JPS61264713A - コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、被膜として各一つの金属層を備えて交互に
積層された誘電体層の強化された積層体から成るコンデ
ンサとその製造方法とに関する。

［従来の技術］ 特開昭Ｇｏ−１３３７１８号公報により、被膜として各
一つの金属層を備えて交互に積層された誘電体層の強化
された積層体から成り、ｍ屠体の厚さの方向にかつ積層
体の一側面のほぼ中央を通る切り込みによって二つの突
出部が形成され、被膜が層ごとに交互にこの突出部の端
にまで達し、更に強化された積層体の中に突出部の端に
より形成された二つの面が接触のために用いられる金属
層を備え、この金属層が相対する極の被膜を相互に結合
するコンデンサであって、 ａ）誘電体層がプラスチックフィルムから成り、ｂ）被
膜が弁作用金属の再生可能な薄い層から成り、かつ誘電
体層の各一つの面を積層体の長側面の縁まで覆い、また
突出部の両端まで覆い、更に場合によっては切り込みを
備えた短側面と向かい合った上側短側面の縁まで覆い、 Ｃ）突出部が誘電体層ごとに交互に金属の無い帯状絶縁
部を備え、切り込みの深さが残存帯状金属の幅より大き
いか、又は好ましくは帯状絶縁部の内縁に一致するか、
又はこの内縁を越えて積層体の中にまで達し、 ｄ）前記面上の相対する極の被膜を相互に結合する金属
層が金属溶射により作られ、 ｅ）積層体がその下面及び／又は上面上にそれぞれ容量
的に無効な少なくとも一つのカバー層を有するコンデン
サが知られている。

また同公報からは、片面が金属化されたプラスチックか
ら成る帯が縁を波形切断された誘電体層としてドラム上
に原コンデンサとなるように積層され、原コンデンサが
積層面に垂直に所望の個々のコンデンサに分割され、そ
の際場合によっては各一つの母コンデンサを形成する成
る数の誘電体層及び被膜上に容量効果の無い中間層が配
置され、その上に再び被膜を備えた容量効果のある誘電
体層が次の母コンデンサのために配置され、そしてこの
ようにして形成された原コンデンサに端面接触層が設け
られ、その後中間層の範囲でこの層に垂直な方向に分割
されるようになっているコンデンサの製造方法であって
、その工程がａ）金属化された帯がドラム上に巻き付け
られ。

これらの帯が各一つの縁上に場合によっては連続した金
属の無い帯状部を有し、一方向かい合った縁の範囲にお
いてはこの縁と間隔を保って巻き付け方向に間欠的な無
金属帯状絶縁部を巻き付けの前又は巻き付けの際に形成
され、これらの帯状絶縁部がドラム上への巻き付けの際
に巻き付け軸に垂直な一平面上に存在し、かつ帯状絶縁
部の終端も始端も後に加工する切り込みの範囲にまで達
するか、又はこの範囲を僅かに越えるようにされ、ｂ）
完成した母コンデンサにおいて上側帯の帯状絶縁部の中
心が下側帯の帯状絶縁部の間の中間空間の中央上に対称
に配置されるように、両帯がドラム上への巻き付けの際
に案内され、 Ｃ）原コンデンサ又は母コンデンサの巻き付け及び強化
の際に、更にドラム上で少なくとも縁により形成された
端面が金属溶射により金属層を備え。

ｄ）個々の母コンデンサに分割後に、巻き付け方向に垂
直に各二つの切断線の間の中央に切り込みが形成され、
この切り込みの幅と深さとにより両突出部が形成され、 ｅ）場合によっては給電体の取り付け後に、帯状絶縁部
の中央を通る切断線に沿ってのこぎりにより個々のコン
デンサに切断され、 ｆ）帽子形の給電体又は他の給電体が工程ｅ）において
既に取り付けられていない場合には、これらの給電体を
取り付けることによりコンデンサを完成する ようになっているコンデンサの製造方法が知られている
。

