JPS61283377A - 有機薄膜の製造方法 - Google Patents
有機薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS61283377A JPS61283377A JP12338385A JP12338385A JPS61283377A JP S61283377 A JPS61283377 A JP S61283377A JP 12338385 A JP12338385 A JP 12338385A JP 12338385 A JP12338385 A JP 12338385A JP S61283377 A JPS61283377 A JP S61283377A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液−液又は気−液界百に展開した単分子膜を
基板に付着・累積させることによる、有機薄膜の製増方
法に関する。
基板に付着・累積させることによる、有機薄膜の製増方
法に関する。
本発明は、液−液又は気−液界面に単分子膜を展開しそ
れを基板に付着・累積させることによる有機薄膜の製造
方法において、基板を保持する方向を界面に対して傾け
てその方向に基板を下降・上昇させることにより、従来
技術では作成ｈ″−不可能あるいけ困難であっ膜物質の
膜を容易に作れ、また従来技術で作成が可能だっ几物買
忙ついても基板の浸漬速度を速くできるため生産性を著
しく向上させるものである。ま比、下降ｅ上昇時の基板
角度を適当に選んでやれば、Ｙ膜（基板だ対して膜物質
の親水基、親油基が交互に配向しており。
れを基板に付着・累積させることによる有機薄膜の製造
方法において、基板を保持する方向を界面に対して傾け
てその方向に基板を下降・上昇させることにより、従来
技術では作成ｈ″−不可能あるいけ困難であっ膜物質の
膜を容易に作れ、また従来技術で作成が可能だっ几物買
忙ついても基板の浸漬速度を速くできるため生産性を著
しく向上させるものである。ま比、下降ｅ上昇時の基板
角度を適当に選んでやれば、Ｙ膜（基板だ対して膜物質
の親水基、親油基が交互に配向しており。
通常この構造を取るものが多い）のみならずｘ嘆（基板
に対して膜物質の親油基の入が配向したもの）、２膜（
基板に対して膜物質の親水基のみが配向し友もので、こ
の構造をとる物質は珍しい）を作りわけることが可能で
あり、分子レベルの構造の作り分けを自由度ｂζ高くお
こなうことができる。
に対して膜物質の親油基の入が配向したもの）、２膜（
基板に対して膜物質の親水基のみが配向し友もので、こ
の構造をとる物質は珍しい）を作りわけることが可能で
あり、分子レベルの構造の作り分けを自由度ｂζ高くお
こなうことができる。
従来、液−液又は気−液界面上の両親媒性物質の単分子
膜を基板に付着・累積させるときには、Ｌａｎｑｔｎｓ
ｉｒ −Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法に代表される様に基板を界
面に対してｆ＄４図の様に垂直にして授精を行うのが一
般的であった。以下これを垂直浸積法と呼ぶ。
膜を基板に付着・累積させるときには、Ｌａｎｑｔｎｓ
ｉｒ −Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法に代表される様に基板を界
面に対してｆ＄４図の様に垂直にして授精を行うのが一
般的であった。以下これを垂直浸積法と呼ぶ。
また、気−液界面上の単分子膜の崩壊圧の低いタンパク
質等の付着・累積には垂直浸積法は適さないので、水平
付着法と呼ばれる第５図の様に基板を液面に対して水平
又は極〈わずか傾けて（約５°程度）、基板に単分子膜
１に付着させる方法もあるが、一般的ではない。
質等の付着・累積には垂直浸積法は適さないので、水平
付着法と呼ばれる第５図の様に基板を液面に対して水平
