JPS61236893A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
- Publication number
- JPS61236893A JPS61236893A JP7778185A JP7778185A JPS61236893A JP S61236893 A JPS61236893 A JP S61236893A JP 7778185 A JP7778185 A JP 7778185A JP 7778185 A JP7778185 A JP 7778185A JP S61236893 A JPS61236893 A JP S61236893A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- voltage
- transmittance
- chain alkyl
- crystal composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表示装置用液晶組成物、特に電介効果モードに
於てダイナミック駆動特性が良好なる液晶組成物に関す
る。
於てダイナミック駆動特性が良好なる液晶組成物に関す
る。
本発明は液晶組成物において、少なくとも一般式R1−
@−coo−◎−0R1で表わされる化合物、一般式R
1−<−Q−ou、で表わされる化合物、及び、一般式
R,−■−coo−Q−aNで表わされる化合物愛用い
ることによシ急峻性が優れ、光学的しきい値電圧上低下
できるようにしたものである。
@−coo−◎−0R1で表わされる化合物、一般式R
1−<−Q−ou、で表わされる化合物、及び、一般式
R,−■−coo−Q−aNで表わされる化合物愛用い
ることによシ急峻性が優れ、光学的しきい値電圧上低下
できるようにしたものである。
従来、表示vctit用液晶組成物は、例えば特開昭5
4’−83694号公報などに示されているように、一
般式R−■−〇0O−Q−0−R′(R、R′は各々任
意の炭素数の直鎖アルキル基を示す)で表わされる化合
物(以後本文中に於て1ii’OHと略記する)などの
In液晶をペースにして、これらに一般式R”−■−c
oo−Q−cN(R”は任意の炭素数の直鎖アルキル基
を示す)で表わされる化合物(以後本文中に於てP−E
と略記するコなどのNp液晶を添加し光学的しきい値電
圧全低下せしめる。但し、Np液晶の添加量が多くなる
と後述の急峻性などの電気光学特性が低下するので必要
以上にNp液晶を添加することは得策でない。
4’−83694号公報などに示されているように、一
般式R−■−〇0O−Q−0−R′(R、R′は各々任
意の炭素数の直鎖アルキル基を示す)で表わされる化合
物(以後本文中に於て1ii’OHと略記する)などの
In液晶をペースにして、これらに一般式R”−■−c
oo−Q−cN(R”は任意の炭素数の直鎖アルキル基
を示す)で表わされる化合物(以後本文中に於てP−E
と略記するコなどのNp液晶を添加し光学的しきい値電
圧全低下せしめる。但し、Np液晶の添加量が多くなる
と後述の急峻性などの電気光学特性が低下するので必要
以上にNp液晶を添加することは得策でない。
〔本発明が解決しようとする問題点及び目的〕今日ネマ
チック液晶組成物に要求される特性の条件は ■ 電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧材、、・近
の立ち上がりが急峻であること(以後本文中に於て急峻
性と略記する) ■ 電圧の変化に対して透過率の応答速度が早いこと ■ 室温を中心として広い温度範囲で駆動できること、
即ち広いネマチック液晶範囲を持つこと ■ 化学的に安定で耐湿性・耐光性に優れるこ■ 駆動
電圧(または閾電圧)が自由に選べること などがある。
チック液晶組成物に要求される特性の条件は ■ 電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧材、、・近
の立ち上がりが急峻であること(以後本文中に於て急峻
性と略記する) ■ 電圧の変化に対して透過率の応答速度が早いこと ■ 室温を中心として広い温度範囲で駆動できること、
即ち広いネマチック液晶範囲を持つこと ■ 化学的に安定で耐湿性・耐光性に優れるこ■ 駆動
電圧(または閾電圧)が自由に選べること などがある。
単純マ) IJクス表示体に於てダイナミック駆動をし
た時、駆動回路によって選択電極部または非選択電極部
の液晶に印加される実効電圧r各々Won 、 Vof
f とし、走査電極の本数in本とすれば、比von