更にまた同公報からは、片面が金属化されたプラスチッ
クから成る帯が縁を波形切断された誘電体層としてドラ
ム上に原コンデンサとなるように積層され、原コンデン
サが積層面に垂直に所望の個々のコンデンサに分割され
、その際場合によっては各一つの母コンデンサを形成す
る成る数の誘電体層及び被膜上に容量効果の無い中間層
が配置され、その上に再び被膜を備えた容量効果の無い
中間層が配置され、その上に再び被膜を備えた容量効果
のある誘電体層が次の母コンデンサのために配置され、
そしてこのようにして形成された原コンデンサに端面接
触層が設けられ、その後中間層の範囲でこの層に垂直な
方向に分割されるようになっているコンデンサの製造方
法であって、その工程が ａ）金属化された帯がドラム上に巻き付けられ、これら
の帯がその両縁上に縁と間隔を置いて巻き付け方向に間
欠的な無金属の帯状絶縁部を巻き付けの前又は巻き付け
の際に設けられ、帯状絶縁部がドラム上への巻き付けの
際に巻き付け軸に垂直な一平面上に存在し、帯状絶縁部
の終端も始端も後に加工する切り込みの範囲にまで達す
るか、又はこの範囲を僅かに越えるようにされ、ｂ）完
成した母コンデンサにおいて上側帯の帯状絶縁部の中心
が下側帯の帯状絶縁部の間の中間空間の中央上に対称に
配置されるように、両帯がドラム上への巻き付けの際に
導かれ、 Ｃ）原コンデンサ又は母コンデンサの巻き付け及び強化
後に、更にドラム上で縁により形成される両端面上に金
属溶射により金属層がかぶせられ、 ｄ）（［１々の母コンデンサに分割後に、巻き付け方向
に垂直に各二つの切断線の間の中央に両側面上に切り込
みが形成され、この切り込みの幅及び深さにより両突出
部が形成され、 ｅ）場合によっては給電体の取り付け後に帯状絶縁部の
中央を通る切断線に沿って及び縁に平行に母コンデンサ
の中央に存在する切断線に沿って、のこぎりにより個々
のコンデンサに切断され。

ｆ）帽子形の給電体又は他の給電体が既に工程ｅ）の中
で取り付けられていないときには、これら給電体を取り
付けることによりコンデンサを完成する ようになっているコンデンサの製造方法が知られている
。

［発明が解決しようとする問題点］ この発明は前記公報に記載のコンデンサとその製造方法
との改良を目的とする。

前記公報においては、その対象であるコンデンサが最初
の誘電体層の上側と最後の誘電体層の上側とに絶縁に役
立ち容量的に効果の無い別のカバー層を設は得ることが
指摘されている。しかしながらこのカバー層の構成につ
いては詳細な記述がなされていない、なぜならばそこで
は従来の技術として記述された通常の積層コンデンサを
出発点として、これらのカバー層は製造工程の際に金属
層をかぶせられていないプラスチックフィルムの形で巻
き込まれるので、完成されたコンデンサにおいてカバー
層は金属層を含んでいないからである（ドイツ連邦共和
°国特許第１７８４５４１号明細書参照、アメリカ合衆
国特許第３１１１７０３７８号明細書及び同第３７２８
７８５号明細書に相当）。

ドイツ連邦共和国特許第２５４１１１１号明細書におい
ては特開昭Ｇｏ−１３３７１８号公報に対して先行技術
である積層コンデンサの製造方法が記載されている。

この公知の方法においては大きい直径を有するドラム上
に容量的に無効な中間層により相互に分離された複数の
母コンデンサが巻き付けられ、しかも次々に重ねられ何
方に相互にずらされた相対する極の二つの被膜の金属層
を有する１枚又は複数枚のコンデンサフィルムから成り
、この被膜は交互に巻き付け体の両端面の一つにまで達
しかつそれぞれ巻き付け体の他端面からは間隔を保って
いる。中間層の中央にはコンデンサの端面を越えて両側
に突出する分離用帯の１巻きが巻き込まれる。このよう
にして作られた原コンデンサはスクープ法によりその全
端面にわたって端面接触され、機械的な強化のために熱
処理されそして巻き付け体の回転軸を通る少なくとも一
つの平面で分割される。このようにして作られた母コン
デンサ又は母コンデンサの部分は分離用帯に沿って切り
離され、フィルム送り方向に垂直に更に切断することに
より個々のコンデンサに分割される。中間層の形成は、
その範囲すなわち中間層が設けられるべき範囲において
、母巻き付け体の分割後に個々のコンデンサが中間層の
範囲に容量的に有効なカバー層を持たないように、コン
デンサフィルムが金属層の中に金属の無い長い帯状部を
備えることにより行われる。その際金属の無い長い帯状
部は例えば放電加工、又は回転するホイールか滑って行
く金属帯を介して供給される高周波又はパルスによる浸
食、又は例えば回転するといし車のような機械的なこす
り落とし法により作られ、ドラム上での形成が不可能な
ときにはできるだけ巻き付け機の近くで例えばドラムの
近くに設けられた案内ローラ上で作られるのが合目的で
ある。

