JPS61253901A - 誘電体共振器 - Google Patents
誘電体共振器Info
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- JPS61253901A JPS61253901A JP9618585A JP9618585A JPS61253901A JP S61253901 A JPS61253901 A JP S61253901A JP 9618585 A JP9618585 A JP 9618585A JP 9618585 A JP9618585 A JP 9618585A JP S61253901 A JPS61253901 A JP S61253901A
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- resonator
- hole
- holes
- coupling
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、例えば、自動車電話の基地局における共用装
置等に用いられる誘電体共振器に関するものである。
置等に用いられる誘電体共振器に関するものである。
(従来の技術)
自動車電話の基地局における共用装置においては、従来
、その構成素子としてTEt os モード誘電体共振
器又はTMO16モ一ド誘電体共振器が用いられている
。
、その構成素子としてTEt os モード誘電体共振
器又はTMO16モ一ド誘電体共振器が用いられている
。
第7図(第8図のB−B断面図)及び第8図(第7図の
A−A断面図)は、従来のTEt o5モード誘電体共
振器を示す図で、15は金属ケース、1Bはリング状誘
電体ブロック、17は石英ガラス等より成る支持体、1
8及び19は外部回路との結合用容量素子、20は共振
周波数の微細調整用容量素子で、支持体17と金属ケー
ス15との間及び支持体17と誘電体ブロック18との
間を、それぞれ接着剤によって固着しである。
A−A断面図)は、従来のTEt o5モード誘電体共
振器を示す図で、15は金属ケース、1Bはリング状誘
電体ブロック、17は石英ガラス等より成る支持体、1
8及び19は外部回路との結合用容量素子、20は共振
周波数の微細調整用容量素子で、支持体17と金属ケー
ス15との間及び支持体17と誘電体ブロック18との
間を、それぞれ接着剤によって固着しである。
第9図(第10図のB−B断面図)及び第1θ図(第9
図のA−A断面図)は、従来のTMotsモード誘電体
共振器を示す図で、21は棒状誘電体ブロック、22は
共振周波数の微細調整用誘電体素子で、他の符号は第7
図及び第8図と同様である。
図のA−A断面図)は、従来のTMotsモード誘電体
共振器を示す図で、21は棒状誘電体ブロック、22は
共振周波数の微細調整用誘電体素子で、他の符号は第7
図及び第8図と同様である。
この共振器においては、棒状誘電体ブロック21の両端
面に、銀等の金属より成る電極膜を形成し、両電極膜面
な金属ケース15の内壁面に圧着せしめて棒状誘電体ブ
ロック21を所要位置に保持せしめである。
面に、銀等の金属より成る電極膜を形成し、両電極膜面
な金属ケース15の内壁面に圧着せしめて棒状誘電体ブ
ロック21を所要位置に保持せしめである。
(発明が解決しようとする問題点)
自動車電話の基地局における共用装置には比較的大電力
の印加、遮断が繰返されるため、共用装置を構成するT
EI ohモード誘電体共振器における誘電体ブロック
1B、支持体17及び金属ケース15等の温度上昇低下
に因る膨張収縮が繰返されて誘電体ブロック1Bと支持
体17間及び支持体17と金属ケース15間の各接着部
分の剥離原因となり、信頼性に乏しい欠点がある。自動
車電話の基地局における共用装置をTMo+Sモード誘
電体共振器を用いて構成した場合には、共用装置に比較
的大電力が加えられた際に誘電体損によって誘電体ブロ
ック21に発生した熱が誘電体ブロック21の両端部及
び金属ケース15を介して放射されるが、その結果、誘
電体ブロック21の両端部に熱集中を生じて可成りの高
温に達し、このため誘電体ブロック21の両端部に形成
した電極面(金属ケース15との接触面)が醸化するに
到るため、電気的特性を長期に亙って安定に保つことが
極めて困難である0本発明は、このような従来の欠点を