/vottは yon/Voff=(V1°+ 1 )/ 0/T−1
) ・−・−= (1)なる関係があり、nが多くなる
につれて比Won/Voff も小さくなって行く。
た時、駆動回路によって選択電極部または非選択電極部
の液晶に印加される実効電圧r各々Won 、 Vof
f とし、走査電極の本数in本とすれば、比von
/vottは yon/Voff=(V1°+ 1 )/ 0/T−1
) ・−・−= (1)なる関係があり、nが多くなる
につれて比Won/Voff も小さくなって行く。
一方、液晶表示装置の一つであるツイスト・ネマチック
・モードの液晶セル全直交偏光子間に置き、第1図に示
す電気光学特性測定装置を用いて該セル4の透過″4を
充電増倍管で観察しながら駆動回路6によシ該セル4に
印加する笑効電圧全変えて行くと第2図に示される如き
電圧−透過率曲が得られる。電圧e2ばて行き透過率が
変化し始める実効電圧を光学的しきい値電圧Vth (
本明細書中に於ては透過″1t−1(lだけ変化させる
のに必要な実効電圧値k Vthとする〕、更に電圧を
上げて行き透過率が光学的飽和電圧1Vsat (本
明細書に於ては透過率tl−90チ変化させるのに必要
な実効電圧値全Vsatとする〕とすると、非選択電極
部では印加される実効電圧VOffが閾電圧vthよシ
小さければ、即ち、 vott < vth −−
(2)であれば電圧が印加されていない時と比較してそ
の透過率は変化せず全く選択されなく、選択電極部では
印加される実効電圧Vonが飽和電圧Vsatよシ大き
ければ、即ち Von≧vsat ・・・・・・
(8)であれば透過率は十分変化し選択された事になる
従って(8)式を(2)式で割れば となり、この関係式が成り立つ時非選択電極と選択電極
の透過率の差が十分となる。更に(1)式と(4)式か
ら となる。走査線の本数nが多くなるにつれ右辺は小さく
なシ1に・近づいて行く。このため選択電極と非選択電
極で十分なコントラス)f得るにはV8at/Vthも
1に近い方が有利となる。即ち第2図の電圧−透過率曲
線の光学的しきい値電圧から光学的飽和電圧にかけての
曲線の勾配が急峻な程、コントラス)k一定(または良
くした上に)走査線本数を増やす事ができる。以上が条
件■が必要となる理由である。しかし従来、電気光学特
性に於ける温度依存性の除去が重要視されていた為条件
■そのもの全改良する具体的方策が示されてお′らず問
題である。これに対して温度依存性は工Cが安価になつ
几現在温度補償回路を駆動回路に組み込む事によシ容易
に取シ除く事が出来るように成つ几。
・モードの液晶セル全直交偏光子間に置き、第1図に示
す電気光学特性測定装置を用いて該セル4の透過″4を
充電増倍管で観察しながら駆動回路6によシ該セル4に
印加する笑効電圧全変えて行くと第2図に示される如き
電圧−透過率曲が得られる。電圧e2ばて行き透過率が
変化し始める実効電圧を光学的しきい値電圧Vth (
本明細書中に於ては透過″1t−1(lだけ変化させる
のに必要な実効電圧値k Vthとする〕、更に電圧を
上げて行き透過率が光学的飽和電圧1Vsat (本
明細書に於ては透過率tl−90チ変化させるのに必要
な実効電圧値全Vsatとする〕とすると、非選択電極
部では印加される実効電圧VOffが閾電圧vthよシ
小さければ、即ち、 vott < vth −−
(2)であれば電圧が印加されていない時と比較してそ
の透過率は変化せず全く選択されなく、選択電極部では
印加される実効電圧Vonが飽和電圧Vsatよシ大き
ければ、即ち Von≧vsat ・・・・・・
(8)であれば透過率は十分変化し選択された事になる
従って(8)式を(2)式で割れば となり、この関係式が成り立つ時非選択電極と選択電極
の透過率の差が十分となる。更に(1)式と(4)式か
ら となる。走査線の本数nが多くなるにつれ右辺は小さく
なシ1に・近づいて行く。このため選択電極と非選択電
極で十分なコントラス)f得るにはV8at/Vthも
1に近い方が有利となる。即ち第2図の電圧−透過率曲
線の光学的しきい値電圧から光学的飽和電圧にかけての
曲線の勾配が急峻な程、コントラス)k一定(または良
くした上に)走査線本数を増やす事ができる。以上が条
件■が必要となる理由である。しかし従来、電気光学特
性に於ける温度依存性の除去が重要視されていた為条件
■そのもの全改良する具体的方策が示されてお′らず問
題である。これに対して温度依存性は工Cが安価になつ
几現在温度補償回路を駆動回路に組み込む事によシ容易
に取シ除く事が出来るように成つ几。
他の問題点として応答速度がある。
静止画像を表示する場合応答速1度はそれ程問題となら
