JPS61278188A - 三端子半導体レ−ザ装置 - Google Patents
三端子半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61278188A JPS61278188A JP11994585A JP11994585A JPS61278188A JP S61278188 A JPS61278188 A JP S61278188A JP 11994585 A JP11994585 A JP 11994585A JP 11994585 A JP11994585 A JP 11994585A JP S61278188 A JPS61278188 A JP S61278188A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は光信号を入力して出力光のオンオフを制御す
ることができる半導体レーザ装置に関する。
ることができる半導体レーザ装置に関する。
「従来の技術」
従来においては、発光素子と受光素子ならびに電気信号
増幅素子とを各々個別に組合せ配置することでその機能
を実現するように構成されていた。
増幅素子とを各々個別に組合せ配置することでその機能
を実現するように構成されていた。
このため装置の小形化が難しく、その集積化が望まれて
いた。しかしながら集積化にあたっては発光素子と受光
素子あるいは電気的能動素子とは必要とする寸法、キャ
リアン届度等が橿めて異なっており、これらを同一基板
上に独立に形成する際には、製作プロセスが極めて複雑
となり、かつ相互の特性の歩留りが影響し、特性のそろ
った集積化素子を得るのには極めて高度な製作技術を必
要としその実現を困難にしていた。
いた。しかしながら集積化にあたっては発光素子と受光
素子あるいは電気的能動素子とは必要とする寸法、キャ
リアン届度等が橿めて異なっており、これらを同一基板
上に独立に形成する際には、製作プロセスが極めて複雑
となり、かつ相互の特性の歩留りが影響し、特性のそろ
った集積化素子を得るのには極めて高度な製作技術を必
要としその実現を困難にしていた。
「問題点を解決するための手段」
この発明は、これらの欠点を除去するために基板上に積
層した半導体層により、１つの素子でスイッチ、増幅、
波長変換等の機能を有する半導体レーザ装置を実現した
ものである。
層した半導体層により、１つの素子でスイッチ、増幅、
波長変換等の機能を有する半導体レーザ装置を実現した
ものである。
この発明によれば半導体基板上に導電形が異る半導体層
が少なくとも３つ順次形成されてｐｎｐｎ多層構造とさ
れ、その多層構造中の中間の１つの層は活性層とされる
。半導体基板と、最上部の半導体層と、その直下のこれ
と導電形を異にする半導体層とにそれぞれ互いに独立な
電極が設けられる。
が少なくとも３つ順次形成されてｐｎｐｎ多層構造とさ
れ、その多層構造中の中間の１つの層は活性層とされる
。半導体基板と、最上部の半導体層と、その直下のこれ
と導電形を異にする半導体層とにそれぞれ互いに独立な
電極が設けられる。
更に半導体基板に凹部が半導体層に達することなく形成
され、その凹部が光信号入力端とされる。
され、その凹部が光信号入力端とされる。
活性層のバンドギャップエネルギを半導体基板及び最上
部半導体層のバンドギャップエネルギより小さくされる
。更に活性層のバンドギャップエネルギと他の中間の半
導体層のハンドギャップエネルギとを異ならせて入力光
と出力光との波長を異ならせることができる。半導体基
板又は半導体層の一つに２次の回折格子を形成すること
により、活性層から誘起された光の一部を回折格子で反
射させて再び吸収し、一層大きな出力光を得るようにす
ることができる。活性層を含む半導体層を帯状に残し、
その両側を高抵抗の電流制限領域とし、活性層に電流が
集中して流れ、レーザ発振し易いようにすることができ
る。
部半導体層のバンドギャップエネルギより小さくされる
。更に活性層のバンドギャップエネルギと他の中間の半
導体層のハンドギャップエネルギとを異ならせて入力光
と出力光との波長を異ならせることができる。半導体基
板又は半導体層の一つに２次の回折格子を形成すること
により、活性層から誘起された光の一部を回折格子で反
射させて再び吸収し、一層大きな出力光を得るようにす
ることができる。活性層を含む半導体層を帯状に残し、
