JPS61280120A - コンフイグラブルロジツクアレイ - Google Patents

コンフイグラブルロジツクアレイ

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JPS61280120A
JPS61280120A JP60121357A JP12135785A JPS61280120A JP S61280120 A JPS61280120 A JP S61280120A JP 60121357 A JP60121357 A JP 60121357A JP 12135785 A JP12135785 A JP 12135785A JP S61280120 A JPS61280120 A JP S61280120A
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logic array
configurable logic
lead
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JP60121357A
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ロス・エイチ・フリーマン
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Xilinx Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、プログラマブル−ロジックアレイ(PLA 
: Programmable Logic Arra
y)に関し、特に任意の要求される機能を実現する論理
要素を構成するために、半導体チップ上に形成された複
数の論理要素をチップ上にてプログラムし得る構造に関
する。
〈従来の技術〉 ゲートアレイは従来から良く知られている。一般に、ゲ
ートアレイは、所望の論理機能を実現するように、基本
となるベースアレイ中の複数の能動素子を様々な態様に
て相互接続することにより製造される。ゲートアレイが
より複雑になるにつれて、ベースアレイ中の能動素子の
特定の態様の相互接続により実現される論理のシミュレ
ーションはより困難となり、通常コンピュータプログラ
ムを用いて実行されることとなる。
〈発明が解決しようとする問題点〉 完成したゲートアレイを構成するベースアレイ中の能動
素子の実際の接続レイアウトは、当該技術分野では周知
の形式のコンピュータ支援式設計用プログラムを用いて
決定される。このような構造を設計する過程は複雑であ
り、また論理シミュレーション、検査プログラム及び半
導体素子レイアウトプログラムの使用を必要とするため
、当然高価なものとなる。従って、ベースアレイからの
所定の論理機能の実行を大幅に単純化し得る代替手段が
望まれている。
く問題点を解決するための手段〉 本発明によれば、コンフィグラブルロジックアレイ(C
onfiaurable Looic Array) 
 (以下CLAと略記する)が提供される。この構造に
よれば、完成した集積回路(IC)の構成を、時に応じ
て(たとえ集積回路がシステム中に設置された後でも)
変化させることにより、同一の集積回路から複数の論理
機能を獲得することができる。
本発明によれば、複数のコンフィグラブルロジックエレ
メント(以下OLEと略記する)を用いることにより、
当該集積回路が構成するシステムが果すべき課題に応じ
て、複数の異なる論理機能の内の任意のものを果し得る
ような新規な形式の集積回路が実現される。OLEとは
、複数の論理機能の内の任意のものを実現し得るように
、コントロールビットに応答して動作するスイッチによ
って電気的に相互接続されることのできるデバイスの組
合せを意味する。
本発明のCLAは複数のOLEからなり、各OLEはA
NDゲート、フリップフロップ、インバータ、NORゲ
ート、エクスクル−シブORゲートその他それらの組合
せによって実現される複数の機能を獲得するのに必要な
すべての回路要素を含んでいる。本発明に従ってOLE
により実行される任意の機能は、コントロールロジック
からOLEに与えられるコントロール信号によって決定
される。
本発明の1つの実施例によれば、OLEは物理的な構造
に何等の変化も伴わず、与えられたコントロール信号に
応じて、ANDゲート、ORゲート、NORゲート、N
ANDゲート、エクスクル−シブORゲートその他いか
なる論理要素としても機能し得る。本発明によれば、各
OLEに於いて任意の機能を選択し得るような構造が提
供される。これは、各OLEの構造を制御するコントロ
ール信号を記憶し生成するコントロールロジックを用い
ることにより達成される。
本発明の1つの実施例に於ては、コントロールロジック
は、OLEを含む集積回路チップの一部として構成され
、コントロール信号は、コントロールロジックにより記
憶され転送される。しかしながら、必要に応じて、コン
トロール情報が、この集積回路の外部にて記憶または生
成され、そしてピンを通してOLEに転送されるように
しても良い。
一般に、本発明によれば、コントロール信号の所定の1
組がOLEに転送され、当該OLEの構造を制御する。
コントロールロジックは、このようにコントロールビッ
トの任意の1組を各OLEに転送するように構成されて
いる。集積回路チップ上のOLEに転送される実際のコ
ントロールビットの組は、集積回路チップ又はチップ上
の各OLEにより実行されるべき機能に応じて定められ
る。チップ上の各論理要素の構成は、意図されたチップ
全体の機能及びチップの部分としてのOLEについて意
図された配合構造により決定される。
このようにして形成された構造はコンフィグラブルロジ
ックアレイ或いはCLAとして知られており、またこの
アレイ中の各論理要素はコンフィグラブルロジックエレ
メント或いはOLEとして知られている。
一般に、各集積回路チップは、コントロールロジックに
加え、またコントロールロジックに組合されて特定のチ
ップ上データルート決定回路を有している。1つの実施
例に於ては、OLEの構造を形成するために用いられる
特定のデータを、メモリに記憶し、更にそのデータをメ
モリからチップ上のOLEの中、或いCLEに組合され
ているダイナミックシフトレジスタ及びスタティックラ
ッチエレメントとの新しい組合せに転送することにより
、チップ上データルート決定回路が実現される。
く作用〉 本発明の技術は、実施例に示されているように、Pチャ
ンネル、Nチャンネル或いはCMOSテクノロジー等に
応用し得る汎用性を有するものである。また、本発明の
原理を応用した構造は、必要に応じて、その他のいかな
る半導体技術を用いても実現可能である。本発明のダイ
ナミックシフトレジスタ及びスタティックラッチエレメ
ントからなる新規な構成は、構造的なオーバヘッド(即
ちアクセス回路及びルーチン回路)を、チップ全体の有
