JPS6245684A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- JPS6245684A JPS6245684A JP18683485A JP18683485A JPS6245684A JP S6245684 A JPS6245684 A JP S6245684A JP 18683485 A JP18683485 A JP 18683485A JP 18683485 A JP18683485 A JP 18683485A JP S6245684 A JPS6245684 A JP S6245684A
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- Japan
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- liquid crystal
- voltage
- transmittance
- temperature
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表示装置用液晶組成物、特に電界効果モードに
於てダイナミック駆動特性が良好なる液晶組成物に関す
る。
於てダイナミック駆動特性が良好なる液晶組成物に関す
る。
本発明は、液晶組成物において、少なくとも一般式R1
−■−◎−0−R2で表わされる化合物、一般式R5−
◎−CH2CH,、−4Q>−〇−〇R,で表わされる
化合物、一般式R5−◎−coo −<O>−ONで表
わされる化合物を用いることにより、光学的しきい値電
圧の低下、急峻性の向上、応答速度を速めるようにした
ものである。
−■−◎−0−R2で表わされる化合物、一般式R5−
◎−CH2CH,、−4Q>−〇−〇R,で表わされる
化合物、一般式R5−◎−coo −<O>−ONで表
わされる化合物を用いることにより、光学的しきい値電
圧の低下、急峻性の向上、応答速度を速めるようにした
ものである。
従来、表示装置用液晶組成物は、例えば特開昭54−8
5694号公報などに示されているように、一般式R−
■−aoo−◎−o−R’(R,R’は各々任意の炭素
数の直鎖アルキル基を示す)で表わされる化合物(以後
本文中に於てEOHと略記する)などのNn液晶をベー
スにして、これらに一般式R′−〇−coo−◎−(!
N (R’は任意の炭素数の直鎖アルキル基を示す)
で表わされる化合物(以後本文中に於てP−にと略記す
る)などのNp液晶を添加し、光学的しきい値電圧を低
下せしめる。但し、Np液晶の添加量が多くなると後述
の急峻性などの電気光学特性が低下するので必要以上に
Np液晶を添加することは得策でない。
5694号公報などに示されているように、一般式R−
■−aoo−◎−o−R’(R,R’は各々任意の炭素
数の直鎖アルキル基を示す)で表わされる化合物(以後
本文中に於てEOHと略記する)などのNn液晶をベー
スにして、これらに一般式R′−〇−coo−◎−(!
N (R’は任意の炭素数の直鎖アルキル基を示す)
で表わされる化合物(以後本文中に於てP−にと略記す
る)などのNp液晶を添加し、光学的しきい値電圧を低
下せしめる。但し、Np液晶の添加量が多くなると後述
の急峻性などの電気光学特性が低下するので必要以上に
Np液晶を添加することは得策でない。
〔本発明が解決しようとする問題点及び目的〕今日ネマ
チック液晶組成物に要求される特性の条件は、 ■ 電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧の付近の立
ち上がりが急峻であること(以後本文中に於て急峻性と
略記する) ■ 電圧の変化に対して透過率の応答速度が速いこと ■ 室温を中心として広い温度範囲で駆動できること、
即ち広いネマチック液晶範囲を持つこと ■ 化学的に安定で耐湿性、耐光性に優れること ■ 駆動電圧(または光学的しきい値電圧)が自由に選
べること などがある。
チック液晶組成物に要求される特性の条件は、 ■ 電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧の付近の立
ち上がりが急峻であること(以後本文中に於て急峻性と
略記する) ■ 電圧の変化に対して透過率の応答速度が速いこと ■ 室温を中心として広い温度範囲で駆動できること、
即ち広いネマチック液晶範囲を持つこと ■ 化学的に安定で耐湿性、耐光性に優れること ■ 駆動電圧(または光学的しきい値電圧)が自由に選
べること などがある。
単純マトリクス表示体に於てダイナミック駆動をした時
、駆動回路によって選択電極部または非選択電極部の液
