JPS61279699A - 電気めつき装置 - Google Patents
電気めつき装置Info
- Publication number
- JPS61279699A JPS61279699A JP11975585A JP11975585A JPS61279699A JP S61279699 A JPS61279699 A JP S61279699A JP 11975585 A JP11975585 A JP 11975585A JP 11975585 A JP11975585 A JP 11975585A JP S61279699 A JPS61279699 A JP S61279699A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- disk
- workpiece
- anode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
- C25D17/08—Supporting racks, i.e. not for suspending
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレコードや光デイスク用スタンパ等の製造に用
いられる電気めっき装置に関するものである。
いられる電気めっき装置に関するものである。
例えば光ディスクのスタンパは、表面に情報パターンを
形成したドーナツ状の原盤にニッケル等の金属膜を形成
し、この原盤をめっき浴槽に浸漬することによって該金
属薄膜上にめっき膜を形成し、このめっき膜を金属薄膜
から剥離することにより製造され、これによりスタンパ
の内面には情報パターンとは逆の凹凸部が形成せしめら
れることになる。
形成したドーナツ状の原盤にニッケル等の金属膜を形成
し、この原盤をめっき浴槽に浸漬することによって該金
属薄膜上にめっき膜を形成し、このめっき膜を金属薄膜
から剥離することにより製造され、これによりスタンパ
の内面には情報パターンとは逆の凹凸部が形成せしめら
れることになる。
このようなスタンパ製造時におけるめっき工程は、従来
第3図に示したような電気めっき装置を(1!JIT行
″母引゛57い7・j・1舷1)、5した如く、例えば
スルファミン酸ニッケル等の電解液を貯留するめっき浴
lo内に陽極11を吊下した状態に設け、該陽極11に
表面にめっき処理が施こされるワークとしての円盤状の
スタンパ用原盤12が対設される。このスタンパ原盤1
2はガラス製マたは合成樹脂製の本体部12aの表面に
導電性を有する金属薄膜13を形成してなるもので、こ
の金属薄膜13が陽極11に対面するように配設され、
該金属薄膜13上にめっき膜が形成されるようになって
いる。そして、スタンパ原盤12の裏面側にめっき浴1
0外から内部に突出する状態に設けた回転軸14を連結
することによって、該スタンパ原盤12は回転自在に支
持されている。また、陽極11とスタンパ原盤12との
間には、その間における電界が拡散するのを防止するた
めに合成樹脂、ガラス等の絶縁材を円環状に形成した邪
魔板15が配設されている。
第3図に示したような電気めっき装置を(1!JIT行
″母引゛57い7・j・1舷1)、5した如く、例えば
スルファミン酸ニッケル等の電解液を貯留するめっき浴
lo内に陽極11を吊下した状態に設け、該陽極11に
表面にめっき処理が施こされるワークとしての円盤状の
スタンパ用原盤12が対設される。このスタンパ原盤1
2はガラス製マたは合成樹脂製の本体部12aの表面に
導電性を有する金属薄膜13を形成してなるもので、こ
の金属薄膜13が陽極11に対面するように配設され、
該金属薄膜13上にめっき膜が形成されるようになって
いる。そして、スタンパ原盤12の裏面側にめっき浴1
0外から内部に突出する状態に設けた回転軸14を連結
することによって、該スタンパ原盤12は回転自在に支
持されている。また、陽極11とスタンパ原盤12との
間には、その間における電界が拡散するのを防止するた
めに合成樹脂、ガラス等の絶縁材を円環状に形成した邪
魔板15が配設されている。
前述の装置を使用して電気めっきを行なうに際しては、
まずスタンパ原盤12を回転軸14に取付けて、該スタ
ンパ原盤12を回転させると共に、その金属薄膜13と
陽極11との間に電位を生じさせることによって、該金
属薄膜13上にめっき膜が形成される。
まずスタンパ原盤12を回転軸14に取付けて、該スタ
ンパ原盤12を回転させると共に、その金属薄膜13と
陽極11との間に電位を生じさせることによって、該金
属薄膜13上にめっき膜が形成される。
ここで、ワークとしてのスタンパ原盤12は陽極11と
平行な平板を形成するように配設されているから、金属
薄膜13の表面のほぼ全域に亘って均一なめつき膜を形
成させることができるようになっているが、その外周縁
