒を転写した。続いて、４００°Ｃ／ｈで４
２０℃まで昇温した後、７５０℃で１θ分間加熱焼成し
て厚さ１５μｍのメタライズ膜をセラミックパッケージ
の素子設置位Ｔに形成させた。
このようにして形成したメタライズ膜上にＡｙ−ｐｄ金
合金びシリコンの両者に対する共通の共晶材料として厚
さ２〜８μｍ直径６ ｍｍ０Ａｕ箔を竹き、更にこの上
にシリコンチップを載せて１４５０℃で加熱共晶を行な
わせて接着し六ところ十分なる接着性が得られた。
合金びシリコンの両者に対する共通の共晶材料として厚
さ２〜８μｍ直径６ ｍｍ０Ａｕ箔を竹き、更にこの上
にシリコンチップを載せて１４５０℃で加熱共晶を行な
わせて接着し六ところ十分なる接着性が得られた。
以上の実施例２では、メタライズ膜の形成面積が従来法
による場合よりも少ないことに加えて・ＡＵに比して低
価格のＡｙを主成分とするＡｙ−Ｐｄ合金をメタライズ
膜用貴金属として使用したので、半導体集積回路作製に
おける材料価格は、著るしく低減された。またメタライ
ズ膜形成にペースト状物を使用したことから、低粘度の
メタライズ液を使用することに伴なう従来法の欠点を解
消でき、不良品の発生率は従来法による場合と比べて約
り。となった。
による場合よりも少ないことに加えて・ＡＵに比して低
価格のＡｙを主成分とするＡｙ−Ｐｄ合金をメタライズ
膜用貴金属として使用したので、半導体集積回路作製に
おける材料価格は、著るしく低減された。またメタライ
ズ膜形成にペースト状物を使用したことから、低粘度の
メタライズ液を使用することに伴なう従来法の欠点を解
消でき、不良品の発生率は従来法による場合と比べて約
り。となった。
（以 上）
Claims (2)
- （１）ｉ）剥離可能な離型性基体、 ｉｉ）貴金属粉、ガラスフリット、バインダー及び溶剤
からなるペーストを該基体上に塗布乾燥してなるメタラ
イズ膜用ペースト層、並びに ｉｉｉ）該ペースト層上に形成された粘着性糊層からな
るメタライズ膜転写用シート。 - （２）ｉ）剥離可能な離型性基体、 ｉｉ）貴金属粉、ガラスフリット、バインダー及び溶剤
からなるペーストを該基体上に塗布乾燥してなるメタラ
イズ膜用ペースト層、並びに ｉｉｉ）該ペースト層上に形成された粘着性糊層からな
るメタライズ膜転写用シートを用いて、セラミックスパ
ッケージの半導体回路用素子設置位置に、メタライズ膜
用ペースト層及び粘着性糊層を転写し、加熱焼成するこ
とを特徴とするセラミックパッケージへのメタライズ膜
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12581385A JPS61286288A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | メタライズ膜転写用シ−ト及びセラミツクパツケ−ジへのメタライズ膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12581385A JPS61286288A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | メタライズ膜転写用シ−ト及びセラミツクパツケ−ジへのメタライズ膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61286288A true JPS61286288A (ja) | 1986-12-16 |
Family
ID=14919562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12581385A Pending JPS61286288A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | メタライズ膜転写用シ−ト及びセラミツクパツケ−ジへのメタライズ膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61286288A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138794A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-05-28 | Minoru Yamano | 粘着シート部品及びその保持体並びにこれを用いた電子部品パターン形成固定方法 |
| WO2001019147A1 (fr) * | 1999-09-07 | 2001-03-15 | Asahi Glass Company Ltd. | Procede de formation d'empreinte d'impression transferable, et verre portant une empreinte imprimee |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5116388A (ja) * | 1974-07-30 | 1976-02-09 | Sumitomo Electric Industries | Sanjigenkyokapurasuchitsuku |
| JPS5516388A (en) * | 1979-02-21 | 1980-02-05 | Hitachi Ltd | Tubular conductor with electric connector |
| JPS59141473A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-14 | 株式会社 永瀬スクリ−ン印刷研究所 | 窯業製品への貴金属画像形成法 |
-
1985
- 1985-06-10 JP JP12581385A patent/JPS61286288A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5116388A (ja) * | 1974-07-30 | 1976-02-09 | Sumitomo Electric Industries | Sanjigenkyokapurasuchitsuku |
| JPS5516388A (en) * | 1979-02-21 | 1980-02-05 | Hitachi Ltd | Tubular conductor with electric connector |
| JPS59141473A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-14 | 株式会社 永瀬スクリ−ン印刷研究所 | 窯業製品への貴金属画像形成法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138794A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-05-28 | Minoru Yamano | 粘着シート部品及びその保持体並びにこれを用いた電子部品パターン形成固定方法 |
| WO2001019147A1 (fr) * | 1999-09-07 | 2001-03-15 | Asahi Glass Company Ltd. | Procede de formation d'empreinte d'impression transferable, et verre portant une empreinte imprimee |
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