JPS61260606A - 高分子抵抗体の製造法 - Google Patents
高分子抵抗体の製造法Info
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- JPS61260606A JPS61260606A JP10155085A JP10155085A JPS61260606A JP S61260606 A JPS61260606 A JP S61260606A JP 10155085 A JP10155085 A JP 10155085A JP 10155085 A JP10155085 A JP 10155085A JP S61260606 A JPS61260606 A JP S61260606A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、電極を備え正温度特性を有する高分子抵抗体
の製造法に関し、更に詳しくは、メッキ皮膜からなる電
極と正温度特性を有する成形体との相互密着強度が大き
な高分子抵抗体の製造法に関する。
の製造法に関し、更に詳しくは、メッキ皮膜からなる電
極と正温度特性を有する成形体との相互密着強度が大き
な高分子抵抗体の製造法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
電気、電子機器部品に付帯して使用される正温Ｉ＆特性
素子として、最近、基材が高分子からなって１１三温度
特性を有する高分子抵抗体が賞用されている。
素子として、最近、基材が高分子からなって１１三温度
特性を有する高分子抵抗体が賞用されている。
このような抵抗体は、通常、正温度特性を具備する高分
子成形体とその表裏面に取付けられた電極とから構成さ
れている。
子成形体とその表裏面に取付けられた電極とから構成さ
れている。
これら高分子抵抗体の中には、例えばｕｓｐ−４４２８
８３３号公報に開示されているように、正温度特性を有
する成形体の表裏面に電極として金属箔を圧着して一体
化したものや、特開昭５５−１５９０７号公報に開示さ
れているように、正温度特性を有する成形体の表裏面に
電極として網状金属を熱融着して一体化したものが知ら
れている。
８３３号公報に開示されているように、正温度特性を有
する成形体の表裏面に電極として金属箔を圧着して一体
化したものや、特開昭５５−１５９０７号公報に開示さ
れているように、正温度特性を有する成形体の表裏面に
電極として網状金属を熱融着して一体化したものが知ら
れている。
しかしながら、このように金属箔や網状金属を高分子成
形体に取付けた高分子抵抗体においては、電極−成形体
間の接触抵抗を十分に低減することが困難である。
形体に取付けた高分子抵抗体においては、電極−成形体
間の接触抵抗を十分に低減することが困難である。
そこで、このような接触抵抗の問題を解消するために、
本発明者らは、高分子成形体に十分なエツチング処理を
施したのちそこに電気メッキもしくは無電解メッキを施
して、メッキ皮膜からなる電極を備えた高分子抵抗体を
提案した（特願昭９０−２８３９４号）。
本発明者らは、高分子成形体に十分なエツチング処理を
施したのちそこに電気メッキもしくは無電解メッキを施
して、メッキ皮膜からなる電極を備えた高分子抵抗体を
提案した（特願昭９０−２８３９４号）。
しかしながら、このように成形体の−にに巾にメッキ皮
膜を形成した高分子抵抗体においては、接触抵抗を低減
せしめることは可能となるが、その一方では、メッキ皮
膜と成形体との密着強度が充分ではなく、ヒートショッ
クを受けた場合成形体からメッキ皮膜が剥離するという
問題を引起している。
膜を形成した高分子抵抗体においては、接触抵抗を低減
せしめることは可能となるが、その一方では、メッキ皮
膜と成形体との密着強度が充分ではなく、ヒートショッ
クを受けた場合成形体からメッキ皮膜が剥離するという
問題を引起している。
［発明の目的］
本発明は、上記した問題点を解消し、メッキ皮膜と成形
体の密着強度が大きく、ヒートショックを受けても密着
強度が低下せず、しかも室温下における抵抗値が小さい
高分子抵抗体を製造する方法の提供を目的とする。
体の密着強度が大きく、ヒートショックを受けても密着
強度が低下せず、しかも室温下における抵抗値が小さい
高分子抵抗体を製造する方法の提供を目的とする。
［発明の概要］
