JPS61279198A - プリント回路の製造方法 - Google Patents
プリント回路の製造方法Info
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- JPS61279198A JPS61279198A JP61129026A JP12902686A JPS61279198A JP S61279198 A JPS61279198 A JP S61279198A JP 61129026 A JP61129026 A JP 61129026A JP 12902686 A JP12902686 A JP 12902686A JP S61279198 A JPS61279198 A JP S61279198A
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- Japan
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- furyl
- acrylic acid
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/465—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits by applying an insulating layer having channels for the next circuit layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0355—Metal foils
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K2201/0394—Conductor crossing over a hole in the substrate or a gap between two separate substrate parts
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/0023—Etching of the substrate by chemical or physical means by exposure and development of a photosensitive insulating layer
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、
ａ）？射線により網状化可能のフォトポリマー系を特に
金楓支持箔として形成された基材に施し。
金楓支持箔として形成された基材に施し。
ｂ）露光及びポリマー釉の結党されなかった部分の除去
により所望の配線構造を製造し、場合によっては Ｃ）露光された金属を電気メッキ又は無電流金属メッキ
により補強し ｄ）同様にして更に被覆、構造化及び金属メッキにより
脂を作り出す 形式の、マイクロエレクトロニクスに使用されるような
特に多層構造のプリント回路の製造方法に関する。
により所望の配線構造を製造し、場合によっては Ｃ）露光された金属を電気メッキ又は無電流金属メッキ
により補強し ｄ）同様にして更に被覆、構造化及び金属メッキにより
脂を作り出す 形式の、マイクロエレクトロニクスに使用されるような
特に多層構造のプリント回路の製造方法に関する。
この種の方法は西ドイツ国特許出願公開第３４２４１１
９号公報（特開昭６１−２６６２４号）及び同第３４２
９６０６号公報（特開昭６１−４７７１０号）に提案さ
れている。上記西ドイツ国特許出願公開第３４２４１１
９号公報に記載された方法では璽合用出発物Ｎとして、
１！ｉ射線に敏感なプラスチックラッカの露光時間を短
縮するためニ、ヒスフェノール構成成分に反応性ヒドロ
キシ基又はヒドロキシメゾツム基を含んでいるケイ皮酸
−エビクロルヒドリン−ビスフェノールＡ化合物を使用
する。
９号公報（特開昭６１−２６６２４号）及び同第３４２
９６０６号公報（特開昭６１−４７７１０号）に提案さ
れている。上記西ドイツ国特許出願公開第３４２４１１
９号公報に記載された方法では璽合用出発物Ｎとして、
１！ｉ射線に敏感なプラスチックラッカの露光時間を短
縮するためニ、ヒスフェノール構成成分に反応性ヒドロ
キシ基又はヒドロキシメゾツム基を含んでいるケイ皮酸
−エビクロルヒドリン−ビスフェノールＡ化合物を使用
する。
これらの化合物から得られる生成物の耐熱負荷性は極め
て高いが、ホモ重合金化合物では通常の有機溶媒に対し
極く僅かな可溶性を示すにすぎず、その結果経費のかさ
む後処理が必要となる。更にこの場合無光されなかった
材料の貯蔵安定性が小さいことも欠点である。