用な論理機能に比べて小さくし得る点で特に有用である
。特に重要なことは、ダイナミックシフトレジスタ及び
スタティックラッチエレメントからなる新規な構成を本
発明のCLAを実現するために用いた場合には、各OL
Eに於てアドレス指定、データ選択或いはデコーディン
グを必要としない点にある。
〈実施例〉 以下、本発明の好適実施例を添付の図面について詳しく
説明する。
以下の詳細な説明は、本発明の特定の実施例に関するも
のであって、本発明を限定するものではない。当業者で
あれば、以下の説明により本発明の他の実施例も、自ず
と明らかになろう。
第1図は、OLEに集積し得る具体的な論理機能を図示
している。第1図に示された28通りの機能は単に説明
として挙げただけであり、もし必要であれば、その他の
要素も集積することができる。以下の第1表にこれらの
論理機能を列挙する。
(以下余白) 第1表 Lu  機能 I     ANDゲート 2     NANDゲート 3    反転入力を有するANDNOゲート   反
転入力を有するNANDゲート5    0Rゲート 6     NORゲート 7    エクスクル−シブORゲート8    エク
スクル−シブNORゲート9   3人力ANDゲート 10    3人力NORゲート 11   3人力ORゲート 12   3人力NORゲート 13     ANDゲートを有する1つの入力を有す
るORゲート 14     ANDゲートを有する1つの入力を有す
るNORゲート 15   0Rゲートを有する1つの入力を有するAN
Dゲート 16    0Rゲートを有する1つの入力を有するN
ANDゲート 17   1つの反転入力を有する3人力ANDゲート 18   1つの反転入力を有する3人力NORゲート 19   1つの反転入力を有する3人力ORゲート 20    1つの反転入力を有する3人力NORゲー
ト 21   2者択一人力のマルチプレクサ22   2
者択一反転入力のマルチプレクサ 23     リセットを有するD”フリップフロップ 24     セットリセットラッチ 25     リセット及び反転出力を有する′“D″
フリツプフロツ プ6     リセット及び反転出力を有するセットリ
セットラッチ 27     セットを有する“D″フリツプフロツ プ8     セット及び反転出力を有する゛′D″フ
リップフロップ (以下余白) 本発明によれば、その他の論理要素も実現し得ることは
云うまでもない。
第2図は、二つの変数A、Bを伴うすべての有用な機能
を実現し得る1つの可能な論理要素の内部論理構造を示
しており、その機能は第1図に承れる。例えば、第2図
に示された構造を用いてANDNOゲートを実現するた
めに、A、Bとしてそれぞれラベル付けされた入力リー
ドが、各々構造コントロールリードC1、coに加えら
れたハイレベル信号により、インバータ21.22を迂
回するようになっている。構造コントロールリードC1
、coは、それぞれ、公知のパストランジスタ29C1
29dに接続されている(本明細書中に於いて、パスト
ランジスタ29G、29dは円により囲まれた記号によ
って表示される)。
ローレベル信号は構造コントロールリードCo1C1、
C4に作用する。ここで、構造コントロー(−行余白) ルC8,C1及びその他のあらゆるリードがNチンネル
MOSパストランジスタに接続されているとすれば、コ
ントロール信号C2、C2、C3、C3は“どうであっ
ても良い″。即ち、これらの信号は、ハイレベルであろ
うがローレベルであろうが、出力信号に影響を与えるこ
とがない。
更に、C5上のハイレベル信号はANDゲート25をイ
ネーブルさせる。ANDゲート25からのハイレベル信
号は、NORゲート26を通過する。NORゲート26
からの信号はローレベル信号としてMOSトランジスタ
29a(ソースは接地されており、ドレインは出力リー
ド28に接続されている)を遮断し、NORゲート27
を介してNチャンネルトランジスタ29b(ドレインが
電源に接続されており、ソースが出力リード28及びN
チャンネルトランジスタ29aのドレインに接続されて
いる)を導通させる。
以上説明したように構造形成された第2図の構造はAN
Dゲートとなる。構造形成に際して、該構造内の適当な
パストランジスタ及びゲートを活性化するために構造コ
ントロールリードcm−c5に加えられるべきコントロ
ール信号を適当に選択することにより、その伯の論理機
能を実現するこができる。
第3A図は、16ビツトRAMを示しており、このRA
Mは16通りの可能な入力信号のいずれにも反応して出
力信号を発生する。このようにして、入力信号へ及びB
は、Xデコーダが16ビツトRAM中の4つのコラムの
うちいずれかを選択するかを制御する。入力信@C及び
DはYデコータが16ビツトRAM中の4つのロウのう
ちいずれを選択するかを制御する。16ビツトRAMは
選択されたロウとコラムとの交点に於けるビットで代表
される出力信号を発生する。このような交点は16個あ
り、そのために16個のそのようなビットが存在する。
16のビットによって表現し得る機能の組合せは216
通りある。従って、NORゲートをRAM中の16ビツ
トによってシミュレートしようとしたならば、RAMに
対するカルノーマツプが第3C図に示されたようになる
。第3C図に於ては第10つ(A=OSB=Oを示して
いる)と第1コラム(C=O,D=Oを示している)と
の交点に於けるビット以外はすべてOである。比較的頻
繁には用いられない機能が16ビツトRAMによって実
現されるように要求される場合には(例えば、A=1、
B=O,C=O,D=Oに対して出力信号1を発生する
場合)、その時には2進数「1」が第20つと第1コラ
ムとの交点に記憶される。
A=O1B=O,C=O1D=0の場合及びA=1、B
=O,C=O1D=Oの場合に2進数「1」を発生しよ
うとする場合、2進数「1」は第1コラムと第10つ及
び第20つとの交点に記憶される。RAMをこのように
ローディングすることによりに表現される論理回路は、
第3D図に示されたものとなる。このように、第3A図
のRAMは216通りの論理機能を簡潔かつ巧妙に実現
する態様の一例を示している。
第3B図は、16個のビットのいずれをもを選択的に発
生するための別の構造を示している。左側に「16セレ
クトビツト」とラベルされた縦の欄の中の各レジスタは
選択された信号、即ち2進数「1」又はrOJを保持し
ている。A、B、C1Dの組合せを適当に選択すること
によって、16セレクトピツトレジスタ於ける16個の
位置の内の特定の1つの中に保持されているビットが出
力リードに転送される。このように、例えば、第ルジス
タのビットを出力リードに転送するためには、信号A、
B、C,Dがそのようにラベル付けされているリードに
加えられなければならない。
16セレクトピツトレジスタの内の16個の位置の内で
「15」とラベル付けされている信号を出力リードに転
