JPS6245686A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
- Publication number
- JPS6245686A JPS6245686A JP18683985A JP18683985A JPS6245686A JP S6245686 A JPS6245686 A JP S6245686A JP 18683985 A JP18683985 A JP 18683985A JP 18683985 A JP18683985 A JP 18683985A JP S6245686 A JPS6245686 A JP S6245686A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- voltage
- transmittance
- chain alkyl
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表示装置用液晶組成物、特に電界効果モードに
於てダイナミック駆動特性が良好なる液晶組成物に関す
る。
於てダイナミック駆動特性が良好なる液晶組成物に関す
る。
本発明は、液晶組成物において、少なくとも一般式R1
−e←◇−0−R2で表わされる化合物、一般式Rs−
@−OH2CH2−1p−〇−R4で表わされる化合物
、一般式Rs −@−a OO−◎−ON で表わされ
る化合物を用いることにより、光学的しきい値電圧の低
下、急峻性の向上、応答速度を速めるようにしたもので
ある。
−e←◇−0−R2で表わされる化合物、一般式Rs−
@−OH2CH2−1p−〇−R4で表わされる化合物
、一般式Rs −@−a OO−◎−ON で表わされ
る化合物を用いることにより、光学的しきい値電圧の低
下、急峻性の向上、応答速度を速めるようにしたもので
ある。
従来、表示装置用液晶組成物は、例えば特開昭54−8
5694号公報などに示されているように、一般式R−
e−c o o←◎−0−R’(R,R’は各々任意の
炭素数の直鎖アルキル基を示す)で表わされる化合物(
以後本文中に於て11i0Hと略記する)などのNn液
晶をベースにして、これらに一般式R”−@−Coo−
@−C!N (a”ハ任意の炭素数)直鎖アルキル基を
示す)で表わされる化合物(以後本文中に於てP−1と
略記する)などのNp液晶を添加し、光学的しきい値電
圧を低下せしめる。但し、Np液晶の添加量が多くなる
と後述の急峻性などの電気光学特性が低下するので必要
以上にNp液晶を添加することは得策でない。
5694号公報などに示されているように、一般式R−
e−c o o←◎−0−R’(R,R’は各々任意の
炭素数の直鎖アルキル基を示す)で表わされる化合物(
以後本文中に於て11i0Hと略記する)などのNn液
晶をベースにして、これらに一般式R”−@−Coo−
@−C!N (a”ハ任意の炭素数)直鎖アルキル基を
示す)で表わされる化合物(以後本文中に於てP−1と
略記する)などのNp液晶を添加し、光学的しきい値電
圧を低下せしめる。但し、Np液晶の添加量が多くなる
と後述の急峻性などの電気光学特性が低下するので必要
以上にNp液晶を添加することは得策でない。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕今日ネマチ
ック液晶範囲物に要求される特性の条件は ■ 電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧の付近の立
ち上がりが急峻であること(以後本文中に於て急峻性と
略記する) ■ 電圧の変化に対して透過率の応答速度が速いこと ■ 室温を中心として広い温度範囲で駆動できること、
即ち広いネマチック液晶範囲を持つこと ■ 化学的に安定で耐湿性・耐光性に優れること ■ 駆動車圧(または光学的しきい値電圧)が自由に選
べること などがある。
ック液晶範囲物に要求される特性の条件は ■ 電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧の付近の立
ち上がりが急峻であること(以後本文中に於て急峻性と
略記する) ■ 電圧の変化に対して透過率の応答速度が速いこと ■ 室温を中心として広い温度範囲で駆動できること、
即ち広いネマチック液晶範囲を持つこと ■ 化学的に安定で耐湿性・耐光性に優れること ■ 駆動車圧(または光学的しきい値電圧)が自由に選
べること などがある。
単純マトリクス表示体に於てダイナミック駆動をした時
、駆動回路によって選択電極部または非選択電極部の液
晶に印加される実効電圧を各々Von、Voffとし、