除いて、簡潔な構成で、長期に亙って機械的及び電気的
に安定な誘電体共振器を実現することを目的とする。
の印加、遮断が繰返されるため、共用装置を構成するT
EI ohモード誘電体共振器における誘電体ブロック
1B、支持体17及び金属ケース15等の温度上昇低下
に因る膨張収縮が繰返されて誘電体ブロック1Bと支持
体17間及び支持体17と金属ケース15間の各接着部
分の剥離原因となり、信頼性に乏しい欠点がある。自動
車電話の基地局における共用装置をTMo+Sモード誘
電体共振器を用いて構成した場合には、共用装置に比較
的大電力が加えられた際に誘電体損によって誘電体ブロ
ック21に発生した熱が誘電体ブロック21の両端部及
び金属ケース15を介して放射されるが、その結果、誘
電体ブロック21の両端部に熱集中を生じて可成りの高
温に達し、このため誘電体ブロック21の両端部に形成
した電極面(金属ケース15との接触面)が醸化するに
到るため、電気的特性を長期に亙って安定に保つことが
極めて困難である0本発明は、このような従来の欠点を
除いて、簡潔な構成で、長期に亙って機械的及び電気的
に安定な誘電体共振器を実現することを目的とする。
(問題点を解決するための手段、実施例)第1図は、本
発明の一実施例を示す断面図(第2図のB−B断面図)
、第2図は、第1図の八−A断面図で、両図において、
lは矩形導波管管、2は導波管l内に充填した誘電体で
、従来同様の誘電体材料より成る。3及び4は外部回路
との結合用容量素子、5及び6は結合端子で、例えば、
同軸端子より成る。7は共振周波数の微細調整用容量素
子、8はロックナツト、9ないし11は孔部で、各孔部
の軸方向を電界方向と平行ならしめ、各孔部の開口端部
に対応する矩形導波管1の土壁(又は下壁)に、螺子孔
12ないし14を設け、螺子孔12及び13に同軸端子
5及び6の各外部導体を螺合せしめ、同軸端子5及び6
の各内部導体に結合容量素子3及び4を取付け、又、螺
子孔14には共振周波数の微細調整用容量素子7を形成
する金属螺子を螺合せしめである。尚、誘電体2に設け
た孔部9ないし11は、誘電体2の上面から下面に達す
る貫通孔を以て形成してもよく、上面(又は下面)から
適宜の深さの孔を以て形成してもよい。
発明の一実施例を示す断面図(第2図のB−B断面図)
、第2図は、第1図の八−A断面図で、両図において、
lは矩形導波管管、2は導波管l内に充填した誘電体で
、従来同様の誘電体材料より成る。3及び4は外部回路
との結合用容量素子、5及び6は結合端子で、例えば、
同軸端子より成る。7は共振周波数の微細調整用容量素
子、8はロックナツト、9ないし11は孔部で、各孔部
の軸方向を電界方向と平行ならしめ、各孔部の開口端部
に対応する矩形導波管1の土壁(又は下壁)に、螺子孔
12ないし14を設け、螺子孔12及び13に同軸端子
5及び6の各外部導体を螺合せしめ、同軸端子5及び6
の各内部導体に結合容量素子3及び4を取付け、又、螺
子孔14には共振周波数の微細調整用容量素子7を形成
する金属螺子を螺合せしめである。尚、誘電体2に設け
た孔部9ないし11は、誘電体2の上面から下面に達す
る貫通孔を以て形成してもよく、上面(又は下面)から
適宜の深さの孔を以て形成してもよい。
又、必要に応じて誘電体2の外周面に金属薄膜を付着せ
しめて、矩形導波管lの内壁面との接触を確実ならしめ
るようにしてもよい、更に、同軸端子5及び6を取付け
るに当って螺合による代りに、孔12及び13の周縁に
爆着又は嵌合等の手段によって固着してもよい。 第1
図及び第2図には、孔部9ないし11を誘電体2の中心
線に一致せしめて一列に並べて設けた場合を例示したが
、中心線から適宜離れた個所に一列に設けてもよく、又
、孔部9及よび10を中心線から等距離の個所に設け、
孔部11はこれらと異なる距離を隔てた個所に設けるか
、3孔共に中心線から相互に異なる距離を隔てた個所に
設けるようにしてもよい。
しめて、矩形導波管lの内壁面との接触を確実ならしめ
るようにしてもよい、更に、同軸端子5及び6を取付け
るに当って螺合による代りに、孔12及び13の周縁に
爆着又は嵌合等の手段によって固着してもよい。 第1
図及び第2図には、孔部9ないし11を誘電体2の中心
線に一致せしめて一列に並べて設けた場合を例示したが
、中心線から適宜離れた個所に一列に設けてもよく、又
、孔部9及よび10を中心線から等距離の個所に設け、