又は極〈わずか傾けて（約５°程度）、基板に単分子膜
１に付着させる方法もあるが、一般的ではない。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、垂
直浸積法では単分子膜を作る物質の崩壊圧や柔軟性ｈ；
低い物質については、基板に付着させることは不可能あ
るいけ困難であったし、その生産性も、浸種速度を速く
すると均一な膜を得ることが難しいなどの几め、良いも
のではなかつ友。ま念得られる膜の構造も通常Ｙ膜で、
水層のＰＨや液温のコントロールにより、一部の物質の
入でＸ膜を作ることができ、ま几ごくまれに２膜を作る
物質もあるがいずれにしてもその自由度は低く、Ｙ膜の
途中でｘｖａ＋ｚ膜に変え几後、またＹ膜にもどす様な
ことは実際上不可能か、あるいは極めて困難であっ之。
直浸積法では単分子膜を作る物質の崩壊圧や柔軟性ｈ；
低い物質については、基板に付着させることは不可能あ
るいけ困難であったし、その生産性も、浸種速度を速く
すると均一な膜を得ることが難しいなどの几め、良いも
のではなかつ友。ま念得られる膜の構造も通常Ｙ膜で、
水層のＰＨや液温のコントロールにより、一部の物質の
入でＸ膜を作ることができ、ま几ごくまれに２膜を作る
物質もあるがいずれにしてもその自由度は低く、Ｙ膜の
途中でｘｖａ＋ｚ膜に変え几後、またＹ膜にもどす様な
ことは実際上不可能か、あるいは極めて困難であっ之。
ま之１通常ｘＩＩ全作る物質についてはＹ膜を作ること
は不可能であゆ、通常Ｙ膜を作るものの極〈一部分の入
は後に述べる水平付着法でＸ膜を作ることができるのみ
である等、その構造の制約は大きい。
は不可能であゆ、通常Ｙ膜を作るものの極〈一部分の入
は後に述べる水平付着法でＸ膜を作ることができるのみ
である等、その構造の制約は大きい。
さて、水平付着法では膜を作るのに名人装的手法を必要
とする他、単分子膜の展開−圧縮・基板への付着が連続
的に行えない几め生産性が低く、ま几その製法上Ｘ膜の
みしか作れない欠点があっ几。
とする他、単分子膜の展開−圧縮・基板への付着が連続
的に行えない几め生産性が低く、ま几その製法上Ｘ膜の
みしか作れない欠点があっ几。
本発明では上記のような、これら垂直浸積法・水平付着
法に入られる１作れる有機薄膜の物質や構造（ｘ、ｙ、
ｚ膜）の制約を小さくシ、ま之、生産性の向上を目的と
して解決するものである。
法に入られる１作れる有機薄膜の物質や構造（ｘ、ｙ、
ｚ膜）の制約を小さくシ、ま之、生産性の向上を目的と
して解決するものである。
本発明の有機薄膜の製造方法では、液−液又は気−液界
面上の単分子膜を基板に付着−累積させるときに、基板
の保持方向を界面に対して傾けてその方向に基板を下降
・上昇させることによって基板への単分子膜の付着のし
やすさを変えることを特徴とする。
面上の単分子膜を基板に付着−累積させるときに、基板
の保持方向を界面に対して傾けてその方向に基板を下降
・上昇させることによって基板への単分子膜の付着のし
やすさを変えることを特徴とする。
本発明での基板の界面に対する角度は、界面に対してＹ
膜の場合下降時鋭角（１°以上８９°未満）上昇時鈍角
（９１°以上１７９°以下）であれば良い。
膜の場合下降時鋭角（１°以上８９°未満）上昇時鈍角
（９１°以上１７９°以下）であれば良い。
またＸ膜、２膜では基板を７膜６程度以下まで傾けた場
合に、基板の液−液又は気−液界面に近い側（以下基板
の裏面と呼ぶ）にＸ膜、界面に遠い側（以下基板の表面
と呼ぶ）に２膜ができはじめる。
合に、基板の液−液又は気−液界面に近い側（以下基板
の裏面と呼ぶ）にＸ膜、界面に遠い側（以下基板の表面
と呼ぶ）に２膜ができはじめる。
前記の様に液−液又は気−液界面に対する基板の浸種角
度を変化させると、界面と基板の作るメニスカスの半径
は大きくなり、界面から基板までの曲面はゆるやかに変