走査電極の本数をn本とすれば、比V On/V Of
fは Van/Voff= (Jπ+1)/(JTl)
−(1)なる関係があり、nが多くなるにつれて比
VOn/ V Of fも小さくなって行く。
、駆動回路によって選択電極部または非選択電極部の液
晶に印加される実効電圧を各々Von、Voffとし、
走査電極の本数をn本とすれば、比V On/V Of
fは Van/Voff= (Jπ+1)/(JTl)
−(1)なる関係があり、nが多くなるにつれて比
VOn/ V Of fも小さくなって行く。
一方、液晶表示装置の一つであるツイスト・ネマチック
・モードの液晶セルを直交偏光子間に置き、第1図に示
す電気光学特性測定装置を用いて該七ル4の透過率を光
電増倍管で観察しながら駆動回路6により該七ル4に印
加する実効電圧を変えて行くと第2図に示される如き実
効電圧−相対透過率曲線が得られる。電圧を上げて行き
透過率が変化し始める実効電圧を光学的しきい値電圧v
th(本明細書中に於ては透過率を10%だけ変化させ
るのに必要な実効電圧値をvthとする)、更に電圧を
上げて行き透過率が光学的飽和電圧をVsat(本明細
書に於ては透過率を90%変化させるのに必要な実効電
圧値をVsatとする)とすると、非選択電極部では印
加される実効電圧VOffが光学的しきい値電圧vth
より小さければ、即ち、 Voff≦v t h ・−・−(2)であ
れば電圧が印加されていない時と比較してその透過率は
変化せず全く選択されなく、選択電極部では印加される
実効電圧Wonが飽和電圧Vsatより大きければ、即
ち VOn≧Vaat ・・・・・・(8)であれ
ば透過率は十分変化し選択された事になる。従つて(8
)式を(2)式で測れば Won Teat □≧□ ・・・・・・(4) ¥Off Vth となり、この関係式が成り立つ時非選択電極と選択電極
の透過率の差が十分となる。更に(1)式と(4)式か
ら となる。走査線の本数nが多くなるにつれ右辺は小さく
なり1に近づいて行く。このため選択電極と非選択電極
で十分なコントラストを得るにはV s a t /
V t hも1に近い方が有利となる。即ち第2図の電
圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧から光学的飽和電
圧にかけての勾配が急峻な程1コントラストを一定(ま
たは良くした上に)走査線本数を増やす事ができる。以
上が条件■が必要となる理由である。しかし従来、電気
光学特性に於ける温度依存性の除去が重要視されていた
為条件■そのものひ改良する具体的方策が示されておら
ず問題である。これに対して温度依存性は工Cが安価に
なった現在温度補償回路を駆動回路に組み込む事により
容易に取り除く事が出来るように成った。
・モードの液晶セルを直交偏光子間に置き、第1図に示
す電気光学特性測定装置を用いて該七ル4の透過率を光
電増倍管で観察しながら駆動回路6により該七ル4に印
加する実効電圧を変えて行くと第2図に示される如き実
効電圧−相対透過率曲線が得られる。電圧を上げて行き
透過率が変化し始める実効電圧を光学的しきい値電圧v
th(本明細書中に於ては透過率を10%だけ変化させ
るのに必要な実効電圧値をvthとする)、更に電圧を
上げて行き透過率が光学的飽和電圧をVsat(本明細
書に於ては透過率を90%変化させるのに必要な実効電
圧値をVsatとする)とすると、非選択電極部では印
加される実効電圧VOffが光学的しきい値電圧vth
より小さければ、即ち、 Voff≦v t h ・−・−(2)であ
れば電圧が印加されていない時と比較してその透過率は
変化せず全く選択されなく、選択電極部では印加される
実効電圧Wonが飽和電圧Vsatより大きければ、即
ち VOn≧Vaat ・・・・・・(8)であれ
ば透過率は十分変化し選択された事になる。従つて(8
)式を(2)式で測れば Won Teat □≧□ ・・・・・・(4) ¥Off Vth となり、この関係式が成り立つ時非選択電極と選択電極
の透過率の差が十分となる。更に(1)式と(4)式か
ら となる。走査線の本数nが多くなるにつれ右辺は小さく
なり1に近づいて行く。このため選択電極と非選択電極
で十分なコントラストを得るにはV s a t /
V t hも1に近い方が有利となる。即ち第2図の電
圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧から光学的飽和電
圧にかけての勾配が急峻な程1コントラストを一定(ま
たは良くした上に)走査線本数を増やす事ができる。以
上が条件■が必要となる理由である。しかし従来、電気
光学特性に於ける温度依存性の除去が重要視されていた