孔部11はこれらと異なる距離を隔てた個所に設けるか
、3孔共に中心線から相互に異なる距離を隔てた個所に
設けるようにしてもよい。
(作用)
第3図は、第1図及び第2図に示した本発明共振器の等
価回路図、第4図は、第3図の集中定数的等価回路図で
1両図において、Xcは結合容量素子3及び4の基準化
リアクタンス、ノは共振長、2oは特性インピーダンス
、菫は共振回路の等価インピーダンスで、 B讐3:3dB帯域幅 fo:共振周波数 f:任意の伝送周波数 上式において腸 は位相定数である。
価回路図、第4図は、第3図の集中定数的等価回路図で
1両図において、Xcは結合容量素子3及び4の基準化
リアクタンス、ノは共振長、2oは特性インピーダンス
、菫は共振回路の等価インピーダンスで、 B讐3:3dB帯域幅 fo:共振周波数 f:任意の伝送周波数 上式において腸 は位相定数である。
(1)式においてλ=0であるから、共振条件は、M−
c =oとなり、共振長ノは次式から求められる。
c =oとなり、共振長ノは次式から求められる。
B−C= j(1−xc2)sin wll −j2x
ccos 111−jsinm! ” j(xc”sin m) +2ICCO5r
nノ )=0、”、 x(2sin ta! = −
2xCcos ts)本発明共振器の負荷Q (QL
)は、共振周波数におけるX。の値をxcoとすると、
xco との間に次式の関係を有する。
ccos 111−jsinm! ” j(xc”sin m) +2ICCO5r
nノ )=0、”、 x(2sin ta! = −
2xCcos ts)本発明共振器の負荷Q (QL
)は、共振周波数におけるX。の値をxcoとすると、
xco との間に次式の関係を有する。
xco =QtT
したがって、例えば、Qc=100とすると、xco=
lOとなり、この値を(2)式に代入して共振長ノを求
めると、!= o、4esλ、(入、は管内波長)とな
るから、この値を(1)式に代入すると、近似的に(3
)式で表される。
lOとなり、この値を(2)式に代入して共振長ノを求
めると、!= o、4esλ、(入、は管内波長)とな
るから、この値を(1)式に代入すると、近似的に(3
)式で表される。
・・・・ (3)
・・・・(4)
となり、(3)式及び(4)式は同形であって第3図が
第4図と等価であることを表している。
第4図と等価であることを表している。
次に、(1)式から本発明共振器の伝送特性を求める計
算式を示すと(5)式となり、インピーダンス特性を求
める式は(6)式で表されるつ第5図は、(5)式から
求めた伝送特性の一例を示す曲線図で、横軸は周波数f
(MB2) 、縦軸は減衰量L (dB)である。又、
第6図は(6)式から求めたインピーダンス特性の一例
を示すスミスチャートである。
算式を示すと(5)式となり、インピーダンス特性を求
める式は(6)式で表されるつ第5図は、(5)式から
求めた伝送特性の一例を示す曲線図で、横軸は周波数f
(MB2) 、縦軸は減衰量L (dB)である。又、
第6図は(6)式から求めたインピーダンス特性の一例
を示すスミスチャートである。
次に、本発明共振器における管内波長入、と共振長!と
の関係を説明すると、一般にTEI Gモード矩形導波
管の管内波長は(7)式及び(8)式で求めることが出
来る。
の関係を説明すると、一般にTEI Gモード矩形導波
管の管内波長は(7)式及び(8)式で求めることが出
来る。
入c=2/ia ・・・・ (7)
に 上式において、 入C:管内遮断波長 ε:誘電体2の誘電率 a:第2図に示した矩形導波管の端壁の長さ入:自由空
間波長で、 今、誘電体2の誘電率(を36、a = 40(+u+
)とすると、周波数880 MHz においては、入
c = 2r a = 21”’m 40= 480
(am)となり、自由空間波要人は、 となるから、周波数880 MHz における管内波
長入りは、次式のようになる。
に 上式において、 入C:管内遮断波長 ε:誘電体2の誘電率 a:第2図に示した矩形導波管の端壁の長さ入:自由空
間波長で、 今、誘電体2の誘電率(を36、a = 40(+u+
)とすると、周波数880 MHz においては、入
c = 2r a = 21”’m 40= 480
(am)となり、自由空間波要人は、 となるから、周波数880 MHz における管内波
長入りは、次式のようになる。
自動車電話の基地局における共用装置の負荷Q (Qc