ない。しかしコンピュータ端末やワード・プロセッサー
などの様に画像を頻繁に切シ換える必要のある場合、高
速応答性が要求されるようになる。テレビ画像などの動
画全表示する場合更に速い応答性が要*されるのは言う
までもない。
ない。しかしコンピュータ端末やワード・プロセッサー
などの様に画像を頻繁に切シ換える必要のある場合、高
速応答性が要求されるようになる。テレビ画像などの動
画全表示する場合更に速い応答性が要*されるのは言う
までもない。
本発明は以上の問題点を解決するもので、その目的とす
るところは表示製蓋用やネマチック液晶組成物の急峻性
を改良しダイナミック駆動特性を向上させ、かつネマチ
ック液晶温度範囲上広くし動作温度範囲を広げ、更に化
学的に安定なネマチック液晶組成物を提供する事にある
。
るところは表示製蓋用やネマチック液晶組成物の急峻性
を改良しダイナミック駆動特性を向上させ、かつネマチ
ック液晶温度範囲上広くし動作温度範囲を広げ、更に化
学的に安定なネマチック液晶組成物を提供する事にある
。
本発明の液晶組成物は少なくとも一般式が下記Aで表わ
される化合物の少なくとも一種、一般式が下記Bで表わ
される化合物の少なくとも一種、及び一般式が下記Cで
表わされる化合物の少なくとも一種から成る車上特徴と
する。
される化合物の少なくとも一種、一般式が下記Bで表わ
される化合物の少なくとも一種、及び一般式が下記Cで
表わされる化合物の少なくとも一種から成る車上特徴と
する。
A・・・・・・R1−@−000−(Q)−0−RtB
・・・・・・R8→3−o−0−R40・−−−−・R
,−■−COO−■−ON但し、 R1及びR2は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基 R8及びR4は炭素数1〜14個の直鎖アルキル基 R6は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基金表わす。
・・・・・・R8→3−o−0−R40・−−−−・R
,−■−COO−■−ON但し、 R1及びR2は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基 R8及びR4は炭素数1〜14個の直鎖アルキル基 R6は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基金表わす。
一般式Aで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Aと略記する)は急峻性を向上させ、かつ液晶温度範囲
も広げるために用いtものであシ8重量係未満では効果
が小さくその含有量は多い程良い。しかし90チを越え
ると共晶組成からのズレが大きく成hmぎて凝固点降下
の効果が得られず低温に於て析出するように成る几め8
重量%〜90重量%が望ましい。
Aと略記する)は急峻性を向上させ、かつ液晶温度範囲
も広げるために用いtものであシ8重量係未満では効果
が小さくその含有量は多い程良い。しかし90チを越え
ると共晶組成からのズレが大きく成hmぎて凝固点降下
の効果が得られず低温に於て析出するように成る几め8
重量%〜90重量%が望ましい。
一般式Bで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Bと略記する)は急峻性を向上させる几めに有効なNn
液晶であシ10重量%以下では効果が小さくその含、・
有量は多^程良い。しかし57.5重量%を越えると共
晶組成からのズレが大きくなシ過ぎて凝固降下の効果が
得られず低温に於て析出するように成る。従って化合物
Bの含有量は、1ON、量%〜60重量%が望ましく、
より望ましくは20重量tIb〜57.5重量%である
。
Bと略記する)は急峻性を向上させる几めに有効なNn
液晶であシ10重量%以下では効果が小さくその含、・
有量は多^程良い。しかし57.5重量%を越えると共
晶組成からのズレが大きくなシ過ぎて凝固降下の効果が
得られず低温に於て析出するように成る。従って化合物
Bの含有量は、1ON、量%〜60重量%が望ましく、
より望ましくは20重量tIb〜57.5重量%である
。
一般式Cで表わされる化合物(以後本文中に於て化合物
Cと略記する〕はNp液晶であシその含有量の多少によ
シ光学的しきい値電圧を低くまたは高くできる。光学的
しきい値電圧が低ければそれに比例して液晶駆動用回路
の最大定格出力電圧も低くて済み、安価な工0海使える
ためM利となる。しかしP−に液晶の含有量を多くしす
ぎると急峻性などの電気光学特性の性能全低下させ、透
明点を低くし液晶温度範囲を狭くするなどの好ましくな
