JPS61275386A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
- Publication number
- JPS61275386A JPS61275386A JP11618885A JP11618885A JPS61275386A JP S61275386 A JPS61275386 A JP S61275386A JP 11618885 A JP11618885 A JP 11618885A JP 11618885 A JP11618885 A JP 11618885A JP S61275386 A JPS61275386 A JP S61275386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- voltage
- chain alkyl
- general formula
- straight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表示装置用液晶組成物、特に電界効果モードに
於てダイナミ・Iり駆動特性が良好なる液晶組成物に関
する。
於てダイナミ・Iり駆動特性が良好なる液晶組成物に関
する。
本発明は、液晶組成物において、少なくとも一般式月1
−■−o−oRtで表わされる化合物、一般式R34−
@−OR4テ表わされる化合物、一般式R,−@−C!
00−−@−ON及びb 曇昏cNで表わされる化合物
、一般式Rフ−@−o−o−■−&で表わ爆れる化合物
、及び一般式Re @−〇 〇 〇 @−F で表わさ
れる化合物を用いることにより、光学的しきい値電圧の
低下、急峻性の向上、応答速度を速めるようにし念もの
である。
−■−o−oRtで表わされる化合物、一般式R34−
@−OR4テ表わされる化合物、一般式R,−@−C!
00−−@−ON及びb 曇昏cNで表わされる化合物
、一般式Rフ−@−o−o−■−&で表わ爆れる化合物
、及び一般式Re @−〇 〇 〇 @−F で表わさ
れる化合物を用いることにより、光学的しきい値電圧の
低下、急峻性の向上、応答速度を速めるようにし念もの
である。
従来、表示装置用ネマチック液晶組成物は、例えば特開
昭54−83694号会報などに明示されてイル!5G
’C1−般式R−@−coo−@−o−R’ (R、
R’ d各々任意の炭素数の直鎖アルキル基を示す)で
表わされる化合物(以後本文中に於てEOHと略記する
)などのNn液晶をペースにして、これらに一般式f−
@−coo−@−ca (R”は任意の炭素数の直鎖ア
ルキル基を示す)で表わされる化合物(以後本文中に於
てP−Eと略記する)などのNp液晶を添加し光学的し
きい値電圧を低下せしめる。但し、即液晶の添加量が多
くなると後述の急峻性などの電気光学特性が低下するの
で必要以上にNp液晶を添加することは得策でない。更
に上記猟液晶及びNp液晶に加えて一般式f−@−o−
o−CN(R#は任意の炭素数の直鎖アルキル基を示す
)で表わされる化合物などを添加する事により透明点を
高くし液晶温度範囲を広くしている。
昭54−83694号会報などに明示されてイル!5G
’C1−般式R−@−coo−@−o−R’ (R、
R’ d各々任意の炭素数の直鎖アルキル基を示す)で
表わされる化合物(以後本文中に於てEOHと略記する
)などのNn液晶をペースにして、これらに一般式f−
@−coo−@−ca (R”は任意の炭素数の直鎖ア
ルキル基を示す)で表わされる化合物(以後本文中に於
てP−Eと略記する)などのNp液晶を添加し光学的し
きい値電圧を低下せしめる。但し、即液晶の添加量が多
くなると後述の急峻性などの電気光学特性が低下するの
で必要以上にNp液晶を添加することは得策でない。更
に上記猟液晶及びNp液晶に加えて一般式f−@−o−
o−CN(R#は任意の炭素数の直鎖アルキル基を示す
)で表わされる化合物などを添加する事により透明点を
高くし液晶温度範囲を広くしている。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕今日、ネマ
チック液晶組成物に要求される特性の条件は ■ 電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧寸近の立ち
上がりが急峻であること(以後本文中に於て急峻性と略
記する) ■ 電圧の変化に対して透過率の応答速度が早いこと ■ 室温を中心として広い温度範囲で駆動できること、
即ち広いネマチック液晶範囲を持つこと ■ 化学的に安定で耐湿性・耐光性に優れること ■ 駆動電圧(まtけ閾電圧)が自由に選べること などがある。
チック液晶組成物に要求される特性の条件は ■ 電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧寸近の立ち
上がりが急峻であること(以後本文中に於て急峻性と略