晶に印加される実効電圧を各々V on 、 V of
fとし、走査電極の本数をn本とすれば、比V on
/ V offは V on / V off =AI/(4+ 1 )/
(4−1) −(1)なる関係があり、nが多くなる
につれて比V on /V offも小さくなって行く
。
、駆動回路によって選択電極部または非選択電極部の液
晶に印加される実効電圧を各々V on 、 V of
fとし、走査電極の本数をn本とすれば、比V on
/ V offは V on / V off =AI/(4+ 1 )/
(4−1) −(1)なる関係があり、nが多くなる
につれて比V on /V offも小さくなって行く
。
一方、液晶表示装置の一つであるツイスト・ネマチック
・モードの液晶セルを直交偏光子間に置き、第1図に示
す電気光学特性測定装置を用いて該セル4の透過率を光
電増倍管で観察しながら駆動回路6により該セル4に印
加する実効電圧を変えて行くと第2図に示される如き実
効電圧−相対透過率曲線が得られる。電圧を上げて行き
透過率が変化し始める実効電圧を光学的しきい値電圧v
th(本明細書中に於ては透過率を10%だけ変化させ
るのに必要な実効電圧値をvthとする)、更に電圧を
上げて行き透過率が光学的飽和電圧をVsat(本明細
書に於ては透過率を90%変化させるのに必要な実効電
圧値をVsatとする)とすると、非選択電極部では印
加される実効電圧V offが光学的しきい値電圧vt
hより小さければ、即ち、V off < V th
−−(2)であれば電圧が印加されてい
ない時と比較してその透過率は変化せず全く選択されな
く、選択i!電極部は印加される実効電圧V onが飽
和電圧Vsatより大きければ、即ち、 V on > V sat ・・・・・
・(3)であれば透過率は十分変化し選択された事にな
る。
・モードの液晶セルを直交偏光子間に置き、第1図に示
す電気光学特性測定装置を用いて該セル4の透過率を光
電増倍管で観察しながら駆動回路6により該セル4に印
加する実効電圧を変えて行くと第2図に示される如き実
効電圧−相対透過率曲線が得られる。電圧を上げて行き
透過率が変化し始める実効電圧を光学的しきい値電圧v
th(本明細書中に於ては透過率を10%だけ変化させ
るのに必要な実効電圧値をvthとする)、更に電圧を
上げて行き透過率が光学的飽和電圧をVsat(本明細
書に於ては透過率を90%変化させるのに必要な実効電
圧値をVsatとする)とすると、非選択電極部では印
加される実効電圧V offが光学的しきい値電圧vt
hより小さければ、即ち、V off < V th
−−(2)であれば電圧が印加されてい
ない時と比較してその透過率は変化せず全く選択されな
く、選択i!電極部は印加される実効電圧V onが飽
和電圧Vsatより大きければ、即ち、 V on > V sat ・・・・・
・(3)であれば透過率は十分変化し選択された事にな
る。
従って(3)式を(2)式で割れば
となり、この関係式が成り立つ時非選択電極と選択MJ
極の透過率の差が十分となる。更に(1)式と(4)式
から となる。走査線の本数nが多くなるにつれ右辺は小さく
なり1に近づいて行く。このため選択電極と非選択電極
で十分なコントラストを得るにはV sat / V
thも1に近い方が有利となる。即ち第2図の電圧−透
過率曲線の光学的しきい値電圧から光学的飽和電圧にか
けての勾配が急峻な程、フントラストを一定(または良
くした上に)走査線本数を増やす事ができる。以上が条
件(Dが必要となる理由である。しかし従来、電気光学
特性に於ける温度依存性の除去が重要視されていた為条
件■そのものを改良する具体的方策が示されておらず問
題である。これに対して温度依存性は工Cが安価になっ
た現在温度補償回路を駆動回路に組み込む事により容易
に取り除く事が出来るように成った。
極の透過率の差が十分となる。更に(1)式と(4)式
から となる。走査線の本数nが多くなるにつれ右辺は小さく
なり1に近づいて行く。このため選択電極と非選択電極
で十分なコントラストを得るにはV sat / V
thも1に近い方が有利となる。即ち第2図の電圧−透
過率曲線の光学的しきい値電圧から光学的飽和電圧にか
けての勾配が急峻な程、フントラストを一定(または良
くした上に)走査線本数を増やす事ができる。以上が条
件(Dが必要となる理由である。しかし従来、電気光学
特性に於ける温度依存性の除去が重要視されていた為条
件■そのものを改良する具体的方策が示されておらず問
題である。これに対して温度依存性は工Cが安価になっ
た現在温度補償回路を駆動回路に組み込む事により容易
に取り除く事が出来るように成った。