従ってこの公知の方法は片面に金属層を備えたプラスチ
ック帯を出発点とし、その際プラスチック帯からプラス
チック帯へ交互に金属化層が向かい合った縁に達し、一
方それぞれ他の縁では金属の無い帯状部が設けられる。

なぜならば金属層はそこまでは到達していないからであ
る。補助的に作られる金属の無い長い帯状部は縁のそば
に作られ金属層にまで達するので、後に原コンデンサの
端面の接触の際に各金属層が端面上の金属化層に結合さ
れず、従ってこのプラスチック層はカバー層として働く
。

特開昭８０−１３３７１１１号公報の対象である積層コ
ンデンサはその構造及び製造方法について、ドイツ連邦
共和国特許第２５４１１１１号明細書に記載の方法に基
づくコンデンサと全く異なって構成されている。

この発明は特開昭８０−１３３７１８号公報の対象であ
るコンデンサを、容量的に無効なカバー層が設けられ、
このカバー層がコンデンサに対し環境上の及び機械的な
負荷に対する有効な保護を保証しかつ妨害放射に対する
遮へいの改善をもたらすように、改良することを目的と
する。

この発明の更に別の目的は特開昭Ｇｏ−１３３７１８号
公報に記載の両方法をカバー層が特に容易な方法で形成
できるように改良することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ この目的は９の発明に基づき前記の種類のコンデンサに
おいて、積層体の下面及び／又は上面上の少なくとも一
つのカバー層が、金属層を備え誘電体層と同一のプラス
チックから成るカバー層として形成され、その両突出部
上に金属の無い帯状絶縁部を備え、この帯状絶縁部が金
属層を電気的結合に役立つ金属層から分離することによ
り達成される。

特開昭８０−１３３７１８号公報に記載のコンデンサの
製造方法についてはこの目的はこの発明に基づき、所望
の数のカバー層に相応する数の中間層がドラム上に巻き
付けられるまでは、間欠的な金属の無い帯状絶縁部の形
成のために用いられる装置が連続運転に切り換えられ、
その際連続した帯状絶縁部を金属化された帯の繰上に縁
と間隔を置いて形成することにより、各一つの母コンデ
ンサを形成する成る数の誘電体層及び被膜の上にかぶせ
られ完成したコンデンサでカバー層を形成する容量的に
無効な中間層が、付加的に特別なプラスチック帯を巻き
込むことなく金属化された帯により形成され、この工程
が分離層の巻き込み後に改めて次の母コンデンサのカバ
ー層のための所望の巻き数が巻き付けられるまで継続さ
れ、その後再び継目無しに間欠的な帯状絶縁部を備えた
容量的に有効な誘電体層が形成されることにより達成さ
れる。

同公報に記載の別の方法についてはこの目的はこの発明
に基づき、所望の数のカバー層に相応する数の中間層が
ドラム上に巻き付けられるまでは、間欠的な金属の無い
帯状絶縁部の形成のために用いられる装置が連続運転に
切り換えられ、その際連続した帯状絶縁部を金属化され
た帯の繰上に縁と間隔を置いて形成することにより、各
一つの母コンデンサを形成する成る数の誘電体層及び被
膜の上にかぶせられ完成したコンデンサでカバー層を形
成する容量的に無効な中間層が、付加的に特別なプラス
チック帯を巻き込むことなく金属化された帯により形成
され、この工程が分離層の巻き込み後に改めて次の母コ
ンデンサのカバー層のための所望の巻き数が巻き付けら
れるまで継続され、その後再び継目無しに間欠的な帯状
絶縁部を備えた容量的に有効な誘電体層が形成されるこ
とにより達成される。

前記公報においてはその特許請求の範囲及び発明の詳細
な説明の中で、帯の上の間欠的な金属の無い帯状絶縁部
の形成がレーザ光線の使用によっても行）ことができ、
その際帯状絶縁部の相互の所望の位置と長さを得るため
に、また半径が増大するにつれて母コンデンサの構成に
関してレーザパルスがドラムの回転に同期して制御され
ることが指摘されている。