記する) ■ 電圧の変化に対して透過率の応答速度が早いこと ■ 室温を中心として広い温度範囲で駆動できること、
即ち広いネマチック液晶範囲を持つこと ■ 化学的に安定で耐湿性・耐光性に優れること ■ 駆動電圧(まtけ閾電圧)が自由に選べること などがある。
単純マトリクス表示体に於てダイナミック駆動をした時
、駆動回路によって選択電極部ま几は非選択電極部の液
晶に印加される実効電圧を各々von 、voffとし
、走査電極の本数を1本とすれば比V。n/V677”
は van/Voff= JTE;7石/(f −1)
= (1)なる関係があり、nが多くなるにつれて比V
an/Voffも小さくなって行く。
、駆動回路によって選択電極部ま几は非選択電極部の液
晶に印加される実効電圧を各々von 、voffとし
、走査電極の本数を1本とすれば比V。n/V677”
は van/Voff= JTE;7石/(f −1)
= (1)なる関係があり、nが多くなるにつれて比V
an/Voffも小さくなって行く。
一方、液晶表示装置の一つであるツイスト・ネマチック
・モードの液晶セルを直交偏光子間に置き、第1図に示
す電気光学特性測定装置を用いて該セル4の透過率を光
電増倍管で観察しながら駆動回路6により該セル4に印
加する実効電圧を変えて行くと第2図に示される如き電
圧−透過率曲が得られる。電圧を上げて行き透過率7’
l’−変化し始める実効電圧を光学的しきい値電圧vt
ん(本明細書中に於ては透過率を10チだけ変化させる
のに必要な実効電圧値をvtんとする)、更に電圧を上
げて行き透過率が光学的飽和電圧をv8αt(本明細書
中忙於ては透過率を90チ変化させるのに必要な実効電
圧値をv satとする)とすると、非選択電極部では
印加される実効電圧Voffが閾電圧vthより小ざけ
れば、即ち Voff <Vth ・・・・・・・・(2)で
あれば電圧が印加されていない時と比較してその透過率
は変化せず全く選択されなく、選択電極部では印加され
る実効電圧VOfLが飽和電圧v8αtより大きければ
、即ち v on :zv sat ”−・(3)であれば透
過率は十分変化し選択され几事になる従って(3)式を
(2)式で割れば となり、この関係式h’−成り立つ時非選択電極と選択
電極の透過率の差が十分となる。更k(1)式と(4)
式から 耀<、 JC、/TL+ 1 )/(β−1) ・・・
・・・・・(5)となる。走査線の本数nが多くなるに
つれ右辺は小さくなり1に近すいて行く。このため選択
電極と非選択電極で十分なコントラストを得るには、v
8αt7vthも1に近い方が有利となる。即ち第2図
の電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧から光学的飽
和電圧にかけての曲線の勾配が急峻な程、コントラスト
を一定(または良くシ次上に)走査線本数を増やす事が
できる。以上が条件■が必要となる理由である。しかし
従来、電気光学特性に於ける温度依存性の除去が重要視
されてい几為条件■そのものを改良する具体的方策が示
されておらず問題である。これに対して温度依存性はI
Cが安価になった現在温度補償回路に組み込む事により
容易に取り除く事b;できるように成った。
・モードの液晶セルを直交偏光子間に置き、第1図に示
す電気光学特性測定装置を用いて該セル4の透過率を光
電増倍管で観察しながら駆動回路6により該セル4に印
加する実効電圧を変えて行くと第2図に示される如き電
圧−透過率曲が得られる。電圧を上げて行き透過率7’
l’−変化し始める実効電圧を光学的しきい値電圧vt
ん(本明細書中に於ては透過率を10チだけ変化させる
のに必要な実効電圧値をvtんとする)、更に電圧を上
げて行き透過率が光学的飽和電圧をv8αt(本明細書
中忙於ては透過率を90チ変化させるのに必要な実効電
圧値をv satとする)とすると、非選択電極部では
印加される実効電圧Voffが閾電圧vthより小ざけ
れば、即ち Voff <Vth ・・・・・・・・(2)で
あれば電圧が印加されていない時と比較してその透過率
は変化せず全く選択されなく、選択電極部では印加され
る実効電圧VOfLが飽和電圧v8αtより大きければ
、即ち v on :zv sat ”−・(3)であれば透
過率は十分変化し選択され几事になる従って(3)式を
(2)式で割れば となり、この関係式h’−成り立つ時非選択電極と選択
電極の透過率の差が十分となる。更k(1)式と(4)
式から 耀<、 JC、/TL+ 1 )/(β−1) ・・・
・・・・・(5)となる。走査線の本数nが多くなるに
つれ右辺は小さくなり1に近すいて行く。このため選択
電極と非選択電極で十分なコントラストを得るには、v
8αt7vthも1に近い方が有利となる。即ち第2図
の電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧から光学的飽
和電圧にかけての曲線の勾配が急峻な程、コントラスト
を一定(または良くシ次上に)走査線本数を増やす事が