他の問題点として応答速度がある。
静止画像を表示する場合応答速度はそれ程問題とならな
い。しかしコンピュータ端末やワード・プロセッサーな
どの様に画像を頻繁に切り換える必要のある場合、高速
応答性が要求されるようになる。テレビ画像などの動画
を表示する場合更に速い応答性が要求されるのは言うま
でもない。
い。しかしコンピュータ端末やワード・プロセッサーな
どの様に画像を頻繁に切り換える必要のある場合、高速
応答性が要求されるようになる。テレビ画像などの動画
を表示する場合更に速い応答性が要求されるのは言うま
でもない。
本発明は以上の問題点を解決するもので、その目的とす
るところは表示装置用のネマチック液晶組成物の急峻性
を改良しダイナミック駆動特性を向上させ、かつネマチ
ック液晶温度範囲を広くし動作温度範囲を広げ、更に化
学的に安定なネマチック液晶組成物を提供する事にある
。
るところは表示装置用のネマチック液晶組成物の急峻性
を改良しダイナミック駆動特性を向上させ、かつネマチ
ック液晶温度範囲を広くし動作温度範囲を広げ、更に化
学的に安定なネマチック液晶組成物を提供する事にある
。
本発明の液晶組成物は少なくとも一般式が下記Aで表わ
される化合物の少なくとも一種、一般式が下記Bで表わ
される化合物の少なくとも一種、及び一般式が下記Cで
表わされる化合物の少なくとも一種から成る事を特徴と
する◇ A ・−・・−R、−■−◎−〇−R。
される化合物の少なくとも一種、一般式が下記Bで表わ
される化合物の少なくとも一種、及び一般式が下記Cで
表わされる化合物の少なくとも一種から成る事を特徴と
する◇ A ・−・・−R、−■−◎−〇−R。
B・・・・・・R3−◎−0H20H2−@−◎−0−
R。
R。
C・・・・・R5−<6) −COO−@−〇N但し・
R1及びR2は炭素数1〜12個の直鎖アルキル基
R8及びR3は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基
R3は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基を表わす。
一般式Aで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Aと略記する)は応答速度を速くするために有効なNn
液晶であり7重量%未満では効果が小さくその含有量は
多い程良い。しかし透明点が比較的低いため化合物Aの
含有量が72重量%を越えるとネマチック液晶組成物の
透明点も低くなり、ひいてはネマチック液晶組成物の本
マチック液晶範囲を狭くするため好ましくない。従って
化合物Aの含有量は7重量%〜72重蹴%が望ましい。
Aと略記する)は応答速度を速くするために有効なNn
液晶であり7重量%未満では効果が小さくその含有量は
多い程良い。しかし透明点が比較的低いため化合物Aの
含有量が72重量%を越えるとネマチック液晶組成物の
透明点も低くなり、ひいてはネマチック液晶組成物の本
マチック液晶範囲を狭くするため好ましくない。従って
化合物Aの含有量は7重量%〜72重蹴%が望ましい。
一般式Bで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Bと略記する)は従来の単なるNn液晶及びNp液晶か
ら成るネマチック液晶組成物に添加する事により急峻性
を向上させ、かつ透明点を高くするのに用いるものであ
り・5重量%未満では効果が小さくその含有量は多い程
良い。しかし50重量%を越えると共晶組成からのズレ
が大きく成り過ぎて凝固点降下の効果が得られず低温に
於て析出するように成るため5重量%〜60重量%が望
ましい。
Bと略記する)は従来の単なるNn液晶及びNp液晶か
ら成るネマチック液晶組成物に添加する事により急峻性
を向上させ、かつ透明点を高くするのに用いるものであ
り・5重量%未満では効果が小さくその含有量は多い程
良い。しかし50重量%を越えると共晶組成からのズレ
が大きく成り過ぎて凝固点降下の効果が得られず低温に
於て析出するように成るため5重量%〜60重量%が望
ましい。
一般式Cで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Cと略記する)はNp液晶でありその含有量の多少によ
り光学的しきい値電圧を低くまた高くできる。光学的し
きい値電圧が低ければそれに比例して液晶駆動用回路の
最大定格出力電圧も低くて済み、安価な工0が使えるた
め有利となる。
Cと略記する)はNp液晶でありその含有量の多少によ
り光学的しきい値電圧を低くまた高くできる。光学的し
きい値電圧が低ければそれに比例して液晶駆動用回路の
最大定格出力電圧も低くて済み、安価な工0が使えるた