い影響が出る可能性があるのでこの含有量は過度にしな
い万が良い。即ち5重量%から50重量%が望ましく、
より望ましくは8重f俤〜22.5重量%が望ましい。
Cと略記する〕はNp液晶であシその含有量の多少によ
シ光学的しきい値電圧を低くまたは高くできる。光学的
しきい値電圧が低ければそれに比例して液晶駆動用回路
の最大定格出力電圧も低くて済み、安価な工0海使える
ためM利となる。しかしP−に液晶の含有量を多くしす
ぎると急峻性などの電気光学特性の性能全低下させ、透
明点を低くし液晶温度範囲を狭くするなどの好ましくな
い影響が出る可能性があるのでこの含有量は過度にしな
い万が良い。即ち5重量%から50重量%が望ましく、
より望ましくは8重f俤〜22.5重量%が望ましい。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
尚、液晶組成物の特性の測定は次の如く行つ九第1図は
電気光学特性に対する測定系を表わしたものである。測
定セル3はガラス製基板の片面に蒸着などの操作によシ
酸化錫などの透明電&を設け、更にその面を有機薄膜で
覆い配向処理を施し次上、スペーサーの役割を兼ねたナ
イロン・フィルム製の枠を間に挾んで液晶を封入し九時
液晶層が所望の厚みと成るように二枚の該ガラス基板を
対向させて固定したものであシ、該セルの両面には各々
一枚づつの偏光板を電圧が印加されていない時元が透過
し、電圧が印加され九時元が遮断されるように偏光軸の
向き全調整して貼付けである。
電気光学特性に対する測定系を表わしたものである。測
定セル3はガラス製基板の片面に蒸着などの操作によシ
酸化錫などの透明電&を設け、更にその面を有機薄膜で
覆い配向処理を施し次上、スペーサーの役割を兼ねたナ
イロン・フィルム製の枠を間に挾んで液晶を封入し九時
液晶層が所望の厚みと成るように二枚の該ガラス基板を
対向させて固定したものであシ、該セルの両面には各々
一枚づつの偏光板を電圧が印加されていない時元が透過
し、電圧が印加され九時元が遮断されるように偏光軸の
向き全調整して貼付けである。
尚、本文中に於てガラス基板とガラス基板の間隔(即ち
液晶壱の厚さをセル厚と略記する。)白色光源1から出
を光線はレンズ系2を通シセル3に垂直方向から入射し
、後方に設けられた検出器でその透過光強度が測定され
る。この時セル3には駆動回路5によって任意の実効値
電圧を持つ周波数1キロ・ヘルツの交査矩形電圧金印加
されている。@1図の、測定系を用いて液晶セルを測定
した電圧−透過率曲線が第2図である。第2図に於て透
過率は通常の印加電圧範囲で最も明るくなった時及び最
も暗くなった時の透過重金各々100チ及びΩチとして
表わし印加電圧を透過率100チの電圧から始めて徐々
に上げて行き透過率が10チだけ変化した時の実効値電
圧を光学的しきい値電圧vthまた更に印加電圧を上げ
て透過率が100チの時から90%変化した時の実効値
電圧1i−光学的飽和電圧Vsatと各々定める。この
時、電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧付近の立ち
上がシ(即ち急峻性)は下式に於けるβ値として定めら
れる。
液晶壱の厚さをセル厚と略記する。)白色光源1から出
を光線はレンズ系2を通シセル3に垂直方向から入射し
、後方に設けられた検出器でその透過光強度が測定され
る。この時セル3には駆動回路5によって任意の実効値
電圧を持つ周波数1キロ・ヘルツの交査矩形電圧金印加
されている。@1図の、測定系を用いて液晶セルを測定
した電圧−透過率曲線が第2図である。第2図に於て透
過率は通常の印加電圧範囲で最も明るくなった時及び最
も暗くなった時の透過重金各々100チ及びΩチとして
表わし印加電圧を透過率100チの電圧から始めて徐々
に上げて行き透過率が10チだけ変化した時の実効値電
圧を光学的しきい値電圧vthまた更に印加電圧を上げ
て透過率が100チの時から90%変化した時の実効値
電圧1i−光学的飽和電圧Vsatと各々定める。この
時、電圧−透過率曲線の光学的しきい値電圧付近の立ち
上がシ(即ち急峻性)は下式に於けるβ値として定めら
れる。
点燈時(マトリクス・セルに於て選択され九時)の実効
値電圧(Vanと表わす)がVaat、に等しく、非点
燈時(非選択時)の実効値電圧(Voffと表わす)が
vthに等しい電気信号が印加された時各々透過率が9
0係及び10チと成シ、画素の点燈及び非点燈が認識さ
れる事と成る。更に言えばvonがTaat よシや
や大きく、Voffがvthよシやや小さければ各々の
透過率は90チ以上と10チ以下と成る。この時VOn