レーザエネルギーによる連続した金属の無い帯状部の形
成の特別な実施例は既に提案されており、カバー層の形
成のための金属の無い帯状部の加工の際に有利に採用で
きる。

［実施例］ 次にこの発明に基づくコンデンサとその製造方法の二つ
の実施例を示す図面により、この発明の詳細な説明する
。

第１図に示すコンデンサにおいては積層体ｌに属する最
初の四つの誘電体層及び最後の誘電体層が引き離して示
されている。弁作用金属例えばアルミニウム又は亜鉛か
ら成る薄い金属層としてかぶせられた被膜２と３は誘電
体層４と５上にあり、積層体１の両長側面２７と２８に
まで達している。これら被膜は短側面２９にまでも達す
ることができるが、図示の実施例においては積層体ｌの
上側短側面２９に沿って金属の無い帯状部３０と３１が
示されている。

切り込み１０により端６と７を備えた突出部８と９が形
成されている。誘電体層４上では金属被膜２は突出部９
の端７にまで達し、一方誘電体暦５上では被膜３は突出
部８の端６にまで達している。誘電体層４から誘電体層
５へと交互に突出部８又は９上には金属の無い帯状部１
５又は１６が配置されているので、帯状金属２０又は２
１が残っている。切り込み１０の深さ１７は少なくとも
残存帯状金属２０と２１の幅１８又は１９を越えるべき
であり、好ましくは深さ１７は金属の無い帯状絶縁部１
５又は１６の内縁５５又は５６にまで達するか、又はこ
れらの内縁より幾らか突出するのが有利である。換言す
れば切り込み１０の深さは残存帯状金属２０の幅１８と
金属の無い帯状絶縁部１５の輻２２．を加えたものより
か大きく、また残存帯状金属２１の幅１９と金属の無い
帯状絶縁部１６の輻２３を加えたものより大きい、切り
込み１０の深さについては突出部８と９の端６と７によ
り形成された面１１と１２上に設けられた金属層１３と
１４の厚さにもまた注意すべきである。金属層１３と１
４上には給電線２４と２５が固定され、この給電線は積
層体ｌの長袖２６の方向に伸びている。

給電線２４と２５の代わりに金属層１３と１４上にチッ
プとしてコンデンサを組み込むための例えば帽子形の給
電体を設けることもできる。

積層体ｌの下面３２上及び上面３３上にはカバー層６８
が設けられている。この実施例ではそれぞれ一つのカバ
ー層だけが示されているが、しかしながらこのカバー層
の数は、原コンデンサの端面の金属化の際に容量的に有
効な層の完全な接触が得られるために必要な、すなわち
原コンデンサの端面を越えて伸び出る分離フィルムによ
り生じる陰の中に入り込まないために必要な１分離フィ
ルムから容量的に有効な層までの距離に応じて、外面の
損傷又は汚れによる絶縁破壊の発端となるのを十分に防
ぐことを保証するための必要性に従って決められる。特
に小さい容量値を形成する際には容量的に有効な暦数が
巻き付けられ、この数の最後の巻き付け完了後にコンデ
ンサのあらかじめ与えられた全厚さ又は総巻数を容量的
に無効な層によって満たすことができ、このために複雑
な制御過程を必要としないようにすることができる。

カバー層６８上には金属層６９が設けられ、この金属層
は両突出部８と９上に設けられた金属の無い帯状絶縁部
１５と１６により金属層１３と１４に対しては電気的に
結合されていない。

コンデンサの製造方法を次に第２図及び第３図により説
明する。

第２図に示すように母コンデンサ又は原コンデンサの製
造のために、その縁３６又は３７上に場合によっては金
属の無い帯状絶縁部３０と３１を設けることができる上
側の金属化されたプラスチック帯３４と下側の金属化さ
れたプラスチック帯３５とが、巻き付け方向４６にここ
には図示されていないドラム上に巻き付けられる。帯３
４及び／又は３５は向かい合った縁３８及び／又は３９
上に特に波形切断縁を備えている。この波形切断縁は、
金属溶射により作られ原コンデンサの端面５３上にかぶ
せられた金属層５４を、プラスチック帯３４と３５上の
後に被膜として役立つ金属層と面接触させるために役立
つ。