為条件■そのものひ改良する具体的方策が示されておら
ず問題である。これに対して温度依存性は工Cが安価に
なった現在温度補償回路を駆動回路に組み込む事により
容易に取り除く事が出来るように成った。
他の問題として応答速度がある。
静止画像を表示する場合応答速度はそれ程問題とならな
い。しかしコンピュータ端末やワード・プロセッサーな
どの様に画像を頻繁に切シ換える必要のある場合、高速
応答性が要求されるようになる。テレビ画像などの動画
を表示する場合更に速い応答性が要求されるのは言うま
でもない。
い。しかしコンピュータ端末やワード・プロセッサーな
どの様に画像を頻繁に切シ換える必要のある場合、高速
応答性が要求されるようになる。テレビ画像などの動画
を表示する場合更に速い応答性が要求されるのは言うま
でもない。
本発明は以上の問題点な解決するもので、その目的とす
るところは表示装置用のネマチック液晶組成物の急峻性
を改良しダイナミック駆動特性を向上させ、かつネマチ
ック液晶温度範囲を広くし動作温度範囲を広げ、更に化
学的に安定なネマチック液晶組成物を提供する事にある
。
るところは表示装置用のネマチック液晶組成物の急峻性
を改良しダイナミック駆動特性を向上させ、かつネマチ
ック液晶温度範囲を広くし動作温度範囲を広げ、更に化
学的に安定なネマチック液晶組成物を提供する事にある
。
本発明の液晶組成物は少なくとも一般式が下記Aで表わ
される化合物の少なくとも一種、一般式が下記Bで表わ
される化合物の少なくとも一種、及び一般式が下記Cで
表わされる化合物の少なくとも一種から成る事を特徴と
する。
される化合物の少なくとも一種、一般式が下記Bで表わ
される化合物の少なくとも一種、及び一般式が下記Cで
表わされる化合物の少なくとも一種から成る事を特徴と
する。
A・・・・・・R1−■→◇−0−R2B・・・・・・
旧−@−(! H20H2→櫓ン→4C・・・・・−R
5−@−c OO−◎−ON但し、 R1及びR2は炭素数1〜12個の直鎖アルキル基 R5及びR4は炭素数2〜6個の直鎖アルキル基 R5は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基を表わす。
旧−@−(! H20H2→櫓ン→4C・・・・・−R
5−@−c OO−◎−ON但し、 R1及びR2は炭素数1〜12個の直鎖アルキル基 R5及びR4は炭素数2〜6個の直鎖アルキル基 R5は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基を表わす。
一般式Aで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Aと略記する)は応答速度を速くするために有効なNn
液晶であり7重量%未満では効果が小さくその含有量は
多い程良い。しかし透明点が比較的低いため化合物Aの
含有量が72重量%を越えるとネマチック液晶組成物の
透明点も低くなり、ひいてはネマチック液晶組成物の、
+文、チ、セフ液晶範囲を狭くするため好ましくない。
Aと略記する)は応答速度を速くするために有効なNn
液晶であり7重量%未満では効果が小さくその含有量は
多い程良い。しかし透明点が比較的低いため化合物Aの
含有量が72重量%を越えるとネマチック液晶組成物の
透明点も低くなり、ひいてはネマチック液晶組成物の、
+文、チ、セフ液晶範囲を狭くするため好ましくない。
従って化合物Aの含有量は7重社%〜72重量%が望ま
しい。
しい。
一般式Bで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Bと略記する)は従来の単なるNn液晶及びNp液晶か
ら成るネマチック液晶組成物に添加する事により急峻性
を向上させ、かつ透明点を高くするのに用いるものであ
り、5重量%未満では効果が小さくその含有量は多い程
良い。しかし60重祉%を越えると共晶組成からのズレ
が大きく成り過ぎて凝固点降下の効果が得られず低温に
於て析出するように成るため5重量%〜60重黛%が望
ましい。
Bと略記する)は従来の単なるNn液晶及びNp液晶か
ら成るネマチック液晶組成物に添加する事により急峻性
を向上させ、かつ透明点を高くするのに用いるものであ
り、5重量%未満では効果が小さくその含有量は多い程
良い。しかし60重祉%を越えると共晶組成からのズレ
が大きく成り過ぎて凝固点降下の効果が得られず低温に
於て析出するように成るため5重量%〜60重黛%が望
ましい。
一般式Cで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Cと略記する)はNp液晶でありその含有量の多少によ