/ffoff ) vsat/vth=βである。これ
とは逆にWonがVsatよシ小さく、Voffがvt
h よシ大きければ各々の透過率は90%以下と10
%以上と成υ視認性が悪くなってしまう。即ちVOn/
VOff (Vsat/ffth=βなる信号電圧が印
加された場合視認性が悪くなるのである。この様にβ値
が電気信号の実効電圧比Van/VOffよシ小さけれ
ば視認性の良い画素表示が得られ、同じ画像表示を得る
のにβ値が小さい程V On/V Of f比も小さく
隣む。単純マトリクス表示体では走査線本数を多くする
程Von/Votでが小さくなるためβ値も小さい(1
に近づく)事が必要である。以上β値鉱V o n/V
o f fが許容される最小値を示すためマルチプレ
ックス特性の指標となる。
値電圧(Vanと表わす)がVaat、に等しく、非点
燈時(非選択時)の実効値電圧(Voffと表わす)が
vthに等しい電気信号が印加された時各々透過率が9
0係及び10チと成シ、画素の点燈及び非点燈が認識さ
れる事と成る。更に言えばvonがTaat よシや
や大きく、Voffがvthよシやや小さければ各々の
透過率は90チ以上と10チ以下と成る。この時VOn
/ffoff ) vsat/vth=βである。これ
とは逆にWonがVsatよシ小さく、Voffがvt
h よシ大きければ各々の透過率は90%以下と10
%以上と成υ視認性が悪くなってしまう。即ちVOn/
VOff (Vsat/ffth=βなる信号電圧が印
加された場合視認性が悪くなるのである。この様にβ値
が電気信号の実効電圧比Van/VOffよシ小さけれ
ば視認性の良い画素表示が得られ、同じ画像表示を得る
のにβ値が小さい程V On/V Of f比も小さく
隣む。単純マトリクス表示体では走査線本数を多くする
程Von/Votでが小さくなるためβ値も小さい(1
に近づく)事が必要である。以上β値鉱V o n/V
o f fが許容される最小値を示すためマルチプレ
ックス特性の指標となる。
印加電圧の変化に対する応答速度は次の通シとする。、
印加する実効値電圧を瞬間的にvthがらVsatへ切
シ換え次時定常状態での各々の実効電圧に対する透過率
同志の差の90%feけ透過率が変化するのに要する時
間(即ち透過率が90%から18チへ変化するのに要す
る時間)a−ミ!J秒単位でTon Pわし、同様に
Vsatからvthへ実効値電圧を瞬間的に切シ換え九
時定常状態での各々の実効電圧に対する透過率同志の差
の90チだけ透過率が変化するのに要する時間(透過率
が10チから82%へ変化するのlC要する時間)勿ミ
リ秒単位でToffと表わす。TonとToff f足
したT(ミ!J秒単位〕を以て応答速度の指標とする。
印加する実効値電圧を瞬間的にvthがらVsatへ切
シ換え次時定常状態での各々の実効電圧に対する透過率
同志の差の90%feけ透過率が変化するのに要する時
間(即ち透過率が90%から18チへ変化するのに要す
る時間)a−ミ!J秒単位でTon Pわし、同様に
Vsatからvthへ実効値電圧を瞬間的に切シ換え九
時定常状態での各々の実効電圧に対する透過率同志の差
の90チだけ透過率が変化するのに要する時間(透過率
が10チから82%へ変化するのlC要する時間)勿ミ
リ秒単位でToffと表わす。TonとToff f足
したT(ミ!J秒単位〕を以て応答速度の指標とする。
尚、一般に印刀口電圧を0から任意の電圧υ(v)へ瞬
間的に切シ換えてから透過率が0の状態から90%へ変
化するのに要する時間’kto11%印加電圧をυから
0へ瞬間的に切シ換えてから透過率が100チの状態か
ら10%変化するのに要する時間全toff とする
と下記の式で表わされる事が知られている(参考文献:
M、 5chaat 、日本学術振興会情報科学用有
機材料第142委員会入部会(液晶グループ)第11回
研究会資料、1978年玉ton gη/(ε0ΔtK
”−K(−H)” )== 4 M・V/(tOΔευ
2−にπすtott=η/ K (Tア =d”W/にπ2 (ここでηはバルク粘度、ε0は真空誘電率、Δεは相
対誘電率の異方性、II!は電場、KはKll + K
ll−2K!り / 4なる弾性定数項、atiセル厚
を各々表わし1.ΔεおよびKは液晶組成物に個有であ
る)。従ってton及1torr は共にd2に比例
して長くなる。
間的に切シ換えてから透過率が0の状態から90%へ変
化するのに要する時間’kto11%印加電圧をυから
0へ瞬間的に切シ換えてから透過率が100チの状態か
ら10%変化するのに要する時間全toff とする
と下記の式で表わされる事が知られている(参考文献:
M、 5chaat 、日本学術振興会情報科学用有
機材料第142委員会入部会(液晶グループ)第11回
研究会資料、1978年玉ton gη/(ε0ΔtK
”−K(−H)” )== 4 M・V/(tOΔευ
2−にπすtott=η/ K (Tア =d”W/にπ2 (ここでηはバルク粘度、ε0は真空誘電率、Δεは相
対誘電率の異方性、II!は電場、KはKll + K
ll−2K!り / 4なる弾性定数項、atiセル厚
を各々表わし1.ΔεおよびKは液晶組成物に個有であ
る)。従ってton及1torr は共にd2に比例
して長くなる。
本実施例で足義したで−なる応答速度もセル厚と密接な
関係があシ、定性的ではあるがセル厚が薄いとTは短か
く、セル厚が厚いと長い傾向全見出し几。これらの関係
は当業者ならば納得するに難くない。従って同じ液晶組
成物を用いて液晶表示体を作った場合セル厚を薄くする
程応答速度金速くする事ができる。
関係があシ、定性的ではあるがセル厚が薄いとTは短か
く、セル厚が厚いと長い傾向全見出し几。これらの関係
は当業者ならば納得するに難くない。従って同じ液晶組
成物を用いて液晶表示体を作った場合セル厚を薄くする
程応答速度金速くする事ができる。
一方、急峻性βはセル1id(μ〕と屈折率異方性Δn
の積であるΔn−dがCL8〜1.0付近の詩趣も小さ
くなる(最良となる)事が見出されている(参考文献:
山崎淑夫、竹下裕、永田光夫、宮地幸夫、Procee
dings of the 3ra Internat
ionalDisplay Reaearan Con
ference ” JAPAND工5PLAY
’85”、320頁;1983年、■Sより)。従って
コントラストt−重視する場合セル厚a1i−Δned
がa8〜1.0付近に成る様に液晶表示体を作るのが最
も得策であシ、液晶組成物の急峻性の比較もこのセル厚
で行うのが最も妥当であると考えられる。応答時間も先
に記した如くセル厚と関係するため液晶組成物の応答時
間を比較するには適当な厚みで測定する事が必要である
。
の積であるΔn−dがCL8〜1.0付近の詩趣も小さ
くなる(最良となる)事が見出されている(参考文献:
山崎淑夫、竹下裕、永田光夫、宮地幸夫、Procee
dings of the 3ra Internat
ionalDisplay Reaearan Con
ference ” JAPAND工5PLAY
’85”、320頁;1983年、■Sより)。従って
コントラストt−重視する場合セル厚a1i−Δned
がa8〜1.0付近に成る様に液晶表示体を作るのが最
も得策であシ、液晶組成物の急峻性の比較もこのセル厚
で行うのが最も妥当であると考えられる。応答時間も先
に記した如くセル厚と関係するため液晶組成物の応答時
間を比較するには適当な厚みで測定する事が必要である
。
以上を鑑み、本実施例では急峻性、応答速度及び閾電圧
の測定は全て急峻性βが最小となるセル厚のセルを用い
て測定した。
の測定は全て急峻性βが最小となるセル厚のセルを用い
て測定した。
測定温度は全て摂氏20度とした。
ま友配向の均一性を高めるため本発明のネマチック液晶
組成物に微量のコレステリック物質を添加したもの金セ
ルに封止した。
組成物に微量のコレステリック物質を添加したもの金セ
ルに封止した。
ネマチック液晶相の安定性はセルに封入した状態で高温
液晶性及び低温液晶性會以て表わした。
液晶性及び低温液晶性會以て表わした。
即ち年平均気温の平年値が東京で15℃、部組で22“
Cである(総理府統計局編「日本の統計」昭和55年度
版 6.7頁)から室温を20℃と仮定しセルを恒温槽
に設置し、それよシ更に30℃高い温度に於てネマチッ
ク相が安定か否かを高温液晶と称することにし、ネマチ
ック相が安定ならO印、等方性液体(1sotropi
c 1iquid )なら工で表わす。低温液晶性はセ
ルを設置した恒温槽の温度′I!−20℃から始め1日
につき5℃づつ下げて行った時、室温として仮定した2
0℃より30℃低くなつ九時(即ち恒温槽温度−10℃
)、ネマチック液晶相が安定か否かを低温液晶性と称し
、ネマチック相が安定なら○印t、固体状態を呈してい
るかま九は析出を生じていればX印を以って表わす。
Cである(総理府統計局編「日本の統計」昭和55年度
版 6.7頁)から室温を20℃と仮定しセルを恒温槽
に設置し、それよシ更に30℃高い温度に於てネマチッ
ク相が安定か否かを高温液晶と称することにし、ネマチ
ック相が安定ならO印、等方性液体(1sotropi
c 1iquid )なら工で表わす。低温液晶性はセ
ルを設置した恒温槽の温度′I!−20℃から始め1日
につき5℃づつ下げて行った時、室温として仮定した2