め有利となる。
しかしP−に液晶の含有量を多くし過ぎると急峻性など
の電気光学特性の性能を低下させ、透明点を低くし液晶
温度範囲を狭くするなどの好ましくない影響が出る可能
性があるのでこの含有量は過度にしない方が良い。即ち
5重量%〜50重量%が望ましく、より望ましくは8重
量%〜22.5重量%である。
の電気光学特性の性能を低下させ、透明点を低くし液晶
温度範囲を狭くするなどの好ましくない影響が出る可能
性があるのでこの含有量は過度にしない方が良い。即ち
5重量%〜50重量%が望ましく、より望ましくは8重
量%〜22.5重量%である。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
尚、液晶組成物の特性の測定は次の妬く行った。
第1図は電気光学特性に対する測定系を表わしたもので
ある。測定上ル4はガラス製基板の片面に蒸着などの操
作により酸化錫などの透明電極を設け、更にその面を有
機薄膜で覆い配向処理を施しり上・スヘーサーの役割を
兼ねたナイロン・フィルム製の枠を間に挾んで液晶を封
入した時液晶層が所望の厚みと成るように二枚の該ガラ
ス基板を対向させて固定したものであり、該セルの両面
には各々一枚ずつの偏光板を電圧が印加されていない時
光が透過し、電圧が印加された時光が遮断されるように
偏光軸の向きを調整して貼付けである。
ある。測定上ル4はガラス製基板の片面に蒸着などの操
作により酸化錫などの透明電極を設け、更にその面を有
機薄膜で覆い配向処理を施しり上・スヘーサーの役割を
兼ねたナイロン・フィルム製の枠を間に挾んで液晶を封
入した時液晶層が所望の厚みと成るように二枚の該ガラ
ス基板を対向させて固定したものであり、該セルの両面
には各々一枚ずつの偏光板を電圧が印加されていない時
光が透過し、電圧が印加された時光が遮断されるように
偏光軸の向きを調整して貼付けである。
尚、本文中に於てガラス基板とガラス基板の間隔(即ち
液晶層の厚さ)をセル厚と略記する。白色。
液晶層の厚さ)をセル厚と略記する。白色。
光源1から出た光線はレンズ系3を通りセル4に垂直方
向から入射し、後方に設けられた検出器でその透過光強
度が測定される。この時セル4には駆動回路5によって
任意の実効値電圧を持つ周波数1キロ・ヘルツの交番矩
形電圧を印加されている。第1図の測定系を用いて液晶
セルを測定した実効電圧−相対透過率曲線が第2図であ
る。第2図に於て透過率は通常の印加電圧範囲で最も明
るくなった時及び最も暗くなった時の透過率を各々10
0%及び0%として表わし印加電圧を透過率100%の
電圧から始めて除々に上げて行き透過率が10%だけ変
化した時の実効値電圧を光学的しきい値電圧v th
、また更に印加電圧を上げて透過率が100%の時から
90%変化した時の実効値電圧を光学的飽和電圧Vsa
tと各々定める。この時、電圧−透過率曲線の光学的し
きい値電圧付近の立ち上がり(即ち急峻性)は下式に於
けるβ値として定められる。
向から入射し、後方に設けられた検出器でその透過光強
度が測定される。この時セル4には駆動回路5によって
任意の実効値電圧を持つ周波数1キロ・ヘルツの交番矩
形電圧を印加されている。第1図の測定系を用いて液晶
セルを測定した実効電圧−相対透過率曲線が第2図であ
る。第2図に於て透過率は通常の印加電圧範囲で最も明
るくなった時及び最も暗くなった時の透過率を各々10
0%及び0%として表わし印加電圧を透過率100%の
電圧から始めて除々に上げて行き透過率が10%だけ変
化した時の実効値電圧を光学的しきい値電圧v th
、また更に印加電圧を上げて透過率が100%の時から
90%変化した時の実効値電圧を光学的飽和電圧Vsa
tと各々定める。この時、電圧−透過率曲線の光学的し
きい値電圧付近の立ち上がり(即ち急峻性)は下式に於
けるβ値として定められる。
vth
点燈時(マトリクス・セルに於て選択された時)の実効
値電圧(Wonと表わす)がV satに等しく、非点
燈時(非選択時)の実効値電圧(Voffと表わす)が
v thに等しい電気信号が印加された時各々透過率が
90%及び10%と成り、画素の点燈及び非点燈が認識
される事と成る。更に言えばV onがVsatよりや
や大きく、voffがv thよりやや小さければ各々
の透過率は90%以上と10%以下と成る。この時V
on / V off > Vsat/ v th =
βである。これとは逆にV onがVsatより小さく
、voffがvthより大きければ各々の透過率は90
%以下と10%以上と成り視認性が悪くなるのである。
値電圧(Wonと表わす)がV satに等しく、非点
燈時(非選択時)の実効値電圧(Voffと表わす)が