その両側を高抵抗の電流制限領域とし、活性層に電流が
集中して流れ、レーザ発振し易いようにすることができ
る。
「実施例」
第１図はこの発明の一実施例を示す。Ｐ−１ｎＰ基板１
上に、必要に応じて結晶をよいものとするためＰ−１ｎ
Ｐのバッファ層２（厚さ３μｍ、Ｚｎドープ、５ＸＩＱ
”ｃｍ−’）が形成され、そのバッファ層２上に組成波
長１．３ μｍキャリア濃度Ｉ Ｑ ｌ ’ｒ ｃｍ
−３のＳｎドープのｎ形１ｎＧａＡｓＰ活性層３（厚さ
０．１５μｍ）が形成される。その活性層３上にｎ−１
ｎＰクラツド層４（厚さ０．２μｍ、Ｓｎドープ、 １
０”ｃｍ−’）が形成される。そのクラッド層４上に幅
１．５μｍのＳｉＯ□膜をマスクとしたプロトン照射に
より、両側に高抵抗な電流制限領域５が半導体Ｉｌｌに
達して形成される。
上に、必要に応じて結晶をよいものとするためＰ−１ｎ
Ｐのバッファ層２（厚さ３μｍ、Ｚｎドープ、５ＸＩＱ
”ｃｍ−’）が形成され、そのバッファ層２上に組成波
長１．３ μｍキャリア濃度Ｉ Ｑ ｌ ’ｒ ｃｍ
−３のＳｎドープのｎ形１ｎＧａＡｓＰ活性層３（厚さ
０．１５μｍ）が形成される。その活性層３上にｎ−１
ｎＰクラツド層４（厚さ０．２μｍ、Ｓｎドープ、 １
０”ｃｍ−’）が形成される。そのクラッド層４上に幅
１．５μｍのＳｉＯ□膜をマスクとしたプロトン照射に
より、両側に高抵抗な電流制限領域５が半導体Ｉｌｌに
達して形成される。
マスクのＳｉＯア膜は除去され、Ｐ−１ｎＰ層６（厚さ
１．０、ｃｒｍ、Ｚｎドープ、 ５ ｘｌＱ１６ｃｍ
−″）及・びｎ−１ｎＰ層７（ｊ７さ１．０μｍ、Ｓｎ
ドープ、 Ｉ ＸＩＯ”（Ｊ−３）が順次形成される
。更にＳｉＯ！膜をマスクとして、最上部層７と接し、
これと導電形を異にする半導体層６に達するＰ″領域８
が例えば［ｌｅイオン注入により形成される。
１．０、ｃｒｍ、Ｚｎドープ、 ５ ｘｌＱ１６ｃｍ
−″）及・びｎ−１ｎＰ層７（ｊ７さ１．０μｍ、Ｓｎ
ドープ、 Ｉ ＸＩＯ”（Ｊ−３）が順次形成される
。更にＳｉＯ！膜をマスクとして、最上部層７と接し、
これと導電形を異にする半導体層６に達するＰ″領域８
が例えば［ｌｅイオン注入により形成される。
基板１の活性層３の下部に相当する部分にバッファ層２
に達しない程度まで、エツチングにより凹部が形成され
、その凹部は光信号入力端２０とされる。活性層３と対
応して最上部の半導体層７上に電極１０が、また半導体
層６に対する電極としてＰ゛領域８上に電極１１がそれ
ぞれ形成され、これら電極ｔｏ、 ｔｉはＳｉＯ□膜の
電極分離層９により互いに草色縁されている。基板１に
電極１２が形成される。
に達しない程度まで、エツチングにより凹部が形成され
、その凹部は光信号入力端２０とされる。活性層３と対
応して最上部の半導体層７上に電極１０が、また半導体
層６に対する電極としてＰ゛領域８上に電極１１がそれ
ぞれ形成され、これら電極ｔｏ、 ｔｉはＳｉＯ□膜の
電極分離層９により互いに草色縁されている。基板１に
電極１２が形成される。
結晶のへき開面により共振器要約２５０μｍの素子が切
り出される。
り出される。
半導体層２．３，４．６．７は一般に、気相又は液相成
長により形成される。このようにしてｐｎｐｎの多相構
造が構成され、その中間の半導体層３が活性層とされて
いる。活性層３．クラッド層４のバンドギャップエネル
ギは基板１．バッファ層２及び半導体層７のバンドギャ
ップエネルギより小さくされ、光信号入力端２０からの
光信号がなるべく吸収されることなく、活性層３へ達す
るようにされる。この半導体レーザ装置に対し、第２図
に示すように電極１０は接地され、電極１１に電源２１
によりバイアス電圧Ｖｇが与えられ、電極１２に電源２
２により電圧■が印加される。
長により形成される。このようにしてｐｎｐｎの多相構
造が構成され、その中間の半導体層３が活性層とされて
いる。活性層３．クラッド層４のバンドギャップエネル
ギは基板１．バッファ層２及び半導体層７のバンドギャ
ップエネルギより小さくされ、光信号入力端２０からの
光信号がなるべく吸収されることなく、活性層３へ達す
るようにされる。この半導体レーザ装置に対し、第２図
に示すように電極１０は接地され、電極１１に電源２１
によりバイアス電圧Ｖｇが与えられ、電極１２に電源２
２により電圧■が印加される。
この状態においてＶｇ＝０の場合は、電圧■が印加され
ているが、ｐｎｐｎ構造のため、ｎ形りラッド層４とｐ