り光学的しきい値電圧を低くまた高くできる。光学的し
きい値電圧が低ければそれに比例し5て液晶駆動用回路
の最大定格出力電圧も低くて済み、安価なIOが使える
ため有利となる。しかしP−1液晶の含有量を多くし過
ぎると急峻性などの電気光学特性の性能を低下させ、透
明点を低くし液晶温度範囲を狭くするなどの好ましくな
い影響が出る可能性があるのでこの含有量は過度にしな
い方が良い。即ち5重貸%〜30重M%が望ましく、よ
り望ましくは8重量%〜22.51jLM%である。
Cと略記する)はNp液晶でありその含有量の多少によ
り光学的しきい値電圧を低くまた高くできる。光学的し
きい値電圧が低ければそれに比例し5て液晶駆動用回路
の最大定格出力電圧も低くて済み、安価なIOが使える
ため有利となる。しかしP−1液晶の含有量を多くし過
ぎると急峻性などの電気光学特性の性能を低下させ、透
明点を低くし液晶温度範囲を狭くするなどの好ましくな
い影響が出る可能性があるのでこの含有量は過度にしな
い方が良い。即ち5重貸%〜30重M%が望ましく、よ
り望ましくは8重量%〜22.51jLM%である。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
尚、液晶組成物の特性の測定は次の如く行りた。第1図
は電気光学特性に対する測定系を表わしたものである。
は電気光学特性に対する測定系を表わしたものである。
測定セル4はガラス製基板の片面に蒸着などの操作によ
り酸化錫などの透明電極を設け、更にその而を有機薄膜
で覆い配向処理を施した上、スペーサーの役割を兼ねた
ナイロン・フィルム製の枠を間に挾んで液晶を封入した
時液晶層が所望の厚みと成るように二枚の該ガラス基板
を対向させて固定したものであり、該セルの両面には各
々一枚ずつの偏光根号電圧が印加されていない時光が透
過し、電圧が印加された時光が遮断されるように偏光軸
の向きを調整して貼付けである。尚、本文中に於てガラ
ス基板とガラス基板の間隔(即ち液晶層の厚さ)をセル
厚と略記する。
り酸化錫などの透明電極を設け、更にその而を有機薄膜
で覆い配向処理を施した上、スペーサーの役割を兼ねた
ナイロン・フィルム製の枠を間に挾んで液晶を封入した
時液晶層が所望の厚みと成るように二枚の該ガラス基板
を対向させて固定したものであり、該セルの両面には各
々一枚ずつの偏光根号電圧が印加されていない時光が透
過し、電圧が印加された時光が遮断されるように偏光軸
の向きを調整して貼付けである。尚、本文中に於てガラ
ス基板とガラス基板の間隔(即ち液晶層の厚さ)をセル
厚と略記する。
白色光源1から出た光線はレンズ系5を通りセル4に垂
直方向から入射し、後方に設けられた検出器でその透過
光強度が測定される。この時セル4には駆動回路5によ
って任意の実効値電圧を持つ周波数1キロ・ヘルツの交
番矩形電圧を印加されている。第1図の測定系を用いて
液晶セルを測定した実効電圧−相対透過率曲線が第2図
である。
直方向から入射し、後方に設けられた検出器でその透過
光強度が測定される。この時セル4には駆動回路5によ
って任意の実効値電圧を持つ周波数1キロ・ヘルツの交
番矩形電圧を印加されている。第1図の測定系を用いて
液晶セルを測定した実効電圧−相対透過率曲線が第2図
である。
第2図に於て透過率は通常の印加電圧範囲で最も明るく
なった時及び最も暗くなった時の透過率を各々100%
及び0%として表わし印加電圧を透過率100%の電圧
から始めて除々に上げて行き透過率が10%だけ変化し
た時の実効値電圧を光学的しきい値電圧vthまた更に
印加電圧を上げて透過率が100%の時から90%変化
した時の実効値電圧を光学的飽和電圧V8atと各々定
める。この時、電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧
付近の立ち上がり(即ち急峻性)は下式に於けるβ値と
して定められる。
なった時及び最も暗くなった時の透過率を各々100%
及び0%として表わし印加電圧を透過率100%の電圧
から始めて除々に上げて行き透過率が10%だけ変化し
た時の実効値電圧を光学的しきい値電圧vthまた更に
印加電圧を上げて透過率が100%の時から90%変化
した時の実効値電圧を光学的飽和電圧V8atと各々定
める。この時、電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧
付近の立ち上がり(即ち急峻性)は下式に於けるβ値と
して定められる。
Vaat
β” vth
点燈時(マトリクス・セルに於て選択された時)の実効
値電圧(Vonと表わす)がVaatに等しく、非点燈
時(非選択時)の実効値電圧(Xoffと表わす)がv