v thに等しい電気信号が印加された時各々透過率が
90%及び10%と成り、画素の点燈及び非点燈が認識
される事と成る。更に言えばV onがVsatよりや
や大きく、voffがv thよりやや小さければ各々
の透過率は90%以上と10%以下と成る。この時V
on / V off > Vsat/ v th =
βである。これとは逆にV onがVsatより小さく
、voffがvthより大きければ各々の透過率は90
%以下と10%以上と成り視認性が悪くなるのである。
この様にβ値が電気信号の実効電圧比V on / V
offより小さければ視認性の良い画素表示が得られ
、同じ画像表示を得るのにβ値が小さい程V on /
V off比も小さく済む◇単純マ) IJクス表示
体では走査線本数官長くする程V on / V of
fが小さくなるためβ値も小さい(1に近づく)事が必
要である。以上β値はV on /V offが許容さ
れる最小値を示すためマルチプレククス特性の指標とな
る。
offより小さければ視認性の良い画素表示が得られ
、同じ画像表示を得るのにβ値が小さい程V on /
V off比も小さく済む◇単純マ) IJクス表示
体では走査線本数官長くする程V on / V of
fが小さくなるためβ値も小さい(1に近づく)事が必
要である。以上β値はV on /V offが許容さ
れる最小値を示すためマルチプレククス特性の指標とな
る。
印加電圧の変化に対する応答速度は次の通りとする。印
加する実効値電圧を瞬間的にvthがらVsatへ切り
換えた時定常状態での各々の実効電圧に対する透過率同
志の差の90%だけ透過率が変化するのに要する時間(
即ち透過率が90%から18%へ変化するのに要する時
間)をミリ秒単位でT on表わし、同様にV8atか
らvthへ実効値電圧を瞬間的に切り換えた時定常状態
での各々の実効電圧に対する透過率同志の差の90%だ
け透過率が変化するのに要する時間(透過率が10%か
ら82%へ変化するのに要する時間)をミリ秒単位でT
offと表わす。T onとT offを足したT
(ミIJ秒単位)を以て応答速度の指標とする。
加する実効値電圧を瞬間的にvthがらVsatへ切り
換えた時定常状態での各々の実効電圧に対する透過率同
志の差の90%だけ透過率が変化するのに要する時間(
即ち透過率が90%から18%へ変化するのに要する時
間)をミリ秒単位でT on表わし、同様にV8atか
らvthへ実効値電圧を瞬間的に切り換えた時定常状態
での各々の実効電圧に対する透過率同志の差の90%だ
け透過率が変化するのに要する時間(透過率が10%か
ら82%へ変化するのに要する時間)をミリ秒単位でT
offと表わす。T onとT offを足したT
(ミIJ秒単位)を以て応答速度の指標とする。
尚、一般に印加電圧を0から任意の電圧、 (V)へ瞬
間的に切り換えてから透過率が0の状態から90%へ変
化するのに要する時間をtOn s印加電圧をマから0
へ瞬間的に切り換えてから透過率が100%の状態から
10%変化するのに要する時間をt offとすると下
記の式で表わされる事が知られている(参考文献: M
、 5Qharl’t s日本学術振興会情報料牛用
有機材料第142委員会A部会(液晶グループ)第11
回研究会資料、1978年)。
間的に切り換えてから透過率が0の状態から90%へ変
化するのに要する時間をtOn s印加電圧をマから0
へ瞬間的に切り換えてから透過率が100%の状態から
10%変化するのに要する時間をt offとすると下
記の式で表わされる事が知られている(参考文献: M
、 5Qharl’t s日本学術振興会情報料牛用
有機材料第142委員会A部会(液晶グループ)第11
回研究会資料、1978年)。
ton=η/(ε、ΔtE2−K(−)2 )=d2*
η/(ε0Δε、2−にπ2)t off=η/K(−
)2 =d2・η/にπ2 (ここでηはバルク粘度、ε。は真空誘電率・Δεは相
対誘電率の異方性、Eは電場、KはJl + K33
2 K22 ) / 4なる弾性定数項、dはセル厚を
各々表わし、η、ΔεおよびKは液晶組成物に個有であ
る)0従ってt on及びt offは共にd2に比例
して長くなる。
η/(ε0Δε、2−にπ2)t off=η/K(−
)2 =d2・η/にπ2 (ここでηはバルク粘度、ε。は真空誘電率・Δεは相
対誘電率の異方性、Eは電場、KはJl + K33
2 K22 ) / 4なる弾性定数項、dはセル厚を
各々表わし、η、ΔεおよびKは液晶組成物に個有であ
る)0従ってt on及びt offは共にd2に比例
して長くなる。
本実施例で定義したTなる応答速度もセル厚と密接な関