形半導体層６との接合は逆バイアスとなり、電流は流れ
ない。しかし、光信号入力端２０に光信号が入力される
と、その光エネルギが活性層３に達し、これにキャリア
が注入され、バッファＮ２．活性層３．クラッド層４−
半導体層６のｐ−ｎ−ｐ構造がトランジスタとして作用
し、これに大きな電流が流れ、更にその電流が活性層３
．クラッド層４−半導体層６−半導体層７のトランジス
タとして作用するｉ−ρ−〇構造部分により増幅され、
活性層３に著しく大きな電流が流れ、活性層３から光が
誘起され、この光はバッファ層２及びクラッド層４間に
とじ込められ、第１図において紙面と直角な方向に光が
伝搬してこのｊＬ置から放射される。この場合は活性層
３が光吸収層としても作用している。つまり入力光の波
長と出力光の波長は等しく、この例では共に１．３ μ
ｍである。なお半導体層６では光吸収は行われない。
ているが、ｐｎｐｎ構造のため、ｎ形りラッド層４とｐ
形半導体層６との接合は逆バイアスとなり、電流は流れ
ない。しかし、光信号入力端２０に光信号が入力される
と、その光エネルギが活性層３に達し、これにキャリア
が注入され、バッファＮ２．活性層３．クラッド層４−
半導体層６のｐ−ｎ−ｐ構造がトランジスタとして作用
し、これに大きな電流が流れ、更にその電流が活性層３
．クラッド層４−半導体層６−半導体層７のトランジス
タとして作用するｉ−ρ−〇構造部分により増幅され、
活性層３に著しく大きな電流が流れ、活性層３から光が
誘起され、この光はバッファ層２及びクラッド層４間に
とじ込められ、第１図において紙面と直角な方向に光が
伝搬してこのｊＬ置から放射される。この場合は活性層
３が光吸収層としても作用している。つまり入力光の波
長と出力光の波長は等しく、この例では共に１．３ μ
ｍである。なお半導体層６では光吸収は行われない。
電圧Ｖｇをパラメータとした時の電圧■−電流Ｉ特性は
、第３図に示したようになり、負性抵抗特性を示し、つ
まり増幅特性があり、これはスイ・ノチング特性を示し
、この特性はＶｇ及び入力光強度によって支配されてい
る。Ｖｇは使用する入力光強度に従い、感度が最大とな
るような値を選定する。
、第３図に示したようになり、負性抵抗特性を示し、つ
まり増幅特性があり、これはスイ・ノチング特性を示し
、この特性はＶｇ及び入力光強度によって支配されてい
る。Ｖｇは使用する入力光強度に従い、感度が最大とな
るような値を選定する。
第１図に示した装置を用いる場合は１４３μｍの光を人
力光として用いる。
力光として用いる。
第４図はこの発明の装置を用いて光メモリ動作を行わせ
る際の手順例を示したものである。Ｖｇを０とし、電極
１０及び１２間にＶｇ２．５Ｖ程度の電圧を印加してお
くと、そのままでは第３図の特性図より解るように電流
はほとんど流れず、従って出力光は得られない状態にあ
る。そこへ第４図Ａに示すように光信号入力端２０より
入力光パルスを加えると、この装置はＯＮ状態に移行し
、電流は１００ｍ八程度流れ、このとき約１５１程度の
出力光が実現できる（第４図Ｂ）。この状態は次に電極
１１に負電圧（第４図Ｃ）を印加するまで持続される。
る際の手順例を示したものである。Ｖｇを０とし、電極
１０及び１２間にＶｇ２．５Ｖ程度の電圧を印加してお
くと、そのままでは第３図の特性図より解るように電流
はほとんど流れず、従って出力光は得られない状態にあ
る。そこへ第４図Ａに示すように光信号入力端２０より
入力光パルスを加えると、この装置はＯＮ状態に移行し
、電流は１００ｍ八程度流れ、このとき約１５１程度の
出力光が実現できる（第４図Ｂ）。この状態は次に電極
１１に負電圧（第４図Ｃ）を印加するまで持続される。
第５図はこの発明の別の実施例を示す。第１図のＰ−Ｉ
ｎＰ層６に代えて活性層３よりもバンドギャップエネル
ギが小さい、つまり組成波長の長いＰ−ＩｎＧａＡｓＰ
Ｊｉ１３（厚さ１．０ μｍ、 Ｚｎドープ、５Ｘ１
０１６ＣＩ１１− ’ 、組成波長１．５Ｉ１ｍ）を設
ける。この場合入力信号光として波長１．５ μｍの光
を用いればこれがｐ−１ｎＧａＡｓＰ層１３で光が吸収
され、ＯＮ状態において波長１．３μｍのレーザ光が出
力光として得られ、入出力信号間の波長変換も同時に行
われる。
ｎＰ層６に代えて活性層３よりもバンドギャップエネル
ギが小さい、つまり組成波長の長いＰ−ＩｎＧａＡｓＰ
Ｊｉ１３（厚さ１．０ μｍ、 Ｚｎドープ、５Ｘ１