0℃より30℃低くなつ九時(即ち恒温槽温度−10℃
)、ネマチック液晶相が安定か否かを低温液晶性と称し
、ネマチック相が安定なら○印t、固体状態を呈してい
るかま九は析出を生じていればX印を以って表わす。
〔実施例−1〕
本発明による実施例−1の組成及び特性を第1表に示す
。但し本実施例は化合物Bとして一般式R3−嗜−■−
0−R,(式中R8及びR4は炭素数1〜14個の直鎖
アルキル基金示す)で表わされる化合物(以後本文中に
於てPMRと略記する)を含有して成る事を特徴として
いる。
。但し本実施例は化合物Bとして一般式R3−嗜−■−
0−R,(式中R8及びR4は炭素数1〜14個の直鎖
アルキル基金示す)で表わされる化合物(以後本文中に
於てPMRと略記する)を含有して成る事を特徴として
いる。
また、従来例としてIIfOH及びP−1!!@含有し
て成る液晶組成物の組成及び特性を第2表に示す。
て成る液晶組成物の組成及び特性を第2表に示す。
従来例−1の急峻性を表わすβ値が1265であるのに
対して、実施例−1のβ値は1.254と改善され、光
学的しきシ値電圧vthは従来例−1が2.59Vであ
るのに対して、実施例−1のvthはZ55Vと低くな
っている。
対して、実施例−1のβ値は1.254と改善され、光
学的しきシ値電圧vthは従来例−1が2.59Vであ
るのに対して、実施例−1のvthはZ55Vと低くな
っている。
以上、本発明による実施例−1は、EiOI’!及びP
−Kから成る組成物である従来例−1と比較して、光学
的しきシ値電圧vthが改善され、更に急峻性βも良好
となつ几。
−Kから成る組成物である従来例−1と比較して、光学
的しきシ値電圧vthが改善され、更に急峻性βも良好
となつ几。
〔実施例−2,3)一
本発明による実施例−2,3の組成及び特性を第3表に
示す。但し本実施例はPMRt−含有して成る事を特徴
としている。ま之、従来例全第2表に示す。
示す。但し本実施例はPMRt−含有して成る事を特徴
としている。ま之、従来例全第2表に示す。
従来例−1のβ値が1.265であるのに対して実施例
−2のβ値が1.256、実施例−3のβ値がt 24
6と良好である。即ち単純マトリクス電極を用い几液晶
パネルに於て透過率上選択電極で10チ以下(11F状
態)に、非選択電極で90%以上(明状態)に各々する
几めには、従来例では走査電極の数は、17本以下しか
駆動できないのに対して実施例−2では23本以上、実
施例−3では22本以上駆動することができる。
−2のβ値が1.256、実施例−3のβ値がt 24
6と良好である。即ち単純マトリクス電極を用い几液晶
パネルに於て透過率上選択電極で10チ以下(11F状
態)に、非選択電極で90%以上(明状態)に各々する
几めには、従来例では走査電極の数は、17本以下しか
駆動できないのに対して実施例−2では23本以上、実
施例−3では22本以上駆動することができる。
光学的しきい値電圧も従来例−1が2.591であるの
に対して実施例−2は2.37v、実施例−3は2.4
4Vであシいずれも改善されている。
に対して実施例−2は2.37v、実施例−3は2.4
4Vであシいずれも改善されている。
実施例−2,3は摂氏50度に於ける高温液晶性及び摂
氏マイナス10度に於ける低温液晶性も ″あ
シ、十分安定で、通常の表示体に用いるのには十分広い
ネマチック液晶温度範囲t−Vしている。
氏マイナス10度に於ける低温液晶性も ″あ
シ、十分安定で、通常の表示体に用いるのには十分広い
ネマチック液晶温度範囲t−Vしている。
特に実施例−2は、摂氏マイナス30度から摂氏60度
までネマチック液晶範囲を有し、かなシ厳しい条件下で
の表示体にも用いることが可能である。
までネマチック液晶範囲を有し、かなシ厳しい条件下で
の表示体にも用いることが可能である。
以上、従来例のβ値が1.265であるのに対して、本
発明による実施例−2は1.256 、 %流側−3は
1.246と極めて良好である。また光学的しきい値電
圧も低く、ネマ゛チック液晶温度範囲も十分である。
発明による実施例−2は1.256 、 %流側−3は
1.246と極めて良好である。また光学的しきい値電
圧も低く、ネマ゛チック液晶温度範囲も十分である。
第 1 表
第 2 表
第3表
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明によれば、少なくとも一般弐
R,−■−coo−◎−0−R1で表わされる化合物、
一般式R3−Q→−0−R4で表わされる化合物、一般
式R3−■−coo−Q−ON で表わされる化合物
を用いてネマチック液晶組成物を構成した事により摂氏
マイナス10度から摂氏50度まで最もネマチック液晶
範囲の広いものでは摂氏マイナス50度から摂氏60度
の温度範囲で駆動でき、急峻性が優れ、光学的しきい値
電圧も適当であシダイナミツク駆動特性に優れたネマチ
ック液晶組成物を得る事ができた。
R,−■−coo−◎−0−R1で表わされる化合物、
一般式R3−Q→−0−R4で表わされる化合物、一般
式R3−■−coo−Q−ON で表わされる化合物
を用いてネマチック液晶組成物を構成した事により摂氏
マイナス10度から摂氏50度まで最もネマチック液晶
範囲の広いものでは摂氏マイナス50度から摂氏60度
の温度範囲で駆動でき、急峻性が優れ、光学的しきい値
電圧も適当であシダイナミツク駆動特性に優れたネマチ
ック液晶組成物を得る事ができた。
本発明によるネマチック液晶組成物音用いればツイスト
、ネマチックモードを始めとし、ゲスト・ホスト効果モ
ード(ホスト液晶として〕などの表示素子に於て優れた
表示コントラス)t−得るのに多大の効果がある。
、ネマチックモードを始めとし、ゲスト・ホスト効果モ
ード(ホスト液晶として〕などの表示素子に於て優れた
表示コントラス)t−得るのに多大の効果がある。
第1図は実施例に於て盾いた測定装置を表わすハード図
、第2図は該測定装置を用いて一般的に得られる相対透
過率−実効電圧の変化金示した曲線図 1・・・光源 2・・・光線3・・・レンズ
及びフィルター系 4・・・セル 5・・・受光部(i電増培管) 以 上
、第2図は該測定装置を用いて一般的に得られる相対透
過率−実効電圧の変化金示した曲線図 1・・・光源 2・・・光線3・・・レンズ
及びフィルター系 4・・・セル 5・・・受光部(i電増培管) 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも一般式が下記Aで表わされる化合物の少なく
とも一種、一般式が下記Bで表わされる化合物の少なく
とも一種、及び一般式が下記Cで表わされる化合物の少
なくとも一種から成る事を特徴とする液晶組成物。 A・・・・・・▲数式、化学式、表等があります▼ B・・・・・・▲数式、化学式、表等があります▼ C・・・・・・▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、 R_1及びR_2は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基 R_3及びR_4は炭素数1〜14個の直鎖アルキル基 R_5は炭素数1〜10個の直鎖アルキル基を表わす。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7778185A JPS61236893A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7778185A JPS61236893A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 液晶組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61236893A true JPS61236893A (ja) | 1986-10-22 |
Family
ID=13643508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7778185A Pending JPS61236893A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61236893A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5495986A (en) * | 1977-12-08 | 1979-07-28 | Bueruku Fuyua Fuerunzeerekutor | Nematic liquid crystal mixture |
-
1985
- 1985-04-12 JP JP7778185A patent/JPS61236893A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5495986A (en) * | 1977-12-08 | 1979-07-28 | Bueruku Fuyua Fuerunzeerekutor | Nematic liquid crystal mixture |
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