係があり、定性的ではあるかセル厚が薄いとTは短かく
、セル厚が厚いと長い傾向を見出した。これらの関係は
当業者ならば納得するに難くない。従って同じ液晶組成
物を用いて液晶表示体を作った場合セル厚を薄くする程
応答速度を速くする事ができる。
係があり、定性的ではあるかセル厚が薄いとTは短かく
、セル厚が厚いと長い傾向を見出した。これらの関係は
当業者ならば納得するに難くない。従って同じ液晶組成
物を用いて液晶表示体を作った場合セル厚を薄くする程
応答速度を速くする事ができる。
一方、急峻性βはセル厚d(μ)と屈折率異方性Δnの
積である八n−dが08〜1.0付近の特設も小さくな
る(最良となる)事が見出されている(参考文献:山崎
淑夫、竹下裕、永田光夫、宮地幸夫、Proceqdi
ngs of the 3rd工nt@rnat1o、
nal Display Re日earch C
onference”、TAPAN D工5PLAY
’ 83’、320頁;1983年、(iSより)。
積である八n−dが08〜1.0付近の特設も小さくな
る(最良となる)事が見出されている(参考文献:山崎
淑夫、竹下裕、永田光夫、宮地幸夫、Proceqdi
ngs of the 3rd工nt@rnat1o、
nal Display Re日earch C
onference”、TAPAN D工5PLAY
’ 83’、320頁;1983年、(iSより)。
従ってコントラストを重視する場合セル厚dを△nm
dが08〜1.0付近に成る様に液晶表示体を作るのが
最も得策であり、液晶組成物の急峻性の比較もこのセル
厚で行うのが最も妥当であると考えられる。応答時間も
先に記した如くセル厚と関係するため液晶組成物の応答
時間を比較するには適当な厚みで測定する事が必要であ
る− 以上を鑑み、本実施例では急峻性、応答速度及び光学的
しきい値電圧の測定は全て急峻性βが最小となるセル厚
のセルを用いて測定した。
dが08〜1.0付近に成る様に液晶表示体を作るのが
最も得策であり、液晶組成物の急峻性の比較もこのセル
厚で行うのが最も妥当であると考えられる。応答時間も
先に記した如くセル厚と関係するため液晶組成物の応答
時間を比較するには適当な厚みで測定する事が必要であ
る− 以上を鑑み、本実施例では急峻性、応答速度及び光学的
しきい値電圧の測定は全て急峻性βが最小となるセル厚
のセルを用いて測定した。
測定温度は全て摂氏20麿とした。
また配向の均一性を高めるため本発明のネマチック液晶
組成物に微量のコレステリック物質を添加したものをセ
ルに封止した。
組成物に微量のコレステリック物質を添加したものをセ
ルに封止した。
ネマチック液晶相の安定性はセルに封入した状態で高温
液晶性及び低温液晶性を以て表わした。
液晶性及び低温液晶性を以て表わした。
即ち年平均気温の平年値が東京で15℃、部組で22℃
である(総理府統計局編1日本の統計」昭和55年度版
6,7頁)から室温を20℃と仮定しセルを恒温槽に設
置し、それより更に30℃高い温度に於てネマチック相
が安定か否かを高温液晶性と称することにし、ネマチッ
ク相が安定なら○印、等方性液体(1sotropic
1iqu1.d)なら■で表わす。低温液晶性はセル
を設置した恒温槽の温度を20℃から始め1日につき5
℃づつ下げて行った時、室温として仮定した20℃より
30℃低くなった時(FHJち恒温槽温度−10℃)、
ネマチック液晶相が安定か否かを低温液晶性と称し、ネ
マチック相が安定ならO印を、スメクチック液晶相なら
Smを固体状態を呈しているかまたは析出を生じていれ
ばX印を以って表わす。
である(総理府統計局編1日本の統計」昭和55年度版
6,7頁)から室温を20℃と仮定しセルを恒温槽に設
置し、それより更に30℃高い温度に於てネマチック相
が安定か否かを高温液晶性と称することにし、ネマチッ
ク相が安定なら○印、等方性液体(1sotropic
1iqu1.d)なら■で表わす。低温液晶性はセル
を設置した恒温槽の温度を20℃から始め1日につき5
℃づつ下げて行った時、室温として仮定した20℃より
30℃低くなった時(FHJち恒温槽温度−10℃)、
ネマチック液晶相が安定か否かを低温液晶性と称し、ネ
マチック相が安定ならO印を、スメクチック液晶相なら
Smを固体状態を呈しているかまたは析出を生じていれ
ばX印を以って表わす。
〔実施例−1〕
本発明による実施例−1の組成及び特性を第1表に示す
。但し本実施例は化合物Bとして一般式R8−◎−CH
,0H2−f−◎−0−R,(式中R1及びR4は炭素
数1〜10個の直鎖アルキル基を示す)で表わされる化
合物(以後本文中に於てPIBと略記する)を16.2
重量%とP−Eを12.2重量%含有して成る事を特徴