０１６ＣＩ１１− ’ 、組成波長１．５Ｉ１ｍ）を設
ける。この場合入力信号光として波長１．５ μｍの光
を用いればこれがｐ−１ｎＧａＡｓＰ層１３で光が吸収
され、ＯＮ状態において波長１．３μｍのレーザ光が出
力光として得られ、入出力信号間の波長変換も同時に行
われる。
第６図はこの発明の更に別の実施例を示す。（一部を切
欠いて示しである）。表面に２次の回折格子１４（ピッ
チル４６００人、深さ１０００人）を形成した基板１を
用いて製作した。この場合活性層３で発生した光の一部
は回折格子１４で反射され、それが半導体層１３に入り
、この光は半導体層１３の組成波長よりも短いため、こ
の光もこの層１３で吸収され、全体の吸収光量は、第４
図に示した装置の場合に比べて、約１００倍に増加して
いる。従って、光吸収によって生成されるキャリア数を
同じにするとすれば、第６図の半導体層１３は０．２μ
ｍ厚に薄くすることができ、スイッチング時間は約１／
２．５に短縮できる。
欠いて示しである）。表面に２次の回折格子１４（ピッ
チル４６００人、深さ１０００人）を形成した基板１を
用いて製作した。この場合活性層３で発生した光の一部
は回折格子１４で反射され、それが半導体層１３に入り
、この光は半導体層１３の組成波長よりも短いため、こ
の光もこの層１３で吸収され、全体の吸収光量は、第４
図に示した装置の場合に比べて、約１００倍に増加して
いる。従って、光吸収によって生成されるキャリア数を
同じにするとすれば、第６図の半導体層１３は０．２μ
ｍ厚に薄くすることができ、スイッチング時間は約１／
２．５に短縮できる。
なお、電流制限領域５は、プロトン照射によって形成す
る場合に限らず、高純度成長層や、Ｆｅドープ等による
半絶縁層の結晶成長でもよい。この電流制限領域５は電
流通路を狭くし、電流密度を上げてレーザ発振をし易く
するものである。また以上の実施例は、ＩｎＰ系半導体
材料を用いて説明したが、ＧａＡｓ系半導体材料におい
ても適用できることは明らかである。基板１としてはｎ
形のものを用いてもよい。
る場合に限らず、高純度成長層や、Ｆｅドープ等による
半絶縁層の結晶成長でもよい。この電流制限領域５は電
流通路を狭くし、電流密度を上げてレーザ発振をし易く
するものである。また以上の実施例は、ＩｎＰ系半導体
材料を用いて説明したが、ＧａＡｓ系半導体材料におい
ても適用できることは明らかである。基板１としてはｎ
形のものを用いてもよい。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明は基板上に半導体層を積
層することにより１つの素子で入力光信号によって出力
光信号のＯＮ −ＯＦＦができるスイッチ機能、増幅機
能、波長変換機能等を実現できるため、光スィッチある
いは光論理回路を小形で高性能に構成するために必要な
高機能半導体レーザ装置を低価格で実現できる利点があ
る。
層することにより１つの素子で入力光信号によって出力
光信号のＯＮ −ＯＦＦができるスイッチ機能、増幅機
能、波長変換機能等を実現できるため、光スィッチある
いは光論理回路を小形で高性能に構成するために必要な
高機能半導体レーザ装置を低価格で実現できる利点があ
る。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図はこ
の発明装置の駆動例を示す図、第３図はこの発明の半導
体レーザ装置の電圧電流特性を示す図、第４図はこの発
明の装置を光メモリ動作させる場合の入力光、出力光の
関係を示す図、第５図はこの発明の別の実施例を示す断
面図、第６図はこの発明の更に別の実施例を示す一部を
切欠いた斜視図である。 １ ： Ｐ −１ｎＰ７Ｊ４反、２：Ｐ−１ｎＰバッフ
ァ層、３： ｎ−１ｎＧａＡｓＰ活性層、４：ｎ−１ｎ
Ｐクラッド層、５：高抵抗の電流制限領域、６：Ｐ−１
ｎＰ層、７：ｎ−１ｎＰｉ、８：Ｉ’Ｊｉ域、９：Ｓｉ
Ｊ膜、ｌＯ：ｎ形電極、１１：Ｐ形電極、１２：Ｐ形電
極、１３： Ｐ ＩｎＧａＡｓＰ層、１４：回折格子
、２０：光信号入力端。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代 理 人 草 野 卓士 １
図 才 ２ 図 オ ３ 図 才 ４ 肥
の発明装置の駆動例を示す図、第３図はこの発明の半導
体レーザ装置の電圧電流特性を示す図、第４図はこの発
明の装置を光メモリ動作させる場合の入力光、出力光の
