JPH0468545U - - Google Patents

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JPH0468545U
JPH0468545U JP11170190U JP11170190U JPH0468545U JP H0468545 U JPH0468545 U JP H0468545U JP 11170190 U JP11170190 U JP 11170190U JP 11170190 U JP11170190 U JP 11170190U JP H0468545 U JPH0468545 U JP H0468545U
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JP
Japan
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gate
metal layer
via hole
electrodes
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JP11170190U
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図、第2図はこの考案の一実施例である電
界効果トランジスタのチツプの断面図およびチツ
プの組立状態を示す断面図、第3図、第4図は従
来のGaAs MES FETのチツプの断面図
およびチツプの組立状態を示す断面図である。 図において、1は半導体基板、2はソース電極
、3はゲート電極、4はドレイン電極、5は貫通
孔、6は厚めつき層、7,8はめつき引出し電極
、9はマイクロ波用ヘツダー、10ははんだ材、
11は誘電体基板、12はソース電極端子、13
はゲート電極端子、14はドレイン電極端子を示
す。尚、図中、同一符号は同一、または相当部分
を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 性質の異なる複数の電極を有する半導体チツプ
    とマイクロ波用ヘツダーに形成された電極端子或
    いはヘツダーに付加された、表面に所望の電極パ
    ターンを有する誘電体基板との結合媒体が、ソー
    ス電極部においてはバイアホール及びバイアホー
    ルに充填された金属層であり、ゲート及びドレイ
    ン電極部においては、該電極上に連結して形成さ
    れためつき引出し金属層である事を特徴とする電
    界効果トランジスタ。
JP11170190U 1990-10-24 1990-10-24 Pending JPH0468545U (ja)

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JP11170190U JPH0468545U (ja) 1990-10-24 1990-10-24

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JPH0468545U true JPH0468545U (ja) 1992-06-17

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ID=31859171

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