JPS61259488A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
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- JPS61259488A JPS61259488A JP60101848A JP10184885A JPS61259488A JP S61259488 A JPS61259488 A JP S61259488A JP 60101848 A JP60101848 A JP 60101848A JP 10184885 A JP10184885 A JP 10184885A JP S61259488 A JPS61259488 A JP S61259488A
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- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
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- H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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- Electromagnetism (AREA)
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、素子レンジ等のいわゆる誘電加熱を行う為の
高周波加熱装置の改良に関し、さらに詳しく言えば、そ
の電源装置にインバータを用い、インバータにより高周
波電力を発生し、昇圧トランスにて昇圧してマグネトロ
ンを駆動するよう構成した高周波加熱装置の改良に関す
るものである。
高周波加熱装置の改良に関し、さらに詳しく言えば、そ
の電源装置にインバータを用い、インバータにより高周
波電力を発生し、昇圧トランスにて昇圧してマグネトロ
ンを駆動するよう構成した高周波加熱装置の改良に関す
るものである。
従来の技術
このような方式の高周波加熱装置は、その電源トランス
の小型化、軽量化、あるいは低コスト化の為に様々な構
成のものが提案されている。
の小型化、軽量化、あるいは低コスト化の為に様々な構
成のものが提案されている。
第９図は、従来の高周波加熱装置の回路図である。図に
於て、商用電源１の電力はダイオードブリッジ２により
整流され、単方向電源が形成されている。３はインダク
タ、４はコンデンサであってインバータの高周波スイッ
チング動作に対するフィルタの役割を果すものである。
於て、商用電源１の電力はダイオードブリッジ２により
整流され、単方向電源が形成されている。３はインダク
タ、４はコンデンサであってインバータの高周波スイッ
チング動作に対するフィルタの役割を果すものである。
インバータは共振コンデンサ５、昇圧トランス６、トラ
ンジスタ７、ダイオード８、及び駆動回路９により構成
されている。トランジスタ７は駆動回路９より供給され
るベース電流によって所定の周期とデユーティ−（即ち
、オンオフ時間比）でスイッチング動作する。この結果
、昇圧トランス６の一次巻線１０には第１０図（ａ）の
ようなコレクタ電流１ｃとダイオード電流Ｉｄを中心と
した電流ｌｅｄが流れ一次巻線１０には第１０図（ｂ）
のような高周波電流ＩＬが流れる。従って、二次巻線１
１及び三次巻線１２には各々高周波高圧電力及び高周波
低圧電力が生じる。この高周波低圧電力はコンデンサ１
３．１４、およびチラークコイル１５．１６に介してマ
グネトロン１７のカソード端子間に供給され、−刃高周
波高圧電力はアノードカソード間に図のように供給され
る。ＵＳＰ４．３１８，１８５に示されているようにコ
ンデンサ５とマグネトロン１７にはｅ＄１０図（ｃ）、
（ｄ）のような電流が流れ、マグネトロン１７は発振し
誘電加熱が可能となるものである。
ンジスタ７、ダイオード８、及び駆動回路９により構成
されている。トランジスタ７は駆動回路９より供給され
るベース電流によって所定の周期とデユーティ−（即ち
、オンオフ時間比）でスイッチング動作する。この結果
、昇圧トランス６の一次巻線１０には第１０図（ａ）の
ようなコレクタ電流１ｃとダイオード電流Ｉｄを中心と
した電流ｌｅｄが流れ一次巻線１０には第１０図（ｂ）
のような高周波電流ＩＬが流れる。従って、二次巻線１
１及び三次巻線１２には各々高周波高圧電力及び高周波
低圧電力が生じる。この高周波低圧電力はコンデンサ１
３．１４、およびチラークコイル１５．１６に介してマ
グネトロン１７のカソード端子間に供給され、−刃高周
波高圧電力はアノードカソード間に図のように供給され
る。ＵＳＰ４．３１８，１８５に示されているようにコ
ンデンサ５とマグネトロン１７にはｅ＄１０図（ｃ）、
（ｄ）のような電流が流れ、マグネトロン１７は発振し
誘電加熱が可能となるものである。
この上うな構成で、トランジスタ７ ｆ ２０ ＫＨｚ
−１００ＫＨｚ程度の周波数で動作させると商用電源周
波数のままで昇圧する場合に比べて昇圧トランスの重量
、サイズを数分の−から士数分の−にでき、電源部の小
型化、低コスト化が可能であるという特長を有するもの
である。
−１００ＫＨｚ程度の周波数で動作させると商用電源周
波数のままで昇圧する場合に比べて昇圧トランスの重量
、サイズを数分の−から士数分の−にでき、電源部の小
型化、低コスト化が可能であるという特長を有するもの
である。
特に、アメリカ特許第４，３１８，１６５号に示されて
いる高周波加熱装置は昇圧トランス６の一次巻線１０と
二次巻線１１の極性が図のようないわゆるフライ１５ツ
ク型コンバータ回路構成とすることによシ、通常高圧整
流のために用いられる高圧ダイオードを用いないでマグ
ネトロン１７の駆動可能とし、第９図のような高周波加
熱装置を実現していた。
いる高周波加熱装置は昇圧トランス６の一次巻線１０と
二次巻線１１の極性が図のようないわゆるフライ１５ツ
ク型コンバータ回路構成とすることによシ、通常高圧整
流のために用いられる高圧ダイオードを用いないでマグ
ネトロン１７の駆動可能とし、第９図のような高周波加
熱装置を実現していた。
従って、非常に高価で大型とならざるを得ない高圧かつ
高周波ダイオードが不要であるので、より高周波加熱装
置の小型化、軽量化、低コスト化が実現されていた。
高周波ダイオードが不要であるので、より高周波加熱装
置の小型化、軽量化、低コスト化が実現されていた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような従来の高周波加熱装置は次の
ような欠点があった。
ような欠点があった。
マグネトロン１７のアノード電流ＩＡは、第１０図（ｄ
）に示すようにそのピーク値が大きい電流波形とならざ
るをえなかった。これはトランジスタ７が導通している
期間に一次巻線１０に蓄積されたエネルギーを非導通期
間に放出するところのいわゆるフライバック型コンバー
タ形式であるためであった。
）に示すようにそのピーク値が大きい電流波形とならざ
るをえなかった。これはトランジスタ７が導通している
期間に一次巻線１０に蓄積されたエネルギーを非導通期
間に放出するところのいわゆるフライバック型コンバー
タ形式であるためであった。
また、トランジスタ７が非導通期間のみマグネトロンに
電流が流れるので、所定の平均電流を得ようとすると一
層アノード電流ＩＡのピーク値が大きいものとならざる
をえなかった。
電流が流れるので、所定の平均電流を得ようとすると一
層アノード電流ＩＡのピーク値が大きいものとならざる
をえなかった。
このためマグネトロンのカソードのエミッション能力を
大きくせねばならずマグネトロンが高価なものとならざ
るをえなかった。また、アノード電流ＩＡの立ＪＪピー
ク値が大きいとカソードのエミッション能力余裕との関
係でいわゆるモーディング現象が発生しやすく、マグネ
トロンの寿命を著しく短くしたシ、高周波加熱装置の電
波漏洩量が増加するなどの不都合があり、高周波加熱装
置の低価格化を制限したり、その信頼性を低下させるな
どの欠点があった。
大きくせねばならずマグネトロンが高価なものとならざ
るをえなかった。また、アノード電流ＩＡの立ＪＪピー
ク値が大きいとカソードのエミッション能力余裕との関
係でいわゆるモーディング現象が発生しやすく、マグネ
トロンの寿命を著しく短くしたシ、高周波加熱装置の電
波漏洩量が増加するなどの不都合があり、高周波加熱装
置の低価格化を制限したり、その信頼性を低下させるな
どの欠点があった。
問題点を解決するための手段
本発明はこのような従来の高周波加熱装置の欠点を解決
するためになされたものであり、以下に述べる手段によ
り構成された高周波加熱装置でちる。
するためになされたものであり、以下に述べる手段によ
り構成された高周波加熱装置でちる。
即ち、トランジスタ等の半導体スイッチ素子と、前記半
導体スイッチ素子に直列または並列に接続された共振コ
ンデンサとよりなるインバータと、前記半導体スイッチ
素子を駆動する駆動回路と、前記半導体ヌイッチ素子に
直列に接続されたリーケージ型の昇圧トランスと、前記
インバータに電力を供給する直流または脈流を含む直流
電源とを備え、前記昇圧トランスの二次巻線に並列にマ
グネトロンと高圧コンデンサを接続するとともに、前記
半導体スイッチ素子の導通時建前記マグネトロンが順方
向にバイアスされるよう前記昇圧トランスの極性を構成
したものである。
導体スイッチ素子に直列または並列に接続された共振コ
ンデンサとよりなるインバータと、前記半導体スイッチ
素子を駆動する駆動回路と、前記半導体ヌイッチ素子に
直列に接続されたリーケージ型の昇圧トランスと、前記
インバータに電力を供給する直流または脈流を含む直流
電源とを備え、前記昇圧トランスの二次巻線に並列にマ
グネトロンと高圧コンデンサを接続するとともに、前記
半導体スイッチ素子の導通時建前記マグネトロンが順方
向にバイアスされるよう前記昇圧トランスの極性を構成
したものである。
作 用
本発明はと記構酸によシ以下に述べる作用を有するもの
である。
である。
即ち、本発明の高周波加熱装置は、トランジスタ等の半
導体スイッチに直列接続されたリーケージ型昇圧トラン
スの二次巻線に、直接、すなわち整流器を介さずに、高
圧コンデンサとマグネトロンとを接続し、かつ、半導体
スイッチが導通しているときマグネトロンを順バイアス
する構成となっているので、高圧ダイオードを不要とし
つつマグネトロンに供給されるアノード電流ピーク値を
抑えた電流波形でマグネトロンを駆動することができる
。特にリーケージインダクタンスにより、負荷がマグネ
トロンという非線形なものであるにもかかわらず共振コ
ンデンサと昇圧トランスとを安定に共振させ、しかも、
リーケージインダクタンスの電流抑制作用によりアノー
ド電流ピーク値を抑えたマグネトロンの駆動することが
できる。
導体スイッチに直列接続されたリーケージ型昇圧トラン
スの二次巻線に、直接、すなわち整流器を介さずに、高
圧コンデンサとマグネトロンとを接続し、かつ、半導体
スイッチが導通しているときマグネトロンを順バイアス
する構成となっているので、高圧ダイオードを不要とし
つつマグネトロンに供給されるアノード電流ピーク値を
抑えた電流波形でマグネトロンを駆動することができる
。特にリーケージインダクタンスにより、負荷がマグネ
トロンという非線形なものであるにもかかわらず共振コ
ンデンサと昇圧トランスとを安定に共振させ、しかも、
リーケージインダクタンスの電流抑制作用によりアノー
ド電流ピーク値を抑えたマグネトロンの駆動することが
できる。
実施例
以下本発明の高周波加熱装置の一実施例について図面と
ともに説明する。
ともに説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す高周波加熱装置のブロ
ック図であり、第９図と同符号のものは相当する構成要
素であり説明を省略する。
ック図であり、第９図と同符号のものは相当する構成要
素であり説明を省略する。
第１図に於て、商用電源１の電力は直流電源１８に送ら
れインバータ１９に供給される。インバータ１９は半導
体スイッチ７等よシ成シ、昇圧トランス６を付勢してマ
グネトロン１７に高圧電力を供給するものである。
れインバータ１９に供給される。インバータ１９は半導
体スイッチ７等よシ成シ、昇圧トランス６を付勢してマ
グネトロン１７に高圧電力を供給するものである。
トランジスタ７、トランスの一次巻線１０、共振コンデ
ンサ５、およびマグネトロン１７に流れる電流は、それ
ぞれ第２図（ａ）、Φ）、（ｃ）、および（ｄ）のよう
になり、マグネトロン１７のアノード電圧ＶＡＫは同図
（ｅ）のようになる。これは昇圧トランス６の一次巻線
と二次巻線の極性が図のようになっていること、および
昇圧トランス６がリーケージ型トランスとなっているこ
と、さらに高圧コンデンサ１３がマグネトロン１７に並
列接続されていることによるものである。
ンサ５、およびマグネトロン１７に流れる電流は、それ
ぞれ第２図（ａ）、Φ）、（ｃ）、および（ｄ）のよう
になり、マグネトロン１７のアノード電圧ＶＡＫは同図
（ｅ）のようになる。これは昇圧トランス６の一次巻線
と二次巻線の極性が図のようになっていること、および
昇圧トランス６がリーケージ型トランスとなっているこ
と、さらに高圧コンデンサ１３がマグネトロン１７に並
列接続されていることによるものである。
第３図は、第１図の本発明の実施例の要部を説明する高
周波加熱装置の回路図であり、第１図と同符号のものは
相当する構成要素であり説明を省略する。
周波加熱装置の回路図であり、第１図と同符号のものは
相当する構成要素であり説明を省略する。
第３図に於て、昇圧トランス６の電流ＸＬ、高圧コンデ
ンサ１ａの電流ＩＣＨ，およびアノード電流ＩＡは、昇
圧トランス６の一次巻線と二次巻線の極性が図示のよう
になっているので図中の矢印のように流れ、トラフジ２
夕がオンのときマグネトロンに電流が流れる。
ンサ１ａの電流ＩＣＨ，およびアノード電流ＩＡは、昇
圧トランス６の一次巻線と二次巻線の極性が図示のよう
になっているので図中の矢印のように流れ、トラフジ２
夕がオンのときマグネトロンに電流が流れる。
第４図は第３図の回路の一次側等価回路図であり、Ｌｌ
は一次巻線１０の自己インダクタンス、Ｋは一次巻線と
二次巻線の結合係数である。マグネトロン１７は、抵抗
ＲＭ、ダイオードＤＭ、ゼナーダイオードＺＤＭの直列
回路で置き換えることができ、この直列回路に並列にコ
ンデンサＣＨが接続された構成である。第５図のように
マグネトロンの特性は極めて非線形であり、ダイナミッ
クインピーダンスは非常に小さいものである。そこでト
ランスのリーケージを大きくシてリーケージインダクタ
ンス（１−Ｋ）Ｉｌｅ通常の従来のトランスより大きく
することにより、トランスの二次側から見たインピーダ
ンスＺｉｅ高め、定電流源的性質をトランスに持たせる
ことができる。
は一次巻線１０の自己インダクタンス、Ｋは一次巻線と
二次巻線の結合係数である。マグネトロン１７は、抵抗
ＲＭ、ダイオードＤＭ、ゼナーダイオードＺＤＭの直列
回路で置き換えることができ、この直列回路に並列にコ
ンデンサＣＨが接続された構成である。第５図のように
マグネトロンの特性は極めて非線形であり、ダイナミッ
クインピーダンスは非常に小さいものである。そこでト
ランスのリーケージを大きくシてリーケージインダクタ
ンス（１−Ｋ）Ｉｌｅ通常の従来のトランスより大きく
することにより、トランスの二次側から見たインピーダ
ンスＺｉｅ高め、定電流源的性質をトランスに持たせる
ことができる。
このため、インバータ１９の共振動作を安定化すること
ができ、トランジスタが破壊するなどの不都合？防止し
良好なマグネトロンの駆動を行うことができる。
ができ、トランジスタが破壊するなどの不都合？防止し
良好なマグネトロンの駆動を行うことができる。
また、リーケージインダクタンスとコンデンサＣＨを設
けることによりアノード電流ＩＡは第２図（ｄ）のよう
に７ヤープなピークを持たない台形様波形とし、カソー
ドの劣化やモーディングの発生を抑止し、安全で信頼性
の高い高周波加熱装置全実現することができる。
けることによりアノード電流ＩＡは第２図（ｄ）のよう
に７ヤープなピークを持たない台形様波形とし、カソー
ドの劣化やモーディングの発生を抑止し、安全で信頼性
の高い高周波加熱装置全実現することができる。
コンデンサＣＨはさらにマグネトロンが逆バイアスされ
る極性の時、浮遊容量などにより二次巻線１１に発生す
る第６図のような異常高電圧を防止し、逆電圧を第２図
（ｅ）のような比較的低い値に抑制する作用を果すもの
である。従って、トランスやマグネトロンの耐圧が比較
的低いものでよいので安価に製造することができる。
る極性の時、浮遊容量などにより二次巻線１１に発生す
る第６図のような異常高電圧を防止し、逆電圧を第２図
（ｅ）のような比較的低い値に抑制する作用を果すもの
である。従って、トランスやマグネトロンの耐圧が比較
的低いものでよいので安価に製造することができる。
さらにコンデンサＣＨの容量を適当に選ぶことにより前
述したマグネトロンの逆バイアス時に於る高電圧を低い
値に抑制することができる。
述したマグネトロンの逆バイアス時に於る高電圧を低い
値に抑制することができる。
第７図に示すようにマグネトロン電流ＩＡとコンデンサ
ＣＨの電流ＩＣＨとは９ｏ−の位相差がある。したがっ
てトランスに流る電流ＩＬは、マグネトロン順バイアヌ
時はそれらの合成電流となり、一方逆バイアス時はコン
デンサＣＨＯ電流ＩＣＨと等くなる。第８図はこのこと
をモデル的に説明するための図である。図において、ト
ランス電流ＩＬは正負の両極性電圧時、０からＩＬＰま
で変化する（絶対値のみ考える）。これはｌ・ランスが
定電流源と考えることができるためである。
ＣＨの電流ＩＣＨとは９ｏ−の位相差がある。したがっ
てトランスに流る電流ＩＬは、マグネトロン順バイアヌ
時はそれらの合成電流となり、一方逆バイアス時はコン
デンサＣＨＯ電流ＩＣＨと等くなる。第８図はこのこと
をモデル的に説明するための図である。図において、ト
ランス電流ＩＬは正負の両極性電圧時、０からＩＬＰま
で変化する（絶対値のみ考える）。これはｌ・ランスが
定電流源と考えることができるためである。
コンデンサＣＨがある容量値のときを考える。
マグネトロン順バイアス時、動作点は０から図の実線Ｉ
ＣＨ上をＶＡＫＯまで行き、ＩＡが流れだすとＩＣＨ＋
ＩＡ線上１１Ｌ＝ＩＬＰまで行ッテ。
ＣＨ上をＶＡＫＯまで行き、ＩＡが流れだすとＩＣＨ＋
ＩＡ線上１１Ｌ＝ＩＬＰまで行ッテ。
にもどる。次にマグネトロン逆バイアス時は、動作点は
０から図の実線ＩＣＨ上ｔｌ”ｌ Ｌ＝Ｉ ＬＰまで行
って０にもどる。従って、マグネトロンの電圧ＶＡＫ
（） ランスニ次電圧）はＶＡＫ＝ＶＡＫ１となる。と
ころで、もしコンデンサＣＨの容量値がより小さいもの
であるとすると、実線ＣＨは一点鎖線ｌＣＨ２となる。
０から図の実線ＩＣＨ上ｔｌ”ｌ Ｌ＝Ｉ ＬＰまで行
って０にもどる。従って、マグネトロンの電圧ＶＡＫ
（） ランスニ次電圧）はＶＡＫ＝ＶＡＫ１となる。と
ころで、もしコンデンサＣＨの容量値がより小さいもの
であるとすると、実線ＣＨは一点鎖線ｌＣＨ２となる。
従って、逆バイアス時のマグネトロンの電圧ＶＡＫはＶ
ＡＫ＝ＶＡＫ２）ＶＡＫＩ（！：なシ、コンデンサＣＨ
の容量値が大きいほどマグネトロンの電圧ＶＡＫ’ｉ小
さいものとすることができる。しかしながらコンデンサ
ＣＨの容量値が大きすぎるとインバータ１９の共振コン
デンサ５との間でいわゆるビート現象を生じ、インバー
タの動作が不安定となってしまう。従って、コンデンサ
ＣＨの一次側換算容量値をｃＨ１、共振コンデンサ５の
容量値を０５とするとき、Ｃ５とＣＨｌとが近い値でな
いことが必要である。
ＡＫ＝ＶＡＫ２）ＶＡＫＩ（！：なシ、コンデンサＣＨ
の容量値が大きいほどマグネトロンの電圧ＶＡＫ’ｉ小
さいものとすることができる。しかしながらコンデンサ
ＣＨの容量値が大きすぎるとインバータ１９の共振コン
デンサ５との間でいわゆるビート現象を生じ、インバー
タの動作が不安定となってしまう。従って、コンデンサ
ＣＨの一次側換算容量値をｃＨ１、共振コンデンサ５の
容量値を０５とするとき、Ｃ５とＣＨｌとが近い値でな
いことが必要である。
そしてＣ３（ＣＨｌではインバータの安定動作が望めな
いから、Ｃ３）ＣＨｌであることが必要である。
いから、Ｃ３）ＣＨｌであることが必要である。
このようにコンデンサＣＨは極めて重要な作用効果を果
すものであり、低価格で高信頼性を有し安定な性能を保
証することができる高周波加熱装置を実現する上で非常
に有用である。
すものであり、低価格で高信頼性を有し安定な性能を保
証することができる高周波加熱装置を実現する上で非常
に有用である。
再び第１図について説明する。第３図における高圧コン
デンサ１３は第１図においてマグネトロンのフィルタコ
ンデンサと兼用されており、第１および第２の高圧コン
デンサ１３および１４である。マグネトロンのカソード
端子間にはコンデンサ２０が設けられており、かつチョ
ークコイル１５．１６が同一コアにバイファイラ巻に開
成されている。したがって両高圧コンデンサ１３．１４
の合成容士で第３図における高圧コンデンサ１ａの作用
を果す。このようにすることによりカソード両端子から
高電圧をマグネトロンに供給することができるので高周
波電圧でマグネトロンを駆動する場合、カソード両端子
間の電位差を少くしてマグネトロンの安定発振を促進す
ることができ、高調波の発生を抑制するという効果があ
る。さらに高周波電流を高圧コンデンサ１３．１４に分
流することができるので高圧コンデンサ１３．１４０発
熱を抑え、低価格化、高信頼性化を実現することができ
る。また、高圧コンデンサ１３．１４を一体の貫通コン
デンサで溝底することによりコンデンサ２０をも兼用す
ることができ、高圧コンデンサ群のコンパクト化、低価
格化を実現できる。
デンサ１３は第１図においてマグネトロンのフィルタコ
ンデンサと兼用されており、第１および第２の高圧コン
デンサ１３および１４である。マグネトロンのカソード
端子間にはコンデンサ２０が設けられており、かつチョ
ークコイル１５．１６が同一コアにバイファイラ巻に開
成されている。したがって両高圧コンデンサ１３．１４
の合成容士で第３図における高圧コンデンサ１ａの作用
を果す。このようにすることによりカソード両端子から
高電圧をマグネトロンに供給することができるので高周
波電圧でマグネトロンを駆動する場合、カソード両端子
間の電位差を少くしてマグネトロンの安定発振を促進す
ることができ、高調波の発生を抑制するという効果があ
る。さらに高周波電流を高圧コンデンサ１３．１４に分
流することができるので高圧コンデンサ１３．１４０発
熱を抑え、低価格化、高信頼性化を実現することができ
る。また、高圧コンデンサ１３．１４を一体の貫通コン
デンサで溝底することによりコンデンサ２０をも兼用す
ることができ、高圧コンデンサ群のコンパクト化、低価
格化を実現できる。
発明の効果
以とに述べたように本発明によれば、以下のような効果
を得ることができる。
を得ることができる。
インバータの半導体スイッチにより付勢される昇圧トラ
ンスをリーケージ型とし二次巻線に並列に高圧コンデン
サとマグネトロンとを接続する溝底とし、半導体スイッ
チが導通時にマグネトロンを順バイアスするよう昇圧ト
ランスの一次巻線と二次巻線の極性を構成したので、 （１）マグネトロンのアノード電流ピーク値を小さく抑
えつつ高価な高圧ダイオードを除去してマグネトロンを
駆動することができ、そのため安価な構造のマグネトロ
ンの使用を可能とするものであり、極めて低価格な高周
波加熱装置を提供することができる。
ンスをリーケージ型とし二次巻線に並列に高圧コンデン
サとマグネトロンとを接続する溝底とし、半導体スイッ
チが導通時にマグネトロンを順バイアスするよう昇圧ト
ランスの一次巻線と二次巻線の極性を構成したので、 （１）マグネトロンのアノード電流ピーク値を小さく抑
えつつ高価な高圧ダイオードを除去してマグネトロンを
駆動することができ、そのため安価な構造のマグネトロ
ンの使用を可能とするものであり、極めて低価格な高周
波加熱装置を提供することができる。
＠ また、マグネトロン逆バイアス時の異常高圧発生を
防止することができるのでマグネトロンの逆耐電圧性能
や昇圧トランスの耐電圧性能を過度に高いものにする必
要がなく、さら忙一層低価格な高周波加熱装置を提供す
ることができる。
防止することができるのでマグネトロンの逆耐電圧性能
や昇圧トランスの耐電圧性能を過度に高いものにする必
要がなく、さら忙一層低価格な高周波加熱装置を提供す
ることができる。
（３）さらにまた、アノード電流ピーク値の立上りを小
さく抑えることができるので、マグネトロンのモーディ
ング発生を防止し、電波漏洩量の増加を抑制するととも
に、カソードの劣化を防ぐことができ、安全性および信
頼性の著しく優れた高周波加熱装置を提供することがで
きる。
さく抑えることができるので、マグネトロンのモーディ
ング発生を防止し、電波漏洩量の増加を抑制するととも
に、カソードの劣化を防ぐことができ、安全性および信
頼性の著しく優れた高周波加熱装置を提供することがで
きる。
第１図は本発明の一実施例を示す高周波加熱装置の回路
図、第２図（ａ）（ｂＭａ）（ｄ）（ｅ）は同回路の動
作電圧電流波形図、第３図は同回路の要部説明のだめの
回路図、第４図は同要部回路の等価回路図、第５図はマ
グネトロンの動作電圧電流特性図、第６図はマグネトロ
ンの異常電圧波形図、第７図はマグネトロンと高圧コン
デンサの電流ベクトル図、５・・・・・・共振コンデン
サ、６・・・・・・昇圧トランス、７・・！・・・半導
体スイッチ（トランジスタ）、９・・・・・・駆ｗＪ回
路、１０・・・・・・−次巻線、１１・・・・・・二次
巻線、１３・・・・・・高圧コンデンサ（第−ｉ［圧コ
ンデンサ）、１４・・・・・・第二高圧コンデンサ、１
７・・・・・・マグネトロン、１８・・・・・・ｔｉ流
を源、１９・・・・・・インバータ、２０・・・・・・
コンデンサ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名へ
へ へ へ ム （−）箋 〇 −＋＋ ψ ０ υ 呻 ｔＫ 憾 第１０図 手続補正書 昭和６１年２ 月１４日 い
図、第２図（ａ）（ｂＭａ）（ｄ）（ｅ）は同回路の動
作電圧電流波形図、第３図は同回路の要部説明のだめの
回路図、第４図は同要部回路の等価回路図、第５図はマ
グネトロンの動作電圧電流特性図、第６図はマグネトロ
ンの異常電圧波形図、第７図はマグネトロンと高圧コン
デンサの電流ベクトル図、５・・・・・・共振コンデン
サ、６・・・・・・昇圧トランス、７・・！・・・半導
体スイッチ（トランジスタ）、９・・・・・・駆ｗＪ回
路、１０・・・・・・−次巻線、１１・・・・・・二次
巻線、１３・・・・・・高圧コンデンサ（第−ｉ［圧コ
ンデンサ）、１４・・・・・・第二高圧コンデンサ、１
７・・・・・・マグネトロン、１８・・・・・・ｔｉ流
を源、１９・・・・・・インバータ、２０・・・・・・
コンデンサ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名へ
へ へ へ ム （−）箋 〇 −＋＋ ψ ０ υ 呻 ｔＫ 憾 第１０図 手続補正書 昭和６１年２ 月１４日 い
Claims (5)
- （１）トランジスタ等の半導体スイッチ素子と、前記半
導体スイッチ素子に直列または並列に接続された共振コ
ンデンサとよりなるインバータと、前記半導体スイッチ
素子を駆動する駆動回路と、前記半導体スイッチ素子に
直列に接続されたリーケージ型の昇圧トランスと、前記
インバータに電力を供給する直流または脈流を含む直流
電源とを備え、前記昇圧トランスの二次巻線に並列にマ
グネトロンと高圧コンデンサを接続すると共に、前記半
導体スイッチ素子の導通時に前記マグネトロンが順方向
にバイアスされるよう前記昇圧トランスの極性を構成し
た高周波加熱装置。 - （２）高圧コンデンサをマグネトロンの不要輻射防止用
フィルタコンデンサと兼用して構成した特許請求の範囲
第１項記載の高周波加熱装置。 - （３）マグネトロンのカソード端子間にコンデンサを設
け、２個の高圧コンデンサを２個のカソード端子とアノ
ード端子との間に設けるとともに、バイファイラ巻構成
のチョークコイルをカソードに直列に接続する構成とし
た特許請求の範囲第１項又は第２項記載の高周波加熱装
置。 - （４）カソード端子間コンデンサと２個の高圧コンデン
サとを１個の貫通型コンデンサで構成した特許請求の範
囲第１項記載の高周波加熱装置。 - （５）高圧コンデンサの一次側換算容量をＣＨ１、共振
コンデンサの容量をＣ５とするとき、ＣＨ１＜Ｃ５とな
るよう構成した特許請求の範囲第１項記載の高周波加熱
装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60101848A JPS61259488A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 高周波加熱装置 |
| KR1019860003601A KR900008392B1 (ko) | 1985-05-14 | 1986-05-09 | 역저지특성을 가진 부하를 위한 전력공급장치 |
| CA000509022A CA1261408A (en) | 1985-05-14 | 1986-05-13 | Power feed apparatus for load having reverse blocking characteristics |
| DE8686106467T DE3673063D1 (de) | 1985-05-14 | 1986-05-13 | Stromversorgungseinrichtung fuer eine last mit sperrcharakteristik. |
| EP86106467A EP0202579B1 (en) | 1985-05-14 | 1986-05-13 | Power feed apparatus for load having reverse blocking characteristics |
| US06/863,251 US4704674A (en) | 1985-05-14 | 1986-05-14 | Power feed apparatus for load having reverse blocking characteristics |
| CN86103326A CN1008863B (zh) | 1985-05-14 | 1986-05-14 | 用于具有反相阻断特性的负载的供电装置 |
| AU57407/86A AU573087B2 (en) | 1985-05-14 | 1986-05-14 | Magnetron power supply |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60101848A JPS61259488A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 高周波加熱装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61009134A Division JPS61262087A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 電力供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61259488A true JPS61259488A (ja) | 1986-11-17 |
| JPH046268B2 JPH046268B2 (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=14311467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60101848A Granted JPS61259488A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 高周波加熱装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4704674A (ja) |
| EP (1) | EP0202579B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61259488A (ja) |
| KR (1) | KR900008392B1 (ja) |
| CN (1) | CN1008863B (ja) |
| AU (1) | AU573087B2 (ja) |
| CA (1) | CA1261408A (ja) |
| DE (1) | DE3673063D1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206788A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | 松下電器産業株式会社 | 高周波加熱装置 |
| JPS63150884A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-23 | 松下電器産業株式会社 | 高周波発生装置 |
| JPS63150883A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-23 | 松下電器産業株式会社 | 高周波発生装置 |
| JPS63150882A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-23 | 松下電器産業株式会社 | 電力供給装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4812960A (en) * | 1986-12-15 | 1989-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Power feeding apparatus |
| JPH07111907B2 (ja) * | 1987-01-26 | 1995-11-29 | 松下電器産業株式会社 | 高周波加熱装置 |
| EP0280100B1 (en) * | 1987-02-10 | 1995-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency heating apparatus |
| US4866589A (en) * | 1987-04-08 | 1989-09-12 | Hitachi, Ltd. | Voltage resonance type switching power source apparatus |
| KR910001986B1 (ko) * | 1987-04-30 | 1991-03-30 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 마그네트론 급전장치 |
| AU592262B2 (en) * | 1987-04-30 | 1990-01-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetron feeding apparatus and method of controlling the same |
| KR910006174B1 (ko) * | 1987-07-27 | 1991-08-16 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 고주파가열장치 |
| JPH07111918B2 (ja) * | 1987-07-28 | 1995-11-29 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波放電光源装置 |
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| JPH0482191A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波加熱装置 |
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| FR2707052B1 (ja) * | 1993-06-22 | 1996-10-11 | Moulinex Sa | |
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| JPS59194378A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-05 | 三洋電機株式会社 | マグネトロンの駆動回路 |
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-
1985
- 1985-05-14 JP JP60101848A patent/JPS61259488A/ja active Granted
-
1986
- 1986-05-09 KR KR1019860003601A patent/KR900008392B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-05-13 DE DE8686106467T patent/DE3673063D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-13 CA CA000509022A patent/CA1261408A/en not_active Expired
- 1986-05-13 EP EP86106467A patent/EP0202579B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-14 AU AU57407/86A patent/AU573087B2/en not_active Expired
- 1986-05-14 US US06/863,251 patent/US4704674A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-14 CN CN86103326A patent/CN1008863B/zh not_active Expired
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| CN86103326A (zh) | 1986-12-17 |
| JPH046268B2 (ja) | 1992-02-05 |
| AU5740786A (en) | 1986-11-20 |
| KR900008392B1 (ko) | 1990-11-17 |
| US4704674A (en) | 1987-11-03 |
| DE3673063D1 (de) | 1990-09-06 |
| CN1008863B (zh) | 1990-07-18 |
| CA1261408A (en) | 1989-09-26 |
| EP0202579A1 (en) | 1986-11-26 |
| KR860009529A (ko) | 1986-12-23 |
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