のエツジ部分の電流密度は他の平板部分より高くなるた
めに、この外周縁部のめつき膜厚が他の部分より著しく
厚くなってしまうことになり、このようにめつき膜厚が
不均一になると、以後の処理を円滑に行なうことができ
なくなる。
平行な平板を形成するように配設されているから、金属
薄膜13の表面のほぼ全域に亘って均一なめつき膜を形
成させることができるようになっているが、その外周縁
のエツジ部分の電流密度は他の平板部分より高くなるた
めに、この外周縁部のめつき膜厚が他の部分より著しく
厚くなってしまうことになり、このようにめつき膜厚が
不均一になると、以後の処理を円滑に行なうことができ
なくなる。
このために、従来技術においてはめつき作業中にこの外
周縁部のめつき膜厚が所定の厚みとなったときに、スタ
ンパ原盤12をめっき浴10から取出してその外周部に
保護枠16を装着することによって、この部分にそれ以
上のめつき膜を成長させないようになし、この状態で再
びスタンパ原盤12をめっき浴10に浸漬してめっき作
業を継続するようにしていた。
周縁部のめつき膜厚が所定の厚みとなったときに、スタ
ンパ原盤12をめっき浴10から取出してその外周部に
保護枠16を装着することによって、この部分にそれ以
上のめつき膜を成長させないようになし、この状態で再
びスタンパ原盤12をめっき浴10に浸漬してめっき作
業を継続するようにしていた。
前述した如く、めっき作業の途中でスタンパ原盤12に
保護枠16を装着するのは非常に面倒かつ困難で、その
取付は時に誤ってめっき膜を損傷させる等の不都合があ
るだけでなく、めっき時間が長時間化する等の欠点もあ
る。
保護枠16を装着するのは非常に面倒かつ困難で、その
取付は時に誤ってめっき膜を損傷させる等の不都合があ
るだけでなく、めっき時間が長時間化する等の欠点もあ
る。
本発明は前述した従来技術の欠点を解消するためになさ
れたもので、めっき作業を途中で中断することなく、ワ
ーク表面全体に均一な膜厚のめっきを施こすことができ
るようにした電気めっき装置を提供することを目的とす
るものである。
れたもので、めっき作業を途中で中断することなく、ワ
ーク表面全体に均一な膜厚のめっきを施こすことができ
るようにした電気めっき装置を提供することを目的とす
るものである。
前述の目的を達成するために、本発明に係る電気めっき
装置は、めつき浴内に絶縁材で形成されワークの外周縁
部を覆う覆枠を設けることによって、該ワークの外周縁
部における電流密度を減少させるように構成したことを
その特徴とするものである。この覆枠はワークの外周面
部を囲繞する円筒部と、該円筒部にその内周側に突出す
る方向に連設され、前記ワークの陽極との対向面におけ
る外周部分に所定の隙間を置いて対面する状態に配設さ
れる円環状部とから構成される。
装置は、めつき浴内に絶縁材で形成されワークの外周縁
部を覆う覆枠を設けることによって、該ワークの外周縁
部における電流密度を減少させるように構成したことを
その特徴とするものである。この覆枠はワークの外周面
部を囲繞する円筒部と、該円筒部にその内周側に突出す
る方向に連設され、前記ワークの陽極との対向面におけ
る外周部分に所定の隙間を置いて対面する状態に配設さ
れる円環状部とから構成される。
そして、この覆枠をワークとは別体に設け、該覆枠を独
立にめつき浴内に支持・固定することも
;でき、また覆枠の円筒部をワークの外周面に嵌着させ
ることによって、該覆枠をワークによって支持させるよ
うに構成することもできる。
[〔実施例〕
i【 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
i説明するに、まず第1図に示した如く、めっき
浴 11内には陽極2を吊下する状態に配
設させると共に、ワークとしての光デイスク用のスタン
パ原盤3はその金属薄膜4が陽極2に対向するように浸
l霜 :・ 涜さ鶴て、合成樹脂やガラスからなる本体部3a
)otmco“°°5”″″’zta−t″
″1゛ゝ0°″“ )I″Ik″Id15′″I″
lEm&e!”877°゛62ゝ”)lzN7
。
立にめつき浴内に支持・固定することも
;でき、また覆枠の円筒部をワークの外周面に嵌着させ
ることによって、該覆枠をワークによって支持させるよ
うに構成することもできる。
[〔実施例〕
i【 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
i説明するに、まず第1図に示した如く、めっき
浴 11内には陽極2を吊下する状態に配
設させると共に、ワークとしての光デイスク用のスタン
パ原盤3はその金属薄膜4が陽極2に対向するように浸
l霜 :・ 涜さ鶴て、合成樹脂やガラスからなる本体部3a
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l/’11. i。