できる。以上が条件■が必要となる理由である。しかし
従来、電気光学特性に於ける温度依存性の除去が重要視
されてい几為条件■そのものを改良する具体的方策が示
されておらず問題である。これに対して温度依存性はI
Cが安価になった現在温度補償回路に組み込む事により
容易に取り除く事b;できるように成った。
他の問題点として応答速度がある。
静止画像を表示する場合応答速度はそれ糧問題とならな
い。しかし;ンビエータ端末やワード・プロセッサーな
どの様に画像を頻繁に切り換える必要のある場合、高速
応答性が要求されるようになる。テレビ画傷などの動画
を表示する場合更に速い応答性bt要求されるのは言う
までもない。
い。しかし;ンビエータ端末やワード・プロセッサーな
どの様に画像を頻繁に切り換える必要のある場合、高速
応答性が要求されるようになる。テレビ画傷などの動画
を表示する場合更に速い応答性bt要求されるのは言う
までもない。
本発明は以上の問題点を解決するもので、その目的とす
るところは表示装置用のネマチック液晶組成物の急峻性
を改良しダイナミック駆動特性を向上させ、かつネマチ
ック液晶温度範囲を広くし動作温度範囲を広げ、更に化
学的に゛安定なネマチック液晶組成物を提供する事にあ
る。
るところは表示装置用のネマチック液晶組成物の急峻性
を改良しダイナミック駆動特性を向上させ、かつネマチ
ック液晶温度範囲を広くし動作温度範囲を広げ、更に化
学的に゛安定なネマチック液晶組成物を提供する事にあ
る。
本発明の液晶組成物は少なくとも一般式が下記Aで表わ
される化合物の少なくとも一種、一般式が下記Bで安わ
される化合物の少なくとも一種。
される化合物の少なくとも一種、一般式が下記Bで安わ
される化合物の少なくとも一種。
一般式h=下記Cで表わされる化合物の少なくとも一種
、一般式6”−下記りで表わされる化合物の少なくとも
一種、及び一般式が下記Eで表わされる化合物の少なく
と4一種から成る事を特徴とする。
、一般式6”−下記りで表わされる化合物の少なくとも
一種、及び一般式が下記Eで表わされる化合物の少なく
と4一種から成る事を特徴とする。
A ”・・” Rt−@−o−o−RtB ・・−、−
Pij−@−@−0−R+0 == m−@−coo−
@−am 、 Re−@−@−0ND ・・・・φ・
RツーくEレーぐ=会−o−e−bK −−−−−−n
o−@−coo−@−p但し、 R1及びカは炭素数1〜12個の直鎖アルキル基ゐ及び
丸は炭素数1〜12個の直鎖アルキル基胞は炭素数1〜
10個の直鎖アルキル基R6は炭素数1〜12個の直鎖
フルキル基R丁及びRaは炭素数1〜10個の直鎖アル
中ル基−は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基を表わす
。
Pij−@−@−0−R+0 == m−@−coo−
@−am 、 Re−@−@−0ND ・・・・φ・
RツーくEレーぐ=会−o−e−bK −−−−−−n
o−@−coo−@−p但し、 R1及びカは炭素数1〜12個の直鎖アルキル基ゐ及び
丸は炭素数1〜12個の直鎖アルキル基胞は炭素数1〜
10個の直鎖アルキル基R6は炭素数1〜12個の直鎖
フルキル基R丁及びRaは炭素数1〜10個の直鎖アル
中ル基−は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基を表わす
。
一般式Aで表わされる化合物(以後本文中釦於て化合物
Aと略記する)は応答速度を速くするために有効な践液
晶であり7重量%未満では効果が小さくその含有量は多
い程良い。しかし透明点が比較的低い几め化合物Aの含
有量が62重量%を越えるとネマチック液晶組成物の透
明点も低くなり、ひいてはネマチック液晶組成物のネマ
チック液晶範囲を狭くする几め好ましくない。従って化
合物Aの含有量は7重量%〜62重量%が望ましい。一
般式Bで表わされる化合物(以後本文中忙於て化合物B
と略記する)は従来の単なる血液晶及びNp液晶から成
るネマチック液晶組成物に添加する事により急峻性を向
上させ、かつネマチック液晶温度範囲も広げるために用
い几ものであり、2wt%未満では効力がなくその含有
量は多い穆良い。しかし80wt%を越えると共晶組成
からのズレが大きく成り過ぎて凝固点降下の成果が得ら
れず低温に於て析出するように成るtめ・2重量%〜8
0重量%が望ましい。
Aと略記する)は応答速度を速くするために有効な践液
晶であり7重量%未満では効果が小さくその含有量は多
い程良い。しかし透明点が比較的低い几め化合物Aの含
有量が62重量%を越えるとネマチック液晶組成物の透
明点も低くなり、ひいてはネマチック液晶組成物のネマ
チック液晶範囲を狭くする几め好ましくない。従って化
合物Aの含有量は7重量%〜62重量%が望ましい。一
般式Bで表わされる化合物(以後本文中忙於て化合物B
と略記する)は従来の単なる血液晶及びNp液晶から成
るネマチック液晶組成物に添加する事により急峻性を向
上させ、かつネマチック液晶温度範囲も広げるために用
