JPS581301A - 導波管型誘電体フィルタ - Google Patents
導波管型誘電体フィルタInfo
- Publication number
- JPS581301A JPS581301A JP9921081A JP9921081A JPS581301A JP S581301 A JPS581301 A JP S581301A JP 9921081 A JP9921081 A JP 9921081A JP 9921081 A JP9921081 A JP 9921081A JP S581301 A JPS581301 A JP S581301A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric block
- output coupling
- input
- waveguide
- coaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、誘電体ブロックを利用した一種の導波管型の
フィルタに関し、導波管形フィルタを比較的低周波のマ
イクロ波領域でも小形化可能にするものである。
フィルタに関し、導波管形フィルタを比較的低周波のマ
イクロ波領域でも小形化可能にするものである。
導波管型のフィルタは、導波管内に金属製のポストを設
けたり、銹導性窓や容量性窓、共振窓、段形などを形成
した共振器を１／４波長または１／２波長の間隔で配電
した構成などにすることによっている。そのため周波数
が低く波長が長くなってくるとフィルタが大形となるの
で、低周波領域では同軸系のフィルタが用いられる。と
ころが導波管型フィルタに適する高周波の領域と同軸型
フィルタに適する低周波の領域との中間の領域、例えば
２〜４．ＧＨｚ程度の領域では、同軸型のフィルタを用
いると小さくなりすぎてロスが増え、逆に導波管型フィ
ルタを用いるとロスは少ないが形状が太き（なるという
欠点がある。
けたり、銹導性窓や容量性窓、共振窓、段形などを形成
した共振器を１／４波長または１／２波長の間隔で配電
した構成などにすることによっている。そのため周波数
が低く波長が長くなってくるとフィルタが大形となるの
で、低周波領域では同軸系のフィルタが用いられる。と
ころが導波管型フィルタに適する高周波の領域と同軸型
フィルタに適する低周波の領域との中間の領域、例えば
２〜４．ＧＨｚ程度の領域では、同軸型のフィルタを用
いると小さくなりすぎてロスが増え、逆に導波管型フィ
ルタを用いるとロスは少ないが形状が太き（なるという
欠点がある。
本発明は、このような導波管型及び同軸型のいずれのフ
ィルタでも対応できない中間の周波数領域における問題
を解消し、一種の導波管型ではあるが小型化でき且つ同
軸型フィルタのように特性が低下することの無いフィル
タを実現することを目的とする。この目的を達成するた
めに本発明は、直方体の誘電体ブリフタの両端に、−人
出力結合部を構成し、かつ該両人出力結合部の中間位値
には、共振器の種類に応じた形状に誘電体ブロックを一
部除去して共振器を構成すると共に、該誘電体ブロック
の外面をメタライズした構成を採っている。
ィルタでも対応できない中間の周波数領域における問題
を解消し、一種の導波管型ではあるが小型化でき且つ同
軸型フィルタのように特性が低下することの無いフィル
タを実現することを目的とする。この目的を達成するた
めに本発明は、直方体の誘電体ブリフタの両端に、−人
出力結合部を構成し、かつ該両人出力結合部の中間位値
には、共振器の種類に応じた形状に誘電体ブロックを一
部除去して共振器を構成すると共に、該誘電体ブロック
の外面をメタライズした構成を採っている。