て高いが、ホモ重合金化合物では通常の有機溶媒に対し
極く僅かな可溶性を示すにすぎず、その結果経費のかさ
む後処理が必要となる。更にこの場合無光されなかった
材料の貯蔵安定性が小さいことも欠点である。
西ドイツ国特許出願公開第３４２９６０６号公報に記載
された方法では、低い誘電率を得るためまた連続温度安
定性を改良するために、プラスチックラッカをベースと
するポリマー系が用いられ、この場合放射線に敏感な物
質と反応させるための出発物質としてはポリマー１分子
につき少なくとも２個の反応性末端基を有する線状のフ
ッ化ポリマーが使用される。フッ化出発物質の反応及び
光反応性物質との結合は多数の処理工程及び経費のかさ
む方法で達成されるにすぎない。すなわちこの方法は使
用することのできる多くの場合、、８１５分的にフッ化
された溶媒によって限定され、また該溶媒を使用するこ
とにより、特に後の多層構造化に際して経費のかさむ後
処理技術が必要となる。
された方法では、低い誘電率を得るためまた連続温度安
定性を改良するために、プラスチックラッカをベースと
するポリマー系が用いられ、この場合放射線に敏感な物
質と反応させるための出発物質としてはポリマー１分子
につき少なくとも２個の反応性末端基を有する線状のフ
ッ化ポリマーが使用される。フッ化出発物質の反応及び
光反応性物質との結合は多数の処理工程及び経費のかさ
む方法で達成されるにすぎない。すなわちこの方法は使
用することのできる多くの場合、、８１５分的にフッ化
された溶媒によって限定され、また該溶媒を使用するこ
とにより、特に後の多層構造化に際して経費のかさむ後
処理技術が必要となる。
本発明はマイクロエレクトロニクスデバイス用の、有利
には多層構造のプリント回路を製造する方法を提供する
ことを目的とし、この方法は簡単な処理工程からなって
おり、またフォトポリマーの使用により硬化剤の添加を
省略し、これにより熱硬化及び露光された基材の熱処理
の各工程をも省略することを可能にする製品を提供する
ものである。この方法はまたＶＬ８ Ｉ （−ｖａｒｙ
ｐａｒｇｅ！ａａｌｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ ）
技術における集積半導体回路の製造に際して使用す
ることができる。
には多層構造のプリント回路を製造する方法を提供する
ことを目的とし、この方法は簡単な処理工程からなって
おり、またフォトポリマーの使用により硬化剤の添加を
省略し、これにより熱硬化及び露光された基材の熱処理
の各工程をも省略することを可能にする製品を提供する
ものである。この方法はまたＶＬ８ Ｉ （−ｖａｒｙ
ｐａｒｇｅ！ａａｌｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ ）
技術における集積半導体回路の製造に際して使用す
ることができる。
この目的は菅如に記載した形式の方法において、フォト
ポリマーとしてフェノキシ末端基又はエポキシ末端基を
有する］５０００より小さい分子口のフリルアクリル酸
エステル化エポキシ樹脂を使用しまた網状化を１５０〜
４００１ｍの範囲の波長光線で光増感剤の存在下に、引
続き熱硬化することなく実施することにより解決される
。
ポリマーとしてフェノキシ末端基又はエポキシ末端基を
有する］５０００より小さい分子口のフリルアクリル酸
エステル化エポキシ樹脂を使用しまた網状化を１５０〜
４００１ｍの範囲の波長光線で光増感剤の存在下に、引
続き熱硬化することなく実施することにより解決される
。
有利には３００〜４００１ｍの波長範囲を使用する。
増感剤、光開始剤、更には共増感剤を０．５〜５％の範
囲の濃度で感光性ポリマーに添加することも本発明の範
囲内にある。
囲の濃度で感光性ポリマーに添加することも本発明の範
囲内にある。
増感剤又は光開始剤としては有利には、ベンゾフェノン
、ベンゾイン又はアセトフェノンの誘導体が挙げられ、
また共増感剤としては第三アミンを使用することができ
る。
、ベンゾイン又はアセトフェノンの誘導体が挙げられ、
また共増感剤としては第三アミンを使用することができ
る。
同様に有利にはアクリレートをベースとしがっ基本ポリ
マーに灼して５〜３０電［１％の濃度範囲の反応性希釈
剤を使用することも本発明の範囲内にある。
マーに灼して５〜３０電［１％の濃度範囲の反応性希釈
剤を使用することも本発明の範囲内にある。
フリルアクリル酸エステル化エポキシ樹脂の反応及び網
状化は次のように進行する。
状化は次のように進行する。
エポキシ樹脂（例えば商品名アラルジ） （Ａｒ−ａｌ
ｄｉｔ ｌ ＧＴ６０９９ ）と感光性基との反応：紫
外線を照射した場合１周知のように感光性ポリマーの網
状化はアクリレートのＣ−Ｃ−二重結合の反応により生
じる。