thに等しい電気信号が印加された時各々透過率が90
%及び10%と成り、画素の点燈及び非点燈が認識され
る事と成る。更に言えばVOnがVsatよりやや太き
(、VOffがvthよりやや小さければ各々の透過率
は90%以上と10%以下と成る。この時V On /
Vo f f)V8at/Vth=βである。これと
は逆にVOnがVaatより小さく、VOffがvth
より大きければ各々の透過率は90%以下と10%以上
と成り視認性が悪くなってしまう。即ちV On /
V Of f (V 13 fL t / V t h
=βなる信号電圧が印加された場合視認性が悪くなる
のである。この様にβ値が電気信号の実効電圧比VOn
/ V Of fより小さければ視認性の良い画素表示
が得られ、同じ画像表示を得るのにβ値が小さい程V
o n / V o f f比も小さく済む。単純マト
リクス表示体では走査線本数を多くする程V o n
/Voffが小さくなるためβ値も小さい(1に近づく
)事が必要である。以上β値はV o n / V O
f fが許容される最小値を示すためマルチプレックス
特性の指標となる。
値電圧(Vonと表わす)がVaatに等しく、非点燈
時(非選択時)の実効値電圧(Xoffと表わす)がv
thに等しい電気信号が印加された時各々透過率が90
%及び10%と成り、画素の点燈及び非点燈が認識され
る事と成る。更に言えばVOnがVsatよりやや太き
(、VOffがvthよりやや小さければ各々の透過率
は90%以上と10%以下と成る。この時V On /
Vo f f)V8at/Vth=βである。これと
は逆にVOnがVaatより小さく、VOffがvth
より大きければ各々の透過率は90%以下と10%以上
と成り視認性が悪くなってしまう。即ちV On /
V Of f (V 13 fL t / V t h
=βなる信号電圧が印加された場合視認性が悪くなる
のである。この様にβ値が電気信号の実効電圧比VOn
/ V Of fより小さければ視認性の良い画素表示
が得られ、同じ画像表示を得るのにβ値が小さい程V
o n / V o f f比も小さく済む。単純マト
リクス表示体では走査線本数を多くする程V o n
/Voffが小さくなるためβ値も小さい(1に近づく
)事が必要である。以上β値はV o n / V O
f fが許容される最小値を示すためマルチプレックス
特性の指標となる。
印加電圧の変化に対する応答速度は次の通りとする。印
加する実効値電圧を瞬間的にvthからVaatへ切シ
換えた時定常状態での各々の実効電圧に対する透過率同
志の差の90%だけ透過率が変化するのに要する時間(
即ち透過率が90%から18%へ変化するのに要する時
間)をミリ秒単位でTon表わし、同様にVsatから
vthへ実効値電圧を瞬間的に切シ換えた時定常状態で
の各々の実効電圧に対する透過率同志の差の90%だけ
透過率が変化するのに要する時間(透過率が10%から
82%へ変化するのに要する時間)をミリ秒単位でTo
ffと表わす。TonとT offを足したT (l
IJ秒単位)を以て応答速度の指標とする。
加する実効値電圧を瞬間的にvthからVaatへ切シ
換えた時定常状態での各々の実効電圧に対する透過率同
志の差の90%だけ透過率が変化するのに要する時間(
即ち透過率が90%から18%へ変化するのに要する時
間)をミリ秒単位でTon表わし、同様にVsatから
vthへ実効値電圧を瞬間的に切シ換えた時定常状態で
の各々の実効電圧に対する透過率同志の差の90%だけ
透過率が変化するのに要する時間(透過率が10%から
82%へ変化するのに要する時間)をミリ秒単位でTo
ffと表わす。TonとT offを足したT (l
IJ秒単位)を以て応答速度の指標とする。
尚、一般に印加電圧を0から任意の電圧El(V)へ瞬
間的に切シ換えてから透過率がOの状態から90%へ変
化するのに要する時間をton、印加電圧をVから0へ
瞬間的に切シ換えてから透過率が100%の状態から1
0%変化するのに要する時間をtoffとすると下記の
式で表わされる事が知られている(参考文献: M、5
chadt、日本学振興会情報料学用有機材料第142
委員会A部会(液晶グループ)第11回研究会資料、1
978年)。
間的に切シ換えてから透過率がOの状態から90%へ変
化するのに要する時間をton、印加電圧をVから0へ
瞬間的に切シ換えてから透過率が100%の状態から1
0%変化するのに要する時間をtoffとすると下記の
式で表わされる事が知られている(参考文献: M、5
chadt、日本学振興会情報料学用有機材料第142
委員会A部会(液晶グループ)第11回研究会資料、1
978年)。