本発明の高分子抵抗体の製造法は、結晶性高分子重合体
４０〜９０重量％と導電性充填材１０〜９０重量％との
混練組成物の成形体の表面に、エツチング処理を施した
後、該成形体の表面に電気メッキもしくは無電解メッキ
処理を施してメッキ皮膜を形成し、ついで、該結晶性高
分子重合体の結晶化温度以−Ｆの温度において、該成形
体のメッキ皮膜上に圧力を加えることを特徴とする。
４０〜９０重量％と導電性充填材１０〜９０重量％との
混練組成物の成形体の表面に、エツチング処理を施した
後、該成形体の表面に電気メッキもしくは無電解メッキ
処理を施してメッキ皮膜を形成し、ついで、該結晶性高
分子重合体の結晶化温度以−Ｆの温度において、該成形
体のメッキ皮膜上に圧力を加えることを特徴とする。
まず、本発明で使用される正温度特性を有する成形体は
、結晶性高分子重合体と導電性充填材とからなる。
、結晶性高分子重合体と導電性充填材とからなる。
成形体の構成要件の１つである結晶性高分子重合体とし
ては、ポリエチレン、ポリプロピレン。
ては、ポリエチレン、ポリプロピレン。
エチレン共重合体、ポリアミド、フッ素系重合体などが
あげられる。
あげられる。
また、他の要件である導電性充填材としては、ファーネ
スブラック、サーマルブラック、アセチレンブラックな
どのカーボンブラックが好ましく、その他粒径２０終以
下のグラファイト粉末、金属粒子；長さ１ｍｍ以下でア
スペクト比１０以上の炭素繊維、金属繊維；などがあげ
られ、また、これらの混合物であってもよい。
スブラック、サーマルブラック、アセチレンブラックな
どのカーボンブラックが好ましく、その他粒径２０終以
下のグラファイト粉末、金属粒子；長さ１ｍｍ以下でア
スペクト比１０以上の炭素繊維、金属繊維；などがあげ
られ、また、これらの混合物であってもよい。
正温度特性を有する成形体は、上記した結晶性高分子重
合体と導電性充填材とを配合して溶融混練したのち、常
法により成形することにより得られる。
合体と導電性充填材とを配合して溶融混練したのち、常
法により成形することにより得られる。
結晶性高分子重合体と導電性充填材の配合割合は、前者
４０〜９０重量％、後者１０〜６０重量％に設定する。
４０〜９０重量％、後者１０〜６０重量％に設定する。
導電性充填材の配合量が１０重量％未渦の場合（したが
って結晶性高分子重合体９０重量％以上）には、得られ
た成形体に正温度特性が発現せず、また、６０重量％を
超えると混練が困難になる。
って結晶性高分子重合体９０重量％以上）には、得られ
た成形体に正温度特性が発現せず、また、６０重量％を
超えると混練が困難になる。
溶融混練は、通常の溶融混練機例えばバンバリーミキサ
−１２本又は３本ロールを用いて、温度：１４０〜２５
０℃２時間： ５〜４０分間の条件で行なえばよい。ま
た、溶融混練の際、２．５−ジメチル−２，５−シ（ｔ
−フチルバーオキシ）ヘキシン−３のような周知の架橋
剤を添加して架橋を行なってもよい。
−１２本又は３本ロールを用いて、温度：１４０〜２５
０℃２時間： ５〜４０分間の条件で行なえばよい。ま
た、溶融混練の際、２．５−ジメチル−２，５−シ（ｔ
−フチルバーオキシ）ヘキシン−３のような周知の架橋
剤を添加して架橋を行なってもよい。
以上のようにして得られる成形体を用いて、成形体の表
面にメッキ処理を施してメッキ皮膜を形成することによ
り電極を得る。
面にメッキ処理を施してメッキ皮膜を形成することによ
り電極を得る。
このメッキ処理の前処理工程として、成形体表面の樹脂
を取除き導電性充填材を露出させて、成形体表面の導電
化を図ると共に、樹脂成形体とメッキ皮膜との密着性を
向−トさせる目的でエツチング処理を行なう。
を取除き導電性充填材を露出させて、成形体表面の導電
化を図ると共に、樹脂成形体とメッキ皮膜との密着性を
向−トさせる目的でエツチング処理を行なう。
エツチング処理法としては、クロム混酸液、キシレン溶
液等を用いる方法、サンドブラスト等の如く機械的に表
面を粗面化する方法があげられる。
液等を用いる方法、サンドブラスト等の如く機械的に表
面を粗面化する方法があげられる。
次に、エツチング処理が施された高分子成形体の表面に
メッキ処理を施す。メッキ処理法としては、電気メツキ
法と無電解メッキ法のいずれもが適用できる。
メッキ処理を施す。メッキ処理法としては、電気メツキ
法と無電解メッキ法のいずれもが適用できる。