い几ものであり、2wt%未満では効力がなくその含有
量は多い穆良い。しかし80wt%を越えると共晶組成
からのズレが大きく成り過ぎて凝固点降下の成果が得ら
れず低温に於て析出するように成るtめ・2重量%〜8
0重量%が望ましい。
一般式Cで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Cと略記する)はNp液晶でありその含有量の多少によ
り光学的しきい値電圧を低くま九高くできる。光学的し
きい値電圧が低ければそれに比例して液晶駆動用回路の
最大定格出力電圧も低くて済入、安価なIC力を使える
友め有利となる。
Cと略記する)はNp液晶でありその含有量の多少によ
り光学的しきい値電圧を低くま九高くできる。光学的し
きい値電圧が低ければそれに比例して液晶駆動用回路の
最大定格出力電圧も低くて済入、安価なIC力を使える
友め有利となる。
しかしp−x液晶の含有量を多くしすぎると急峻性など
の電気光学特性の性能を低下させ、透明点を低くし液晶
温度範囲を狭くするなどの好ましくない影響が出る可能
性があるのでこの含有量は過度にしない方が良い。即ち
5重量係から30重量%が望ましく、より望ましくは8
重量%〜22.5重Ji%である。
の電気光学特性の性能を低下させ、透明点を低くし液晶
温度範囲を狭くするなどの好ましくない影響が出る可能
性があるのでこの含有量は過度にしない方が良い。即ち
5重量係から30重量%が望ましく、より望ましくは8
重量%〜22.5重Ji%である。
一般式りで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
りと略記する)はネマチック液晶組成物の透明点を高く
するのに有効である。しかし5重量%未満では効果力を
小さくその含有量は多い程良い。しかし30重tSを越
えると低温でスフメチツク相が出現し好ましくない。従
りて化合物りの含有量は3〜30重量%が望ましく、よ
り望ましくF!5〜25重量係であ重量 一般式Eで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Eと略記する)は急峻性の向上及び光学的しきい値電圧
を低くするのに効果がある。しかし化合物Eけ透明点が
低い几め多量に添加するとネマチック液晶組成物の透明
点を低くする。従って化合物Eの含有景は15重量%b
t望ましく、より望ましくけ10重量係以下である。
りと略記する)はネマチック液晶組成物の透明点を高く
するのに有効である。しかし5重量%未満では効果力を
小さくその含有量は多い程良い。しかし30重tSを越
えると低温でスフメチツク相が出現し好ましくない。従
りて化合物りの含有量は3〜30重量%が望ましく、よ
り望ましくF!5〜25重量係であ重量 一般式Eで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Eと略記する)は急峻性の向上及び光学的しきい値電圧
を低くするのに効果がある。しかし化合物Eけ透明点が
低い几め多量に添加するとネマチック液晶組成物の透明
点を低くする。従って化合物Eの含有景は15重量%b
t望ましく、より望ましくけ10重量係以下である。
以下、発明明忙ついて実施例に基づき詳細に説明する。
尚、液晶組成物の特性の測定は次の如く行った。
第1図は電気光学特性に対する測定系を表わし念もので
ある。測定セル3はガラス製基板の片面に蒸着などの操
作により酸化錫などの透明電極を設け、更にその面を有
機薄膜で覆い配向処理を施し九上、スペーサーの役割を
兼ねぇナイロン・フィルム製の枠を間に挾んで液晶を封
入し九時液晶層が所望の厚入と成るように2枚の該ガラ
ス基板を対向させて固定したものであり、該セルの両面
には各々1枚づつの偏光板を電圧が印加されていない時
光、6を透過し、電圧が印加され九時光が遮断されるよ
うに偏光軸の向きを調整して貼付けである。
ある。測定セル3はガラス製基板の片面に蒸着などの操
作により酸化錫などの透明電極を設け、更にその面を有
機薄膜で覆い配向処理を施し九上、スペーサーの役割を
兼ねぇナイロン・フィルム製の枠を間に挾んで液晶を封
入し九時液晶層が所望の厚入と成るように2枚の該ガラ
ス基板を対向させて固定したものであり、該セルの両面
には各々1枚づつの偏光板を電圧が印加されていない時
光、6を透過し、電圧が印加され九時光が遮断されるよ
うに偏光軸の向きを調整して貼付けである。
尚、本文中に於てガラス基板とガラス基板の間隔(即ち
、液晶層の厚さをセル厚と略記する)白色光源1から出
逢光線はレンズ系2を通りセル3に垂直方向から入射し
、後方に設けられ念検出器でその透過光強度が測定され
る。この時セル5には駆動回路5によって任意の実効値
電圧を持つ周波数1キロ・ヘルツの交番矩形電圧を印加
されている。第1図の測定系を用いて液晶セルを測定し
t電圧−透過率曲線が第2図である。第2図に於て透過
率は通常の印加電圧範囲で最も明るくなった時及び最も