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然るに、本発明の特徴とするところは、めつき
(1ト ゝ1′″″″”Lt4797RM’1130ACFN:
Al 7t<Wt B盤3の外周縁部に電流密
度が増大するのを防止す ・“′i る覆枠6を設置したことにある。該覆枠6は合成
)樹脂やガラス等の絶縁材で形成されて、適宜
の支 i゛持部材(図示せず)によりスタ
ンパ原盤3とは独立にめっき浴1内に支持・固定される
ようになっている。
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Al 7t<Wt B盤3の外周縁部に電流密
度が増大するのを防止す ・“′i る覆枠6を設置したことにある。該覆枠6は合成
)樹脂やガラス等の絶縁材で形成されて、適宜
の支 i゛持部材(図示せず)によりスタ
ンパ原盤3とは独立にめっき浴1内に支持・固定される
ようになっている。
この覆枠6は内径がスタンパ原m3の外径より僅かに大
きい円筒部6aと、該円筒部6aの先端側において、半
径方向内方に突出する方向に連設された円環状部6bと
からなり、スタンパ原盤3はこの覆枠6の円筒部6aと
同心円となるようにしてその金属薄膜4が所定の隙間を
もって円環状部6bと対面する位置にまで挿嵌するよう
に配設されるようになっている。さらに、陽極2とスタ
ンパ原盤3との間の電界が拡散するのを防止する邪魔板
7は、連結部材8.8によって覆枠6に取付けられるよ
うになっている。
きい円筒部6aと、該円筒部6aの先端側において、半
径方向内方に突出する方向に連設された円環状部6bと
からなり、スタンパ原盤3はこの覆枠6の円筒部6aと
同心円となるようにしてその金属薄膜4が所定の隙間を
もって円環状部6bと対面する位置にまで挿嵌するよう
に配設されるようになっている。さらに、陽極2とスタ
ンパ原盤3との間の電界が拡散するのを防止する邪魔板
7は、連結部材8.8によって覆枠6に取付けられるよ
うになっている。
本実施例は前述のように構成されるもので、めっき浴1
内には、例えばスルファミン酸ニッケル等の電解液が貯
留されており、この電解液中にスタンパ原盤3を図示の
如く、覆枠6の円筒部6aと同心円上の位置で、しかも
円環状部6bに近接した位置に配設し、回転軸5を回転
させると共に、スタンパ原盤3と陽極2との間に電位を
加えることによってスタンパ原盤3の金属薄膜4上にニ
ッケルの電着によるめっき膜を形成する。ここで、陽極
2と金属薄膜4との間に流れる電流は必ずしも一様では
なく、スタンパ原盤のうち外周縁におけるエツジ部分が
他の平板部分より電流密度が高くなる。そこで、本発明
においては、この外周縁部を覆う状態に覆枠6を設ける
ことによってこの部分の電流密度を減少させるようにし
ているから、前述した従来技術のもののように途中で中
断したりすることなく、金属薄膜4上に均一な膜厚のめ
つき膜を形成することができる。そして、覆枠6と金属
薄膜4との間の間隔や、円環状部6bの幅その内面形状
等を適宜のものとすれば、前述の外周縁エツジ部の電流
密度を所望の値にコントロールすることができる。
内には、例えばスルファミン酸ニッケル等の電解液が貯
留されており、この電解液中にスタンパ原盤3を図示の
如く、覆枠6の円筒部6aと同心円上の位置で、しかも
円環状部6bに近接した位置に配設し、回転軸5を回転
させると共に、スタンパ原盤3と陽極2との間に電位を
加えることによってスタンパ原盤3の金属薄膜4上にニ
ッケルの電着によるめっき膜を形成する。ここで、陽極
2と金属薄膜4との間に流れる電流は必ずしも一様では
なく、スタンパ原盤のうち外周縁におけるエツジ部分が
他の平板部分より電流密度が高くなる。そこで、本発明
においては、この外周縁部を覆う状態に覆枠6を設ける
ことによってこの部分の電流密度を減少させるようにし
ているから、前述した従来技術のもののように途中で中
断したりすることなく、金属薄膜4上に均一な膜厚のめ
つき膜を形成することができる。そして、覆枠6と金属
薄膜4との間の間隔や、円環状部6bの幅その内面形状
等を適宜のものとすれば、前述の外周縁エツジ部の電流
密度を所望の値にコントロールすることができる。
そして、覆枠6は邪魔板7と共にめっき浴1内に設置す
ることができるようになっているため、従来の装置に格
別の変更を加えることなくこの覆枠を設置することがで
きる。
ることができるようになっているため、従来の装置に格
別の変更を加えることなくこの覆枠を設置することがで
きる。
なお、ここで、覆枠をスタンパ原盤の外周面部に嵌着し
、このスタンパ原盤と共に覆枠も回転させるようにして
もよく、このように構成すれば、ワークとしてのスタン
バ用原盤と覆枠との同心性の確保が容易である。
、このスタンパ原盤と共に覆枠も回転させるようにして