ｄｉｔ ｌ ＧＴ６０９９ ）と感光性基との反応：紫
外線を照射した場合１周知のように感光性ポリマーの網
状化はアクリレートのＣ−Ｃ−二重結合の反応により生
じる。
上記のようなエポキシ末端基の代りにフェノキシ末端基
が存在していてもよい。
が存在していてもよい。
西ドイツ国特許出願公開第２６３５９２９号公報から光
重合可能のエポキシ樹脂は公知である。
重合可能のエポキシ樹脂は公知である。
しかしこの場合網状化のためには熱硬化剤が必要であり
、多階構造はプレス加工により行われる。
、多階構造はプレス加工により行われる。
また西ドイツ国特許第２３４２４０７号公報から感光性
エポキシ樹脂ｐを有するプリント回路も示唆されている
が、この場合も網状化は熱（二作用する硬化剤の使用下
に行われる。更に多層配ＩＪｎまプレス加工により製造
される。
エポキシ樹脂ｐを有するプリント回路も示唆されている
が、この場合も網状化は熱（二作用する硬化剤の使用下
に行われる。更に多層配ＩＪｎまプレス加工により製造
される。
西ドイツ国特許第２４０８８９３号公報（二はポリカル
ボン酸エステル化エポキシ化合物をベースとする放射線
６二より硬化可能の成形材料が含まれている。この硬化
可能の成形材料は構造体の製造、従ってプリント回路の
製造には使用されず、塗料としてまた印刷インキを製造
するのに使用される。
ボン酸エステル化エポキシ化合物をベースとする放射線
６二より硬化可能の成形材料が含まれている。この硬化
可能の成形材料は構造体の製造、従ってプリント回路の
製造には使用されず、塗料としてまた印刷インキを製造
するのに使用される。
西ドイツ国特許出願公開第２５０３５２６号公報から、
平板印刷版及び複写層支持体を製造するための感光性エ
ボキシンンナメート並びにフェノキシアクリレートは公
知である。
平板印刷版及び複写層支持体を製造するための感光性エ
ボキシンンナメート並びにフェノキシアクリレートは公
知である。
しかしこの場合には基本ポリマーに高い分子量（少なく
とも２００００ないし１５０００ １を得ること及び増
感剤を省略することに関して難点がある反応性希釈剤は
指摘されていない。この製品に設定される要求は本発明
の場合とは全く異なる種類のものである。
とも２００００ないし１５０００ １を得ること及び増
感剤を省略することに関して難点がある反応性希釈剤は
指摘されていない。この製品に設定される要求は本発明
の場合とは全く異なる種類のものである。
本発明により、公知の生成物に比較して以下の特性及び
長Ｐ９ｒ’２有する製品が得られる。
長Ｐ９ｒ’２有する製品が得られる。
１）酩電率６γは３５より小さい。これは導電路間隔を
小さくすることを可能とする。
小さくすることを可能とする。
２） 網状化ホモポリマーのガラス転移７ｊｒＡ ｂｔ
は丁でに１１０℃よりも商い。このことがら簡い熱安定
性が得られる。
は丁でに１１０℃よりも商い。このことがら簡い熱安定
性が得られる。
３） 相応するケイ皮酸化合物の場合よりも約５〜６倍
良好な高い紫外線感度性な示す。
良好な高い紫外線感度性な示す。
４） 反応性希釈剤を添加することにより１）〜３）で
指摘した特性の最良値を慈図的に調整することができる
。
指摘した特性の最良値を慈図的に調整することができる
。
５） フェノキシ樹脂生成物は加水分解化可能の塩化物
な含んでいない。従ってエポキシ樹脂に典型的なＥＮＸ
食現象（老化テスト及び気候テスト）が避けられる。
な含んでいない。従ってエポキシ樹脂に典型的なＥＮＸ
食現象（老化テスト及び気候テスト）が避けられる。
６） 有機溶媒への良好な溶解性は簡車な加工を可能に
する。
する。
７） 多層構造で中間層はもはや必要ない。
以下に本発明によるポリマー系を多階配線の製造に使用
する場合を実施例に基づき記載する。
する場合を実施例に基づき記載する。
第１図においては、支持体として銅箔１を使用し、これ
に光網状化可能の絶縁物質より成る鳩２を１本発明方法
に基づき増感剤として例えばミヒラーケトンヲ（／ｌｌ
えは１５％の濃度で添加後浸偵又は噴赫懐布晶により例
えば５〜２０μｍの胎維に塗布する。−２な紫外線で露
光し、現像することにより、これに接合可能のスルーポ
ール、すなわちテップの接続点を穿孔３として絶縁層２
に生せしめる。照射は接射法又は投射法で１層２の穿孔
３の部分を被覆する（ネガテプレジスト）マスクを使用
して（図示せず）行われる。引続き被覆された部分３を
適当な溶媒１例えはドルオール、キジロール、メチルエ
テルケトンのようなケトン。
に光網状化可能の絶縁物質より成る鳩２を１本発明方法
に基づき増感剤として例えばミヒラーケトンヲ（／ｌｌ
えは１５％の濃度で添加後浸偵又は噴赫懐布晶により例
えば５〜２０μｍの胎維に塗布する。−２な紫外線で露