暗くなっ几時の透過率を各々100チ及び0%として表
わし印加電圧を透過率100チの電圧から始めて徐々に
上げて行き透過率が10チだけ変化した時の実効値電圧
を光学的しきい値電圧vthま之更に印加電圧を上げて
透過率が100係の時から90cs変化し次時の実効値
電圧を光学的飽和電圧v8αtと各々定める。この時、
電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧付近の立ち上が
り(即ち、急峻性)は下式に於けるβ値として定められ
る。
、液晶層の厚さをセル厚と略記する)白色光源1から出
逢光線はレンズ系2を通りセル3に垂直方向から入射し
、後方に設けられ念検出器でその透過光強度が測定され
る。この時セル5には駆動回路5によって任意の実効値
電圧を持つ周波数1キロ・ヘルツの交番矩形電圧を印加
されている。第1図の測定系を用いて液晶セルを測定し
t電圧−透過率曲線が第2図である。第2図に於て透過
率は通常の印加電圧範囲で最も明るくなった時及び最も
暗くなっ几時の透過率を各々100チ及び0%として表
わし印加電圧を透過率100チの電圧から始めて徐々に
上げて行き透過率が10チだけ変化した時の実効値電圧
を光学的しきい値電圧vthま之更に印加電圧を上げて
透過率が100係の時から90cs変化し次時の実効値
電圧を光学的飽和電圧v8αtと各々定める。この時、
電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧付近の立ち上が
り(即ち、急峻性)は下式に於けるβ値として定められ
る。
sat
β=vth
点燈時(マトリクス・セルに於て選択されり時)の実効
値電圧(V(1%と表わす) h@ V sat に
等しく、非点燈時(非選択時)の実効電圧(Voff
と表わす)がvthに等しい電気信号hz印加された
時各々透過率が90係及び10チと成り9画素の点燈及
び非点燈が認識される事と成る。更に言えばvonがv
8αtよりやや大き(、Voffが Vthよりやや小
さければ各々の透過率は90チ以上と10係以下と成る
。この時V ow’V off > V sαt7v訣
=βである。これとけ逆にVanがv8αtより小さく
、V offがvthより大きければ各々の透過率は9
0%以下と10%以上と成り視認性が悪くなってしまう
。即ち、van/v off < V sat/Vtん
=βなる信号電圧が印加され次場合視認性が悪くなるの
である。この様にβ値が電気信号の実効電圧比Vtyn
/Voffより小さければ視認性の良い画素表示が得ら
れ、同じ画像表示を得るのにβ値が小さい穆Von/V
off比も小さく済む。単純マトリクス表示体では走査
線本数を多くする程v on/v offが小さくなる
念めβ値も小さい(1に近づく)事が必要である。以上
β値けv on/v offが許容される最小値を示す
tめマルチプレヴクス特性の指標となる。
値電圧(V(1%と表わす) h@ V sat に
等しく、非点燈時(非選択時)の実効電圧(Voff
と表わす)がvthに等しい電気信号hz印加された
時各々透過率が90係及び10チと成り9画素の点燈及
び非点燈が認識される事と成る。更に言えばvonがv
8αtよりやや大き(、Voffが Vthよりやや小
さければ各々の透過率は90チ以上と10係以下と成る
。この時V ow’V off > V sαt7v訣
=βである。これとけ逆にVanがv8αtより小さく
、V offがvthより大きければ各々の透過率は9
0%以下と10%以上と成り視認性が悪くなってしまう
。即ち、van/v off < V sat/Vtん
=βなる信号電圧が印加され次場合視認性が悪くなるの
である。この様にβ値が電気信号の実効電圧比Vtyn
/Voffより小さければ視認性の良い画素表示が得ら
れ、同じ画像表示を得るのにβ値が小さい穆Von/V
off比も小さく済む。単純マトリクス表示体では走査
線本数を多くする程v on/v offが小さくなる
念めβ値も小さい(1に近づく)事が必要である。以上
β値けv on/v offが許容される最小値を示す
tめマルチプレヴクス特性の指標となる。
印加電圧の変化に対する応答速度は次の通りとする。印
加する実効値電圧を瞬間的にvthからv8αtへ切り
換え九時定常状態での各々実効値電圧に対する透過率同
志の差の90壬だけ透過率が変化するのに要する時間(
即ち透過率が90俤から18チへ変化するのに要する時
間>fミ’)秒単位でTonと表わし、同様にv8αt
からVtんへ実効値電圧を瞬間的に切り換え次時定常状
態での各々の実効電圧に対する透過率同志の差の90俤
だけ透過率が変化するのに要する時間(透過率が10チ
から82チへ変化するのに要する時間)をj 17秒単
位でT offと表わす。TonとT offを足した
T(41J秒単位を以て応答速度の指標とする。
加する実効値電圧を瞬間的にvthからv8αtへ切り
換え九時定常状態での各々実効値電圧に対する透過率同
