JPS61258347A - 機密保持型光記録媒体 - Google Patents
機密保持型光記録媒体Info
- Publication number
- JPS61258347A JPS61258347A JP60099514A JP9951485A JPS61258347A JP S61258347 A JPS61258347 A JP S61258347A JP 60099514 A JP60099514 A JP 60099514A JP 9951485 A JP9951485 A JP 9951485A JP S61258347 A JPS61258347 A JP S61258347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous
- optical recording
- secrecy
- recording medium
- Prior art date
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は光記録媒体に記録−した情報を盗用読み出し
、不正変更し得ないように記録情報機密保護層を設けた
機密保持型光記録媒体に関し、当該記録情報機密保護層
を電場印加によって可視光および近赤外光をオン・オフ
する構成にし九ものである。
、不正変更し得ないように記録情報機密保護層を設けた
機密保持型光記録媒体に関し、当該記録情報機密保護層
を電場印加によって可視光および近赤外光をオン・オフ
する構成にし九ものである。
〈従来の技術〉
光記録媒体は、レーザ光のように高エネルギー密度のビ
ームを記録媒体の微小域に集光し、記録すべき情報に対
応したピット列、トラック溝若しくは異なる反射率をも
つ微小域列を形成し、情報読み出し時に当該光記録媒体
面を再生光で走査しピット列、トラック溝もしくは反射
率の異なる微小域列の記録情報を再生するメデケである
。
ームを記録媒体の微小域に集光し、記録すべき情報に対
応したピット列、トラック溝若しくは異なる反射率をも
つ微小域列を形成し、情報読み出し時に当該光記録媒体
面を再生光で走査しピット列、トラック溝もしくは反射
率の異なる微小域列の記録情報を再生するメデケである
。
この種光記録媒体は、近年におけるレーザ技術の発展、
光集束点をコントロールするフォーカス・トラック溝若
ぜ技術（Ｔｈｃｕｓ ＴｒａｃｋＳｅｒｖｏ Ｔａｃｈ
ｎｆｃ）の進歩によＪ）３０ｍの光ディスクにｌＲｎ−
２μｍ径の記録−ットを書き込み。
光集束点をコントロールするフォーカス・トラック溝若
ぜ技術（Ｔｈｃｕｓ ＴｒａｃｋＳｅｒｖｏ Ｔａｃｈ
ｎｆｃ）の進歩によＪ）３０ｍの光ディスクにｌＲｎ−
２μｍ径の記録−ットを書き込み。
かつ高速で再生できるようになってきた。
記録密度的にも数Ｇバイト／枚に達し、磁気ディスクを
上回る性能を有するようになつた。
上回る性能を有するようになつた。
光ディスクのこのような性能のため、光ディスクの他に
、光カーＰ等への応用も考えられている。
、光カーＰ等への応用も考えられている。
光ディスクの場合も用途によってはそうであるが、特に
光カーＰ等の場合は高度情報の機密保持が重要である。
光カーＰ等の場合は高度情報の機密保持が重要である。
特に個人情報の場合はその秘密厳守デ°必要になってく
る。
る。
ところが、従来の光記録媒体は、情報に応じて形成した
ピット列、トラック溝、トラック番号等の情報は顕微鏡
などの拡大器を利用すれば容易に観測することができる
。したがって記録原盤を入手すれば記録媒体の情報の盗
用読み出しや変更を加え７１することが容易に行うこと
ができる。それにも拘らず、従来の光記録媒体では記録
した情報の機密保持について何等の手段も講じていなか
った。
ピット列、トラック溝、トラック番号等の情報は顕微鏡
などの拡大器を利用すれば容易に観測することができる
。したがって記録原盤を入手すれば記録媒体の情報の盗
用読み出しや変更を加え７１することが容易に行うこと
ができる。それにも拘らず、従来の光記録媒体では記録
した情報の機密保持について何等の手段も講じていなか
った。
このような光記録媒体の不正利用を防止する九め、本発
明者等は先に特願昭６Ｏ−４９４１８−ｊｔにおいて、
光記録媒体中に再生光と異なる波長域の光を吸収する機
密保持層を設けるべきことを提案した。
明者等は先に特願昭６Ｏ−４９４１８−ｊｔにおいて、
光記録媒体中に再生光と異なる波長域の光を吸収する機
密保持層を設けるべきことを提案した。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、特願昭６０−４９４１８号において提案した光
記録媒体の機密保持層は、その特願明細書第４頁第１７
行に記載しているように可視光を吸収するものであシ、
肉眼で記録情報を検知できないようにしたものである。
記録媒体の機密保持層は、その特願明細書第４頁第１７
行に記載しているように可視光を吸収するものであシ、
肉眼で記録情報を検知できないようにしたものである。
したがって、可視光以外の近赤外光を使用すれば検知可
能であった。
能であった。
この発明は１以上のような従来の光記録媒体の不真合を
解消する九めになされたものであって、光記録媒体本来
の記録性能および再生機能を限外することなく、可視光
域および° 近赤外域において記録情報の盗用読み出し
や不正変更を防止できる機密保持型光記録媒体を提供し
ようとするものである。
解消する九めになされたものであって、光記録媒体本来
の記録性能および再生機能を限外することなく、可視光
域および° 近赤外域において記録情報の盗用読み出し
や不正変更を防止できる機密保持型光記録媒体を提供し
ようとするものである。
く問題点を解決するための手段〉
以上のような目的を達成するため、本発明者等を種々研
究を重ねる過程において。
究を重ねる過程において。
■ アモルファスのＷＯｓ （Ｍｏ５ｓ ＊ Ｖｔ ０
＊ ）板とＣｒ１Ｑ単結晶板を積層したものは第１図の
曲ＭｓＬに示す波長対透過率の吸収特性を有するが。
＊ ）板とＣｒ１Ｑ単結晶板を積層したものは第１図の
曲ＭｓＬに示す波長対透過率の吸収特性を有するが。
■ これに電圧を加えるとアモルファスＷＯ。
板（Ｍｏ５ｓ ｓ Ｖｔ Ｏｓ ） カ青色に着色し、
その吸収特性は曲線すのごとく変化する。しかも、加え
る電圧の極性を反対にすると青色の着色が消失すると共
に、吸収特性（を旧゛・に復し、透明になることを知シ
、この発明を完成することができた。
その吸収特性は曲線すのごとく変化する。しかも、加え
る電圧の極性を反対にすると青色の着色が消失すると共
に、吸収特性（を旧゛・に復し、透明になることを知シ
、この発明を完成することができた。
すなわち、この発明は光記録媒体の記録層の上部および
下部のうち少くとも一方に電場印加によって可視光およ
び近赤外光をオン・オフする記録情報機密保護層を設け
たことを特徴とするものであって、よシ具体的には、前
記記録情報機密保護層をアモルファスのｗｏ３． ＭＯ
Ｏ３およびぬＯｓのうちから選んだ一種以上の材料から
なるエレクト声クロミック層と水素を吸蔵したＣｒｔＯ
ａ層を透明導電膜で挾持した構成にしたことを特徴とす
るものでちる。
下部のうち少くとも一方に電場印加によって可視光およ
び近赤外光をオン・オフする記録情報機密保護層を設け
たことを特徴とするものであって、よシ具体的には、前
記記録情報機密保護層をアモルファスのｗｏ３． ＭＯ
Ｏ３およびぬＯｓのうちから選んだ一種以上の材料から
なるエレクト声クロミック層と水素を吸蔵したＣｒｔＯ
ａ層を透明導電膜で挾持した構成にしたことを特徴とす
るものでちる。
この発明の機密保持型光記録媒体の記録層を形成する物
質としてＴ ｅ Ｏｘ ： Ｇ ６％ Ｓｎｂ Ｓｎ
−Ｔｅ−８ｅ系の物質、 ＡｕｘＴｅｘ−ｘ （７ｔだ
し、ｘｚｌｏ、０〜５αＯ原子チ）の相変化型物質；
ＧｄＦｅ０単結晶膜、ＭｎＢ１系多結晶膜、 ＴｂＦｅ
−ＧｄＴｂＦｅアモルファス膜などの光磁気材料が例示
できる。
質としてＴ ｅ Ｏｘ ： Ｇ ６％ Ｓｎｂ Ｓｎ
−Ｔｅ−８ｅ系の物質、 ＡｕｘＴｅｘ−ｘ （７ｔだ
し、ｘｚｌｏ、０〜５αＯ原子チ）の相変化型物質；
ＧｄＦｅ０単結晶膜、ＭｎＢ１系多結晶膜、 ＴｂＦｅ
−ＧｄＴｂＦｅアモルファス膜などの光磁気材料が例示
できる。
く作 用〉
以上のように、光記録媒体の上部および下部のうちの少
くとも一方に、可視光および近赤外光の光透過を、電場
印加によって可逆的にオン・オフする記録情報機密保護
層を設けたので、光記録媒体の情報の書き込みや再生機
能を全く妨げることなく、可視光のみならず、近赤外光
域にわたって記録情報の盗用読み出しや不正変更を防止
できる。
くとも一方に、可視光および近赤外光の光透過を、電場
印加によって可逆的にオン・オフする記録情報機密保護
層を設けたので、光記録媒体の情報の書き込みや再生機
能を全く妨げることなく、可視光のみならず、近赤外光
域にわたって記録情報の盗用読み出しや不正変更を防止
できる。
特に、記録情報機密保護層を透明導電膜で。
アモルファスのＷＯｓ ｓ ’Ｍｏ Ｏｘ 、ＶｔＯｓ
などを少くとも一種とＣｒｔａｍ膜（水素吸蔵）を挾持
した構造にし念ものは、その詳細な機構は明らかてない
が、電圧印加によｊ） Ｃｒ２０Ｂ膜内の吸蔵ＨはＨ＋
としてアモルファスＷＯｓ （Ｍｏ −Ｏｓ −Ｖ＊Ｏ
ｓ）層内に拡散し、ＬＷＯ４を構成し、青色に着色する
ため記録層を隠蔽し、電圧の極性を反対にするとアモル
ファスＷＯ３層内のＨ，ＷＯ。
などを少くとも一種とＣｒｔａｍ膜（水素吸蔵）を挾持
した構造にし念ものは、その詳細な機構は明らかてない
が、電圧印加によｊ） Ｃｒ２０Ｂ膜内の吸蔵ＨはＨ＋
としてアモルファスＷＯｓ （Ｍｏ −Ｏｓ −Ｖ＊Ｏ
ｓ）層内に拡散し、ＬＷＯ４を構成し、青色に着色する
ため記録層を隠蔽し、電圧の極性を反対にするとアモル
ファスＷＯ３層内のＨ，ＷＯ。
からＨが解放され透明化するために、光記鍮媒体の使用
時および保存時に応じ記録情報機密保護層を可逆的にオ
ン・オフして、情報の書き込み、再生や保存を行うこと
ができるものと考えられる。
時および保存時に応じ記録情報機密保護層を可逆的にオ
ン・オフして、情報の書き込み、再生や保存を行うこと
ができるものと考えられる。
く実 施 例〉
以下、実施例を挙げてこの発明の内容を兵体的に説明す
る。
る。
実施例１
アルミニウムｉ板１（厚さ１．５箇）を、１０″″４〜
１０ Ｔｏｒｒ （ｐ真空槽内に支持し、真空槽内に
おいてＡｕｇ、ｚ Ｔｅ ｏ、ｓ ＋ Ｍｇ Ｆｍ ｔ
Ｉ ｎ −５ｎ−０材料１Ｃｒ＠ Ｏ＠粉末、アモル
ファスＯＯ，材料、Ｉｎ−８ｎ−０材料をそれぞれ順次
スパッタリングし、第２図に示すごとく基板ｌ上にそれ
ぞれ２〜３，４ａ厚（２） Ａｕｏ、２Ｔｅ Ｏ，８（
記録層）３、ＭｇＦ、層４（中間層） 、 Ｉｎ−８
ｎ−０層５ａ（透明導電膜）、Ｃｒ１０６層６．アモル
ファスｗＯ，層７（エレクトロクロミック層） ａ
Ｉｎ−８ｎ−０層５ｂ（透明導電ｙ１．）を設けた。
１０ Ｔｏｒｒ （ｐ真空槽内に支持し、真空槽内に
おいてＡｕｇ、ｚ Ｔｅ ｏ、ｓ ＋ Ｍｇ Ｆｍ ｔ
Ｉ ｎ −５ｎ−０材料１Ｃｒ＠ Ｏ＠粉末、アモル
ファスＯＯ，材料、Ｉｎ−８ｎ−０材料をそれぞれ順次
スパッタリングし、第２図に示すごとく基板ｌ上にそれ
ぞれ２〜３，４ａ厚（２） Ａｕｏ、２Ｔｅ Ｏ，８（
記録層）３、ＭｇＦ、層４（中間層） 、 Ｉｎ−８
ｎ−０層５ａ（透明導電膜）、Ｃｒ１０６層６．アモル
ファスｗＯ，層７（エレクトロクロミック層） ａ
Ｉｎ−８ｎ−０層５ｂ（透明導電ｙ１．）を設けた。
この構造の試料を使用し、透明電極５ａ。
５ｂに負、５ｂに正の電圧を加えると、エレクトロクロ
ミック層７は青色に発光し、外部から記録層４を見るこ
とができなくなる。
ミック層７は青色に発光し、外部から記録層４を見るこ
とができなくなる。
また、記録層４に必要情報を書き込む際又は記録された
情報を再生する際は、透明電極５ａＫ正、５ｂＫ負の電
圧を加えると、エレクトロクロミック層７の青色発光を
消失し。
情報を再生する際は、透明電極５ａＫ正、５ｂＫ負の電
圧を加えると、エレクトロクロミック層７の青色発光を
消失し。
エレクトロクロζツク層７は透明になるので、ＧａＡｓ
半導体レーザ光などのレーザ光を用いて記録層３に情報
食害き込んだシ、又は再生したシすることができる。
半導体レーザ光などのレーザ光を用いて記録層３に情報
食害き込んだシ、又は再生したシすることができる。
そして、使用後は再び透明電極５ａ、５ｂに反対極性の
電圧を加えると、エレクトロクロミック層７に青色発光
が現われ、外部から記録層３の情報を読み出し１Ｌ不正
変更することができなくなる。
電圧を加えると、エレクトロクロミック層７に青色発光
が現われ、外部から記録層３の情報を読み出し１Ｌ不正
変更することができなくなる。
本実施例におけるＣｒ、Ｏ，層６とエレクトロクロミッ
ク層７は透明電極５ｍ、５ｂに挾持され、電場印加によ
シ可視光および近赤外光をオン・オフする記録情報機密
保護層１０を構成している。
ク層７は透明電極５ｍ、５ｂに挾持され、電場印加によ
シ可視光および近赤外光をオン・オフする記録情報機密
保護層１０を構成している。
また、中間層４は記録、再生に使用する光ヘラＰのレン
ズの焦点深度を調整するために設は九ものである。
ズの焦点深度を調整するために設は九ものである。
実施例２〜４
エレクトロクロミック層に、アモルファスＷＯ３層料を
用いる代シに、それぞれアモルファスＭｎＯｓ 材料、
アモルファスＶ、ｏ、又はアモルファスＭｎ０ｍとアモ
ルファスＶｔ０ｓｔ’ １ ： １に混合したものを用
い九以外は実施例工と同じ方法および構成の試料を作製
し九場合も、実施例１と同じ効果が得られることが確認
できた。
用いる代シに、それぞれアモルファスＭｎＯｓ 材料、
アモルファスＶ、ｏ、又はアモルファスＭｎ０ｍとアモ
ルファスＶｔ０ｓｔ’ １ ： １に混合したものを用
い九以外は実施例工と同じ方法および構成の試料を作製
し九場合も、実施例１と同じ効果が得られることが確認
できた。
実施例５
厚さｌ■のポリメチルメタクリレートアクリレート基板
（以下％ＰＭＭＡという）２を。
（以下％ＰＭＭＡという）２を。
１０−４〜１０ Ｔｏｒｒの真空槽内に保持し、真空
槽内において、Ｉｎ−８ｎ−０材、水素吸薦Ｃｒ、０．
材料、アモＡ／ファスＷＯｓ材料＊ Ｉ ｎ −８ｎ−
Ｏ材、 Ａｕｏ、ｚＴｅｏ、ａ合金材を蒸着した後、塗
布法によシホトポリマーをぬり柴外線露光硬化すること
により第２図に示すごとく透明基板２上にそれぞれ２〜
３ρ厚の透明導電膜。
槽内において、Ｉｎ−８ｎ−０材、水素吸薦Ｃｒ、０．
材料、アモＡ／ファスＷＯｓ材料＊ Ｉ ｎ −８ｎ−
Ｏ材、 Ａｕｏ、ｚＴｅｏ、ａ合金材を蒸着した後、塗
布法によシホトポリマーをぬり柴外線露光硬化すること
により第２図に示すごとく透明基板２上にそれぞれ２〜
３ρ厚の透明導電膜。
Ｏｒ、０．層、アモルファスＷＯ３層、透明導電膜、Ａ
ｕ Ｏ１８Ｔｅ ａ、ｓ層（記録層３）および表面保護
層８を形成した。ただし、第３図中の符号１０は、第２
図同様透明導電膜５ａ％Ｃｒｏｏｎ層６、アモルファス
ＷＯ３層７および透明導電１［５ｂで構成された記録情
報機密保持層を表わす。
ｕ Ｏ１８Ｔｅ ａ、ｓ層（記録層３）および表面保護
層８を形成した。ただし、第３図中の符号１０は、第２
図同様透明導電膜５ａ％Ｃｒｏｏｎ層６、アモルファス
ＷＯ３層７および透明導電１［５ｂで構成された記録情
報機密保持層を表わす。
得られ九試料を用いて、実施例１と同じ方法の操作を行
ったところ同様の効果が得られることが判つ念。
ったところ同様の効果が得られることが判つ念。
実施例６
ＰＭＭＡ板１０代りに、厚さｌｌ１ｌＩのアルミニラム
板１を用いると共に、第４図に示すとと＜ＰＭＭＡ板１
上にＡｕ Ｏ，２Ｔｅ ｏ、ａ合金層（記録層３）を介
して記録情報機密保持層１０、およびホトポリマ一層８
を設けた。
板１を用いると共に、第４図に示すとと＜ＰＭＭＡ板１
上にＡｕ Ｏ，２Ｔｅ ｏ、ａ合金層（記録層３）を介
して記録情報機密保持層１０、およびホトポリマ一層８
を設けた。
得られた試料について実施例１と同じ操作を行い、同様
の効果を得ることが確認できた。
の効果を得ることが確認できた。
実施例７
厚さ１■の透明なＰＭＭＡ基板２上に実施例１と同じ方
法にし九がって、第５図に示すごとく構成の第１記録情
報機密保持層１Ｏ−１を介して、記録層３、第２記録情
報機密保持層１０−２およびホトポリ賃−（表面保護層
）８を設けた。
法にし九がって、第５図に示すごとく構成の第１記録情
報機密保持層１Ｏ−１を介して、記録層３、第２記録情
報機密保持層１０−２およびホトポリ賃−（表面保護層
）８を設けた。
得られた試料について実施例１と同じ操作を行い同様の
効果が得られることを確認でき念。
効果が得られることを確認でき念。
本実施例において透明基板としてＰＭＭＡを使用し比例
を示したが、ポリカーぜネート（ＰＣ）、ホポキシ樹脂
、ガラス等を用いてもよい。
を示したが、ポリカーぜネート（ＰＣ）、ホポキシ樹脂
、ガラス等を用いてもよい。
不透明基板として、アルミニウムを例示したが、ステン
レス板などの金属板を用いることもできる。また、上述
した透明基板上に塗料あるいは顔料を塗布したものを用
いてもよい。
レス板などの金属板を用いることもできる。また、上述
した透明基板上に塗料あるいは顔料を塗布したものを用
いてもよい。
また、実施例１〜７によシ得られた各試料について、そ
の機密保護層１０．１０−１゜１０−２を透明化した状
態において、波長０．８３μｍのレーザダイオードを光
源とし、８ｍＷの出力で記録層に集光し記録を行い、こ
れらの機密保護層を有しない他は他の構成が全く同じ光
記録媒体と比較したところ、「しきい値感度」が１．０
ｍＷ低下したが、記録は充分であることが判った。
の機密保護層１０．１０−１゜１０−２を透明化した状
態において、波長０．８３μｍのレーザダイオードを光
源とし、８ｍＷの出力で記録層に集光し記録を行い、こ
れらの機密保護層を有しない他は他の構成が全く同じ光
記録媒体と比較したところ、「しきい値感度」が１．０
ｍＷ低下したが、記録は充分であることが判った。
また、１．５〜２．０ｍＷのレーデ出力によシ、再生し
たところ、反射光量低下のｔめ、信号は２ ｄＢ低下し
念が、 ／Ｎ値（搬送波／雑音ｔ［）は５０ｄＢ以上（
九だしｓ ＩＭＨｇ、３０ｋＨｇ）９ンｒ幅）が得られ
、再生機能も充分であることが確認できた。
たところ、反射光量低下のｔめ、信号は２ ｄＢ低下し
念が、 ／Ｎ値（搬送波／雑音ｔ［）は５０ｄＢ以上（
九だしｓ ＩＭＨｇ、３０ｋＨｇ）９ンｒ幅）が得られ
、再生機能も充分であることが確認できた。
〈発明の効果〉
以上の説明から明らかなように、従来の光記録媒体では
可視光および赤外光域での機密保持について全く意が払
われていなかったが、この発明は、簡単な構造で近赤外
までの光透過を自由にオン・オフすることによって、記
録層の機密保持および情報書き込み・再生が自由に行う
ことができる。
可視光および赤外光域での機密保持について全く意が払
われていなかったが、この発明は、簡単な構造で近赤外
までの光透過を自由にオン・オフすることによって、記
録層の機密保持および情報書き込み・再生が自由に行う
ことができる。
第１図はアモルファスＷＯ１板とＣｒｚ ０４単結晶板
の積層板に対する、電圧印加前後の光透過率対波長の関
係を示す特性図、第２図乃至第５図は実施例の機密保持
型光記録媒体の構成を示す断面図である。 図 面 中。 １は不透明基板 ２は透明基板 ３は記録層 ５ａ、５ｂは透明電極 ６は水素吸蔵Ｃｒ１０３層 ７はエレクトロクロミック層である。
の積層板に対する、電圧印加前後の光透過率対波長の関
係を示す特性図、第２図乃至第５図は実施例の機密保持
型光記録媒体の構成を示す断面図である。 図 面 中。 １は不透明基板 ２は透明基板 ３は記録層 ５ａ、５ｂは透明電極 ６は水素吸蔵Ｃｒ１０３層 ７はエレクトロクロミック層である。
Claims (2)
- （１）光記録媒体の記録層の上部および下部のうち少く
とも一方に、電場印加によつて可視光および近赤外光を
オン・オフする記録情報機密保護層を設けたことを特徴
とする機密保持型光記録媒体。 - （２）記録情報機密保護層をアモルファスのＷＯ＿３、
Ｍ＿０Ｏ＿３およびＶ＿２Ｏ＿■のうちから選んだ一種
以上の材料からなるエレクトロクロミック層と水素を吸
蔵したＣｒ＿２Ｏ＿３層とを透明導電膜で挾持した構成
にしたことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
の機密保持型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60099514A JPS61258347A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 機密保持型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60099514A JPS61258347A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 機密保持型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258347A true JPS61258347A (ja) | 1986-11-15 |
Family
ID=14249358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60099514A Pending JPS61258347A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 機密保持型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61258347A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008077806A1 (en) | 2006-12-22 | 2008-07-03 | International Business Machines Corporation | Protected storage of data on optically-readable media |
| JP2009070559A (ja) * | 2002-09-12 | 2009-04-02 | Mineral Lassen Llc | 光ディスクのためのｒｆｉｄセキュリティ装置 |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP60099514A patent/JPS61258347A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009070559A (ja) * | 2002-09-12 | 2009-04-02 | Mineral Lassen Llc | 光ディスクのためのｒｆｉｄセキュリティ装置 |
| WO2008077806A1 (en) | 2006-12-22 | 2008-07-03 | International Business Machines Corporation | Protected storage of data on optically-readable media |
| US7926731B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-04-19 | International Business Machines Corporation | Protected storage of data on optically-readable media |
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