送するためには、信@A、B、C1及びDはそのような
コラムに加えられなければならない。このようにしても
、この構造により216通りの論理機能を実現すること
ができる。
第4A図は、9つのOLEを含む本発明に基づ<CLA
の1つの実施例を示している。第4A図に示されている
ように、9つのOLEは、相互接続線及びリード同士を
結ぶ種々のスイッチと共に集積回路チップ上に設けられ
ている。論理要素40−1〜40−9は、それぞれ、第
2図に示されるような回路の集合、或いは第2図につい
て前記したような任意の複数の論理機能を実行し得るよ
うに構造形成され得る同様な構造の回路の集合を表して
いる。
回路をプログラムするために選択された信号は、構造コ
ントロール入力リードとして特定された入力リードに加
えられ、それによって各論理要素が所定の論理機能を発
揮する。第4A図に於ては、構造コントロール信号の入
力リードとして特別に特定されているものはない。しか
し、任意のI10パッドをこのような目的のために特定
することが可能である。
構造コントロールビットは、適用される設計思想に応じ
て、シリアルに或いはパラレルにCLAにインプットす
ることができる。集積回路チップが所定通り機能してい
るときに、構造コントロール信号を各CLEにシフトイ
ンし、かつ各論理要素の動作をコントロールするために
、別のI10パッドを、論理要素をクロックする入力ク
ロック信号のために用いることができる。論理要素40
−1〜40−9の組合せが、CLAのための所望の論理
出力を発生する。第4B図は、第4八図中に用いられた
相互接続線の記号の意味を示している。
論理要素40−1 (第4A図、第4B図)等の論理要
素の構造を形成するために、複数のビットが、例えば第
2図に示されたリードco−05のような構造コントロ
ールリードに加えられなければならない。これを実現す
るために、本実施例に於いては、シフトレジスタがOL
Eの一部として用いられている。
第5図は、本発明に基づく新規なシフトレジスタを示し
ている。第5図のシフトレジスタは2つの基本記憶セル
を有している。各記憶セルは1ビツトの情報を記憶する
ことができる。勿論、実際のシフトレジスタは、上述の
シフトレジスタを部分とする論理要素の構造を形成する
ために必要な数の記憶セルを備えている。作動時には、
入力信号が入力リード58に加えられる。
この入力信号(第6D図に示されている)は、所要の論
理機能を実行し得るように各OLEに加えられるべき、
或いは後記する要領でリード同土間の相互接続線の構造
を形成するために、構造コントロールビットとしてシフ
トレジスタ中に記憶されるべきパルスを含んでいる。
このように入力リード58に作用する1連のパルスは、
シフトレジスタの記憶セルに記憶された場合に、要求さ
れる機能及び接続、或いはその一方を実行するのに適し
た要領で構造コントロールビットを活性化し得るような
パルスを表している。
例えば、第2図の回路でANDゲートを形成しようとす
るならば、パルスCo1C1、C2、C3、C4、C5
は1.1、X、X、0,1によって表されることとなる
入力リード58に加えられた一連のパルスは、入力リー
ド57.59に各々加えられるクロッキングパルスφ1
、φ2により同期される。即ち、動作の始めの周期に於
てはクロッキングパルスφ1はハイレベルになり(第6
A図)、クロッキングパルスφ2はローレベルになり(
第6B図)、ホールド信号(第6C図)は、シフト動作
の間口−レベルであり、それらによって、順番に接続さ
れたシフトレジスタのセル5−1.5−2、・・・中の
データの通過を促進する。
シフトレジスタ中にパターンr01010Jをシフトす
るためには、以下のような動作が行われる。
クロッキング時間t1の凡そ前半の周期の間、リード5
8上の入力信号はローレベルである。インバータ51−
1の出力信@Q1は、ローレベル入力信号及びクロッキ
ングパルスφ1のハイレベルに反応してハイレベルにな
り、パストランジスタ53−1をイネーブルさせる。ク
ロッキング周期t1の時間経過に伴いクロッキング信号
φ1がローレベルとなり(第6A図)、その後直ちにク
ロッキング信号φ2がハイレベルとなり(第6B図)、
パストランジスタ55−1がイネーブルされる。
従って、ハイレベル出力リードQ1は、イネーブルされ
たパストランジスタ55−1によってインバータ52−
1の入力リードに転送され、そこでインバータ52−1
の出力リードにローレベル出力信@Q1を発生させる。
従って、周期°t1の終了時点に於いで、インバータ5
2−1の出力リードQ1は(第6F図)はローレベルと
なる。このとき、第2番目のセルのインバータ51−2
.52−2からの信号を既知の状態に変える信号が未だ
第2の記憶セル5−2に伝えられていないため、第2番
目のセルのインバータ51−2.52−2からの出力信
号Q2 、Q2は未だ不確定の状態にある。
第2の周期(第6A図に於て12として示されている)
の開始時点に於て、φ1はハイレベルにあり(第6A図
)、また、φ2は、周期t1が終了する前にローレベル
となっているため、ローレベルのままである(第6B図
)。入力信号(第6D図)が、2進数「1」で表される
ハイレベルになっているため、インバータ51−1の出
力信号Q1はローレベルとなる。インバータ52−1の
出力信号Q1は、ローレベル信号φ2によってパストラ
ンジスタ55−1が遮断されたままであるためにローレ
ベルのままである。
第2周期に入りしばらくすると、φ1はローレベルにな
り僅かな時間の遅れを伴いφ2がハイレベルになる。こ
のとき、出力信号Q1は、パストランジスタ55−1を
通ってインバータ52−1に転送され、インバータ52
−1の出力信号Q1をハイレベルにする。一方、周期t
2の間、Qlがハイレベルであるときに、それまでロー
レベルQ1によりインバータ51−2の出力信号02を
ハイレベルにするため、パストランジスタ53−2がイ
ネーブルされ、周期t2の後半の期間に於けるφ2のロ
ーレベルからハイレベルへの変化が、パストランジスタ
55−2をイネーブルし、インバータ52−2の出力信
号02をローレベルにする。
このようにして、リード58(第6D図)上の入力信号
は、シフトレジスタの各セル5−1.5−2.5−3、
・・・を通って転送される。所望の情報をシフトレジス
タに転送したなら、ホールド信号(第6C図)はイネー
ブルされ(例えばハイレベルにされる)、それによって
、各セルに情報を継続的に保持するべく、フィードバッ
クリード50−1.50−2.50−3、・・・をイン
バータ52の出力リードからインバータ51の入力リー
ドに接続する。作動時に於ては、所定のセル5に保存さ
れた信号は、構造コントロール、或いは内部接続パスデ
バイスに接続される。
・・は、論理ユニット、或いは構造形成可能な内部接続
パスデバイスの4M造影形成コントロール入力直接接続