志の差の90壬だけ透過率が変化するのに要する時間(
即ち透過率が90俤から18チへ変化するのに要する時
間>fミ’)秒単位でTonと表わし、同様にv8αt
からVtんへ実効値電圧を瞬間的に切り換え次時定常状
態での各々の実効電圧に対する透過率同志の差の90俤
だけ透過率が変化するのに要する時間(透過率が10チ
から82チへ変化するのに要する時間)をj 17秒単
位でT offと表わす。TonとT offを足した
T(41J秒単位を以て応答速度の指標とする。
尚、一般に印加電圧をOから任意の電圧ν(男へ瞬間的
に切り換えてから透過率が00状態から90チへ変化す
るのと要する時間をton、印加電圧をνから0へ瞬間
的に切り換えてから透過率が100チの状態から10%
変化するのに要する時間を、t offとすると下記の
式で表わされる事が知られている(参考文献: M、B
chcLdt、 日本学術振興会情報科学用有機材料
第142委員会八部会(液晶グループ)第11回研究会
資料 1978年)。
に切り換えてから透過率が00状態から90チへ変化す
るのと要する時間をton、印加電圧をνから0へ瞬間
的に切り換えてから透過率が100チの状態から10%
変化するのに要する時間を、t offとすると下記の
式で表わされる事が知られている(参考文献: M、B
chcLdt、 日本学術振興会情報科学用有機材料
第142委員会八部会(液晶グループ)第11回研究会
資料 1978年)。
ton=η/Ct Ate” −K (7)”)= d
” ・yt/(80,71tν”−Kg2)t off
=η/K(7,>” =d2・η/にπ2 (ここで、ηはバルク粘度、#。は真空鰐電率。
” ・yt/(80,71tν”−Kg2)t off
=η/K(7,>” =d2・η/にπ2 (ここで、ηはバルク粘度、#。は真空鰐電率。
A−は相対誘電率の異方性、Eは電場、にはに11+に
2.−2に2□)/4なる弾性定数項、dけセル厚を各
々表わし、η、 ΔεおよびKは液晶組成物に個有であ
る)。従ってton及びt offは共にd2に比例し
て長くなる。
2.−2に2□)/4なる弾性定数項、dけセル厚を各
々表わし、η、 ΔεおよびKは液晶組成物に個有であ
る)。従ってton及びt offは共にd2に比例し
て長くなる。
本実施例で定義し7tTなる応答速度もセル厚と密接な
関係があり、定性的ではあるがセル厚が薄いとTは短か
く、セル厚が厚いと長い傾向を見出した。これらの関係
は当業者ならば納得するに難しくない。従って同じ液晶
組成物を用いて液晶表示体を作っ九場合セル厚を薄くす
る程、応答速度を速くする事ができる。
関係があり、定性的ではあるがセル厚が薄いとTは短か
く、セル厚が厚いと長い傾向を見出した。これらの関係
は当業者ならば納得するに難しくない。従って同じ液晶
組成物を用いて液晶表示体を作っ九場合セル厚を薄くす
る程、応答速度を速くする事ができる。
一方、急峻性βけセル厚d (p)と屈折率異方性Δn
の積である△n@dが0.8〜1.0寸近の時、最も小
さくなる(最良となる)事が見出されている(参考文献
:山崎淑夫、竹下 裕、永田光夫、宮地幸夫、 Pr0
6eediIrL(1B Of the 3rd工nt
ernatイO?lα1visplay Reaear
ch conferencet #JAPAN D工8
PLAY/83”、320頁: 1983年、■811
))。従ってコントラストを重視する場合、セル厚dを
Δn・dが。
の積である△n@dが0.8〜1.0寸近の時、最も小
さくなる(最良となる)事が見出されている(参考文献
:山崎淑夫、竹下 裕、永田光夫、宮地幸夫、 Pr0
6eediIrL(1B Of the 3rd工nt
ernatイO?lα1visplay Reaear
ch conferencet #JAPAN D工8
PLAY/83”、320頁: 1983年、■811
))。従ってコントラストを重視する場合、セル厚dを
Δn・dが。
0.8〜tOけ近に成る様に液晶表示体を作るのが最も
得策であり、液晶組成物の急峻性の比較もこのセル厚で
行うのが最も妥当であると考えられる。
得策であり、液晶組成物の急峻性の比較もこのセル厚で
行うのが最も妥当であると考えられる。
応答時間も先に記し九如くセル厚と関係する几め液晶組
成物の応答時間を比較するkは適当な厚みで測定する事
が必要である。
成物の応答時間を比較するkは適当な厚みで測定する事
が必要である。
以上を鑑み、本実施例では急峻性、応答速度及び、1閾
電圧の測定は全て急峻性βが最小となるセル厚のセルを
用いて測定し九〇 測定温度は全て摂氏20度とした。
電圧の測定は全て急峻性βが最小となるセル厚のセルを
用いて測定し九〇 測定温度は全て摂氏20度とした。
ま几配向の均一性を高める之め本発明のネマチック液晶
組成物に微量のコレステリリク物質を添加したものをセ
ルに封止し友。
組成物に微量のコレステリリク物質を添加したものをセ
ルに封止し友。
ネマチック相晶相の安定性はセルに封入した状態で高温