このためにドラム上への帯３４と３５の巻き付けの前に
又は遅くともその際に、これらの借上に設けられた金属
化層の中に向かい合った縁３８と３９の範囲の中に間隔
４０と４１を隔てて巻き付け方向４６に間欠的な金属の
無い帯状絶縁部４２又は４３が形成され、帯状絶縁部４
２の終端４７と始端４９との間の中間空間４４及び帯状
絶縁部４３の終端４８と始端５０との間の中間空間４５
が、それぞれ帯状絶縁部４２と４３の長さ５１と５２よ
り大きいようになっているのが有利である。

帯３４と３５はドラム上への巻き付けの際に、上側の帯
３４の帯状絶縁部４２が下側の帯３５の帯状絶縁部４３
の間の中間空間４５の上でその中央に来るように導かれ
る。

原コンデンサ又は母コンデンサの巻き付け及び強化の後
に、更にドラム上で少なくとも縁３８と３９から形成さ
れた端面６３が金属溶射により例えば公知のスクープ法
（アメリカ合衆国特許第１１２８０５８号明細書参照）
により金属層５４を設けられる。

原コンデンサを個々の母コンデンサに分割後に、巻き付
け方向４６に垂直に各二つの切断線５７の間の中央に切
り込み１０が作られ、その幅は好ましくは上側の帯状絶
縁部４２の終端４７と下側の帯状絶縁部４３の始端５０
との間の間隔より大きく、その深さ１７は好ましくは帯
状絶縁部４２と４３の内縁５５と５６まであるいはそれ
を越える所まで達する。切り込み１０の深さはコンデン
サの容量を所望の狭い公差値に補正するためにも利用で
きる。一般に切り込み１０は母コンデンサから個々の積
層体１　ｆｔ切り離した後に初めて作ることもできる。

この状態で母コンデンサ上に給電体２４．２５を固定で
きるけれど、しかしながら個々のコンテンサをまず帯状
絶縁部４２と４３の中央を通る切断線５７に沿ってのこ
ぎりにより切断し、それから給電体を取り付けることも
また可能である。

チップ構造にコンデンサの組み込みのための帽子形の給
電体を設けるときにはこの方法が特に推奨される。

母コンデンサのために必要な巻数が巻き付けられると直
ちに、この発明に基づきかつ特開昭８０−１３３７１８
号公報に記載の方法の改良として、間欠的な帯状絶縁部
４２と４３の形成が終了され、これらの帯状絶縁部の延
長上に帯３４及び帯３５上に又は両帯の内の一つの帯止
に連続する帯状絶縁部７０が作られ、この帯状絶縁部は
これらの帯止の金属化層を縁３８又は３９から切り離す
ので、外部接触側に対して絶縁された金属層６９が一つ
の好ましくは両方の帯止に作られる。一つ又は両方の帯
状絶縁部７０の形成は母コンデンサ上に所望の巻数が載
せられるまで続けられる０合わせて一つの原コンデンサ
を形成する複数の母コンデンサがドラム上に巻き付けら
れると、後にカバー層としての役立つこの巻き付け部上
に一つの分離層が巻き込まれ、しかもドラムの少なくと
も一回転に対して巻き込まれ、そこで帯状絶縁部７０の
形成を継続され再びいわば積層体の下面として相応の多
くの巻数がかぶせられる。その技法の母コンデンサが作
れるように間欠的な帯状絶縁部の形成が改めて開始され
る。

第３図に示した方法は、金属化された二つの帯５８と５
９が一緒にここでも同様に図示されていないドラム上に
巻き方向４６に巻き付けられることにより、第２図に関
連して説明した方法と異なっている。上側の金属化した
帯５８と場合によっては下側の金属化した帯５９もそれ
らの縁６０及び／又は６１に波形切断縁を有する０巻き
付けの際又はその直前に間欠的な金属の無い帯状部４２
が上側の帯５８上に、また金属の無い帯状部４３が下側
の帯５９上に、それぞれそれらの帯の両縁に形成される
。これら金属の無い帯状部の縁からの及び相互の間隔に
対して、並びにドラム上への巻き付けの際のこれらの帯
の案内に対して、第２図により説明した方法と同じ寸法
の指定が適用される。

