JPS61270126A - 成形装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、成形技術、特に、例えば、半導体装置の製造
において、非気密封止パッケージを成形するのに利用し
てを効な技術に関する。

〔背景技術〕

半導体装置の製造において、非気密封止パッケージを成
形するトランスファ成形装置として、成形型に形成され
た複数のキャビティー内に被封止物としての半導体装置
（以下、ＩＣという、）をそれぞれセットし、成形材料
としてのレジンを注入することにより、レジンでＩＣを
パンケージングするように構成してなるものがある。

しかし、このようなトランスファ成形装置においては、
防塵のためにクリーンエアを成形型に吹き付けると、ク
リーンエアの流れとの接触によって成形型の温度が低下
するため、成形型における温度分布が不均一になり、製
品にばらつきが発生するという問題点があることが、本
発明者によって明らかにされた。

なお、トランスファ成形技術を述べである例としては、
株式会社工業調査会発行「電子材料１９８４年１１月号
別冊」昭和５９年１１月２０日発行　Ｐ１２５〜Ｐ１２
９、がある。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、流体の流れが存在しても成形型の温度
低下を防止することができる成形技術を提供することに
ある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわら、成形型の外面を放熱防止部材で被覆すること
により、流体の流れとの接触を遮断するようにして成形
型の温度低下を防止するようにしたものである。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例であるトランスファ成形装置
を示す正面図、第２図は第１図のト」線に沿う平面断面
図である。

本実施例において、このトランスファ成形装置はプレス
装置等からなる型開閉装置ｌを備えており、型開閉装置
１上には複数のガイドピラー２が略垂直に立設されてい
る。ガイドピラー２の上端にはプラテン３が架設されて
おり、プラテン３上にはプレス装置等からなるプランジ
ャ駆動装置４が設備されている。プランジャ駆動値Ｗ４
のピストンロンドにはプランジャ５が連設されており、
プランジャ５は後記する上型のポットに嵌入してレジン
を圧送するように構成されている。

前記プラテン３には上型７が複数本のサポート６を介し
て固定的に吊持されており、上型７はヒートブロック８
の下にキャビティーブロック９を組み合わせることによ
って形成されている。サポート（タブレフト投入口を除
く。）６、上型７のヒートブロック８およびキャビティ
ーブロック９における外面には、放熱防止部材としての
断熱板ｌＯがキャビティーブロック９の下面を残してそ
れぞれ被着されており、断熱板１０は例えば石綿やグラ
スファイバ等を用いて適当な板形状に形成されている。

前記ガイドピラー２の中間部には浮動板１１が昇降自在
に嵌合されており、浮動板１１は前記型開閉装置ｌのピ
ストンロンド１ａに支持されている。浮動板ｌｌ上には
下型Ｉ３がスペーサブロック１２を介して支持されてお
り、下型１３はヒートブロック１４上にキャビティーブ
ロック１５を組み合わせることによって構成されている
。

スペーサブロックに下型１３のヒートブロックＩ４およ
びキャビティーブロック１５における外面には断熱板１
０がキャビティーブロック１５の上面を残してそれぞれ
被着されている。

下型１３のキャビティーブロック！５における上面には
上型７のボット７ａに対向する位置にカル１Ｇが没設さ
れており、カル１６には複数本フランチ１７が連通する
ように接続されている。ランナＩ７には複数個のキャビ
ティー１９が各ゲート１８を介して連通ずるようにそれ
ぞれ接続されている。

次に作用を説明する。

例えば、被封止物としてのＩＣ（図示せず）を封止する
被気密封止パンケージ（図示せず）を成形する場合、各
キャビティー１９内にＩＣをセントし、型開閉それぞれ
１を作動させて上型７と下型１３とを合わせて型締めす
る。この状態において、ボン）７ａに投入されたタブレ
フトが加熱熔融されてなるレジンをプランジャ５によっ
て各キャビティー１９に圧送することにより、パッケー
ジが成形されてＩＣが封止される。

ところで、上型７および下型１３のキャビティーブロッ
ク９および１５の合わせ面における清浄状態を維持すべ
く、第１図に破線矢印で示されているように、クリーン
エア供給ユニット（図示せず）からクリーンエアを吹き
流すと、このクリーンエアが上型７および下型１３の外
面に接触して熱を奪うため、上下型７．１３が冷却され
て各部分における温度分布が不均一になる等の不具合が
発生する。

上下型各部の温度分布が不均一になると、例えば、各部
についてのレジンの熱硬化にばらつきが発生するため、
各キャビティー１９における成形製品であるパッケージ
の外観等にばらつきが発生する等の問題点が発生する。

しかし、本実施例においては、上下型７．１３の外面が
Ｉｌｉ熱板１０により被覆されているため、クリーンエ
アが吹き付けられても、上下型の冷却は抑制され、それ
に伴う上下型各部における温度分布の不均一は抑制され
ることになる。

したがって、温度分布の不均一に伴うレジンの熱硬化の
不均一が防止され、製品のばらつき等の発生は回避され
ることになる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではな（、その要旨を進段しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、放熱防止部材は断熱材に限らず、流体の流れが
成形型に直接的に接触するのを防止し得るものであれば
よい。

〔効果〕

＋１１　　成形型の外面に放熱防止部材を被着すること
により、流体の流れが吹き付けられることによる冷却を
抑制することができるため、成形型各部における温度分
布の不均一の発生を防止することができる。

（２）　　成形型の温度分布の不均一の発生を防止する
ことにより、熱硬化のばらつきによる成形製品のばらつ
きを防止することができるため、成形製品の品質を向上
させることができる。

（３）　　クリーンエアを流すことにより、成形型につ
いての防塵効果を向上させることができるため、成形面
を清浄化させることにより、レジンと被封止物との密着
性を高め、半導体装置の品質を向上させることができる
。

〔利用分野〕

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるトランスファ成形装
置に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、ボッティング成形装置およびインジェ
クション成形装置等にも通用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるトランスファ成形装置
を示す正面図、 第２１１１は第１図のＨ〜Ｕ線に沿う平面断面図である
。 ■・・・型開閉装置、２・・・ガイドピラー、３・・・
プラテン、４・・・プランジャ駆動装置、５・・・プラ
ンジャ、６・・・サポート、７・・・上型、８・・・ヒ
ートブロック、９・・・キャビティーブロ、り、１０・
・・断熱板、１１・・・浮動板、１２・・・スペーサブ
ロック、１３・・・下型、１４・・・ヒートフロック、
１５・・・キャビティーブロック、１６・・・カル、１
７・・・ランナ、１８・・・ゲート、１９・・・キャビ
ティー。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、成形型の外面および接触面を放熱防止部材で被覆す
   ることにより、成形型の温度低下を防止するようにした
   ことを特徴とする成形装置。 ２、放熱防止部材が、断熱材により形成されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の成形装置。 ３、成形型の合わせ面のみが、露出されていることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の成形装置。