される。
φ1がローレベルのとき、φ2及びホールド信号をハイ
レベルとすることにより、データを継続的に保持するこ
とができる。φ1及びφ2をいずれもハイレベルとし、
ホールド信号をローレベルとすることにより、入力をセ
ツティング、或いはクリアして、シフトレジスタ全体を
セット或いはクリアすることができる。このようにして
シフトレジスタをクリアするためには、信号がシフトレ
ジスタ全体の長さを伝達することによる成る程度のセッ
ト・リセットタイムが必要となることは止むを得ない。
当然、この時間はシフトレジスタの全長に依存する。
シフトレジスタは、ダイナミックフェイズに於いて、シ
フトレジスタのインバータ51−1.52−1.51−
2.52−2、・・・を有するトランジスタ(第5図で
は示されていないが良く知られている)のゲート上を電
荷として転送される情報を記憶することにより動作する
。これらのインバータは良く知られている設計であり、
詳細な説明を省略する。
ダイナミックシフトレジスタは6つのトランジスタを使
用するもので、必要となる面積が小さくて済むことから
、ダイナミックシフトレジスタを利用する点に、本発明
の重要な特徴がある。ダイナミックシフトレジスタは、
たった1つのトランジスタを付加することによりスタテ
ィックラッチに転換することができる。従って、回路を
複雑化することなく、また多大な半導体面積を必要とす
ることなく、OLEの一部として、このダイナミックシ
フトレジスタとスタティックラッチとの新規な組合せを
容易に製造することができる。シフトレジスタをホール
ドするとデータが自動的にリフレッシュされることから
、「ホールド」信号によって、ダイナミックシフトレジ
スタを極めて低い周波数にて駆動することが可能となる
。それ故、別途のリフレッシュ回路を必要としない。
以上の説明により、この新規なダイナミックシフトレジ
スタ・スタティックラッチ回路が、一旦ホールドポジシ
ョンにラッチされれば、リフレッシュされる必要がない
という点に特徴を有することが理解できよう。これは、
例えばセル5−1のり−ド50−1及びパストランジス
タ54−1からなるフィードバック回路の使用により実
現される。
第7A図は、複数のCLEを含むCLAの異なる実施例
を示している。特に、0LE70−1.70−2.70
−4及び70−5は全体が示されているが、0LE70
−3.70−6及び7〇−7〜70−9までは部分的に
のみ示されてる。特に、後者の5つのOLEに関しては
、それらの相互接続線の全体が示されていない。第7A
図で示された構造は、本発明のCLAを用いて実現され
得る構造及び接続形式を例示するものであり、特定の機
能を実行するように構成された実際的な回路を示しては
いない。
第7A図に示されたように、特定のリードの相互接続は
、複数の手段(例えば相互接続構造)のいずれを用いて
行っても良い。第7A図に於いて用いられている相互接
続を表す記号が第7B図に於いて図式的に説明されてい
る。特に、種々の相互接続を現わす図式的記号は成る程
度自明なものであるが、ここで用いられている表記法が
第9A図〜第9G図に於いて解説されている。
第9A図は、水平方向のリード90−1と垂直方向のリ
ード90−2との間の交差接続を実現するための種々の
態様を示す概略図である。第9A図に於ては、パストラ
ンジスタ2は、導通状態になった時、リード90−3を
リード90−1に接続する。パストランジスタ1が導通
したとき、リード90−3とリード90−4とが接続す
る。パストランジスタ4が導通したとき、リード9〇−
4とり−ド90−2とが接続し、パストランジスタ3が
導通したとき、リード90−1とリード90−2とが接
続する。パストランジスタ5及びパストランジスタ6が
遮断されたとき、それぞれリード90−1とり−ド90
−4とを、リード9〇−2とリード90−3とを互いに
切離す。従って、垂直なり−ド90−2と垂直なり一部
90−3とを接続しようとするならば、パストランジス
タ6が導通すれば良い。同様に水平なリード90−1と
水平なり一部90−4とを接続しようするならば、パス
トランジスタ5を導通すれば良い。複数のリードの間を
接続する可能な接続態様を言葉で説明しようとすると、
極めて複雑になる場合がある。そこで、第9B図から第
9E図に示されている表記法を採用することとする。
第9B図に於ては、複数のパストランジスタ92−1〜
92−13が示されている。第9B図に於て採用された
表記法によれば、各パストランジスタが1本の短い線分
によって表現される。従って、符号92−1により表さ
れる線分は1個のパストランジスタを表している。パス
トランジスタ92−1が、リード91−5.91−6を
相互接続し得る様子が、パストランジスタ92−1を現
わす線分の各端がリード91−5.91−6を現わす線
分に隣接していることにより表現される。
従って、パストランジスタ92−1の右端93aは、リ
ード91−5の端点94aに隣接しており、パストラン
ジスタ92−1の左端93bは、リード91−6の端点
94bに隣接している。
第9B図に於いては、図版の繁雑化を防ぐために、その
他のトランジスタの端点の符号を省略する。しかしなが
ら、特定のトランジスタを表わす線分とリード91−1
〜91−6の端点とが隣接していることに注目すること
により、特定のトランジスタによって接続される2つの
リードが決定される。このようにして、パストランジス
タ92−7は、水平なリード91−4と水平なり−ド9
1−1とを接続する。パストランジスタ92−13は、
水平なリード91−4と水平なリード91−2とを接続
する。パストランジスタ92−12は、リード91−3
とり−ド91−5を接続する。
同様な接続がその他のパストランジスタとその他のリー
ドとの間に於ても実現される。
以上の説明に於ては2本のリードのみが接続されると仮
定してきた。3本以上のリードを相互接続しようとする
場合に於ても、第9B図の構造を用いることができる。
リード91−3は、パストランジスタ92−10を導通
させることにより、リード91−2と接続することがで
きる。同様に、リード91−3は、パストランジスタ9
2−13を導通させることにより、リード91−4に接
続することができる。或いは、リード91−3を、パス
トランジスタ92−11を導通させることにより、リー
ド91−4に接続することもできる。
勿論、これはリード91−4を、リード91−3及びパ
ストランジスタ92−10を介して、リード91−2に
接続することにもなる。更に、リード91−6は、例え
ばパストランジスタ92−8を導通させることにより、
3つのリード91−2.91−3.91−4に接続させ
ることができる。
この設計を用いて実現され得る接続の数は、設計者の想
像力によってのみ限定される。もしすべてのパストラン
ジスタを導通させるならば、すべてのり−ド91−1〜
91−6が相互接続されることになる。