次に本発明による導波管型の誘電体フィルタの実施例を
説明する。第１図（イ）（ロ）は本発・明による誘電体
フィルタの第１実施例（ポスト型）を示す斜視図と縦断
面図である。１はｉえば高誘 ′電率のセラミック等か
らなる誘電体ブロックである。この誘電体ブロック１０
両端には、入出力結合用の孔２ａ、２ｂが互いに平行に
開けられており、かつ両人出力結合用孔２ａ、２ｂの間
の位置には、入出力結合用孔２ａ、２ｂと平行に共振器
を形成するための孔３・・・が開けられている。そして
両端の入出力結合用孔２ａ、２ｂ以外の誘電体ブロック
１の全面にメタライズを施し、全面導体１４で被覆され
ている。これによって誘電体ブロック１は一種の方形導
波管として作用し、かつ共振器用孔３・・・の内面も導
体１１１４ａで被われるので、従来の導波管型フィルタ
でも用いられている所謂ポストが構成される。
説明する。第１図（イ）（ロ）は本発・明による誘電体
フィルタの第１実施例（ポスト型）を示す斜視図と縦断
面図である。１はｉえば高誘 ′電率のセラミック等か
らなる誘電体ブロックである。この誘電体ブロック１０
両端には、入出力結合用の孔２ａ、２ｂが互いに平行に
開けられており、かつ両人出力結合用孔２ａ、２ｂの間
の位置には、入出力結合用孔２ａ、２ｂと平行に共振器
を形成するための孔３・・・が開けられている。そして
両端の入出力結合用孔２ａ、２ｂ以外の誘電体ブロック
１の全面にメタライズを施し、全面導体１４で被覆され
ている。これによって誘電体ブロック１は一種の方形導
波管として作用し、かつ共振器用孔３・・・の内面も導
体１１１４ａで被われるので、従来の導波管型フィルタ
でも用いられている所謂ポストが構成される。
メタライズ処理の後、入出力結合用孔２ａ、２ｂに一端
から同軸ケーブル５の内部導体５】を挿入して、同軸導
波管変換器を構成し、同軸線路の特性インピーダンスと
導波管の特性インピーダンスとの着実を整合させる。５
２は同軸ケーブル５の内部導体５１と外部導体との間隔
を一定に保つ絶縁体（テ”フロン）であり、この絶縁体
５２で内部導体５１は入出力結合用孔２ａ、２ｂ内に支
持されている。
から同軸ケーブル５の内部導体５】を挿入して、同軸導
波管変換器を構成し、同軸線路の特性インピーダンスと
導波管の特性インピーダンスとの着実を整合させる。５
２は同軸ケーブル５の内部導体５１と外部導体との間隔
を一定に保つ絶縁体（テ”フロン）であり、この絶縁体
５２で内部導体５１は入出力結合用孔２ａ、２ｂ内に支
持されている。
５３は同軸ケーブル５の取付はフランジであり、誘電体
ブロック１の表面に搭載され、導体１１１１４に半田付
は固定されている。なお同軸導波管変換器は他の形式の
ものでも差支えない。例えば同軸ケーブル５の内部導体
５１に別の金属棒などを＃統して、同軸導波管変換器を
形成してもよい。また入出力結合用孔２ａ、２ｂの下の
開口は、電波漏洩を防止するために、金属板６で閉鎖さ
れる。
ブロック１の表面に搭載され、導体１１１１４に半田付
は固定されている。なお同軸導波管変換器は他の形式の
ものでも差支えない。例えば同軸ケーブル５の内部導体
５１に別の金属棒などを＃統して、同軸導波管変換器を
形成してもよい。また入出力結合用孔２ａ、２ｂの下の
開口は、電波漏洩を防止するために、金属板６で閉鎖さ
れる。
このように、誘電体ブロック１にボス）４ａを備えると
、各ボス）４ａ間に誘電体が充実された、一種の共振空
洞が形成され、導波管型のフィルタとして機能する。そ
のｔミめ例えば図の左側の同軸ケーブルが入力側で右側
の同軸ケーブルが出力側とすると、内部導体５１から入