)は、一般にQL ? 1000 に選んでいるので
、 xc=QL2=31.8 輪−0,01人、 ’、0.49人。
)は、一般にQL ? 1000 に選んでいるので
、 xc=QL2=31.8 輪−0,01人、 ’、0.49人。
ノー0.49x484.2 / m =3L5 (+s
m)上式のように、共振長ノが39.5 ts■のとき
、はぼ880 MHzで共振することとなる。
m)上式のように、共振長ノが39.5 ts■のとき
、はぼ880 MHzで共振することとなる。
次に、無負荷Q (QLI )について説明すると、一
般に誘電体が充填されている共振器の無負荷Q (QL
)は、共振器のシールド材料が銅より成る場合の金属
部分のQ(Qc)と誘電体部分のQ(Qo)との合成値
となり1次式で求めることが出来る。
般に誘電体が充填されている共振器の無負荷Q (QL
)は、共振器のシールド材料が銅より成る場合の金属
部分のQ(Qc)と誘電体部分のQ(Qo)との合成値
となり1次式で求めることが出来る。
l l
Qu Qo Qc
Qoの値は誘電体の材質で定まり、はぼ20000で、
Qcは次式で求められる。
Qcは次式で求められる。
a f
上式において、
b=共振器の高さく第1図)
fc:管内遮断周波数
今、 a =40(am)、 b =28 (m
m)、f =880(MHz) 、fc = 82
5 (MHz)とすると、Qu ’= 5373 (発明の効果) 本発明共振器においては、矩形導波管より成る金属ケー
スの内部一杯に誘電体を充填しであるので、矩形導波管
の上下壁、両側壁及び両端壁の6壁面によって誘電体を
支持することとなり、第7図及び第8図に示した従来の
共振器のように誘電体を支持するために接着剤を用いる
必要なく、したがって、共振器に大電力の印加遮断が繰
返される場合にも接着部分の剥離の問題を生ずることな
く、高度の機械的及び電気的信頼性を保つことが出来る
。
m)、f =880(MHz) 、fc = 82
5 (MHz)とすると、Qu ’= 5373 (発明の効果) 本発明共振器においては、矩形導波管より成る金属ケー
スの内部一杯に誘電体を充填しであるので、矩形導波管
の上下壁、両側壁及び両端壁の6壁面によって誘電体を
支持することとなり、第7図及び第8図に示した従来の
共振器のように誘電体を支持するために接着剤を用いる
必要なく、したがって、共振器に大電力の印加遮断が繰
返される場合にも接着部分の剥離の問題を生ずることな
く、高度の機械的及び電気的信頼性を保つことが出来る
。
又、誘電体の6面全域に接する導波管壁から熱放射が行
われるので、第9図および及び第10図に示した従来の
共振器のように、誘電体の一部に熱集中を生ずることに
よる障害を招くおそれも全くない。
われるので、第9図および及び第10図に示した従来の
共振器のように、誘電体の一部に熱集中を生ずることに
よる障害を招くおそれも全くない。
更に、第5図及び第6図に示したように、伝送特性及び
インピーダンス特性も極めて良好である。
インピーダンス特性も極めて良好である。
尚、外部回路との結合用容量素子及び共振周波数の微細
調整素子等の孔部の容積は、誘電体全体の体積に比し極
めて小であるから、これらの孔部を穿設したことによる
電気的及び機械的影響はほとんど無視することが出来、
又、誘電体を充填して得られる共振器の小型化の効果に
もほとんど影響を与えるおそれはない。
調整素子等の孔部の容積は、誘電体全体の体積に比し極
めて小であるから、これらの孔部を穿設したことによる
電気的及び機械的影響はほとんど無視することが出来、
又、誘電体を充填して得られる共振器の小型化の効果に
もほとんど影響を与えるおそれはない。
即ち、本発明共振器においては、誘電体を充填していな
い一般の矩形導波管形共振器に比し、同一無負荷の場合
、各辺の長さを l//ii″ に短縮することが出来
、例えば、関連周波数400 MHzにおいて一般の共
振器の大きさが、 500 (腸腸)X5G0 (8層)X250 (
m鵬) の場合、誘電率ε=100の誘電体を充填し
た本発明共振器においては、はぼ、 50(1層)’ X50 (!l腸) X25 (■諺
)のように極めて小形化することが可能である。
い一般の矩形導波管形共振器に比し、同一無負荷の場合
、各辺の長さを l//ii″ に短縮することが出来
、例えば、関連周波数400 MHzにおいて一般の共