結果として得られる構造は大きなキャパシタンスを有し
ており、これを積極的に実際の回路中の要素として用い
ることができる。勿論、第9B図のすべてのリードを相
互接続することは、5個のパストランジスタを導通させ
るのみで可能である。
第9B図に於て、リード91−1とり−ド91−2との
接続及びリード91−4とリード91−5との接続は、
それぞれ別のリードを接続させることなく直接的に接続
することができない。しかしながら、これは重要なこと
ではない。何故なら、一般に、集積回路に於ては2つの
水平方向のリードが同じ信号を伝達する必要はないから
である。
第9B図が、単に互いに交差するリードの状態を便宜的
に表現するものであって、91−1と91−2とが便宜
上互いに平行をなすように表わされていたとしても、実
際の集積回路上では平行でなけば、第9B図の構造に更
に2つのパストランジスタを追加することができる。
第9D図に於いては、別の相互接続の実施例がトポロジ
ー的に示されている。第9D図に於ては、リード1〜8
が、複雑な交点に合流する要領が示されている。リード
1及びリード8は、左側にて水平方向に互いに平行をな
し、リード4及びり一部5は、右側にて水平方向に互い
に平行をなしている。リード2及びリード3は、上側に
て垂直方向に互いに平行をなし、リード6及びリード7
は、下側にて垂直方向に互いに平行をなしている。
リード6に注目すると、リード6の端点6a)よリード
1.2.3.4.5及び8のaの文字のついた側の端点
に接続可能である。リード6とり一部7とを相互接続す
ることは実際的ではない。何故な°ら、同一方向に延在
する2つのリードのうちどちらか片方だけが、その方向
に必要な情報を伝達すれば充分だからである。このよう
にして、リード6は、6通りの接続が可能であり、かつ
8本のリードがあるため、第9D図の構造は全体として
48通りの接続が可能である。各パストランジスタは、
それぞれ2つの端点を接続し1qることから、全体とし
て48個の接続を形成するためには24個のパストラン
ジスタが必要となる。
第9D図に於ては、各パストランジスタは、その端点に
、該パストランジスタによって接続されるべきリードに
対応する符号を付して表わされている。従って、パスト
ランジスタ6−8は、り一部6の端点6aとリード8の
端点8aとを接続し、パストランジスタ7−5は、リー
ド7の端点7aとリード5の端点5aとを接続する。第
9D図の構造が複雑であるために、ここでは第9B図の
説明で用いられた表記法とは若干具なる表記法(両端に
符号を付した線分)を用いた。
第9E図は、本発明の手段を用いて実現し得るタイプの
接続を図示している。相互接続されべきリードは、該リ
ードが他のリードに接続されているか否かに応じて、実
線或いは破線により示されている。これらの接続要領は
自明であるために、その詳しい説明を省略する。
第9F図は、第9D図に於て省略された4つのパストラ
ンジスタが実際に設置されたときに可能となる接続を図
示している。破線は、これらの省略されたトランジスタ
によって可能となる接続を示している。このように、第
9D図はすべての可能な接続を実現するために24個の
パストランジスタが必要であるところを、20個のパス
トランジスタのみを示している。しかしながら、第9G
図は、第9F図に示された4つのトランジスタ接続を用
いることなくリード4とリード7とを接続し得る要領を
示している。このように、リード4とリード7とを接続
するために、トランジスタ4−8によりリード4とリー
ド8とを直接的に接続し、かつトランジスタ8−7によ
ってリード8とリード7とを接続する。
第9C図は、第9D図について前記した20個のトラン
ジスタ接続の代りに、24個のトランジスタ接続を用い
た第9D図の構成を示している。
第9C図に示したように、第9D図に示されたトランジ
スタに加えて、パストランジスタ1−6.7−4.2−
5及び8−3が用いられている。図面の繁雑化を避ける
ために、パストランジスタ6−8を除いて、第9D図に
示されたその他のパストランジスタは、第9C図に於て
符号が付されていない。
以上、第9A図から第9G図に示された各接続に於いて
、1本のリードを他のリードに接続するためには、第9
G図について前記したような2つのゲートを必要とする
構成の場合を除いて、ただ1つのゲートしか必要としな
い。そのため、本発明の接続を用いて構成された回路の
動作速度は、従来技術の接続を用いて構成された回路の
動作速度よりもかなり速くなる。
第7B−1図から第7B−7図までに於いて、第7A図
から第7G図までに用いられたものと同一の表記法が用
いられている。例えば、第78−2図に於いては、20
個のパストランジスタを用いた交差点を有するソリッド
ブロックが示されている。この、20個のパストランジ
スタによる交差点は、第7B−7図に、より詳細に示さ
れており、第9D図に於て前記した交差点に丁度対応し
ている。
便宜上、第7B−1図には、T接続酸いはクロス接続が
可能であるが、フル接続は不可能な3つの1〜ランジス
タが示されている。フル接続とは、節点に集合する各リ
ード(第7B−1図に於ける4つのリード)を、所定の
節点に、或いは任意のの組合Uにて該節点に集合するリ
ードに接続し得る能力を意味している。
第7B−2図は、ロウとコラムとを接続するための1つ
のトランジスタによる接続を示している。
第7B−3図は、6つのトランジスタによるフルクロス
接続を示しており、これによれば、1つの節点に集合す
る4つのリードの各々を、他の3つのリードのうちのい
ずれとも接続することができる。第7B−4図は、交差
点に集合する6つのリードを示しており、この場合、1
0個のパストランジスタが、6本の入力リードのいずれ
をも、他の5本の入力リードの任意のものと接続して、
節点を形成することができる。第7B−5図は、4つの
リードが集合する節点を示しており、この場合、5つの
パストランジスタを用いて、2本の水平方向のリードを
垂直方向の2本のリードと接続されている。
第7B−6図は3つのトランジスタを用いた接続を示し
ており、この場合、節点に於て3本のリードのうち任意
のものを他の2本のリードのいずれとも接続することが
できる。第7B−7図は、第9D図に示されているよう
に互いに平行をなしかつ隣り合うようなリード及び第9
F図に示された4つの接続(第7B−7図の構造を用い
て直接に実現することができない)を除く8本の入力リ
ードのうち任意のものを他の8本のリードの任意のもの
に接続可能な20個のトランジスタからなる交差点を示
している。
第8A図及び第8B図は本発明のCLAを応用可能な2
つの装置を示している。第8A図に於ては、マイクロプ
ロセッサからなるマイクロコントローラは、アドレス信
号、コントロール信号及びデータ信号を発生し、これら
の信号は、マスタCLAに転送される。また、N個のス
レーブCLAも示されている。