ton=η/(ε0ΔεK” −K(−)” )=d2
・v/(goΔe u” −Kz” )tofで=η/
K(H)” =d2・η/に7c2 (ここでηはバルク粘度、Iloは真空誘電率、Δeは
相対誘電率の異方性、Eは電場、KはK。
・v/(goΔe u” −Kz” )tofで=η/
K(H)” =d2・η/に7c2 (ここでηはバルク粘度、Iloは真空誘電率、Δeは
相対誘電率の異方性、Eは電場、KはK。
+ K 、、 2 Kgg ) / 4なる弾性定数
項、 dはセル厚を各々表わし、η、ΔξおよびKは液
晶組成物に個有である)。従ってton及びtoffは
共にd2に比例して長くなる。
項、 dはセル厚を各々表わし、η、ΔξおよびKは液
晶組成物に個有である)。従ってton及びtoffは
共にd2に比例して長くなる。
本実施例で定義したTなる応答速度もセル厚と密接な関
係があり、定性的ではあるがセル厚が薄いとTは短かく
、セル厚が厚いと長い傾向を見出した。これらの関係は
当業者ならば納得するに難くない。従りて同じ液晶組成
物を用いて液晶表示体を作った場合セル厚を薄くする程
応答速度を速くする事ができる。
係があり、定性的ではあるがセル厚が薄いとTは短かく
、セル厚が厚いと長い傾向を見出した。これらの関係は
当業者ならば納得するに難くない。従りて同じ液晶組成
物を用いて液晶表示体を作った場合セル厚を薄くする程
応答速度を速くする事ができる。
一方、急峻性βはセル厚d(μ)と屈折率異方性Δnの
積であるΔn−(lが0.8〜1.0付近の特設も小さ
くなる(最良となる)事が見出されている(参考文献:
山崎淑夫、竹下裕、永田光夫、宮地幸夫、、Proce
edings of the 5rd工nter−na
tional Diepl−ay Re5earch
Conference“JAPAN D工5PLAY
’83”、320頁;1983年。
積であるΔn−(lが0.8〜1.0付近の特設も小さ
くなる(最良となる)事が見出されている(参考文献:
山崎淑夫、竹下裕、永田光夫、宮地幸夫、、Proce
edings of the 5rd工nter−na
tional Diepl−ay Re5earch
Conference“JAPAN D工5PLAY
’83”、320頁;1983年。
■Sより)。従ってコントラストを重視する場合セル厚
dをΔn−dがo、 B〜1.0付近に成る様に液晶表
示体を作るのが最も得策であり、液晶組成物の急峻性の
比較もこのセル厚で行うのが最も妥当であると考えられ
る。反応時間も先に記した如くセル厚と関係するため液
晶組成物の応答時間を比較するには適当な厚みで測定す
る事が必要である以上を鑑み、本実施例では急峻性、応
答速度及び光学的しきい値電圧の測定は全て急峻性βが
最小となるセル厚のセルを用いて測定した。
dをΔn−dがo、 B〜1.0付近に成る様に液晶表
示体を作るのが最も得策であり、液晶組成物の急峻性の
比較もこのセル厚で行うのが最も妥当であると考えられ
る。反応時間も先に記した如くセル厚と関係するため液
晶組成物の応答時間を比較するには適当な厚みで測定す
る事が必要である以上を鑑み、本実施例では急峻性、応
答速度及び光学的しきい値電圧の測定は全て急峻性βが
最小となるセル厚のセルを用いて測定した。
測定温度は全て摂氏20度とした。
また配向の均一性を高めるため本発明のネマチック液晶
組成物にamのコレステリック物質を添加したものをセ
ルに封止した。
組成物にamのコレステリック物質を添加したものをセ
ルに封止した。
ネマチック液晶相の安定性はセルに封入した状態で高温
液晶性及び低温液晶性?以って表わした。即ち年平均気
温の平年値が東京で15℃、部組で22℃である(総理
府統計周幅「日本の統計」昭和55年度版 6.7頁)
から室温を20℃と仮定しセルを恒温槽に設置し、それ
より更に30℃高い温度に於てネマチック相が安定か否
かを高温液晶性と称することにし、ネマチック相が安定
なら○印、等方性液体(1sotropiclipu1
d)なら工で表わす。低温液晶性はセルを設置した恒温
槽の温度を20℃から始め1日につき5℃づつ下げて行
った時、室温として仮定した20℃より50℃低くなっ
た時(即ち恒温槽温度−10°C)、ネマチック液晶相
が安定か否かを低温液晶性と称し、ネマチック相が安定
なら○印を、スメクチック液晶相ならSmを固体状態を
呈しているかまたは析出を生じていればX印を以りて表
わす。
液晶性及び低温液晶性?以って表わした。即ち年平均気
温の平年値が東京で15℃、部組で22℃である(総理
府統計周幅「日本の統計」昭和55年度版 6.7頁)
から室温を20℃と仮定しセルを恒温槽に設置し、それ
より更に30℃高い温度に於てネマチック相が安定か否