力した信号は、各共振空洞によって所定の共振周波数で
共振しながら誘電体ブロック１内を伝播し、右の出力側
の同軸ケーブル５の内部導体５１から同軸モードに変換
されて出力される。比較的低周波のマイクロ波の領域で
は、外部回路は同軸系が一般的に用いられるので、この
ように同軸導波管変換器を用いるごとにより、フィルタ
部のみ導波管方式にすることが可能となる。そしてフィ
ルタ部は、共振空洞が誘電体で構成されているので、通
常の導波管型フィルタに比べて外形が小さくなる。
、各ボス）４ａ間に誘電体が充実された、一種の共振空
洞が形成され、導波管型のフィルタとして機能する。そ
のｔミめ例えば図の左側の同軸ケーブルが入力側で右側
の同軸ケーブルが出力側とすると、内部導体５１から入
力した信号は、各共振空洞によって所定の共振周波数で
共振しながら誘電体ブロック１内を伝播し、右の出力側
の同軸ケーブル５の内部導体５１から同軸モードに変換
されて出力される。比較的低周波のマイクロ波の領域で
は、外部回路は同軸系が一般的に用いられるので、この
ように同軸導波管変換器を用いるごとにより、フィルタ
部のみ導波管方式にすることが可能となる。そしてフィ
ルタ部は、共振空洞が誘電体で構成されているので、通
常の導波管型フィルタに比べて外形が小さくなる。
特に近年、誘電率εｒが大きく、ｔａｎδは小さく、か
つ温度係数も小さい良質の誘電体材料が開発され、実用
化されているので、フィルタの小形化と特性向上の効果
は極めて大きい。例えば２ＧＨｚで共振器１個あたりの
体積を２．４ ＣＣに限定してＱａ“の比較をしてみる
と、１／４波長同軸共振器のＱａは１６００程度である
のに対し、ｅｒ−４０の例え・ばチタン酸バリウム系磁
器（Ｂ ａ Ｔ １０３）で誘電体ブロック１を構成し
た誘電体フィルタの例では、ＱＯは２５００となり、５
５％もＱ、ａが向上する。
つ温度係数も小さい良質の誘電体材料が開発され、実用
化されているので、フィルタの小形化と特性向上の効果
は極めて大きい。例えば２ＧＨｚで共振器１個あたりの
体積を２．４ ＣＣに限定してＱａ“の比較をしてみる
と、１／４波長同軸共振器のＱａは１６００程度である
のに対し、ｅｒ−４０の例え・ばチタン酸バリウム系磁
器（Ｂ ａ Ｔ １０３）で誘電体ブロック１を構成し
た誘電体フィルタの例では、ＱＯは２５００となり、５
５％もＱ、ａが向上する。
５−
第２図は共１ａ器部の別の実施例を示す斜視図である。
（イ）は誘電体ブロック１の両側から切り込み部７を形
成し、該切り込み部７の内観にもメタライズによる導体
膜を設けることにより、誘導性窓を構成した例である。
成し、該切り込み部７の内観にもメタライズによる導体
膜を設けることにより、誘導性窓を構成した例である。
誘電体ブロック１の外面は、第１図の例と同様にメタラ
イズされる。（ロ）は上下から切り込み部８を形成し、
該切り込み部８の内面にも導体膜を設けることにより、
容量性窓を構成した例である。（イ）（ロ）の両者を組
み合せて共振窓を構成することもできる。なお１１１図
や第２図のように、孔３や切り込み部７．８の内面をメ
タライズして導体による障害物を形成する構成は、誘電
体ブロック外面のメタライズ処理と同一工程で導体・障
害物を形成できるので、製造が簡単になる。これに対し
、メタライズの代りに第１図の誘電体ブロック１の共ｉ
ｉａ川孔用・・・に金属棒を挿入したり、第２図の誘電
体ブロック１の切り込み部７．８に金属板を挿入するこ
とも可能である。
イズされる。（ロ）は上下から切り込み部８を形成し、
該切り込み部８の内面にも導体膜を設けることにより、
容量性窓を構成した例である。（イ）（ロ）の両者を組
み合せて共振窓を構成することもできる。なお１１１図