第8A図に示されるように、各スレーブCLAの各OL
Eをコントロールするコントロールビットは、データリ
ード上をマイクロプロセッサからマスタCLAに転送さ
れる。このデータは、マスタCLAからN個のCLAの
各々にシリアルに転送される。但し、Nとは選択された
整数である。
各CLA中の各CLE中の構造をコントロールするコン
トロールビットは、スレーブCLA1、スレーブCLA
2からスレーブCLANまでを経て転送される。データ
は、第5図について前記したにシリアルシフトレジスタ
中に記憶される。適切なビットが各シフトレジスタ中の
適切な記憶セル中に位置していれば、第6C図に示され
たホールド信号がハイレベルになり、各データビットを
対応するシフトレジスタ中の適当な位置にロックし、各
CLA中の各OLEの構造が形成される。データクロッ
ク信号は、コントロールデータをクロックインするため
に、別のリードを経て各CLAに供給される。
第8A図のCLA(マスク)に向けられたアドレス矢印
は、マイクロプロセッサが、該マイクロプロセッサから
のデータを受けるマスタCLAを選択する能力を有する
ことを示している。第8B図に於ては、マスタCLAは
、各スレーブCLAの構造を形成するために、アドレス
を有する不揮発性メモリから取り出すべきデータを選択
し得るように、不揮発性メモリに対して作用することが
できる。第8A図に於て、マイクロプロセッサはチップ
外メモリ或いは他の回路(図示せず)に転送されるべき
アドレス信号を発生する。
第8B図の構造は、ROM、EPROM、或いはE2F
ROMなどに不揮発性記憶が、各CLAに転送されるべ
きコントロールビットのソースとして用いられている点
を除いて第8A図に示されたものと同様である。第8B
図の構造は、パワーがオンされたとき、或いはリセット
信号がマスタCLAに作用したときに、マスタCLAが
、不揮発性メモリからマスタCLA及びスレーブCLA
1〜NにCLAのための構造制御情報の転送を制御する
ための情報の転送を開始する点に特徴がある。この意味
で、第8B図の構造はパワーオン、或いはリセット信号
に反応して自己構造形成可能であるといえる。
本発明のCLAを用いたシングルボードマイクロコンピ
ュータが第11図に示されている。CLAlloは、チ
ップデコード機能、ラッチング機能及びシングルボード
マイクロコンピュータを実現するのに必要なその他種々
の特別な論理機能を実現する。CLAは、パワーオンか
らシングルボードマイクロコンピュータが完全に作動開
始するまでローレベルであるような出力リード(「DO
NEJ >を有している。
パワーオンされてから最初に発生することは、CLA−
110がZ8000CPU111をリセット状態にする
ことである。リセットはCPUの出力をトライステート
状態(即ちハイインピーダンスレベルにする)とし、そ
の結果、CLAが構造形成中にCPU111からのコン
トロールラインを使用し得るようになる。CLAllo
は、アドレスラインLA1〜[A12を介して、マイク
ロプロセッサのブートストラップとしても用いられるE
PROMをアドレスする。更に、EPROMは、CLA
lloの構造形成に関する情報を保持している。CLA
lloは、セルフローディングの間はハイレベルに固定
され、特定の双方向バッファ112が、EPROM11
3からCLAlloへロードされるデータに対して正し
い方向にセットされるようにローレベルに固定される信
号を保持している。更に、0LA110の構造形成を行
うべくCPU111中に読込まれたEPROM内の記憶
位置を順次アドレスする。CLAlloの構造形成が完
了すると、CLAが新たな機能を獲得し、CPUIII
に対してリセッヂラインを解放するDONE出力をアン
ラッチする。このようにして、CPU111がシステム
全体をコントロールするようになる。ここで行なわれた
デコードは、システム中の種々のRAM及びEPROM
及びI10デバイスのためのチップイネーブル或いはチ
ップセレクトを発生するべく、CPtJからのアドレス
をデコードする。
第4A図及び第4B図に示された双方向の選択可能バッ
フ1は、第10A図及び第10B図に詳細に示されてい
る。第10A図は、Pチャンネルトランジスタ103及
びNチャンネルトランジスタ104からなる第2のCM
OSインバータに接続されたインバータ101を有する
双方向バッフ1を示しており、このバッファの出力リー
ドはパストランジスタ108によってゲートされている
逆方向については、インバータ102は、Nチャンネル
トランジスタ106に直列に接続されているPチャンネ
ルパストランジスタ105のゲートに入力信号を供給す
る。PチャンネルトランジスタとNチャンネルトランジ
スタとの間の節点に於ける出力は、パストランジスタ1
07によってコントロールされる。パストランジスタ1
07.108は、通常のフリップフロップを含むもので
あって良い記憶素子からの信号Q及びQによって活性化
される。このように、バッファは、パストランジスタ1
07及びパストランジスタ1゛08のいずれかが導通し
ているか否かに応じて、リード109a及びリード10
9b上の信号を両方向に通過させる。
第108図は、第10A図の回路の概略的に示している
。第10B図に於て、互いに直列接続されたPチャンネ
ルトランジスタ103及びNチャンネルトランジスタ1
04をインバータ103′として表わしており、互いに
直列接続されたNチャンネルパストランジスタ105及
びNチャンネルパストランジスタ106をインバータ1
05′として表している。勿論、これら両回路の動作の
要領は互いに同一である。
第4A図に於て、双方向アンプ(四角の中のXで表現さ
れている)は、複数のパストランジスタによって減衰し
た信号を増幅するために用いられている。こうすること
により、回路の動作速度を大幅に増大させることができ
る。信号の遅れは、概ね該信号が通過するパストランジ
スタの数の2乗に比例して増大する。この増幅器は、信
号の電圧を元のレベルまで回復させる。
以上の説明によって、CLAが回路中に組込まれた俊で
あっても、CLA中のOLE構造を形成し得ることが、
当業者にとって明らかになったであろう。実際、これが
本発明のCLAの1つの重要な利点である。このように
、CLAは、それが組込まれたシステムの通常の動作の
1つとして、新たな論理機能を獲得するように構造の再
形成が可能である。
この発明の別の利点は、I10パッドを入力及び出力パ
ッドのいずれとしても使用可能であり、パストランジス
タを使用することによっていかなる内部信号にも接続で
きるという点にある。
以上、本発明の好適実施例について説明したが、本発明
の上記以外の実施例も自ずと明らかになろう。
【図面の簡単な説明】 第1図は、CLAの各CLE中に集積可能な種々の論理
要素の幾つかを示している。 第2図は、2つの変数A、Bと特定の構造コントロール
ビットC6−05により複数の有用な機能を実現し得る