化する様になる。それによってメニスカス上の単分子膜
に対する曲げの応力が減少して基板の授精による単分子
膜がこわれＫ〈くなる念めに浸種速度を上げられ几。ま
比倫は同じ条件で基板を逆に傾けることにより基板の作
るメニスカスの半径は小さくなる。界面に単分子膜が展
開されていれば、膜は基板に接するところで一部が壊れ
、後はすべって基板に付着しない。
度を変化させると、界面と基板の作るメニスカスの半径
は大きくなり、界面から基板までの曲面はゆるやかに変
化する様になる。それによってメニスカス上の単分子膜
に対する曲げの応力が減少して基板の授精による単分子
膜がこわれＫ〈くなる念めに浸種速度を上げられ几。ま
比倫は同じ条件で基板を逆に傾けることにより基板の作
るメニスカスの半径は小さくなる。界面に単分子膜が展
開されていれば、膜は基板に接するところで一部が壊れ
、後はすべって基板に付着しない。
上記の両者を組合わせることによって、選択的に嗅を付
着させたりさせなかっｔりすることができ、Ｘ膜・２膜
とＹ膜を容易に作りわけることができた。
着させたりさせなかっｔりすることができ、Ｘ膜・２膜
とＹ膜を容易に作りわけることができた。
〔実施例１〕
２回遊侵透、２回イオン交換し友純水を蒸留し−た水ト
空気の界面に、ステアリン酸のへキサン溶液（濃度０．
０５１／１００ ｍｌ ）を靜かに滴下し、３０分間靜
装して溶媒をよく除去した後、ｒｉａｎｇｍｕｉｒ −
Ｂｌ ｏｄｇｅ ｔ ｔ 法に準じて膜を基板に付着
させ累積させ友。表面圧け３０ｄ１ν鍾基板の授精条件
は入れるとき４５°、出すとき１３５°で、浸種速度は
垂直浸積法の時の限界２０ ｔｌｌｌｒｎｉｎより大幅
に速くでき５２１ｍ１ｎまでは１表面状態・絶縁特性等
が垂直浸積法で２０吟へｉｎ以下で作りたときと変化が
無く４安定し几膜を作ることができた。これｋより通常
のＬａｎｇｍｕｉｒ −Ｂｌｏｄｇｇｔｔ膜等での生産
性を大きく改善する。ことができる。さらに基板の反対
側でけ、膜物質が付きに〈〈、界面上の単分子膜の消費
量が減少し念。この几め膜物質の展開操作を減らすこと
ができ、生産性はさらに向上し念。
空気の界面に、ステアリン酸のへキサン溶液（濃度０．
０５１／１００ ｍｌ ）を靜かに滴下し、３０分間靜
装して溶媒をよく除去した後、ｒｉａｎｇｍｕｉｒ −
Ｂｌ ｏｄｇｅ ｔ ｔ 法に準じて膜を基板に付着
させ累積させ友。表面圧け３０ｄ１ν鍾基板の授精条件
は入れるとき４５°、出すとき１３５°で、浸種速度は
垂直浸積法の時の限界２０ ｔｌｌｌｒｎｉｎより大幅
に速くでき５２１ｍ１ｎまでは１表面状態・絶縁特性等
が垂直浸積法で２０吟へｉｎ以下で作りたときと変化が
無く４安定し几膜を作ることができた。これｋより通常
のＬａｎｇｍｕｉｒ −Ｂｌｏｄｇｇｔｔ膜等での生産
性を大きく改善する。ことができる。さらに基板の反対
側でけ、膜物質が付きに〈〈、界面上の単分子膜の消費
量が減少し念。この几め膜物質の展開操作を減らすこと
ができ、生産性はさらに向上し念。
〔実施例２〕
実施例１と同じ水と空気の界面に、α−オクタデシルア
クリル酸のクロロホルム溶１（ｌｆｏ、ｏ５、ｌｉｔ／
１００ ｍｌ、 ）を静かに滴下、展開しｔ後に水層に
０．４ＭになるようにＣｄ ａｃ２を加えてから１蒔間
靜置して溶媒の除去と遊離酸の侃塩への置き換えを行っ
之後、膜を基板に付着させ累積させ次。表面圧は３４
ｄｙｎ、ム。基板の浸種条件は入れるとき３０゜出すと
き１５０°で、浸種速度は垂直は着法で４ Ｑ７ｍｉｎ
で得られ几膜のドメイン径と同等のものが５０ｔＩＶｒ
ｎｉｎまで得ることができ念。この様に通常基板の浸種
速度が大きく取れない物買でも１本発明を用いることに
よって、生産性の大幅な向上を得ることができる几め、
幅広い有機超薄膜を生産性良く作れることが確認できる
。
クリル酸のクロロホルム溶１（ｌｆｏ、ｏ５、ｌｉｔ／
１００ ｍｌ、 ）を静かに滴下、展開しｔ後に水層に