液晶性及び低温液晶性7以て表わし九〇即ち年平均気温
の平年値が東京で15℃、那覇で22℃である(総理府
統計局編「日本の統計」昭和55年度版 6,7頁)か
ら室温を20℃と仮定しセルを恒温槽に設置し、それよ
り更に30℃高い温度に於てネマチック相が安定か否か
を高温液晶と称することにし、ネマチ9り相が安定なら
O印、等方性液体(1sotropic 1iquid
)なら1で表わす。低温液晶性はセルを設置し几恒温槽
の温度を20℃から始め1日につき5℃ずつ下げて行っ
た時、室温として仮定した20℃より50℃低くたつ之
時(即ち、恒温槽温度−10℃)、ネマチック液晶相h
%安定か否かを低温液晶性と称し、ネマチック相bZ安
定なら○印を、スメクチック相なら論固体状態を呈して
いるがまtは析出を生じていればX印を以って表わす。
液晶性及び低温液晶性7以て表わし九〇即ち年平均気温
の平年値が東京で15℃、那覇で22℃である(総理府
統計局編「日本の統計」昭和55年度版 6,7頁)か
ら室温を20℃と仮定しセルを恒温槽に設置し、それよ
り更に30℃高い温度に於てネマチック相が安定か否か
を高温液晶と称することにし、ネマチ9り相が安定なら
O印、等方性液体(1sotropic 1iquid
)なら1で表わす。低温液晶性はセルを設置し几恒温槽
の温度を20℃から始め1日につき5℃ずつ下げて行っ
た時、室温として仮定した20℃より50℃低くたつ之
時(即ち、恒温槽温度−10℃)、ネマチック液晶相h
%安定か否かを低温液晶性と称し、ネマチック相bZ安
定なら○印を、スメクチック相なら論固体状態を呈して
いるがまtは析出を生じていればX印を以って表わす。
〔実施例−1,2〕
本発明による実施例−1及び、実施例−2の組成及び特
性を第1表に示す。但し、本実施例は化合物Eとして一
般式R,−0−Coo−@−K (式中R0は炭素数1
〜10個の直鎖アル千ル基を示す)で表わされる化合物
を含有して成る事を性徴としている。
性を第1表に示す。但し、本実施例は化合物Eとして一
般式R,−0−Coo−@−K (式中R0は炭素数1
〜10個の直鎖アル千ル基を示す)で表わされる化合物
を含有して成る事を性徴としている。
ま念、従来例としてEOH及びP−Eを含有して成る液
晶組成物の組成及び特性t−第2表に示す。
晶組成物の組成及び特性t−第2表に示す。
従来例−1で急峻性を表わすβ値力”−1,265であ
るのに対して、実施例−1のβ値はt245 、実施例
−2のβ値は1228と良好である。即ち、単純マトリ
クス電圧を用いた液晶パネルに於て透過率を選択電極で
10チ以下(暗状態)に、非選択電極で90チ以上(明
状態)に各々する九めには、従来例−1では走査電極の
数は、17本以下しか駆動できないの忙対して実施例−
1では23本以上、実施例−2では25本以上駆動する
ことができる。
るのに対して、実施例−1のβ値はt245 、実施例
−2のβ値は1228と良好である。即ち、単純マトリ
クス電圧を用いた液晶パネルに於て透過率を選択電極で
10チ以下(暗状態)に、非選択電極で90チ以上(明
状態)に各々する九めには、従来例−1では走査電極の
数は、17本以下しか駆動できないの忙対して実施例−
1では23本以上、実施例−2では25本以上駆動する
ことができる。
光学的しきい値電圧も従来例−1が2.597であるの
に対して、実施例−1は2.16V、実施例−2B2.
20Vであり、いずれも極めて良好である。
に対して、実施例−1は2.16V、実施例−2B2.
20Vであり、いずれも極めて良好である。
更に、応答速度も従来例−1が444 j 17秒であ
るのに対して、実施例−1が182ミリ秒、実施例−2
ht 192ミリ秒であり、いずれもかなり改善されて
いる。
るのに対して、実施例−1が182ミリ秒、実施例−2
ht 192ミリ秒であり、いずれもかなり改善されて
いる。
実施例−1,2は摂氏50度に於ける高温液晶性及び摂
氏マイナス10度に於ける低温液晶性もあり、十分安宇
で、通常の表示体に用いるのには十分広いネマチック液
晶温度範囲を有している。
氏マイナス10度に於ける低温液晶性もあり、十分安宇
で、通常の表示体に用いるのには十分広いネマチック液
晶温度範囲を有している。
特に実施例−2は、摂氏マイナス20度から摂氏70度
まで、ネ1チック温度範囲を有し、かなり厳しい条件下
での表示体にも用いることが可能である。
まで、ネ1チック温度範囲を有し、かなり厳しい条件下
での表示体にも用いることが可能である。
以上、従 ;−1のβ値が1265であるのに対して1
本発明 よる実施例−1f′1t243 、実施例−2
は1228と極めて良好である。また光学的しきい値電
圧も低く、応答速度も速い。更にネマチック液晶温度範
囲も十分である。
本発明 よる実施例−1f′1t243 、実施例−2
は1228と極めて良好である。また光学的しきい値電
圧も低く、応答速度も速い。更にネマチック液晶温度範
囲も十分である。
第1表
第2!!
