JPS61258419A - パタ−ン露光装置 - Google Patents
パタ−ン露光装置Info
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- JPS61258419A JPS61258419A JP10080685A JP10080685A JPS61258419A JP S61258419 A JPS61258419 A JP S61258419A JP 10080685 A JP10080685 A JP 10080685A JP 10080685 A JP10080685 A JP 10080685A JP S61258419 A JPS61258419 A JP S61258419A
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造に用いられるノくターン露光
装置に関する。
装置に関する。
電子ビーム露光装置に代表される荷電ビーム露光装置は
、集積回路パターンの微細化、高集積化に伴ないパター
ン露光装置の主流となってきている。以下電子ビーム露
光装置について説明する。
、集積回路パターンの微細化、高集積化に伴ないパター
ン露光装置の主流となってきている。以下電子ビーム露
光装置について説明する。
電子ビーム露光装置においては、電子銃から発生した電
子ビームを複数個の電子レンズによシ集束し、偏向器に
よシ偏向させて試料上を走査させ所望のパターンを描画
するものであシ、種々の走査方式や描画方法が提案され
実施されている。
子ビームを複数個の電子レンズによシ集束し、偏向器に
よシ偏向させて試料上を走査させ所望のパターンを描画
するものであシ、種々の走査方式や描画方法が提案され
実施されている。
しかしながら、電子ビーム露光装置を含む荷電ビーム露
光装置においては、レジストの塗布された試料は電子光
学系と共に高真空中に置かれる。
光装置においては、レジストの塗布された試料は電子光
学系と共に高真空中に置かれる。
このため、真空容器が大きくなシ、試料の出し入れ、予
備排気、高真空排気等に長い準備時間を必要し、量産性
に劣るという欠点がある。更に大きな容器を高真空に維
持することは繁雑であり保守費用も扁くなる不都合があ
る。
備排気、高真空排気等に長い準備時間を必要し、量産性
に劣るという欠点がある。更に大きな容器を高真空に維
持することは繁雑であり保守費用も扁くなる不都合があ
る。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、試料を高真空容器
の外に移すことによシ作業能率が向上し量産に適したパ
ターン露光装置を提供することにある。
の外に移すことによシ作業能率が向上し量産に適したパ
ターン露光装置を提供することにある。
本発明のパターン露光装置は、Ｘ−Ｙ軸方向に移動可能
な電子光学鏡筒と、真空容器の一部を構成しかつ電子光
学鏡筒からの荷電ビームによりパターンが描画される螢
光板と、この螢光板の裏面に試料を密着させる手段とを
含んで構成される。
な電子光学鏡筒と、真空容器の一部を構成しかつ電子光
学鏡筒からの荷電ビームによりパターンが描画される螢
光板と、この螢光板の裏面に試料を密着させる手段とを
含んで構成される。
本発明によれば、試料は高真空容器の外にあって螢光板
に密着しており、高真空容器を構成する螢光板に描画さ
れたパターンにより露光されるため、高真空容器内への
試料の出し入れが不要となシ作業性は向上する。
に密着しており、高真空容器を構成する螢光板に描画さ
れたパターンにより露光されるため、高真空容器内への
試料の出し入れが不要となシ作業性は向上する。
次に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の要部構成図である。
第１図において、電子銃ｌ、電子レンズ２、ブランキン
グ電極３、偏向器４等が固定された電子光学鏡筒５と、
高真空容器６の一部を形成する螢光板７等から電子光学
系は構成されている。
グ電極３、偏向器４等が固定された電子光学鏡筒５と、
高真空容器６の一部を形成する螢光板７等から電子光学
系は構成されている。
電子光学鏡筒５は鏡筒駆動装置８によシＸ、Ｙ軸方向に
可動であシ、その位置は例えばレーザ測長計９により検
出され、鏡筒位置制御回路１０によシ制御される。鏡筒
位置制御回路１０は電子光学系を制御するブランキング
制御回路１２、偏向制御回路１１と共に電子計算機１３
からの信号によシ動作する。
可動であシ、その位置は例えばレーザ測長計９により検
出され、鏡筒位置制御回路１０によシ制御される。鏡筒
位置制御回路１０は電子光学系を制御するブランキング
制御回路１２、偏向制御回路１１と共に電子計算機１３
からの信号によシ動作する。
螢光板７は、例えば透明な石英板とその表面に塗布され
た螢光体とからなシ、螢光体面が真空側になるように構
成されている。
た螢光体とからなシ、螢光体面が真空側になるように構
成されている。
螢光板７の裏面には被露光物である試料（レジストが塗
布され九つエハノ１４が密着される。この試料１４は、
例えば第２図に示される低真空容器１５内に設けられた
試料支持台１６上に載置され、低真空容器１５と共に押
し上げられて螢光板７に密着するように構成されている
。
布され九つエハノ１４が密着される。この試料１４は、
例えば第２図に示される低真空容器１５内に設けられた
試料支持台１６上に載置され、低真空容器１５と共に押
し上げられて螢光板７に密着するように構成されている
。
低真空容器１５には真空ポンプ（図示せず）に連結する
排気管１７が固定されておシ、試料１４と螢光板７との
密着がよシ完全になるように内部が１０−” Ｔｏｒｒ
程度に排気される。
排気管１７が固定されておシ、試料１４と螢光板７との
密着がよシ完全になるように内部が１０−” Ｔｏｒｒ
程度に排気される。
このように構成された本発明の実施例において、電子計
算機１３に格納されたプログラム及びデータによシ、電
子ビーム１８が走査し、螢光板７の一定面積内〈パター
ンが描画されると、電子光学鏡筒５がＸ−Ｙ軸方向に移
動し次の電子ビーム１８の走査が行なわれる。このよう
にして螢光板７上にパターンが描画されると螢光体が発
光し、この光によシ試料１４が順次露光される。
算機１３に格納されたプログラム及びデータによシ、電
子ビーム１８が走査し、螢光板７の一定面積内〈パター
ンが描画されると、電子光学鏡筒５がＸ−Ｙ軸方向に移
動し次の電子ビーム１８の走査が行なわれる。このよう
にして螢光板７上にパターンが描画されると螢光体が発
光し、この光によシ試料１４が順次露光される。
試料１４が載置される低真空容器１５内は、真空光学系
がおかれる高真空容器６内に比べ低真空でよいため、そ
の排気時間は単時間ですむ。更に、試料試を高真空容器
６内に入れる必要がないため、従来のような予備排気、
高真空排気等の長い準備期間はなくなり、排気を含めた
試料交換に要する時間は大巾に短縮される。
がおかれる高真空容器６内に比べ低真空でよいため、そ
の排気時間は単時間ですむ。更に、試料試を高真空容器
６内に入れる必要がないため、従来のような予備排気、
高真空排気等の長い準備期間はなくなり、排気を含めた
試料交換に要する時間は大巾に短縮される。
上記実施例においては荷電ビームとして電子ビームの場
合について説明したが、８ｉ−？Ｂｅ等のイオンビーム
を用いることもでき、同様の効果がある。
合について説明したが、８ｉ−？Ｂｅ等のイオンビーム
を用いることもでき、同様の効果がある。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、被露光物
である試料を高真空容器内に入れる必要がなくなるため
、作業能率が向上し量産に適したパターン露光装置が得
られるので牛導体装置の製造に大きな効果がある。
である試料を高真空容器内に入れる必要がなくなるため
、作業能率が向上し量産に適したパターン露光装置が得
られるので牛導体装置の製造に大きな効果がある。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は本発明の
−実り例における試料近傍の断面図である。 １・・・・・・電子銃、２・・・・・・電子レンズ、３
・・・・・・ブランキング電極、４・・・・・・偏向器
、５・・・・・・電子光学鏡筒、６・・・・・・高真空
容器、７・・・・・・螢光板、８・・・・・・鏡筒駆動
装置、９・・・・・・レーザ測長計、ＩＯ・・・・・・
鏡筒位置制御回路、１１・・・・・・偏向制御回路、１
２・・・・・・ブランキング制御回路、１３・・・・・
・電子計算機、１４・・・・・・試料、１５・・・・・
・低真空容器、１６・・・・・・試料支持台、１７・・
・・・・排気管、１８・・・・・・電子ビーム。
−実り例における試料近傍の断面図である。 １・・・・・・電子銃、２・・・・・・電子レンズ、３
・・・・・・ブランキング電極、４・・・・・・偏向器
、５・・・・・・電子光学鏡筒、６・・・・・・高真空
容器、７・・・・・・螢光板、８・・・・・・鏡筒駆動
装置、９・・・・・・レーザ測長計、ＩＯ・・・・・・
鏡筒位置制御回路、１１・・・・・・偏向制御回路、１
２・・・・・・ブランキング制御回路、１３・・・・・
・電子計算機、１４・・・・・・試料、１５・・・・・
・低真空容器、１６・・・・・・試料支持台、１７・・
・・・・排気管、１８・・・・・・電子ビーム。
Claims (1)
- Ｘ・Ｙ軸方向に移動可能な電子光学鏡筒と、真空容器の
一部を構成しかつ前記電子光学鏡筒からの荷電ビームに
よりパターンが描画される螢光板と、該螢光板の裏面に
試料を密着させる手段とを含むことを特徴とするパター
ン露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10080685A JPS61258419A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | パタ−ン露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10080685A JPS61258419A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | パタ−ン露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258419A true JPS61258419A (ja) | 1986-11-15 |
Family
ID=14283620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10080685A Pending JPS61258419A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | パタ−ン露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61258419A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129911A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 描画装置 |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP10080685A patent/JPS61258419A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129911A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 描画装置 |
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