０．４ＭになるようにＣｄ ａｃ２を加えてから１蒔間
靜置して溶媒の除去と遊離酸の侃塩への置き換えを行っ
之後、膜を基板に付着させ累積させ次。表面圧は３４
ｄｙｎ、ム。基板の浸種条件は入れるとき３０゜出すと
き１５０°で、浸種速度は垂直は着法で４ Ｑ７ｍｉｎ
で得られ几膜のドメイン径と同等のものが５０ｔＩＶｒ
ｎｉｎまで得ることができ念。この様に通常基板の浸種
速度が大きく取れない物買でも１本発明を用いることに
よって、生産性の大幅な向上を得ることができる几め、
幅広い有機超薄膜を生産性良く作れることが確認できる
。
〔実施例３〕
実施例１と同質の水にＢａＯ１２１０−’Ｍ 、 ＫＨ
ＯＯｓ ５Ｘ１０””Ｍ、 ＮＨ４０Ｈ１０−’Ｍを加
えＰＨ９，０ニＬ７を水と空気の界面にステアリン酸の
へキサン溶液（濃度（ＬＯ５，９／１００ｍ）を静かに
溶下し比。この水層の条件は通常Ｘ膜を作る条件として
知られている。この水面上の膜を３０分間靜１ して溶媒を充分に除去し几後、膜を基板に付着させ累積
させ次。基板を３０往復させて得几サンプルは、電子線
回折によると垂直方向の単位長さが２分子の鎖長である
４８大であることと、膜の厚みがＸ膜の約７００１とな
らず倍の１４２０人となっ友ことからＹ膜が形成され九
ことを確認し友。この様に通常は、Ｘ膜を作る分子をＹ
膜に成膜できることから、安定性、特釦経時安定性の高
い均一な膜を作ることができ、電子線・Ｘ線レジスト、
絶縁超薄膜、配向処理剤等広い応用が可能である。
ＯＯｓ ５Ｘ１０””Ｍ、 ＮＨ４０Ｈ１０−’Ｍを加
えＰＨ９，０ニＬ７を水と空気の界面にステアリン酸の
へキサン溶液（濃度（ＬＯ５，９／１００ｍ）を静かに
溶下し比。この水層の条件は通常Ｘ膜を作る条件として
知られている。この水面上の膜を３０分間靜１ して溶媒を充分に除去し几後、膜を基板に付着させ累積
させ次。基板を３０往復させて得几サンプルは、電子線
回折によると垂直方向の単位長さが２分子の鎖長である
４８大であることと、膜の厚みがＸ膜の約７００１とな
らず倍の１４２０人となっ友ことからＹ膜が形成され九
ことを確認し友。この様に通常は、Ｘ膜を作る分子をＹ
膜に成膜できることから、安定性、特釦経時安定性の高
い均一な膜を作ることができ、電子線・Ｘ線レジスト、
絶縁超薄膜、配向処理剤等広い応用が可能である。
〔実施例４〕
実施例１と同じ水と空気の界面に、ステアリン酸のへ平
サン溶液（濃度［１，ｏ ５１１／１０Ｑｍｔ ）を静
かに滴下、展開、シ几後に水層にＱ、４Ｍになるように
、Ａｔａｔｊを加えてから１時間靜置して溶媒の除去と
遊離酸のａ塩への置き換えを行つ几後、膜を基板に付着
・累積させｔ０表面圧は３ Ｂ ｄｙｎ／ｘ 。基′（
の浸種条件は入れるとぎＩ Ｑ’ 、ａ出すときＦｉｆ
７５°の角度で、浸種速度が２ ｍ／ｍ１ｆＬまでは膜
が付着した〇これは膜物質が剛直な危め従来水平付着法
でＸ膜しか作れなかっ念ものである。この様に膜物質の
多様化ができることで、累積膜の厘料の再設計性の範囲
を広げることｂｔでき多種多様の用途に対応した有機薄
膜を作りあげることができる。
サン溶液（濃度［１，ｏ ５１１／１０Ｑｍｔ ）を静
かに滴下、展開、シ几後に水層にＱ、４Ｍになるように
、Ａｔａｔｊを加えてから１時間靜置して溶媒の除去と
遊離酸のａ塩への置き換えを行つ几後、膜を基板に付着
・累積させｔ０表面圧は３ Ｂ ｄｙｎ／ｘ 。基′（
の浸種条件は入れるとぎＩ Ｑ’ 、ａ出すときＦｉｆ
７５°の角度で、浸種速度が２ ｍ／ｍ１ｆＬまでは膜
が付着した〇これは膜物質が剛直な危め従来水平付着法
でＸ膜しか作れなかっ念ものである。この様に膜物質の
多様化ができることで、累積膜の厘料の再設計性の範囲
を広げることｂｔでき多種多様の用途に対応した有機薄
膜を作りあげることができる。
〔実施例５〕
実施例１と同じ水と空気の界面に、ステアリン酸のヘキ