光し、現像することにより、これに接合可能のスルーポ
ール、すなわちテップの接続点を穿孔３として絶縁層２
に生せしめる。照射は接射法又は投射法で１層２の穿孔
３の部分を被覆する（ネガテプレジスト）マスクを使用
して（図示せず）行われる。引続き被覆された部分３を
適当な溶媒１例えはドルオール、キジロール、メチルエ
テルケトンのようなケトン。
２−エトキシ−エテル−アセテート、トリクロルエチレ
ンのような塩素化炭化水素で溶解除去する。一方層２の
露光された部分１３では化学的網状化が生じ、これによ
り溶解は阻止されることがら、この部分１３は絶縁！−
として残留する。この第ｌ絶縁層２（１３）に配設され
たスルーホールとしての穿孔３を製造した後、穿孔３を
支持体として使用する＃箔１との関連下に電気メツキ法
により良好な導電材料例えば銅で充填する（第２図の２
３ ）。
ンのような塩素化炭化水素で溶解除去する。一方層２の
露光された部分１３では化学的網状化が生じ、これによ
り溶解は阻止されることがら、この部分１３は絶縁！−
として残留する。この第ｌ絶縁層２（１３）に配設され
たスルーホールとしての穿孔３を製造した後、穿孔３を
支持体として使用する＃箔１との関連下に電気メツキ法
により良好な導電材料例えば銅で充填する（第２図の２
３ ）。
引続き第２図に示すように、スノ５ズール２３を含む絶
縁層１３に、光網状化可能の絶縁物質よりなるもう１つ
の１−４を、本発明方法により第１図（二つき記載した
のと同じ方法で施し、導電路５及びもう１つのスルーホ
ール６を設ける。層４の露光及び皮酸は第１図に記載し
たのと同様にして行われる。第１の絶縁層２（１３）の
スルーホール３と電なり合うスルーホール用穿孔６以外
に、第２の絶縁層４には所望の導電路用の溝状空所５を
設ける。この空所５は、第１の絶縁層（２，１３）の少
なくとも１個のスルーホール２３が空所５内Ｃ二突入す
るように配置される。導電路を構成するため空所５を金
鵬メッキする。次いで更にスルーホール及び導電路を、
先に記載した製造工程を相応して繰り返すことにより施
すことができる。硬化剤の添加及びこれに伴なう加熱処
理は省くことができる。光増感剤の存在下に紫外線で照
射することによりポリマーは十分に網状化し、ｆｆ！化
する。
縁層１３に、光網状化可能の絶縁物質よりなるもう１つ
の１−４を、本発明方法により第１図（二つき記載した
のと同じ方法で施し、導電路５及びもう１つのスルーホ
ール６を設ける。層４の露光及び皮酸は第１図に記載し
たのと同様にして行われる。第１の絶縁層２（１３）の
スルーホール３と電なり合うスルーホール用穿孔６以外
に、第２の絶縁層４には所望の導電路用の溝状空所５を
設ける。この空所５は、第１の絶縁層（２，１３）の少
なくとも１個のスルーホール２３が空所５内Ｃ二突入す
るように配置される。導電路を構成するため空所５を金
鵬メッキする。次いで更にスルーホール及び導電路を、
先に記載した製造工程を相応して繰り返すことにより施
すことができる。硬化剤の添加及びこれに伴なう加熱処
理は省くことができる。光増感剤の存在下に紫外線で照
射することによりポリマーは十分に網状化し、ｆｆ！化
する。
配線構造は鋼中間層を必要としない。要求された高い耐
熱負荷性は達成され、従って公知のレジスｌ術での加工
は円滑Ｃ二行われる。これによりこの柚の構造体の製法
が簡略化されるばかりでなく、配線の電気データに対す
る信頼度も筒まる。
熱負荷性は達成され、従って公知のレジスｌ術での加工
は円滑Ｃ二行われる。これによりこの柚の構造体の製法
が簡略化されるばかりでなく、配線の電気データに対す
る信頼度も筒まる。
この理由から、更には極めて低いＩ）ｒ及び良好な溶解
度Ｃ二より本発明によるポリ７−系は、 ＶＬ８Ｉ工業
分野での集積半導体回路の製造で高温安定性のネガテブ
レジストとして最適であり、この場合寸法？＃度のマイ
クロ構造体又はパターンが得られることは極めて有意義
である。
度Ｃ二より本発明によるポリ７−系は、 ＶＬ８Ｉ工業
分野での集積半導体回路の製造で高温安定性のネガテブ
レジストとして最適であり、この場合寸法？＃度のマイ
クロ構造体又はパターンが得られることは極めて有意義
である。
第１図及び第２図は本発明の処理工程を示す断面図であ
る。 １・・・銅箔、 ２・・・第１絶縁層、 ３・・・穿孔
、 ４・・・第２絶縁層、 ５・・・空所、 ６・・・
スルーホール、 １３・・−露光部分、 ２３・ｅ・
スルーホール。
る。 １・・・銅箔、 ２・・・第１絶縁層、 ３・・・穿孔
、 ４・・・第２絶縁層、 ５・・・空所、 ６・・・
スルーホール、 １３・・−露光部分、 ２３・ｅ・
スルーホール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ａ）放射線により網状化可能のフォトポリマー系を