かを高温液晶性と称することにし、ネマチック相が安定
なら○印、等方性液体(1sotropiclipu1
d)なら工で表わす。低温液晶性はセルを設置した恒温
槽の温度を20℃から始め1日につき5℃づつ下げて行
った時、室温として仮定した20℃より50℃低くなっ
た時(即ち恒温槽温度−10°C)、ネマチック液晶相
が安定か否かを低温液晶性と称し、ネマチック相が安定
なら○印を、スメクチック液晶相ならSmを固体状態を
呈しているかまたは析出を生じていればX印を以りて表
わす。
〔実施例−1,2〕
本発明による実施例−1,2の組成及び特性を第1表に
示す。但し本実施例は化合物Bとして一般式R3−o−
0H20Hz−@−p−R4(式中R3及ヒR4は炭素
数1〜10個の直鎖アルキル基を示す)で表わされる化
合物(以後本文中に於てPREと略記する)を16.2
重量%とP−1を12.2重置%含有して成る事を特徴
としている。
示す。但し本実施例は化合物Bとして一般式R3−o−
0H20Hz−@−p−R4(式中R3及ヒR4は炭素
数1〜10個の直鎖アルキル基を示す)で表わされる化
合物(以後本文中に於てPREと略記する)を16.2
重量%とP−1を12.2重置%含有して成る事を特徴
としている。
また、従来例としてEOH及びP−Eを含有して成る液
晶組成物の組成及び特性を第2表に示す従来例−1で急
峻性を表わすβ値が1.265であるのに対して、実施
例−1のβ値は1.251、実施例−2のβ値は1.2
55とかなり改良されている。
晶組成物の組成及び特性を第2表に示す従来例−1で急
峻性を表わすβ値が1.265であるのに対して、実施
例−1のβ値は1.251、実施例−2のβ値は1.2
55とかなり改良されている。
光学的しきい値電圧vthは、従来例−1が2.59V
であるのに対して、実施例−1のvthはztsv、実
mM −2+7) V t Qも2.15Vと大幅に低
くなっている。
であるのに対して、実施例−1のvthはztsv、実
mM −2+7) V t Qも2.15Vと大幅に低
くなっている。
更に、応答速度も従来例−1が444 ミIJ秒である
のに対して、実施例−1は268ミリ秒、実施例−2は
265ミリ秒とかなり速くなっている実施例−1,2は
摂氏50度に於ける高温液晶性及び摂氏マイナス10度
に於ける低温液晶性もあり、十分安定で、通常の表示体
に用いるのには十分広いネマチック液晶温度範囲を有し
ている。
のに対して、実施例−1は268ミリ秒、実施例−2は
265ミリ秒とかなり速くなっている実施例−1,2は
摂氏50度に於ける高温液晶性及び摂氏マイナス10度
に於ける低温液晶性もあり、十分安定で、通常の表示体
に用いるのには十分広いネマチック液晶温度範囲を有し
ている。
更に実施例−1,2は摂氏マイナス30度に於ても液晶
性を有し、かなり厳しい条件下での表示体にも用いるこ
とが可能である。
性を有し、かなり厳しい条件下での表示体にも用いるこ
とが可能である。
以上、本発明による実施例−1,2は、従来例−1と比
較して、光学的しきい値電圧vthは大幅に低下し、β
値もかなり改善されている。更に応答速度も速く、ネマ
チック液晶温度範囲も十分である。
較して、光学的しきい値電圧vthは大幅に低下し、β
値もかなり改善されている。更に応答速度も速く、ネマ
チック液晶温度範囲も十分である。
〔実施例−3〕
本発明による実施例−3の組成及び特性な第3表に示す
。但し本実施例はPREを3′10重社%とp−zを1
4.2重量%含有して成る事を特徴としている。
。但し本実施例はPREを3′10重社%とp−zを1
4.2重量%含有して成る事を特徴としている。
また、従来例−1の組成及び特性ご第2表に示す。
従来例−1で急峻性を表わすβ値が1.265であるの
に対して、実施例−5のβ値は1.215と良好である
。即ち単純マトリクス電極を用いた液晶パネルに於て透
過率を選択i!極で10%以下(暗状態)に、非選択電
極で90%以上(明状態)に各々するためには、従来例
−1では走査電極の数は、17本以下しか駆動できない
のに対して、実施例−5では27本以上駆動することが
できる光学的しきい値電圧vthは、従来例−1が2.
59Vであるのに対して、実施例−3のvthは2.4
9Vで低下している。
に対して、実施例−5のβ値は1.215と良好である
。即ち単純マトリクス電極を用いた液晶パネルに於て透
過率を選択i!極で10%以下(暗状態)に、非選択電
極で90%以上(明状態)に各々するためには、従来例
−1では走査電極の数は、17本以下しか駆動できない
のに対して、実施例−5では27本以上駆動することが
できる光学的しきい値電圧vthは、従来例−1が2.