サン溶液（濃度０．０５ ｌＩ／１００−）を静かに滴
下、展開後水層に０．４Ｍになるようにｃｄｃ４を加え
てからＫＨＯＯ，を約１０−’Ｍ加えてＰＨｆ：６．８
〜７、４ ＶＣ調節し、１時間放置して遊離酸のｃｄ塩
への置き換えと溶媒の単分子膜からの除去を行った。
サン溶液（濃度０．０５ ｌＩ／１００−）を静かに滴
下、展開後水層に０．４Ｍになるようにｃｄｃ４を加え
てからＫＨＯＯ，を約１０−’Ｍ加えてＰＨｆ：６．８
〜７、４ ＶＣ調節し、１時間放置して遊離酸のｃｄ塩
への置き換えと溶媒の単分子膜からの除去を行った。
その後、膜を基板に付着・累積させ次。表面圧は３５〜
３７ｄｙｚ廓とやや高めｌｃ［持した。基板の浸種条件
は入れるとき、出すとき共に２０°以下とし浸種速度は
４ ｔｙ’ｔｎｉ ｎとし几。この条件で裏面（界面に
近い側）では親油処理をしてあれば入れるときにメニス
カスｈＺでき、電子線回折からＸ膜ができていることが
確認し７？：、ま比表面（界面から遠い側）は親水性処
理がしてあれば５〜９層位までけ膜厚測定によって完全
に累積してオリ、電子線回折より２膜であることを確認
し比。しかし１０層寸近で付着は不完全となり多くの層
にわたって完全な２膜を付けるのには水層のＰＨ調節等
と併用しなければならない。また、これら作ったＸ膜・
２膜の上にさらＫＹＩＩｉ、を寸けるのは単に実施例１
と同様に入れる時４５°、出すとき１３５°に基板の角
度にするだけで良かつ几。これｋより、容易にＸ膜また
け２膜と、Ｙ膜の作りわけが可能であり。
３７ｄｙｚ廓とやや高めｌｃ［持した。基板の浸種条件
は入れるとき、出すとき共に２０°以下とし浸種速度は
４ ｔｙ’ｔｎｉ ｎとし几。この条件で裏面（界面に
近い側）では親油処理をしてあれば入れるときにメニス
カスｈＺでき、電子線回折からＸ膜ができていることが
確認し７？：、ま比表面（界面から遠い側）は親水性処
理がしてあれば５〜９層位までけ膜厚測定によって完全
に累積してオリ、電子線回折より２膜であることを確認
し比。しかし１０層寸近で付着は不完全となり多くの層
にわたって完全な２膜を付けるのには水層のＰＨ調節等
と併用しなければならない。また、これら作ったＸ膜・
２膜の上にさらＫＹＩＩｉ、を寸けるのは単に実施例１
と同様に入れる時４５°、出すとき１３５°に基板の角
度にするだけで良かつ几。これｋより、容易にＸ膜また
け２膜と、Ｙ膜の作りわけが可能であり。
多くの機能膜への応用が可能である。
従来、垂直浸積法で作られてい膜物質については大幅な
生産性の向上が入られ、２５倍から１０倍穆度ｋまで浸
種速度を上げることができ、基板の傾きを変化させる時
間を含めても従来の％〜１／９の時間で同一の品質の膜
を作ることができた。また従来と水平は漕法での入作る
ことができ膜物質についても本発明により容易に有機薄
膜を作ることができ、その生産性は水平付着法の１０倍
〜数十倍に達した。さらに、Ｙ膜、ｘＷＸ、Ｚ膜のいず
れも比較的容易に作れ、途中で構造を変化させてもほぼ
同一の条件で作ることができ比。さらに従来の垂直浸積
法や水平は漕法では作ることのできなかつ膜物質につい
てもあまり困難でない条件で膜を作ることができ友。さ
らにＹ模を作るときには作りたい面の反対側ではほとん
ど膜物質が付着せず、膜物質の消費量の減少と、それに
併って膜物質の展開繰作回数の減少による生産性の向上
もみられた。
生産性の向上が入られ、２５倍から１０倍穆度ｋまで浸
種速度を上げることができ、基板の傾きを変化させる時
間を含めても従来の％〜１／９の時間で同一の品質の膜
を作ることができた。また従来と水平は漕法での入作る
ことができ膜物質についても本発明により容易に有機薄
膜を作ることができ、その生産性は水平付着法の１０倍
〜数十倍に達した。さらに、Ｙ膜、ｘＷＸ、Ｚ膜のいず
れも比較的容易に作れ、途中で構造を変化させてもほぼ
同一の条件で作ることができ比。さらに従来の垂直浸積