縁６０と６１から絶縁された金属層６９の形成のための
金属の無い帯状部７０の形成は、ここでは前に説明した
方法の場合と同様なやり方で、しかしながら両縁上にお
いて行われる。

一つの母コンデサ又は複数の母コンデンサから成る一つ
の原コンデンサの完成の後に、縁６０と６１により形成
された端面６２と６３上に金属層６４と６５が溶射され
る（スクープ法）。

巻き付けるべき帯５８と５９の幅は二つのコンデンサの
高さの和に等しいように選ばれたので、母コンデンサの
切り込み１０の形成の前又は後に切断線５７に沿って及
び中央の切断線６６に沿って分割される。

場合によっては帯５８と５９の中央に、完成したコンデ
ンサにおいて金属の無い帯状部３０と３１（第１図）を
作る各一つの金属の無い帯状部６７が設けられる。

［発明の効果］ この発明に基づくコンデンサとその製造方法の長所は、
非常に簡単な方法で実際上巻き付け工程を中断すること
なく金属の無い帯状部を形成する装置の適当な制御によ
り、容量的に無効な所望の数のカバー層を有するコンデ
ンサを作ることができ、このカバー層が機械的に安定で
カバー層により覆われた面上への環境上の影響に対して
耐力があり、加えるに妨害放射に対し遮へいされている
ということにある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に基づくコンデンサの一実施例を示す
分解配列図、第２図はこの発明に基づくコンデンサの製
造方法の一実施例を示すための誘電体帯の平面図、第３
図は製造方法の別の実施例を示すための誘電体帯の平面
図である。 ｌ・・・積層体、　　２，３・・・被膜、　４゜５・・
−誘電体層、　６，７・ｏｓ突出部の端、８，９・・・
突出部、　１０・・魯切り込み、１１．１２＠・喀血、
　１３，１４．６９−・・。 金属層、　　１５，１６，４２，４３・・・帯状絶縁部
、　　１７・拳−深さ、　　　１８．１９・・・帯、　
　２０．２１−・・残存帯状金属、　　２４゜２５．３
２．３３−・・給電体、　２７．２８・φ・長側面、　
２９・・・上側短側面、　３０゜３１・−・金属の無い
帯状部、　　３２−・・下面、　３３１１・・上面、　
　３４，３５、５６゜５９舎＋１１１金属化された帯、
　　　３６　、３７　。 ３ｇ、３９，６０，６１・・Φ縁、　　４０，４１・・
・間隔、　４５・・・中間空間、　４６・Ｏ・巻き付け
方向、　　　４７．４８・・・終端、４９．５０・・・
始端、　　　５３，６２，６３φ・・端面、　　５４・
−・金属層、　５５．５６・・Φ内縁、　　５７．６６
・・・切断線、　　６８・・・カバー層、　　７０・・
・連続した帯状絶縁部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）　被膜（２、３）として各一つの金属層を備えて交
   互に積層された誘電体層（４、５）の強化された積層体
   （１）から成り、積層体 （１）の厚さの方向にかつ積層体の一側面のほぼ中央を
   通る切り込み（１０）によって 二つの突出部（８、９）が形成され、被膜 （２、３）が層ごとに交互にこの突出部の 端（６、７）にまで達し、更に強化された 積層体（１）の中に突出部（８、９）の 端（６、７）により形成された二つの面 （１１、１２）が接触のために用いられる金属層（１３
   、１４）を備え、この金属層が相対する極の被膜（２、
   ３）を相互に結合するようにしたコンデンサであって、 ａ）誘電体層（４、５）がプラスチックフィルムから成
   り、 ｂ）被膜（２、３）が弁作用金属の再生可 能な薄い層から成り、かつ誘電体層（４、 ５）の各一つの面を積層体（１）の長側面 （２７、２８）の縁まで覆い、また突出部 （８、９）の両端（６、７）まで覆い、更に場合によっ
   ては切り込み（１０）を備えた短側面と向かい合った上
   側短側面（２９）の縁まで覆い、 ｃ）突出部（８、９）が誘電体層（４、５）ごとに交互
   に金属の無い帯状絶縁部（１５ 又は１６）を備え、切り込み（１０）の深さ（１７）が
   残存帯状金属（２０又は２１）の幅（１８又は１９）よ
