JPS626500A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS626500A
JPS626500A JP60145027A JP14502785A JPS626500A JP S626500 A JPS626500 A JP S626500A JP 60145027 A JP60145027 A JP 60145027A JP 14502785 A JP14502785 A JP 14502785A JP S626500 A JPS626500 A JP S626500A
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JP
Japan
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shift register
data
reading
input
memory cell
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JP60145027A
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JPH0746519B2 (ja
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Nobuo Fukazawa
信夫 深沢
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NEC Corp
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NEC Corp
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Publication date
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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に書込みおよび消去が複
数回可能な半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の書込みおよび消去が複数回可能な半導体装置の一
例を第3図に示す。第3図において、22.23はアド
レス入力、24は列デコーダ、25は行デコーダ、2(
5はデータ入出力、27は続出書込回路、28は行セレ
クタ、29はメモリセルである。
従来、この種の半導体装置は、デコーダ、セレクタおよ
び読出書込回路等の周辺回路の検査を行う場合、メモリ
セル29への特定のデータの書込み、読出し、消去をく
り返し実施することによって行っていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体装置は、データの読出しに比べて
データの書込みおよび消去の時間が著しく長い(数千か
ら数万倍)という特性を有するため周辺回路の検査に長
時間を要するという欠点がある。
本発明の目的は、短時間に周辺回路の検査を実施できる
半導体装置を提供することにある。
L問題点を解決するための手段〕 本発明の半導体装置は、書込みおよび消去が複数回可能
な半導体装置において、メモリセルの2次元配列の行お
よび列に11加され記憶したデータを前期メモリセル読
出しのための読出信号および読出回路を用いて読出すシ
フトレジスタを有している。
1実施例〕 次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
第1図において、1.2はアドレス入力、3はシフトレ
ジスタ選択入力、4はシフトレジスタ選択回路、5は行
デコーダ、6はデータ入出力、7はシフトレジスタデー
タ出力、8は続出書込回路、9は行セレクタ、10は列
デコーダ、11はメモリセル、12はシフトレジスタ、
13はシフトレジスタデータ入力、14はシフトレジス
タシフトクロック入力である。
第1図において、メモリセル11の周辺回路の検査は次
のように行う。すなわぢ、シフトレジスタデータ入力1
3がら特定のデータをシフトレジスタシフトクロック人
力14がらのクロック信号を用いてシフl−レジスタ1
2に人力する。
その後、アドレス人力1,2からアトL/ス信号、およ
びシフトレジスタ選択人力3がらシフトレジスタ選択信
号を入力し、それらの信号にしたがって行デコーダ5お
よび列デコーダ1oによってシフトレジスタ12の特定
のビットを選択し、選択されたビットの内容をメモリセ
ル11を読出すときと同様に行セレクタ9、読出書込回
路8を用いて読出し、データ入出力6およびシフトレジ
スタデータ出カフから出力することにより行う。
次に、第2図は第1図に示すシフI・レジスタの1ビツ
トの回路図である。
第2図において、15は列デコーダ出力又はシフトレジ
スタ選択回路出力、16はスイッチトランジスタ、17
はシフトクロック入力、18はシフトデータ出力、19
はマスタースレーブフリップフロップ、20はシフトデ
ータ入力、21はビットデータ線である。
マスタースレーブフリップフロップ1つにシフI・クロ
ック人力17からクロック信号を供給しシフ1、データ
入力20からデータを入力して、データを格納する。
シフI・データ出力18はスイッチトランジスタ16を
介してとットデータ線21に接続している。
シフ)・データ出力18からの出力データをビットデー
タ線に出力するには、列デコーダ出力又はシフトレジス
タ選択回路出力15から高電位(約2゜5V以上)を印
加してスイッチトランジスタ16を導通状態にすればよ
い。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の半導体装置は、シフ)〜レ
ジスタを追加して、メモリセルへの特定データの書込み
および読出しを行う代りに、シフトレジスタに書込んだ
特定データをメモリセルの周辺回路を用いて読出すこと
により、メモリセルの周辺回路の検査を極めて短時間に
実施できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は第1
図に示すシフトレジスタの1ビツトの回路図、第3図は
従来の半導体装置の一例を示すブロック図である。 1.2・・・アドレス入力、3・・・シフトレジスタ選
択入力、4・・・シフトレジスタ選択回路、5・・・行
デコーダ、6・・・データ入出力、7・・・シフトレジ
スタデータ入力、8・・・続出書込回路、9・・・行セ
レクタ、10・・・列デコーダ、11・・・メモリセル
、12・・・シフトレジスタ、13・・・シフトレジス
タデータ入力、14・・・シフトレジスタシフトクロッ
ク入力、15・・・列デコーダ出力又はシフトレジスタ
選択回路出力、16・・・スイッチ)・ランジスタ、1
7・・・シフトクロック入力、18・・・シフトデータ
出力、19・・・マスタースレーブフリップフロラ1.
20・・・シフトデータ入力、21・・・ピッ1へデー
タ線、22.23・・・アドレス入力、24・・・列デ
コーダ、25・・・行デコーダ、26・・・データ入出
力、27・・・読出書込回路、28・・・行セレクタ、
29・・・メモリセル。 代理人 弁理士  内 原   晋 羊2 面 茅 3 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  書込みおよび消去が複数回可能な半導体装置において
    、メモリセルの2次元配列の行および列に付加され記憶
    したデータを前記メモリセル読出しのための読出信号お
    よび読出回路を用いて読出すシフトレジスタを含むこと
    を特徴とする半導体装置。
JP14502785A 1985-07-01 1985-07-01 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0746519B2 (ja)

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JP14502785A JPH0746519B2 (ja) 1985-07-01 1985-07-01 半導体装置

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JP14502785A JPH0746519B2 (ja) 1985-07-01 1985-07-01 半導体装置

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JPS626500A true JPS626500A (ja) 1987-01-13
JPH0746519B2 JPH0746519B2 (ja) 1995-05-17

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ID=15375725

Family Applications (1)

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JP14502785A Expired - Lifetime JPH0746519B2 (ja) 1985-07-01 1985-07-01 半導体装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6432491A (en) * 1987-07-27 1989-02-02 Nippon Electric Ic Microcomput Semiconductor storage device
JP2007188620A (ja) * 2006-11-06 2007-07-26 Epson Toyocom Corp 記憶回路の検査方法

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JPS57127996A (en) * 1981-01-27 1982-08-09 Mitsubishi Electric Corp Check input data set circuit for shift register constituted logical circuit function testing device
JPS5914838A (ja) * 1982-07-16 1984-01-25 オリンパス光学工業株式会社 光源装置
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JPH0746519B2 (ja) 1995-05-17

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