としている。
。但し本実施例は化合物Bとして一般式R8−◎−CH
,0H2−f−◎−0−R,(式中R1及びR4は炭素
数1〜10個の直鎖アルキル基を示す)で表わされる化
合物(以後本文中に於てPIBと略記する)を16.2
重量%とP−Eを12.2重量%含有して成る事を特徴
としている。
また、従来例としてECH及びp−gを含有して成る液
晶組成物の組成及び特性を第2表に示す。
晶組成物の組成及び特性を第2表に示す。
従来例−1で急峻性を表わすβ値が1265であるのに
対して、実施例−1のβ値はt250と良くなっている
。
対して、実施例−1のβ値はt250と良くなっている
。
光学的しきい値電圧vthは、従来例−1が2、59
Vであるのに対して、実施例−1のv thは2.39
Vと低くなっている。
Vであるのに対して、実施例−1のv thは2.39
Vと低くなっている。
更に、応答速度も従来例−1が444 ミIJ秒である
のに対して、実施例−1は318 ミIJ秒と速くなっ
ている。
のに対して、実施例−1は318 ミIJ秒と速くなっ
ている。
実施例−1は摂氏50度に於ける高温液晶性及び摂氏マ
イナス10度に於ける低温液晶性もあり十分安定で、通
常の表示体に用いるのには十分ムいネマチック液晶温度
範囲を有している。
イナス10度に於ける低温液晶性もあり十分安定で、通
常の表示体に用いるのには十分ムいネマチック液晶温度
範囲を有している。
以上、本発明による実施例−1は、従来例−1と比較し
て、光学的しきい値電圧v thは大幅に低下し、β値
もかなり改善されている・更に応答速度も速く、ネマチ
ック液晶温度範囲も十分である0 〔実施例−2〕 本発明による実施例−2の組成及び特性を第5表に示す
。但し本実施例はFEBを249重@%とP−Eを17
6重M%含有して成る事を特徴としている。
て、光学的しきい値電圧v thは大幅に低下し、β値
もかなり改善されている・更に応答速度も速く、ネマチ
ック液晶温度範囲も十分である0 〔実施例−2〕 本発明による実施例−2の組成及び特性を第5表に示す
。但し本実施例はFEBを249重@%とP−Eを17
6重M%含有して成る事を特徴としている。
また、従来例−1の組成及び特性を第2表に示す0
従来例−1で急峻性を表わすβ値が1.265であるの
に対して・実施例−2のβ値は1.213とたいへん良
好である。即ち単純マ) IJクス電極を用いた液晶パ
ネルに於て透過率を選択電極で10%以下(暗状態)に
、非選択電極で90%以上(明状態)に各々するために
は、従来例−1では走査電極の数は、17本以下しか、
駆動できないのに対して、実施例−2では27本以上駆
動することができる。
に対して・実施例−2のβ値は1.213とたいへん良
好である。即ち単純マ) IJクス電極を用いた液晶パ
ネルに於て透過率を選択電極で10%以下(暗状態)に
、非選択電極で90%以上(明状態)に各々するために
は、従来例−1では走査電極の数は、17本以下しか、
駆動できないのに対して、実施例−2では27本以上駆
動することができる。
光学的しきい値冨1圧vthは、従来例−1が2、59
’Vであるのに対して、実施例−2のvthは2.、
10 Vで大幅に低下している。
’Vであるのに対して、実施例−2のvthは2.、
10 Vで大幅に低下している。
更に、応答速度も従来例−1が444 ミIJ秒である
のに対して・実施例−2は296ミリ秒とかなり連〈な
っている。
のに対して・実施例−2は296ミリ秒とかなり連〈な
っている。
実施例−2は摂氏50度に於ける高温液晶性及び摂氏マ
イナス10度に於ける低温液晶性もあり十分安定で、通
常の表示体に用いるのには十分広いネマチック液晶温度
範囲を有している。更に、詳しくは、高温側では摂氏6
0度に於ても、また低温側では摂氏マイナス20度に於
ても液晶性を有し、苛酷な条件下での表示体にも用いろ
ことが可能である・ 以上、本発明による実施例−2は、従来例−1と比較し
て、光学的しきい値電圧vthが大幅に低くなり、β値
が大きく改善されている。更に応答速度も速く、ネマチ
ック液晶温度範囲も十分広しゝ0 第 1 表 第 2 表 第 6 表 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、少なくとも一般式
R1−■−〇−〇−R2で表わされる化合物、一般式R
3−◎−CH,OR2−9)−([相]−〇−R4で表
わされる化合物、一般式R5C’) ’0O−(6)
−ONで表わされる化合物を用いてネマチック液晶組成
物を構成した事により最もネマチック液晶温度範囲の広
いものでは摂氏マイナス20度から摂氏60度の温度範