電気メツキ法においては、金属塩を含むメッキ浴中にこ
の成形体を陰極、金属、黒鉛などを陽極として浸漬して
行なう、メッキ処理に際しては、電流密度０．０５〜Ｉ
ＯＡ／ｄ■２．メッキ浴温度ｌＯ〜１００°Ｃの条件下
でメッキ液を攪拌しながら行なう。
の成形体を陰極、金属、黒鉛などを陽極として浸漬して
行なう、メッキ処理に際しては、電流密度０．０５〜Ｉ
ＯＡ／ｄ■２．メッキ浴温度ｌＯ〜１００°Ｃの条件下
でメッキ液を攪拌しながら行なう。
無電解メッキ法においては、メッキ処理の前処理として
通常のプラスチックメッキ法に採用されているセンシタ
イジング・アクチベーション法やキャタリスト・アクセ
レーター法で、成形体表面を活性化させたのち、常法の
無電解メッキを施すとよい、また、無電解メッキを行な
った後に、所定膜厚のメッキ皮膜を得るために、更に電
気メッキを施してもよい。
通常のプラスチックメッキ法に採用されているセンシタ
イジング・アクチベーション法やキャタリスト・アクセ
レーター法で、成形体表面を活性化させたのち、常法の
無電解メッキを施すとよい、また、無電解メッキを行な
った後に、所定膜厚のメッキ皮膜を得るために、更に電
気メッキを施してもよい。
また、メッキ皮膜を構成する金属としては、ニッケル、
銅、スズ、クロム、銀などが好ましい。
銅、スズ、クロム、銀などが好ましい。
また、メッキ皮膜の膜厚が０．１戸以上となるようにメ
ッキ処理時間や通電量を調節することが好ましい。
ッキ処理時間や通電量を調節することが好ましい。
次に、表面にメッキ皮膜が形成された高分子抵抗体のメ
ッキ皮膜・上に圧力を加えて、成形体とメッキ皮膜とを
圧着する。
ッキ皮膜・上に圧力を加えて、成形体とメッキ皮膜とを
圧着する。
本発明方法は、この成形体とメッキ皮膜とが圧着される
工程を含むところに最大の特徴を有するものである。こ
の工程が付加されることによりメッキ皮膜と成形体の密
着強度が増大するのである。
工程を含むところに最大の特徴を有するものである。こ
の工程が付加されることによりメッキ皮膜と成形体の密
着強度が増大するのである。
この圧着工程においては、該成形体を結晶性高分子重合
体の結晶化温度以上に加熱することが必要である。この
結晶化温度以上に成形体を加熱しない場合には、成形体
とメッキ皮膜の密着強度が不十分となる。
体の結晶化温度以上に加熱することが必要である。この
結晶化温度以上に成形体を加熱しない場合には、成形体
とメッキ皮膜の密着強度が不十分となる。
メッキ皮膜へ印加する圧力は １〜２００ｋｇ／ｃｍ２
・Ｇ好ましくは５〜１００ｋｇ／ｃ■２・Ｇであり、圧
着時間は特に限定されるものではない０以上の圧着工程
は、熱プレス成形機や熱ロール成形機を用いて行なうこ
とができる。
・Ｇ好ましくは５〜１００ｋｇ／ｃ■２・Ｇであり、圧
着時間は特に限定されるものではない０以上の圧着工程
は、熱プレス成形機や熱ロール成形機を用いて行なうこ
とができる。
［発明の実施例コ
実施例１
結晶性高分子重合体として高密度ポリエチレン（出光石
油化学■製：出光ポリエチレン＠ ５２０Ｂ）１００東
績部に対し、１１均粒径４３ＩＩｊＬのカーボンブラッ
ク（、Ｅ菱化成−丁業輛製：ダイアブラック０Ｅ）７５
重Ｍ部を配合し、これをパンパリ−ミキサーにより溶融
混練した後、架橋剤として、２．５−ジメチル−２，５
−シ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３を０．５重
量部添加し、架橋させて樹脂組成物を得た。つぎに、こ
の組成物を熱プレス機により肉厚０．８ｍｍのシートに
成形し、このシートから縦１０ｃｍ 、横５ｃ＋ｗの試
験片を切り出した。この試験片をクロム酸混液（ハイク
ロム混酸）中に浸漬して、６０℃で１５分間エツチング
処理した。ついで、試験片を水洗後、硫酸ニッケル２９
０ｇ／ｌ 、塩化ニッケル５０ｇ／ｌ 、ホウ酸４０ｇ
／ｌ含有する水溶液からなるメッキ浴に浸漬し、この試
験片を陰極とし、ニッケル板を陽極として電気メッキを
施した。電気メッキは４３℃において、陰極電流密度
ＩＡ／ｄ＋ｅ２．電気量１０，０００クーロン／ｄ鵬２
であった。
油化学■製：出光ポリエチレン＠ ５２０Ｂ）１００東
績部に対し、１１均粒径４３ＩＩｊＬのカーボンブラッ
ク（、Ｅ菱化成−丁業輛製：ダイアブラック０Ｅ）７５
重Ｍ部を配合し、これをパンパリ−ミキサーにより溶融