   り大きいか、又は好 ましくは帯状絶縁部（１５、１６）の内縁 （５５、５６）に一致するか、又はこの内縁（５５、５
   ６）を越えて積層体（１）の中にまで達し、 ｄ）前記面（１１、１２）上の相対する極 の被膜（２、３）を相互に結合する金属層 （１３、１４）が金属溶射により作られ、 ｅ）積層体（１）がその下面（３２）及び／又は上面（
   ３３）上にそれぞれ容量的に無効な少なくとも一つのカ
   バー層（６８）を有するものにおいて、 ｆ）積層体（１）の下面（３２）及び／又は上面（３３
   ）上の少なくとも一つのカバー層が、金属層（６９）を
   備え誘電体層（４、 ５）と同一のプラスチックから成るカバー 層（６８）として形成され、その両突出 部（８、９）上に金属の無い帯状絶縁部 （１５、１６）を備え、この帯状絶縁部が前記金属層（
   ６９）を電気的結合に役立つ金属層（１３、１４）から
   分離する ことを特徴とするコンデンサ。 ２）　片面が金属化されたプラスチックから成る帯が縁
   を波形切断された誘電体層としてドラム上に原コンデン
   サとなるように積層され、原コンデンサが積層面に垂直
   に所望の個々のコンデンサに分割され、その際場合によ
   っては各一つの母コンデンサを形成する或る数の誘電体
   層及び被膜上に容量効果の無い中間層が配置され、その
   上に再び被膜を備えた容量効果のある誘電体層が次の母
   コンデンサのために配置され、そしてこのようにして形
   成された原コンデンサに端面接触層が設けられ、その後
   中間層の範囲でこの層に垂直な方向に分割されるように
   なっているコンデンサの製造方法であって、その工程が ａ）金属化された帯（３４、３５）がドラム上に巻き付
   けられ、これらの帯が各一つの縁（３６、３７）上に場
   合によっては連続した金属の無い帯状部（３０、３１）
   を有し、 一方向かい合った縁（３８、３９）の範囲においてはこ
   の縁と間隔（４０、４１）を保って巻き付け方向に間欠
   的な無金属帯状絶縁部（４２又は４３）が巻き付けの前
   又は巻き 付けの際に形成され、これらの帯状絶縁部 （４２、４３）がドラム上への巻き付けの際に巻き付け
   軸に垂直な一平面上に存在し、かつ帯状絶縁部（４２、
   ４３）の終端（４７、４８）も始端（４９、５０）も後
   に加工する切り込み（１０）の範囲にまで達するか、 又はこの範囲を僅かに越えるようにされ、 ｂ）完成した母コンデンサにおいて上側帯 （３４）の帯状絶縁部（４２）の中心が下側帯（３５）
   の帯状絶縁部（４３）の間の中間空間（４５）の中央上
   に対称に配置されるように、両帯（３４、３５）がドラ
   ム上への巻き付けの際に案内され、 ｃ）原コンデンサ又は母コンデンサの巻き付け及び強化
   の際に、更にドラム上で少なくとも縁（３８、３９）に
   より形成された端面 （５３）が金属溶射により金属層（５４）を備え、 ｄ）個々の母コンデンサに分割後に、巻き 付け方向（４６）に垂直に各二つの切断線 （５７）の間の中央に切り込み（１０）が形成され、こ
   の切り込みの幅と深さ（１７）とにより両突出部（８、
   ９）が形成され、 ｅ）場合によっては給電体（２４、２５）の取り付け後
   に、帯状絶縁部（４２、４３）の中央を通る切断線（５
   ７）に沿ってのこぎりにより個々のコンデンサに切断さ
   れ、 ｆ）帽子形の給電体又は他の給電体（２４、２５）が工
   程ｅ）において既に取り付けられていない場合には、こ
   れらの給電体を取り付けることによりコンデンサを完成
   する ようになっているコンデンサの製造方法において、 所望の数のカバー層（６８）に相応する数の中間層がド
   ラム上に巻き付けられるまで は、間欠的な金属の無い帯状絶縁部（４２、４３）の形
   成のために用いられる装置が連続運転に切り換えられ、
   その際連続した帯状 絶縁部（７０）を金属化された帯（３４、 ３５）の縁（３８、３９）上に縁と間隔を置いて形成す
   ることにより、各一つの母コンデンサを形成する或る数
   の誘電体層及び被膜の上にかぶせられ完成したコンデン