囲で駆動でき・急峻性が優れ、応答速度が速く、更に、
光学的しきい値電圧が低く、ダイナミック駆動特性に優
れたネマチック液晶組成物を得ることができる。
イナス10度に於ける低温液晶性もあり十分安定で、通
常の表示体に用いるのには十分広いネマチック液晶温度
範囲を有している。更に、詳しくは、高温側では摂氏6
0度に於ても、また低温側では摂氏マイナス20度に於
ても液晶性を有し、苛酷な条件下での表示体にも用いろ
ことが可能である・ 以上、本発明による実施例−2は、従来例−1と比較し
て、光学的しきい値電圧vthが大幅に低くなり、β値
が大きく改善されている。更に応答速度も速く、ネマチ
ック液晶温度範囲も十分広しゝ0 第 1 表 第 2 表 第 6 表 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、少なくとも一般式
R1−■−〇−〇−R2で表わされる化合物、一般式R
3−◎−CH,OR2−9)−([相]−〇−R4で表
わされる化合物、一般式R5C’) ’0O−(6)
−ONで表わされる化合物を用いてネマチック液晶組成
物を構成した事により最もネマチック液晶温度範囲の広
いものでは摂氏マイナス20度から摂氏60度の温度範
囲で駆動でき・急峻性が優れ、応答速度が速く、更に、
光学的しきい値電圧が低く、ダイナミック駆動特性に優
れたネマチック液晶組成物を得ることができる。
本発明によるネマチック液晶組成物を用いればツイスト
ネマチックモードを始めとし、ゲスト・ホスト効果モー
ド(ゲスト液晶として)などの表示素子に於て優れた表
示フントラストを得るのに多大の効果がある。
ネマチックモードを始めとし、ゲスト・ホスト効果モー
ド(ゲスト液晶として)などの表示素子に於て優れた表
示フントラストを得るのに多大の効果がある。
第1図は実施例に於て用いた測定装置を表わすハード図
、第2図は該測定装置を用いて一般的に得られる相対透
過率−実効電圧の変化を示した曲線図。 1・・・・・・光源 2・・・・・・光線 5・・・・・・レンズ及びフィルター系4・・・・・・
セル 5・・・・・・受光部(光電増倍管) 以 上
、第2図は該測定装置を用いて一般的に得られる相対透
過率−実効電圧の変化を示した曲線図。 1・・・・・・光源 2・・・・・・光線 5・・・・・・レンズ及びフィルター系4・・・・・・
セル 5・・・・・・受光部(光電増倍管) 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも一般式が下記Aで表わされる化合物の少なく
とも一種、一般式が下記Bで表わされる化合物の少なく
とも一種、及び一般式が下記Cで表わされる化合物の少
なくとも一種から成る事を特徴とする液晶組成物。 A・・・・・・▲数式、化学式、表等があります▼ B・・・・・・▲数式、化学式、表等があります▼ C・・・・・・▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、 R_1及びR_2は炭素数1〜12個の直鎖アルキル基 R_3及びR_4は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基 R_3は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18683485A JPS6245684A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18683485A JPS6245684A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 液晶組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6245684A true JPS6245684A (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=16195440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18683485A Pending JPS6245684A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6245684A (ja) |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP18683485A patent/JPS6245684A/ja active Pending
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