法や水平は漕法では作ることのできなかつ膜物質につい
てもあまり困難でない条件で膜を作ることができ友。さ
らにＹ模を作るときには作りたい面の反対側ではほとん
ど膜物質が付着せず、膜物質の消費量の減少と、それに
併って膜物質の展開繰作回数の減少による生産性の向上
もみられた。
第１図けＹ膜を作成するときの基板下降時の側面図であ
り、第２図は基板上昇時の側面図であり、１４５図はＸ
膜・２膜作成時の側面図である。 第４図及び第５図は従来技術である垂直授精法水平付漕
法の側面図である。 以 上長長罎韓迄ｐ４１
う釦■ 第４−図 ７ト２Ｓ１４ｆ４ ＞ムめイ響１６０困第５図
り、第２図は基板上昇時の側面図であり、１４５図はＸ
膜・２膜作成時の側面図である。 第４図及び第５図は従来技術である垂直授精法水平付漕
法の側面図である。 以 上長長罎韓迄ｐ４１
う釦■ 第４−図 ７ト２Ｓ１４ｆ４ ＞ムめイ響１６０困第５図
Claims (1)
- 液−液又は気−液界面に単分子膜を展開し、それを基板
に付着累積させるときに、基板を保持する方向を界面に
対して傾けて、その方向に基板を下降、上昇させること
によって、基板への単分子膜の付着のしやすさを換える
ことを特徴とする有機薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12338385A JPS61283377A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 有機薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12338385A JPS61283377A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 有機薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61283377A true JPS61283377A (ja) | 1986-12-13 |
Family
ID=14859219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12338385A Pending JPS61283377A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 有機薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61283377A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101256280B1 (ko) | 2010-10-29 | 2013-04-18 | 경희대학교 산학협력단 | 경사형 딥코팅 장치 |
| JP2017521265A (ja) * | 2014-04-29 | 2017-08-03 | ソル ヴォルテイックス エービーＳｏｌ Ｖｏｌｔａｉｃｓ Ａｂ | ナノワイヤの集合体を捕集および整列する方法 |
-
1985
- 1985-06-06 JP JP12338385A patent/JPS61283377A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101256280B1 (ko) | 2010-10-29 | 2013-04-18 | 경희대학교 산학협력단 | 경사형 딥코팅 장치 |
| JP2017521265A (ja) * | 2014-04-29 | 2017-08-03 | ソル ヴォルテイックス エービーＳｏｌ Ｖｏｌｔａｉｃｓ Ａｂ | ナノワイヤの集合体を捕集および整列する方法 |
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