59Vであるのに対して、実施例−3のvthは2.4
9Vで低下している。
更に、応答速度も従来例−1が444ミリ秒であるのに
対して、実施例−5は255ミリ秒とかなり速くなって
いる。
対して、実施例−5は255ミリ秒とかなり速くなって
いる。
実施例−3は摂氏50度に於ける高温液晶性及び摂氏マ
イナス10度に於ける低温液晶性もあり十分安定で、通
常の表示体に用いるのには十分広いネマチック液晶温度
範囲を有している。更に、詳しくは、高温側では摂氏6
0度に於ても、また低温側では摂氏マイナス40度に於
ても液晶性を有し、苛酷な条件下での表示体にも用いる
ことが可能である。
イナス10度に於ける低温液晶性もあり十分安定で、通
常の表示体に用いるのには十分広いネマチック液晶温度
範囲を有している。更に、詳しくは、高温側では摂氏6
0度に於ても、また低温側では摂氏マイナス40度に於
ても液晶性を有し、苛酷な条件下での表示体にも用いる
ことが可能である。
以上、本発明による実施例−3は、従来例−1と比較し
て、光学的しきい値電圧vthが低くなり、β値が大き
く改善されている。更に応答速度も速く、ネマチック液
晶温度範囲も十分広い。
て、光学的しきい値電圧vthが低くなり、β値が大き
く改善されている。更に応答速度も速く、ネマチック液
晶温度範囲も十分広い。
第1表
第2表
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明によれば、少なくとも一般式
R1−■→カー〇−R2で表わされる化合物、一般式R
a−@−c H2CH2−@−9−R4r表わされる化
合物、一般式R5−◎−Oo 0−o−a N で表
わされる化合物を用いてネマチック液晶組成物を構成し
た事により最もネマチック液晶温度範囲の広いものでは
摂氏マイナス40度から摂氏60度の温度範囲で駆動で
き、急峻性が優れ、応答速度が速く、更に、光学的しき
い値電圧が低く、ダイナミック駆動特性に優れたネマチ
ック液晶組成物を得ることができる。
R1−■→カー〇−R2で表わされる化合物、一般式R
a−@−c H2CH2−@−9−R4r表わされる化
合物、一般式R5−◎−Oo 0−o−a N で表
わされる化合物を用いてネマチック液晶組成物を構成し
た事により最もネマチック液晶温度範囲の広いものでは
摂氏マイナス40度から摂氏60度の温度範囲で駆動で
き、急峻性が優れ、応答速度が速く、更に、光学的しき
い値電圧が低く、ダイナミック駆動特性に優れたネマチ
ック液晶組成物を得ることができる。
本発明によるネマチック液晶組成物を用いればツイスト
ネマチックモードを始めとし、ゲスト・ホスト効果モー
ド(ゲスト液晶として)などの表示素子に於て優れた表
示コントラストを得るのに多大の効果がある。
ネマチックモードを始めとし、ゲスト・ホスト効果モー
ド(ゲスト液晶として)などの表示素子に於て優れた表
示コントラストを得るのに多大の効果がある。
第1図は実施例に於て用いた測定装置を表わすハード図
、第2図は該測定装置を用いて−・般的に得られる相対
透過率−実効電圧の変化を示した曲線図。 1・・・・・・光 源 2・・・・・・光 源 5・・・・・・レンズ及びフィルター系4・・・・・・
セ ル 5・・・・・・受光部(光電増倍管) 以 上
、第2図は該測定装置を用いて−・般的に得られる相対
透過率−実効電圧の変化を示した曲線図。 1・・・・・・光 源 2・・・・・・光 源 5・・・・・・レンズ及びフィルター系4・・・・・・
セ ル 5・・・・・・受光部(光電増倍管) 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも一般式が下記Aで表わされる化合物の少なく
とも一種、一般式が下記Bで表わされる化合物の少なく
とも一種、及び一般式が下記Cで表わされる化合物の少
なくとも一種から成る事を特徴とする液晶組成物。 A・・・・・・▲数式、化学式、表等があります▼ B・・・・・・▲数式、化学式、表等があります▼ C・・・・・・▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、 R1及びR2は炭素数1〜12個の直鎖アルキル基 R3及びR4は炭素数2〜6個の直鎖アルキル基R5は
炭素数1〜10個の直鎖アルキル基を表わす。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18683985A JPS6245686A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18683985A JPS6245686A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 液晶組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6245686A true JPS6245686A (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=16195532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18683985A Pending JPS6245686A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6245686A (ja) |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP18683985A patent/JPS6245686A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6245686A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS60243193A (ja) | ネマチツク液晶組成物 | |
JPS6245685A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS6213484A (ja) | ダイナミック駆動液晶表示装置用液晶組成物 | |
JPS62100581A (ja) | 液晶組成物 | |
US3950264A (en) | Schiff-base liquid crystals doped to raise dynamic scattering cutoff frequency | |
JPS6245684A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62218479A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS61271384A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62100583A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62184090A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS61236893A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62100584A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62184089A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62218482A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS6346289A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62100585A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS61243887A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS61271383A (ja) | 液晶組成物 | |
JP3205598B2 (ja) | 液晶表示素子及びその駆動方法 | |
JPS62218481A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62215687A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62243683A (ja) | 液晶組成物 | |
JPS62243682A (ja) | 液晶組成物 | |
JPH01247482A (ja) | 液晶組成物 |