混練した後、架橋剤として、２．５−ジメチル−２，５
−シ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３を０．５重
量部添加し、架橋させて樹脂組成物を得た。つぎに、こ
の組成物を熱プレス機により肉厚０．８ｍｍのシートに
成形し、このシートから縦１０ｃｍ 、横５ｃ＋ｗの試
験片を切り出した。この試験片をクロム酸混液（ハイク
ロム混酸）中に浸漬して、６０℃で１５分間エツチング
処理した。ついで、試験片を水洗後、硫酸ニッケル２９
０ｇ／ｌ 、塩化ニッケル５０ｇ／ｌ 、ホウ酸４０ｇ
／ｌ含有する水溶液からなるメッキ浴に浸漬し、この試
験片を陰極とし、ニッケル板を陽極として電気メッキを
施した。電気メッキは４３℃において、陰極電流密度
ＩＡ／ｄ＋ｅ２．電気量１０，０００クーロン／ｄ鵬２
であった。
このようにして得られたメッキ試験片を、熱プレス成形
機により、 １９０℃で １５ｋｇ／ｃ＋＊２・Ｇの圧
力をかけて５分間圧着処理を施した。圧着処理した試験
片を巾１ｃｍの短冊状に切断し、メッキ皮膜の引張剥離
強度（ＪＩＳ−に−８８５４）を測定したところ、０．
８３ｋｇ／ｃｍであった。また、この試験片に、２３０
℃から２０℃へのヒートショックを与えた後でも剥離す
ることはなかった。さらに、この試験片の１ｃｍ四方の
角片を用いて、表裏面のニッケルメッキ皮膜間の電気抵
抗を、デジタルボルトメーターにより四端子法で測定し
たところ、２０℃°こおける比抵抗は １．４ΩＣＩＩ
であった。また、この角片を １５０℃まで昇温したと
きの抵抗値と、２０℃における抵抗値の比（抵抗増大倍
率）は１０’°３倍であった。
機により、 １９０℃で １５ｋｇ／ｃ＋＊２・Ｇの圧
力をかけて５分間圧着処理を施した。圧着処理した試験
片を巾１ｃｍの短冊状に切断し、メッキ皮膜の引張剥離
強度（ＪＩＳ−に−８８５４）を測定したところ、０．
８３ｋｇ／ｃｍであった。また、この試験片に、２３０
℃から２０℃へのヒートショックを与えた後でも剥離す
ることはなかった。さらに、この試験片の１ｃｍ四方の
角片を用いて、表裏面のニッケルメッキ皮膜間の電気抵
抗を、デジタルボルトメーターにより四端子法で測定し
たところ、２０℃°こおける比抵抗は １．４ΩＣＩＩ
であった。また、この角片を １５０℃まで昇温したと
きの抵抗値と、２０℃における抵抗値の比（抵抗増大倍
率）は１０’°３倍であった。
比較例１
実施例１と同様にメッキを施した試験片に圧着処理を施
さなかったものにつき、引張剥離強度を測定したところ
、０．１８ｋｇ／ｃｍであった。また、２３０℃から２
０℃へのヒートショックにより、メッキ皮膜の一部が剥
離した。さらに、このものの２０℃における比抵抗は１
．４Ωｃｍ、抵抗増大倍率は１０４°２倍であった。
さなかったものにつき、引張剥離強度を測定したところ
、０．１８ｋｇ／ｃｍであった。また、２３０℃から２
０℃へのヒートショックにより、メッキ皮膜の一部が剥
離した。さらに、このものの２０℃における比抵抗は１
．４Ωｃｍ、抵抗増大倍率は１０４°２倍であった。
実施例２
実施例１におけるクロム混酸によるエツチング処理を
８分間としたほかは、実施例１と同様にした。ここで得
られた試験片の引張剥離強度はて有効である。
８分間としたほかは、実施例１と同様にした。ここで得
られた試験片の引張剥離強度はて有効である。
０．７５ｋｇ／ｃｍであり、ヒートショックによるメッ
キ皮膜の剥離はみられなかった。また、このものの２０
℃における比抵抗は １．４Ωｃｍであり、抵抗増大倍
率は１０４°２倍であった。
キ皮膜の剥離はみられなかった。また、このものの２０
℃における比抵抗は １．４Ωｃｍであり、抵抗増大倍
率は１０４°２倍であった。
比較例２
実施例２と同様にメッキを施した試験片に圧着処理を施
さなかったものにつき、引張剥離強度を測定したところ
、０．０８ｋｇ／ａｍであった。また、２３０℃から２
０℃のヒートショックにより、メッキ皮膜の一部が剥離
した。さらに、２０°Ｃにおける比抵抗は１．３５ΩＣ
■であり、抵抗増大倍率は１０’°２倍であった。
さなかったものにつき、引張剥離強度を測定したところ
、０．０８ｋｇ／ａｍであった。また、２３０℃から２
０℃のヒートショックにより、メッキ皮膜の一部が剥離
した。さらに、２０°Ｃにおける比抵抗は１．３５ΩＣ
■であり、抵抗増大倍率は１０’°２倍であった。
［発明の効果］
