JPS61281621A - 半導体回路装置 - Google Patents

半導体回路装置

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Publication number
JPS61281621A
JPS61281621A JP60123252A JP12325285A JPS61281621A JP S61281621 A JPS61281621 A JP S61281621A JP 60123252 A JP60123252 A JP 60123252A JP 12325285 A JP12325285 A JP 12325285A JP S61281621 A JPS61281621 A JP S61281621A
Authority
JP
Japan
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circuit
output
logic
input
level
Prior art date
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Pending
Application number
JP60123252A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuaki Itsunoi
五ノ井 克明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPS61281621A publication Critical patent/JPS61281621A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/09432Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors with coupled sources or source coupled logic
    • H03K19/09436Source coupled field-effect logic [SCFL]

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、入力回路、出力回路及び処理回路の夫々がF
ET論理回路を用いて構成されている半導体回路装置に
関するものである。
〔発明の概要〕
本発明による半導体回路装置は、上記の様な半導体回路
装置において、少なくとも入出力信号をソース結合型F
ET論理回路で入出力すると共に、入力後で出力前の信
号を直結型FET論理回路でも処理することによって、
他の回路装置におけるエミッタ結合型論理回路との論理
レベルの共存を容易に実現することができしかも消費電
力を低減させることができる様にしたものである。
〔従来の技術〕
GaAs等の化合物半導体で形成されたFETを有する
回路装置は、Si等の元素半導体で形成されたバイポー
ラトランジスタを有する回路装置に比べて高速の処理速
度を有しているが、製造が容易でなくしかも高価である
。従って、特に高速性を要求される回路装置のみを化合
物半導体で形成し、その他の回路装置を元素半導体で形
成することによって、全体のコストを低減することが考
えられている。
一方、Si半導体で形成された回路装置のうちでは、エ
ミッタ結合型論理回路(E CL)を有する回路装置が
、比較的高速であり、相補出力を得ることができるので
雑音にも強い。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところでFET論理回路には、直結型FET論理回路(
D CF L)やソース結合型FET論理回路(S C
F L)等がある。しかし、GaAs回路装置をDCF
Lのみで構成すると、このDCFLとECLとでは論理
レベルに共存性が無いので、GaAs回路装置と共にS
i回路装置を使用することができない。
これに対して、5CFLはECLと構成が類似している
こともあって論理レベルを共存させ易く、GaAs回路
装置と共にSi回路装置を使用することができる。しか
し5CFLは、消費電力が大きい。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明による半導体回路装置では、少なくとも入力回路
及び出力回路が夫々ソース結合型FET論理回路理回、
25によって構成されると共に、これらのソース結合型
ソース結合型FET論理回路11.25以外のFET論
理回路として直結型FET論理回路12,13.21が
用いられている。
〔作用〕
本発明による半導体回路装置では、少なくとも入出力信
号はソース結合型FET論理回路11゜25によって入
出力され、入力後で出力前の信号は直結型FET論理回
路12,13.21によっても処理される。
〔実施例〕
以下、GaAs回路装置に適用した本発明の一実施例を
第1図及び第2図を参照しながら説明する。
第1図は、本実施例のうちの入力部を示している。この
入力部では、5CFLIIによって構成されている入力
回路の相補出力が、処理回路の一部を構成している一対
のDCFL12.13へ入力されている。
外部のSi回路装置(図示せず)のECLから5CFL
11へ入力される論理レベルつまり入力電圧V inは
、高レベル=−1,0V程度、低レベルー−1,8V程
度である。このために5CFLIIでは、電源電圧をV
IID=OV、Vss+ =  5.OVトし、基準電
圧をV−r =  1.5 Vとしている。この結果、
5CFLIIの出力ノード14における論理レベルを、
高レベル=−0,2V程度、低レベル=−1,0V程度
とすることができる。
そしてDCFL12.13においても、論理レベルが高
レベル=−0,2V程度、低レベル=−1,0V程度と
なる様に、電源電圧をVI、o” OV、■8,2=−
1.2Vとしている。従って、入力回路である5CFL
IIを処理回路の一部であるDCFL12.13に接続
することが可能となっている。
なお、処理回路の一部として一対のDCFL12.13
が用いられているのは、5CFL11によって得られた
相補出力を利用するためである。
また、相補出力を利用するために、DCFLのみではな
く5CFLをも処理回路内で用いる様にしてもよい。
第2図は、本実施例のうちの出力部を示している。この
出力部では、処理回路の一部を構成しているDCFL2
1の出力がレベル変換用のソースフォロワ22へ入力さ
れ、更にこのソースフォロワ22の出力が駆動能力拡大
用のソースフォロワ23.24を有する5CFL25へ
入力されている。なお電源電圧は、第1図に示した入力
部と全く同じである。
DCFL21から出力される論理レベルは、既述の如<
、高レベル=−0,2V程度、低レベル=−1,0V程
度である。しかしこの論理レベルは、ソースフォロワ2
2を介することによって、5CFL25の論理レベルと
合致する様に、高レベル=−1,0V程度、低レベル=
−1,8V程度へ変換される。
そして、5CFL25で相補出力が作られ、この相補出
力は駆動能力を拡大された後に出力電圧■。、とじて外
部のSt回路装置(図示せず)のECLへ入力される。
なおFETとしては、DCFL12,13.21の駆動
用FETのみにエンハンスメント型の接合形FET31
が用いられており、他のFETにはデプレッション型の
ショットキバリア形FET32が用いられている。これ
は、デプレッション型のFETをも接合形FETにする
ためには■いの異なる2種類の接合形FETを作成する
必要があり、この作成が容易ではないためである。
〔発明の効果〕
本発明による半導体回路装置では、少なくとも入出力信
号がソース結合型FET論理回路によって入出力される
ので、他の回路装置におけるエミッタ結合型論理回路と
の論理レベルの共存を容易に実現することができる。
また、入力後で出力前の信号は直結型FET論理回路に
よっても処理されるので、消費電力を低減させることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の一実施例の夫々入力部及び
出力部を示す回路図である。 なお、図面に用いた符号において、 11.25−−−−−−−−−−−ソース結合型FET
論理回路12.13.21−・−直結型FET論理回路
である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 入力回路と出力回路とこれらの入力回路及び出力回路の
    間に接続されている処理回路とを夫々具備し、これらの
    回路がFET論理回路を用いて構成されている半導体回
    路装置において、 少なくとも前記入力回路及び前記出力回路が夫夫ソース
    結合型FET論理回路によって構成されると共に、 これらのソース結合型FET論理回路以外のFET論理
    回路として直結型FET論理回路が用いられていること
    を特徴とする半導体回路装置。
JP60123252A 1985-06-06 1985-06-06 半導体回路装置 Pending JPS61281621A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63253722A (ja) * 1987-04-09 1988-10-20 Nec Ic Microcomput Syst Ltd レベルシフト回路
JPH0730402A (ja) * 1992-02-14 1995-01-31 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 電圧レベル変換回路

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JPS5415650A (en) * 1977-06-21 1979-02-05 Handotai Kenkyu Shinkokai Semiconductor ic
JPS5936632B2 (ja) * 1975-06-06 1984-09-05 セメダイン (株) 新規エポキシ化合物の製造法

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