振器の大きさが、 500 (腸腸)X5G0 (8層)X250 (
m鵬) の場合、誘電率ε=100の誘電体を充填し
た本発明共振器においては、はぼ、 50(1層)’ X50 (!l腸) X25 (■諺
)のように極めて小形化することが可能である。
又、関連周波数800 MHzにおいて、一般の共振器
の大きさが、 250(鳳■)X250 (龍)xt25(■■)の場
合、本発明共振器における誘電体の誘電率を3Bに選ん
で、前記一般の共振器と同一無負荷Qの共振器を形成す
ると、はぼ、 40 (層■) X40 (8層) X20 (+w■
)のように極めて小形化することが出来る。
の大きさが、 250(鳳■)X250 (龍)xt25(■■)の場
合、本発明共振器における誘電体の誘電率を3Bに選ん
で、前記一般の共振器と同一無負荷Qの共振器を形成す
ると、はぼ、 40 (層■) X40 (8層) X20 (+w■
)のように極めて小形化することが出来る。
誘電体を充填することなく小形化の可能な同軸共振器と
比較した場合でも本発明共振器の方が遥に小形に形成す
ることが出来る。
比較した場合でも本発明共振器の方が遥に小形に形成す
ることが出来る。
即ち、第1図及び第2図に示した本発明共振器の各辺の
長さを、 am4 (cm)、b=3(am)、!=
4(am)に選んで880 MH2Hに共振せしめた場
合、これと同一無負荷Q(Qu)の同軸共振器の体積V
CO^×は、外部導体の直径をDとすると、qu=42
/’F n D=Qu/427F =5400/42厘=4.33
(am)!=λ/4 = 340/4 =8.5 (a
m)VCOAX =wD2ノ /4 = 125
(am3)このように1本発明共振器は通常の同軸共
振器に比し、体積においてほぼ1 /2.Hに小形化す
ることが出来る。
長さを、 am4 (cm)、b=3(am)、!=
4(am)に選んで880 MH2Hに共振せしめた場
合、これと同一無負荷Q(Qu)の同軸共振器の体積V
CO^×は、外部導体の直径をDとすると、qu=42
/’F n D=Qu/427F =5400/42厘=4.33
(am)!=λ/4 = 340/4 =8.5 (a
m)VCOAX =wD2ノ /4 = 125
(am3)このように1本発明共振器は通常の同軸共
振器に比し、体積においてほぼ1 /2.Hに小形化す
ることが出来る。
第1図及び第2図は、本発明の一実施例を示す断面図、
第3図及び第4図は、その等価回路図、第5図は、その
伝送特性の一例を示す曲線図、第6図は、そのインピー
ダンス特性の一例を示すスミスチャート、第7図ないし
第1θ図は、従来の誘電体共振器を示す断面図で、l:
矩形導波管、2:誘電体、3及び4:結合用容量素子、
5及び6:同軸端子27:共振周波数の微細調整用容量
素子、8:ロックナツト、9ないし11:孔部、12な
いし14=螺子孔、15:金属ケース、IB及び21:
誘電体ブロッ先17:支持体、18及び19:結合用容
量素子、20及び22:共振周波数の微細調整素子であ
る。
第3図及び第4図は、その等価回路図、第5図は、その
伝送特性の一例を示す曲線図、第6図は、そのインピー
ダンス特性の一例を示すスミスチャート、第7図ないし
第1θ図は、従来の誘電体共振器を示す断面図で、l:
矩形導波管、2:誘電体、3及び4:結合用容量素子、
5及び6:同軸端子27:共振周波数の微細調整用容量
素子、8:ロックナツト、9ないし11:孔部、12な
いし14=螺子孔、15:金属ケース、IB及び21:
誘電体ブロッ先17:支持体、18及び19:結合用容
量素子、20及び22:共振周波数の微細調整素子であ
る。
Claims (4)
- (1)TE_1_0モード共振器内に一杯に充填された
誘電体の一部に電界方向と平行に穿った3個の孔部の各
開口部に対応する共振器壁面に孔隙を穿ち、前記誘電体
に穿った3個の孔部の中の1個とこれに対応して共振器
壁面に穿った前記孔隙に共振周波数の微細調整用容量素
子を設けると共に、他の2個の孔部及びこれらに対応す
る孔隙間に外部回路との結合用容量素子及び結合端子を
設けたことを特徴とする誘電体共振器。 - (2)誘電体に穿った孔部が誘電体を貫通するように設
けられて成る特許請求の範囲第1項記載の誘電体共振器
。 - (3)誘電体に穿った孔部が誘電体の表面から適宜深さ
に亙って設けられて成る特許請求の範囲第1項記載の誘