金属支持箔として形成された基材に 施し、 ｂ）露光及びポリマー層の露光されなかつた部分の除去
により所望の配線構造を製造し 、場合によつては ｃ）露出された金属を電気メッキ又は無電流金属メッキ
により補強し、 ｄ）同様にして更に被覆、構造化及び金属メッキにより
層を作り出す、形式の多層構造 のプリント回路を製造する方法において、 フォトポリマーとしてフェノキシ末端基又 はエポキシ末端基を有する分子量が１５０００よりも小
さいフリルアクリル酸エステル化 エポキシ樹脂を使用し、また網状化を１５０〜４００ｎ
ｍの範囲の波長の光線で光増感 剤の存在下に引続き熱硬化することなく実 施する ことを特徴とするプリント回路の製造方法。 ２）網状化を３００〜４００ｎｍの波長範囲で行うこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３）増感剤、光開始剤及び共増感剤を０．５〜５％の範
囲の濃度で感光性ポリマーに添加することを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は第２項記載の方法。 ４）ベンゾフェノン、ベンゾイン又はアセトフェノンの
誘導体、共増感剤としての第三アミンを使用することを
特徴とする特許請求の範囲第３項記載の方法。 ５）増感剤としてミヒラーケトン（４、４′−ビス（ジ
メチルアミノ）−ベンゾフェノン）を使用することを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載の方法。 ６）アクリレートをベースとしかつ基本ポリマーに対し
て５〜３０重量％の濃度範囲の反応性希釈剤を使用する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項の
いずれか１項に記載の方法。 ７）フォトポリマーの製造を、ビスフェノールＡ−エピ
クロルヒドリン−フェノキシ樹脂を３−（２−フリル）
−アクリル酸クロリドと反応させることにより行うこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のいず
れか１項に記載の方法。 ８）フォトポリマーの製造を、エポキシ末端基を有する
ビスフェノールＡをベースとするエポキシ樹脂を３−（
２−フリル）−アクリル酸クロリドと反応させることに
より行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第６項のいずれか１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3520277.7 | 1985-06-05 | ||
| DE3520277 | 1985-06-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61279198A true JPS61279198A (ja) | 1986-12-09 |
Family
ID=6272573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61129026A Pending JPS61279198A (ja) | 1985-06-05 | 1986-06-03 | プリント回路の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4920038A (ja) |
| EP (1) | EP0204292B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61279198A (ja) |
| DE (1) | DE3679453D1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3850689D1 (de) * | 1987-03-12 | 1994-08-25 | Siemens Ag | Strahlungsvernetzbares Polymersystem zur Anwendung als Photoresist und Dielektrikum für Mikroverdrahtungen. |
| EP0309783A3 (de) * | 1987-09-28 | 1989-08-30 | Siemens Nixdorf Informationssysteme Aktiengesellschaft | Strahlungsvernetzbare Harze für Anwendungen in der Elektronik |
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