関係を示す図、第５図はこの発明の別の実施例を示す断
面図、第６図はこの発明の更に別の実施例を示す一部を
切欠いた斜視図である。 １ ： Ｐ −１ｎＰ７Ｊ４反、２：Ｐ−１ｎＰバッフ
ァ層、３： ｎ−１ｎＧａＡｓＰ活性層、４：ｎ−１ｎ
Ｐクラッド層、５：高抵抗の電流制限領域、６：Ｐ−１
ｎＰ層、７：ｎ−１ｎＰｉ、８：Ｉ’Ｊｉ域、９：Ｓｉ
Ｊ膜、ｌＯ：ｎ形電極、１１：Ｐ形電極、１２：Ｐ形電
極、１３： Ｐ ＩｎＧａＡｓＰ層、１４：回折格子
、２０：光信号入力端。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代 理 人 草 野 卓士 １
図 才 ２ 図 オ ３ 図 才 ４ 肥
Claims (1)
- （１）半導体基板上に導電形が異る半導体層が少なくと
も３つ順次形成されてｐｎｐｎ多層構造とされ、この多
層構造における中間層の１つは活性層とされ、 上記半導体基板、最上部の半導体層及びその最上部の半
導体層と接するこれと異る導電形の半導体層にそれぞれ
互いに独立な第１、第２及び第３電極が形成され、 上記半導体基板に上記半導体層に達しない凹部が形成さ
れて光信号入力端とされている三端子半導体レーザ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11994585A JPH067630B2 (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | 三端子半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11994585A JPH067630B2 (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | 三端子半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61278188A true JPS61278188A (ja) | 1986-12-09 |
| JPH067630B2 JPH067630B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=14774065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11994585A Expired - Lifetime JPH067630B2 (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | 三端子半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067630B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155560A (en) * | 1991-07-22 | 1992-10-13 | Eastman Kodak Company | Semiconductor index guided laser diode having both contacts on same surface |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08173328A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-09 | Aichi Syst Kk | 携帯用レンジ |
-
1985
- 1985-06-03 JP JP11994585A patent/JPH067630B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155560A (en) * | 1991-07-22 | 1992-10-13 | Eastman Kodak Company | Semiconductor index guided laser diode having both contacts on same surface |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH067630B2 (ja) | 1994-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |