JPS6127257U - 高周波半導体装置 - Google Patents

高周波半導体装置

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JPS6127257U
JPS6127257U JP10935484U JP10935484U JPS6127257U JP S6127257 U JPS6127257 U JP S6127257U JP 10935484 U JP10935484 U JP 10935484U JP 10935484 U JP10935484 U JP 10935484U JP S6127257 U JPS6127257 U JP S6127257U
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JP
Japan
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semiconductor device
frequency semiconductor
high frequency
frequency
semiconductor substrate
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Pending
Application number
JP10935484U
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English (en)
Inventor
光雄 大橋
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Publication date
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の高周波半導体素子を示す斜視図、第２図
は第１図の断面図、第３図はこの考案の一実施例による
高周波半導体素子を示す斜視図、第４図は第３図の断面
図である。 図中、１は高周波半導体素子、２はソース電極、３はゲ
ート電極、４はドレイン電極、５はＰＳＢメッキ層、６
は動作層、７は寄生容量、８はソースインダクタンス、
９は素材の熱抵Ｌ １０はアース、４１はパイア・ホー
ルである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板上に複数個の高周波半導体素子が配列形成さ
    れた高周波半導体装置において、上記各高周波半導体の
    ソース電極を共通接続してＰＳＢ（Ｐｌａｔｅｄ Ｓｏ
    ｕｒｃｅ Ｂｒｉｄｇｅ）構造とすると共に上記各ソー
    ス電極が位置する上記半導体基板に穴を設けてパイア・
    ホール構造としたことを特徴とする高周波半導体装置。
JP10935484U 1984-07-17 1984-07-17 高周波半導体装置 Pending JPS6127257U (ja)

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JP10935484U JPS6127257U (ja) 1984-07-17 1984-07-17 高周波半導体装置

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JPS6127257U true JPS6127257U (ja) 1986-02-18

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