〔発明の効果〕
以上述べたように1本発明によれば、少なくとも一般式
Rl−@@−0−Rtで表わされる化合物、一般式Rs
−Q−0/−0−Raで表わされる化合物、一般式力く
−Coo−0−ON 及rjF4−@−o−am テ表
hghル化合物、−般式R?−@@噂−@−Raテ表b
サレル化合物、一般式R9−6−Coo 噂−IFで
表わされる化合物を用いてネマチック液晶組成物を構成
し几事により、摂氏マイナス10度から摂氏50度まで
、最もネマチック液晶範囲の広いものでは摂氏マイナス
20度から摂氏70度の温度範囲で駆動でき、急峻性が
優れ、応答速度が速く、光学的しきい値電圧も適当であ
りダイナミック駆動特性に優れ几ネマチック液晶組成物
を得る事ができ比。
Rl−@@−0−Rtで表わされる化合物、一般式Rs
−Q−0/−0−Raで表わされる化合物、一般式力く
−Coo−0−ON 及rjF4−@−o−am テ表
hghル化合物、−般式R?−@@噂−@−Raテ表b
サレル化合物、一般式R9−6−Coo 噂−IFで
表わされる化合物を用いてネマチック液晶組成物を構成
し几事により、摂氏マイナス10度から摂氏50度まで
、最もネマチック液晶範囲の広いものでは摂氏マイナス
20度から摂氏70度の温度範囲で駆動でき、急峻性が
優れ、応答速度が速く、光学的しきい値電圧も適当であ
りダイナミック駆動特性に優れ几ネマチック液晶組成物
を得る事ができ比。
本発明によるネマチック液晶組成物を用いればツイスト
ネマチックモードを始めとし、ゲストΦホスト効果モー
ド(ホスト液晶として)などの表示素子に於て優れ7?
:!!示コントラストを得るのに多大の効果がある。
ネマチックモードを始めとし、ゲストΦホスト効果モー
ド(ホスト液晶として)などの表示素子に於て優れ7?
:!!示コントラストを得るのに多大の効果がある。
第1図は賽施例に於て用い比測定装置を表わすハード図
。 第2図は該測定装置を用いて一般的に得られる相対透過
率−実効電圧の変化を示し比曲線図。 1・・・・・・光源 2・・・・・・光線 3・・・・・・レンズ及びフィルター系4・・・・・・
セル 5・・・・・・受光部(光電増培管) 以 上
。 第2図は該測定装置を用いて一般的に得られる相対透過
率−実効電圧の変化を示し比曲線図。 1・・・・・・光源 2・・・・・・光線 3・・・・・・レンズ及びフィルター系4・・・・・・
セル 5・・・・・・受光部(光電増培管) 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも一般式が下記Aで表わされる化合物の少なく
とも一種、一般式が下記Bで表わされる化合物の少なく
とも一種、一般式が下記Cで表わされる化合物の少なく
とも一種、一般式が下記Dで表わされる化合物の少なく
とも一種、及び一般式が下記Eで表わされる化合物の少
なくとも一種から成る事を特徴とする液晶組成物。 A……▲数式、化学式、表等があります▼ B……▲数式、化学式、表等があります▼ C……▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
学式、表等があります▼ D……▲数式、化学式、表等があります▼ E……▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、 R_1及びR_2は炭素数1〜12個の直鎖アルキル基
R_3及びR_4は炭素数1〜12個の直鎖アルキル基
R_5は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基R_6は炭
素数1〜12個の直鎖アルキル基R_7及びR_8は炭
素数1〜10個の直鎖アルキル基R_9は炭素数1〜1
0個の直鎖アルキル基を表わす。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11618885A JPS61275386A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11618885A JPS61275386A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 液晶組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61275386A true JPS61275386A (ja) | 1986-12-05 |
Family
ID=14681002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11618885A Pending JPS61275386A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61275386A (ja) |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP11618885A patent/JPS61275386A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS58191782A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS61275386A (ja) | 液晶組成物 | |
JP3205598B2 (ja) | 液晶表示素子及びその駆動方法 | |
JPS60243193A (ja) | ネマチツク液晶組成物 | |
JPH0232308B2 (ja) | ||
JPS62218479A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62100581A (ja) | 液晶組成物 | |
JPH0721141B2 (ja) | ダイナミック駆動液晶表示装置用液晶組成物 | |
JPS62218482A (ja) | 液晶組成物 | |
JPH01247482A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62100583A (ja) | 液晶組成物 | |
JPH0696705B2 (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62100585A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS61271384A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62215687A (ja) | 液晶組成物 | |
JP3128880B2 (ja) | 液晶組成物およびそれを用いた液晶表示素子 | |
JPS61243887A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62184089A (ja) | 液晶組成物 | |
JPH0730322B2 (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62218480A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS6346289A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS6245686A (ja) | 液晶組成物 | |
KR940004087B1 (ko) | 액정 물질 | |
JPS6245685A (ja) | 液晶組成物 | |
JPH06220454A (ja) | 液晶組成物 |