もよく、このように構成すれば、ワークとしてのスタン
バ用原盤と覆枠との同心性の確保が容易である。
また、ワークとしては、前述した光ディスクのスタンバ
用原盤に限らず、レコード盤等であってもよい。
用原盤に限らず、レコード盤等であってもよい。
感光性樹脂を均一に塗布した外径355n+a+ 、内
径12mo+のドーナツ状の原盤に、レーザビームを照
射し、さらに現像処理を行なうことによって情報パター
ンを形成し、この盤面に真空蒸着又はスパッタリング法
によって0.05〜1.0μ−の厚さでニッケルの金属
薄膜を形成することによりスタンパ原盤を得る。このよ
うにして形成したスタンパ原盤3をスルファミン酸ニッ
ケルを含有するめつき浴に浸漬して通常の条件下でめっ
きを行なった。スタンパ原盤と陽極との間に配設される
邪魔板は、その内径が330mm s外径が450m1
1の円環状の板体で、スタンパ原盤の外表面から陽極側
に15mm離れた位置に設置した、また、覆枠は、第2
図に示したように円筒部の先端面に円環状部材をその幅
方向における中間部に連設することにより形成し、その
各部の寸法は図示の如くである。そして、こ
iれを金属薄膜の表面から陽極側に3 amlIれ、
かつスタンバ用原盤の外周面から211n+11すれた
位置に設置した。
径12mo+のドーナツ状の原盤に、レーザビームを照
射し、さらに現像処理を行なうことによって情報パター
ンを形成し、この盤面に真空蒸着又はスパッタリング法
によって0.05〜1.0μ−の厚さでニッケルの金属
薄膜を形成することによりスタンパ原盤を得る。このよ
うにして形成したスタンパ原盤3をスルファミン酸ニッ
ケルを含有するめつき浴に浸漬して通常の条件下でめっ
きを行なった。スタンパ原盤と陽極との間に配設される
邪魔板は、その内径が330mm s外径が450m1
1の円環状の板体で、スタンパ原盤の外表面から陽極側
に15mm離れた位置に設置した、また、覆枠は、第2
図に示したように円筒部の先端面に円環状部材をその幅
方向における中間部に連設することにより形成し、その
各部の寸法は図示の如くである。そして、こ
iれを金属薄膜の表面から陽極側に3 amlIれ、
かつスタンバ用原盤の外周面から211n+11すれた
位置に設置した。
前述の状態で金H薄膜の表面に約300 p toの膜
厚のめつき膜を盤面中心から半径5oIII11から半
径140vaまでの間のめつき厚のばらつき幅が5%以
内となることを目標とした。そして、このようにして得
られた金属薄膜4表面上のめっき膜を剥離し、その中心
から10a+m間隔でめっき厚を計測した。その結果を
第4図に実線aで示す。同図から明らかなように、めっ
き膜の中心部から50〜140mmの範囲内でのめつき
厚は290〜310μmであって、そのばらつき幅は約
3%であり、前述の目標値を下回る結果であった。また
、第4図の点線すは従来技術のように保護枠を取付ける
ことにより形成しためっき膜の膜厚分布曲線である。こ
のように、覆枠を取付けることにより、従来技術に同様
のめつき膜の膜厚管理ができるようになる。そして、め
つ基工程に要する時間は、保護枠の取付けを必要としな
いので、約30分短縮することができるようになった。
厚のめつき膜を盤面中心から半径5oIII11から半
径140vaまでの間のめつき厚のばらつき幅が5%以
内となることを目標とした。そして、このようにして得
られた金属薄膜4表面上のめっき膜を剥離し、その中心
から10a+m間隔でめっき厚を計測した。その結果を
第4図に実線aで示す。同図から明らかなように、めっ
き膜の中心部から50〜140mmの範囲内でのめつき
厚は290〜310μmであって、そのばらつき幅は約
3%であり、前述の目標値を下回る結果であった。また
、第4図の点線すは従来技術のように保護枠を取付ける
ことにより形成しためっき膜の膜厚分布曲線である。こ
のように、覆枠を取付けることにより、従来技術に同様
のめつき膜の膜厚管理ができるようになる。そして、め
つ基工程に要する時間は、保護枠の取付けを必要としな
いので、約30分短縮することができるようになった。
以上詳細に説明したように本発明に係る電気めっき装置
は、めつき浴内に覆枠を設けてワーク外周縁のエツジ部
分における電流密度が高くなるのを防止することができ
るように構成したから、ワークの表面全体に膜厚の均一
なめつき膜を形成することができて、良好な品質の製品
を製造することができ、しかも、めっき作業の途中で中
断して保護枠を取付けたりする必要がなくなるので、め
っき作業の迅速化・簡素化を図ることができて、作業性
が向上すると共に、めっき作業の開始から終了までワー
クをめっき浴中に浸漬した状態に保持できるから、めっ
き膜形成が円滑に行なわれ、それを損傷させる等の不都
合は生じない。
は、めつき浴内に覆枠を設けてワーク外周縁のエツジ部