以上、説明した如く、本発明の方法で得られた高分子抵
抗体は、メッキ皮膜と成形体の密着強度が大きく、ヒー
トショックを受けても密着強度が低下せず、しかも室温
下における抵抗値も小さい。
抗体は、メッキ皮膜と成形体の密着強度が大きく、ヒー
トショックを受けても密着強度が低下せず、しかも室温
下における抵抗値も小さい。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、結晶性高分子重合体４０〜９０重量％と導電性充填
材１０〜６０重量％との混練組成物の成形体の表面に、
エッチング処理を施した後、該成形体の表面に電気メッ
キもしくは無電解メッキ処理を施してメッキ皮膜を形成
し、ついで、該結晶性高分子重合体の結晶化温度以上の
温度において、該成形体のメッキ皮膜上に圧力を加える
ことを特徴とする高分子抵抗体の製造法。 ２、該結晶性高分子重合体がポリエチレンである特許請
求の範囲第１項記載の高分子抵抗体の製造法。 ３、該導電性充填材がカーボンブラックである特許請求
の範囲第１項記載の高分子抵抗体の製造法。 ４、該エッチング処理が高分子組成物成形体表面に導電
性充填材が露出するまで行なう処理である特許請求の範
囲第１項記載の高分子抵抗体の製造法。 ５、該メッキ皮膜がニッケル、スズ、銅、クロム、銀の
群から選ばれる少なくとも１種の金属からなる特許請求
の範囲第１項記載の高分子抵抗体の製造法。 ６、該メッキ皮膜の膜厚が０．１μｍ以上である特許請
求の範囲第１項記載の高分子抵抗体の製造法。 ７、該メッキ皮膜に加える圧力が１〜２００ｋｇ／ｃｍ
＾２・Ｇである特許請求の範囲第１項記載の高分子抵抗
体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10155085A JPS61260606A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 高分子抵抗体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10155085A JPS61260606A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 高分子抵抗体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61260606A true JPS61260606A (ja) | 1986-11-18 |
| JPH043083B2 JPH043083B2 (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=14303535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10155085A Granted JPS61260606A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 高分子抵抗体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61260606A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10144502A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-05-29 | Tdk Corp | 有機質正特性サーミスタの製造方法および有機質正特性サーミスタ |
-
1985
- 1985-05-15 JP JP10155085A patent/JPS61260606A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10144502A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-05-29 | Tdk Corp | 有機質正特性サーミスタの製造方法および有機質正特性サーミスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH043083B2 (ja) | 1992-01-22 |
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