JPS60146354U - 高周波特性の調整された半導体装置 - Google Patents

高周波特性の調整された半導体装置

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JPS60146354U
JPS60146354U JP3360484U JP3360484U JPS60146354U JP S60146354 U JPS60146354 U JP S60146354U JP 3360484 U JP3360484 U JP 3360484U JP 3360484 U JP3360484 U JP 3360484U JP S60146354 U JPS60146354 U JP S60146354U
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JP
Japan
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semiconductor device
high frequency
frequency characteristics
adjusted high
field effect
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Pending
Application number
JP3360484U
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English (en)
Inventor
謙二 渡辺
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａ、　ｂは従来の接地方式による半導体装置の平
面図および断面図である。第２図ａ、　ｂは本考案の一
実施例による平面図および断面図である。 １・・・・・・接地導体、２・・・・・・ＦＥＴチップ
、３・・・・・・ドレイン電極、４・・・・・・ゲート
電極、５・・・・・・ソース電極、６・・・・・・接地
線、７・・・・・・ろう材又は樹脂、１１・・・・・・
接地導体、１２・・・・・・ＦＥＴチップ、１３・・・
・・・ドレイン電極、１４・・・・・・ゲート電極、１
５・・・・・・ソース電極、１６．１８・・・・・・接
地線、１７・・・・・・絶縁体チップ、１９・・・・・
・ろう材又は樹脂、２０・・・・・・上面電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 接地導体上に電界効果トランジスタを有し、該電界効界
    トランジスタのソース電極に接続された金属細線は該電
    界効果トランジスタの両側に配した絶縁体チップの上面
    電極にボンディングされ、更に前記接地導体上へ該絶縁
    体チップの前記上面電極からボンディングされており、
    この金属細線の長さが調整されていることを特徴とする
    高周波特性の調整された半導体装置。
JP3360484U 1984-03-09 1984-03-09 高周波特性の調整された半導体装置 Pending JPS60146354U (ja)

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