電体共振器。 - (4)誘電体に穿った孔部が誘電体のほぼ中心線上に設
けられ、その中の中央の孔部及びこれに対応する共振器
壁面の孔隙に共振周波数の微細調整用容量素子を設け、
他の孔部及びこれらに対応する共振器壁面の孔隙に外部
回路との結合用容量素子及び結合端子を設けて成る特許
請求の範囲第1項記載の誘電体共振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9618585A JPS61253901A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9618585A JPS61253901A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 誘電体共振器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61253901A true JPS61253901A (ja) | 1986-11-11 |
Family
ID=14158253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9618585A Pending JPS61253901A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 誘電体共振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61253901A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03216001A (ja) * | 1990-01-20 | 1991-09-24 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 誘電体フィルタ |
KR101710867B1 (ko) * | 2015-09-17 | 2017-02-28 | 주식회사 엘트로닉스 | 유전체 도파관 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS544549A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-13 | Murata Manufacturing Co | Dielectric hf filter |
JPS581301A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-06 | Fujitsu Ltd | 導波管型誘電体フィルタ |
JPS5948102B2 (ja) * | 1976-05-01 | 1984-11-24 | 正之 弓 | 石けん液付シヤワ− |
-
1985
- 1985-05-07 JP JP9618585A patent/JPS61253901A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5948102B2 (ja) * | 1976-05-01 | 1984-11-24 | 正之 弓 | 石けん液付シヤワ− |
JPS544549A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-13 | Murata Manufacturing Co | Dielectric hf filter |
JPS581301A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-06 | Fujitsu Ltd | 導波管型誘電体フィルタ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03216001A (ja) * | 1990-01-20 | 1991-09-24 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 誘電体フィルタ |
KR101710867B1 (ko) * | 2015-09-17 | 2017-02-28 | 주식회사 엘트로닉스 | 유전체 도파관 |
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