1つの可能な論理要素の内部論理構造を示す図である。 第3A図は、16通り入力状態を識別し、かつ216個
の機能を実現し得る16ビツトRAM選択回路を示す図
である。 第3B図は、出力リードに信号を伝達するべく216通
りの機能を実現し得る16ビツトの組合せの中の任意の
1組を選択し得る選択構造を示す図であ。 第3C図は、第3A図の構造についての1つ可能なカル
ツマツブを示す図であ。 第3D図は、第3C図のカルツマツブの第10つ及び第
20つと第1ラインの交点の2進数により表わされる論
理ゲートを示す図である。 第4A図は、複数のOLE (9つの論理要素として示
されてい)が、所望の論理機能を実現するために選択さ
れたリード間に形成されたプログラム可能な接続と、論
理要素間のリードの相互接続及びI10パッドと共に回
路上に集積された、本発明の1つの実施例を示す図であ
る。 第4B図は、第4B図に於て交差しているリード間の交
差関係の表記法に於ける記号を解説する図である。 第5図は、本発明のCLAと共に用いるのに好適なスタ
ティックシフトレジスタとダイナミックシフトレジスタ
との新規な組合せからなる回路の一部を示す図であ。 第6A図〜第6H図は、第5図に於ける新規な構造の動
作を説明するための波形図である。 第7A図は、リード間の選択された接続及びN個のOL
Eのうちの9個を示す概略図であり、Nは9より大きい
整数である。 第7B−1図〜第7B−7図は第7A図で用いられ接続
のタイプを表わす表記法の記号を解説する図である。 第8A図は、1つのマイクロプロセッサコントローラと
4つのCLAからなシステムを示す図である。 第8B図は、不揮発性メモリを伴った4つのCLAの組
合せを示す図である。 第9A図乃至第9B図は、CLA上にて、2つまたはそ
れ以上の数のリードの間の相互接続を形成する要領をト
ポロジー的に示す図であ。 第10A図及び第10B図は、第4A図及び第4B図の
双方向回路を示す図であ。 第11図は、本発明のCLAを用いたシングルボードマ
イクロコンピュータを示す。 5・・・記憶セル    21.22・・・インバータ
25・・・ANDゲート 26・・・NANDゲート2
9a、29b・・・トランジスタ 29G、29d・・・パストランジスタ40・・・論理
要素(ロジックエレメント)50・・・フィードバック
リード 51〜52・・・インバータ 53〜55・・・パストランジスタ 57〜59・・・入力リード ア0・・・CLE      90,91・・・リード
92・・・パストランジスタ 93a〜94b・・・端点 101.102・・・インバータ 103〜108・・・トランジスタ 109a、109b−・・リード 110・・・CLA    111・・・CPU112
・・・双方向バッフ1 113・・・EPROM 出 願 人 ジリンクス・インコーホレイテッド代 理
 人 弁理士   大  島  陽  −Figure
 3D FjCJure 7A 7B−2+・+4+・IT+ Figure 7B Figure 9A 防rθ9B F々U′θ9C Figure 9D カ予り8月+;1ブく 午1≦吹jシ1爽Figure
 9E Figure 9F      Figure 9GF
igure 10A Figure l0B 211002 4、−り+L frニー k”  pC
TTL  S!91/M81 雫゛マーレ      
             コシ74ヂラブ属I7し4
ギヘメχνF孕vre // 手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示 昭和60年特許願第121357号 2、発明の名称 コンフィグラブルロジックアレイ 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 名  称    ジリンクス・インコーホレイテッド4
、代理人 居 所  〒102  東京都千代田区飯田1i1−8
−6渋澤ビル  電話 262−1761 昭和60年8月7日(昭和60年年月127日送)6、
補正の対象 願書の図面の簡単な説明の欄7、補正の内
容 別紙の通り (補正の内容) (1)明細書第52頁第8行〜第10行の「第9A図乃
至第9B図は、CLA上にて、2つまたはそれ以上の数
のリードの間の相互接続を形成する要領をトポロジー的
に示す図であ。」を「第9A図乃至第9G図は、CLA
上にて、2つまたはそれ以上の数のリードの間の相互接
続を形成する要領をトポロジー的に示す図である。」と
訂正する。 以上 (方式・自発) 手続補正書 昭和60年8月28日 特許庁長官 志 賀  学  殿 1、事件の表示 昭和60年特許願第121357号 2、発明の名称 コンフィグラブルロジックアレイ 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 名 称     ジリンクス・インコーホレイテッド4
、代理人 居 所  〒102  東京都千代田区飯田11−8−
6渋澤ビル  電話 262−1761 6、補正により増加する発明の数  07、補正の対象
 願書の図面の簡単な説明の欄8、補正の内容 別紙の
通り (補正の内容) (1)第50頁第15行〜第16行「図であ。」を1図
でおる。Iと訂正する。 (2)第50頁第18行「図であ。」を「図である。」
と訂正する。 (3)第51頁第14行「図であ。」を「図である。」
と訂正する。 (4)第52頁第12行「図であ。」を「図である。」
と訂正する。 以上

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)1からKまでの直列に接続されたダイナミック記
    憶素子(但し、Kは直列に接続された記憶素子の最大個
    数を表わす整数である。)からなるシフトレジスタを構
    成するコンフィグラブルロジックアレイであって、 前記シフトレジスタのすべての素子を一つずつ満すよう
    にしてして、データを順次転送する手段と、 前記各素子に前記データを継続的に保持するための手段
    とを備えることを特徴とするコンフィグラブルロジック
    アレイ。
  2. (2)コンフィグラブルロジックアレイの各素子の構造
    を制御するために用いられる構造制御ビットを、対応す
    る前記複数の記憶素子のデータから生成する手段を備え
    ること特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のコンフ
    ィグラブルロジックアレイ。
  3. (3)前記各記憶素子が、 出力リードと第1のキャパシタンスを有する入力リード
    とを有する第1のインバータと、 出力リードと第2のキャパシタンスを有する入力リード
    とを有する第2のインバータと、 前記第1のインバータの前記出力リードと前記第2のイ
    ンバータの前記入力リードとを接続する第1のパストラ
