JPH0284416U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0284416U JPH0284416U JP16320188U JP16320188U JPH0284416U JP H0284416 U JPH0284416 U JP H0284416U JP 16320188 U JP16320188 U JP 16320188U JP 16320188 U JP16320188 U JP 16320188U JP H0284416 U JPH0284416 U JP H0284416U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- microstrip circuit
- frequency amplifier
- carrier
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例による高周波増幅
器を示す構成図、第２図は従来の高周波増幅器を
示す構成図である。１はＦＥＴ、２はゲート端子
、３はドレイン端子、４はソース端子、５はマイ
クロストリツプ線路、６は金リボン、７はセラミ
ツク基板、８はキヤリア、９は金ワイヤである。
なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示
す。
器を示す構成図、第２図は従来の高周波増幅器を
示す構成図である。１はＦＥＴ、２はゲート端子
、３はドレイン端子、４はソース端子、５はマイ
クロストリツプ線路、６は金リボン、７はセラミ
ツク基板、８はキヤリア、９は金ワイヤである。
なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示
す。
Claims (1)
- 電界効果トランジスタと、前記ＦＥＴのゲート
端子に接続される第１のマイクロストリツプ回路
と、前記ＦＥＴのドレイン端子に接続される第２
のマイクロストリツプ回路と、前記第１のマイク
ロストリツプ回路と前記第２のマイクロストリツ
プ回路が取付けられるキヤリアとで構成される高
周波増幅器において、前記ＦＥＴのリード端子を
切断し、これを上下方向に対し、逆にしてキヤリ
アに取り付けたことを特徴とする高周波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16320188U JPH0284416U (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16320188U JPH0284416U (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284416U true JPH0284416U (ja) | 1990-06-29 |
Family
ID=31447714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16320188U Pending JPH0284416U (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0284416U (ja) |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP16320188U patent/JPH0284416U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0284416U (ja) | ||
| JPS62181027U (ja) | ||
| JPH0284414U (ja) | ||
| JPH0453313U (ja) | ||
| JPS6425218U (ja) | ||
| JPS6374819U (ja) | ||
| JPS6083247U (ja) | マイクロ波集積回路化トランジスタ回路 | |
| JPH0230627U (ja) | ||
| JPS59119045U (ja) | 高出力高周波トランジスタ | |
| JPS6429906U (ja) | ||
| JPH042025U (ja) | ||
| JPH0244403U (ja) | ||
| JPS60146354U (ja) | 高周波特性の調整された半導体装置 | |
| JPS6454333U (ja) | ||
| JPH0244429U (ja) | ||
| JPS5911507U (ja) | デユアルゲ−トｆｅｔ発振器 | |
| JPS6448907U (ja) | ||
| JPS6117756U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60141135U (ja) | トランジスタ装置 | |
| JPS591218U (ja) | 高周波回路 | |
| JPH01160861U (ja) | ||
| JPH03120102U (ja) | ||
| JPS58193645U (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS60151149U (ja) | ＧａＡｓ半導体装置 | |
| JPS62152448U (ja) |