分における電流密度が高くなるのを防止することができ
るように構成したから、ワークの表面全体に膜厚の均一
なめつき膜を形成することができて、良好な品質の製品
を製造することができ、しかも、めっき作業の途中で中
断して保護枠を取付けたりする必要がなくなるので、め
っき作業の迅速化・簡素化を図ることができて、作業性
が向上すると共に、めっき作業の開始から終了までワー
クをめっき浴中に浸漬した状態に保持できるから、めっ
き膜形成が円滑に行なわれ、それを損傷させる等の不都
合は生じない。
第1図は本発明に係る電気めっき装置装置の構成説明図
、第2図(イ)、(ロ)は覆枠の変形例を示す外観図と
断面図、第3図は従来技術による電気めっき装置の構成
説明図、第4図は本発明の装置と従来技術の装置とによ
って形成しためっき膜の膜厚分布曲線を示す線図である
。 1・・・メっき浴、2・・・陽極、3・・・スタンパ原
盤、6・・・覆枠、6a・・・円筒部、6b・・・円環
状部。 第1図 3:スダシバ屑覧 6:宿淋 6a;ノqM+* 6b:Fl:E14牌 第2図 第3図
、第2図(イ)、(ロ)は覆枠の変形例を示す外観図と
断面図、第3図は従来技術による電気めっき装置の構成
説明図、第4図は本発明の装置と従来技術の装置とによ
って形成しためっき膜の膜厚分布曲線を示す線図である
。 1・・・メっき浴、2・・・陽極、3・・・スタンパ原
盤、6・・・覆枠、6a・・・円筒部、6b・・・円環
状部。 第1図 3:スダシバ屑覧 6:宿淋 6a;ノqM+* 6b:Fl:E14牌 第2図 第3図
Claims (3)
- (1)めつき浴内に陽極を配設し、該陽極に内盤状に形
成したワークを対設して該ワークの表面に電気めつきを
行なうものにおいて、前記めつき浴内には、絶縁性材料
で形成され、前記ワークの外周面部を囲繞する円筒部と
、該円筒部にその内周側に突出する方向に連設されて該
ワークにおける陽極との対向面に所定の隙間を置いて対
面する状態に配設される円環状部とからなる覆枠を設置
する構成にしたことを特徴とする電気めつき装置。 - (2)前記覆枠を前記ワークとは独立して前記めつき浴
内に支持・固定する構成としたことを特徴とする特許請
求の範囲第(1)項記載の電気めつき装置。 - (3)前記覆枠を、その円筒部を前記ワークに嵌着させ
ることによつて、該ワークを支持させる構成としたこと
を特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の電気めつ
き装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11975585A JPS61279699A (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 電気めつき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11975585A JPS61279699A (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 電気めつき装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61279699A true JPS61279699A (ja) | 1986-12-10 |
Family
ID=14769357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11975585A Pending JPS61279699A (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 電気めつき装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61279699A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108893771A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-11-27 | 河南理工大学 | 一种正多边形柱体阳极及电沉积制备大面积金属微结构的方法 |
-
1985
- 1985-06-04 JP JP11975585A patent/JPS61279699A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108893771A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-11-27 | 河南理工大学 | 一种正多边形柱体阳极及电沉积制备大面积金属微结构的方法 |
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