    ンジスタと、 前記第2のインバータの前記出力リードと前記第1の第
    1のインバータの前記入力リードとを接続することによ
    り、前記第2のインバータの前記出力リードから前記第
    2のインバータの前記入力リードに至るフィードバック
    経路を形成する第2のパストランジスタと、 前記第1のトランジスタを導通、遮断するための手段と
    、 前記第2のトランジスタを導通、遮断するための手段と
    を備え、 前記第1及び第2のパストランジスタが導通するとき、
    前記第1及び第2のインバータが所定の状態にラッチさ
    れるようにしてなることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項に記載のコンフィグラブルロジックアレイ。
  4. (4)前記第1のトランジスタを導通、遮断する前記手
    段がクロック信号源を有し、前記第2のトランジスタを
    導通、遮断する前記手段が、前記第1及び第2のインバ
    ータをラッチするホールド信号源を有することを特徴と
    する特許請求の範囲第3項に記載のコンフィグラブルロ
    ジックアレイ。
  5. (5)外部から前記複数の記憶素子の第1番目のものへ
    の情報をシリアルにゲートする手段を備えることを特徴
    とする特許請求の範囲第4項に記載のコンフィグラブル
    ロジックアレイ。
  6. (6)前記記憶素子のそれぞれが所定のビット及びその
    補数を保持していることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項に記載のコンフィグラブルロジックアレイ。
  7. (7)前記記憶素子の一つの素子から他の素子へ転送さ
    れるデータが、転送の間、前記第1及び第2のキャパシ
    タンスの電荷として記憶されることを特徴とする特許請
    求の範囲第3項に記載のシフトレジスタ。
  8. (8)複数の半導体デバイスによって構成されかつ複数
    の論理機能のいずれをも実行し得るように構成された複
    数の論理要素からなる集積回路と、前記複数の論理機能
    のうちから選択されたものを実行し得るように前記論理
    要素の各々の構造を形成する手段とを備えることを特徴
    とするコンフィグラブルロジックアレイ。
  9. (9)前記各論理要素内の前記半導体デバイスが、選択
    された論理機能を実行するように前記半導体デバイスの
    構造を形成するべく、電気的信号によつて活性化される
    複数の電子スイッチを含むことを特徴とする特許請求の
    範囲第8項に記載のコンフィグラブルロジックアレイ。
  10. (10)前記電子スイッチが、ゲートを有するパストラ
    ンジスタからなり、前記電気的信号が、前記ゲートに作
    用する制御信号からなることを特徴とする特許請求の範
    囲第9項に記載のコンフィグラブルロジックアレイ。
  11. (11)前記論理要素が複数の制御信号を保持する手段
    を含み、かつ前記制御信号が、前記論理要素によつて実
    行される特定の論理機能を制御するために、前記論理要
    素内の前記電子スイッチの状態を制御するものであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第10項に記載のコンフ
    ィグラブルロジックアレイ。
  12. (12)既に選択された前記論理機能以外の別の機能を
    実行し得るように前記論理要素の構造を再形成し得るよ
    うにするために、前記論理要素が、各々自身に備えられ
    た制御情報を変更する手段を備えていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第11項に記載のコンフィグラブルロ
    ジックアレイ。
  13. (13)所定の集積回路上にて、リード或いはスイッチ
    ング素子によって相互接続された複数の論理要素を有す
    ることを特徴とするコンフィグラブルロジックアレイ。
  14. (14)複数の論理機能のいずれをも実行し得るように
    前記コンフィグラブルロジックアレイを構成するべく、
    前記論理要素を相互接続する前記スイッチング素子の状
    態を変更する手段を備えることを特徴とする特許請求の
    範囲第13項に記載のコンフィグラブルロジックアレイ
  15. (15)複数の論理機能のいずれをも実行し得るように
    形成され得る構造と、 前記構造形成可能な構造を制御し得る情報を記憶する手
    段と、 前記構造形成可能な構造を制御し得る前記情報を、前記
    記憶手段から前記構造へ転送する手段とを有することを
    特徴とするコンフィグラブルロジックアレイ。
  16. (16)1つのモノリシック集積回路上に形成されたこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第15項に記載のコンフ
    ィグラブルロジックアレイ。
  17. (17)複数のリードと、 該リードのうちの任意のものを、その他のリードの任意
    のものに相互接続させる手段を備えることを特徴とする
    コンフィグラブルロジックアレイ。
  18. (18)前記リードのうちの任意のものを、その他のリ
    ードの任意のものに相互接続させる手段が、前記複数の
    リードを任意の組合わせにて相互接続する手段を備える
    ことを特徴とする特許請求の範囲第17項に記載のコン
    フィグラブルロジックアレイ。
  19. (19)複数のリードを任意の組合せにて相互接続する
    前記手段が、複数のパストランジスタからなつており、
    前記パストランジスタが、各々導通時には、前記リード
    のうちの任意のものを、その他のリードの任意のものに
    相互接続し得るように配設されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第18項に記載のコンフィグラブルロジ
    ックアレイ。
  20. (20)相互接続されていないN本のリードからなる(
    但し、Nは所定の整数である)コンフィグラブルロジッ
    クアレイであつて、 M個のパストランジスタ(但し、Mは、前記N本のリー
    ドのそれぞれを他のリードのそれぞれに接続するのに必
    要なパストランジスタの数である)と、 前記N本のリードのそれぞれと他のリードのそれぞれと
    の間に導電性経路を形成し得るように前記M個のパスト
    ランジスタを個々に活性化し得る手段とを備えることを
    特徴とするコンフィグラブルロジックアレイ。
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