   サでカバー層（６８）を形成する容量的に無効な中間層
   が、付加的に特別なプラスチック帯を巻き込むことなく
   金属化された帯（３４、３５）により形成され、この工
   程が分離層の巻き込 み後に改めて次の母コンデンサのカバー層 （６８）のための所望の巻き数が巻き付けられるまで継
   続され、その後再び継目無しに間欠的な帯状絶縁部（４
   ２、４３）を備えた容量的に有効な誘電体層が形成され
   る ことを特徴とするコンデンサの製造方法。 ３）片面が金属化されたプラスチックから成る帯が縁を
   波形切断された誘電体層としてドラム上に原コンデンサ
   となるように積層され、原コンデンサが積層面に垂直に
   所望の個々のコンデンサに分割され、その際場合によっ
   ては各一つの母コンデンサを形成する或る数の誘電体層
   及び被膜上に容量効果の無い中間層が配置され、その上
   に再び被膜を備えた容量効果の無い中間層が配置され、
   その上に再び被膜を備えた容量効果のある誘電体層が次
   の母コンデンサのために配置され、そしてこのようにし
   て形成された原コンデンサに端面接触層が設けられ、そ
   の後中間層の範囲でこの層に垂直な方向に分割されるよ
   うになっているコンデンサの製造方法であって、その工
   程が ａ）金属化された帯（５８、５９）がドラム上に巻き付
   けられ、これらの帯がその両縁 （６０、６１）上に縁と間隔を置いて巻き付け方向に間
   欠的な無金属の帯状絶縁部（４２又は４３）を巻き付け
   の前又は巻き付けの際に設けられ、帯状絶縁部（４２、
   ４３）がドラム上への巻き付けの際に巻き付け軸に垂直
   な一平面上に存在し、帯状絶縁部（４２、 ４３）の終端も始端も後に加工する切り込み（１０）の
   範囲にまで達するか、又はこの範囲を僅かに越えるよう
   にされ、 ｂ）完成した母コンデンサにおいて上側帯 （５８）の帯状絶縁部（４２）の中心が下側帯（５９）
   の帯状絶縁部（４３）の間の中間空間の中央上に対称に
   配置されるように、両帯（５８、５９）がドラム上への
   巻き付けの際に導かれ、 ｃ）原コンデンサ又は母コンデンサの巻き付け及び強化
   後に、更にドラム上で縁（６０、６１）により形成され
   る両端面（６２、 ６３）上に金属溶射により金属層がかぶせられ、 ｄ）個々の母コンデンサに分割後に、巻き付け方向に垂
   直に各二つの切断線（５７）の間の中央に両側面上に切
   り込み（１０）が形成され、この切り込みの幅及び深さ
   （１７）により両突出部（８、９）が形成され、 ｅ）場合によっては給電体（２４、２５）の取り付け後
   に帯状絶縁部（４２、４３）の 中央を通る切断線（５７）に沿って及び縁 （６０、６１）に平行に母コンデンサの中央に存在する
   切断線（６６）に沿って、のこぎりにより個々のコンデ
   ンサに切断され、 ｆ）帽子形の給電体又は他の給電体（２４、２５）が既
   に工程ｅ）の中で取り付けられていないときには、これ
   ら給電体を取り付けることによりコンデンサを完成する ようになっているコンデンサの製造方法において、 所望の数のカバー層（６８）に相応する数の中間層がド
   ラム上に巻き付けられるまで は、間欠的な金属の無い帯状絶縁部（４２、４３）の形
   成のために用いられる装置が連続運転に切り換えられ、
   その際連続した帯状 絶縁部（７０）を金属化された帯（５８、 ５９）の縁（６０、６１）上に縁と間隔を置いて形成す
   ることにより、各一つの母コンデンサを形成する或る数
   の誘電体層及び被膜の上にかぶせられ完成したコンデン
   サでカバー層（６８）を形成する容量的に無効な中間層
   が、付加的に特別なプラスチック帯を巻き込むことなく
   金属化された帯（５８、５９）により形成され、この工
   程が分離層の巻き込 み後に改めて次の母コンデンサのカバー層 （６８）のための所望の巻き数が巻き付けられるまで継
   続され、その後再び継目無しに間欠的な帯状絶縁部（４
   ２、４３）を備えた容量的に有効な誘電体層が形成され
   る ことを特徴とするコンデンサの製造方法。