や第２図のように、孔３や切り込み部７．８の内面をメ
タライズして導体による障害物を形成する構成は、誘電
体ブロック外面のメタライズ処理と同一工程で導体・障
害物を形成できるので、製造が簡単になる。これに対し
、メタライズの代りに第１図の誘電体ブロック１の共ｉ
ｉａ川孔用・・・に金属棒を挿入したり、第２図の誘電
体ブロック１の切り込み部７．８に金属板を挿入するこ
とも可能である。
第３図は入出力結合部の他の例を示す断面図で６−
ある。この場合は入出力結合用孔２Ｃを貫通孔にしない
で、途中まで孔開けし、その中に同軸ケーブル５の内部
導体５１が挿入されている。従って第１図の閉鎖板６が
不必要となる。
で、途中まで孔開けし、その中に同軸ケーブル５の内部
導体５１が挿入されている。従って第１図の閉鎖板６が
不必要となる。
なおフィルタのみ独立した状態を例示したが、通常の導
波管回路と同様に、例えば検波回路などのような他の回
路素子と本発明の誘電体フィルタを組み合せた構成にす
ることも可能である。
波管回路と同様に、例えば検波回路などのような他の回
路素子と本発明の誘電体フィルタを組み合せた構成にす
ることも可能である。
そのほか、両端面をメタライズしないで導波管と整合器
を介して結合する窓部としたり、他の伝送路たとえばス
トリップライン等と伝送モード変換帖舎器を用いて結合
することも可能であり、これらは適宜組み合わせて実施
し得る。
を介して結合する窓部としたり、他の伝送路たとえばス
トリップライン等と伝送モード変換帖舎器を用いて結合
することも可能であり、これらは適宜組み合わせて実施
し得る。
以上のように本発明によれば、直方体の誘電体ブロック
の両端に、入出力結合部を構成し、かつ該両人出力結合
部の中間位置には、共ＴＭ器の種類に応じて貫通孔３・
・・や切り込み部７．８等を形成して誘電体ブロックを
一部除去し、共振空洞を構成するための導体として金属
棒や金属板、メタライズによる導体膜を配設したり全体
を段形に形成した共振部とすることによって共振器を構
成すると共に、該誘電体グロックの外面の要部をメタラ
イズした構成を採っている。そのため従来の導波管型フ
ィルタと違って、低周波のマイクロ波領域で使用する場
合でも、フィルタの外形を小形化でき、しかも同軸型フ
ィルタのようにロスが増えるという問題も無い。また誘
電体ブロックを、共振部を構成する形状や入出力結合用
孔、窓等に応じた形状に形成した後、誘電体ブロック列
面をメタライズ処理するだけでよいので、製造がきわめ
て簡単で安価に実現できる。
の両端に、入出力結合部を構成し、かつ該両人出力結合
部の中間位置には、共ＴＭ器の種類に応じて貫通孔３・
・・や切り込み部７．８等を形成して誘電体ブロックを
一部除去し、共振空洞を構成するための導体として金属
棒や金属板、メタライズによる導体膜を配設したり全体
を段形に形成した共振部とすることによって共振器を構
成すると共に、該誘電体グロックの外面の要部をメタラ
イズした構成を採っている。そのため従来の導波管型フ
ィルタと違って、低周波のマイクロ波領域で使用する場
合でも、フィルタの外形を小形化でき、しかも同軸型フ
ィルタのようにロスが増えるという問題も無い。また誘
電体ブロックを、共振部を構成する形状や入出力結合用
孔、窓等に応じた形状に形成した後、誘電体ブロック列
面をメタライズ処理するだけでよいので、製造がきわめ
て簡単で安価に実現できる。
図は本発明による誘電体フィルタの実施例を示すもので
、第１図はポスト式誘電体フィルタの斜視図と縦断面図
、１１ｉ２図は窓穴式誘電体フィルタの斜視図、第３図
は入出力結合部の他の例を示す断面図である。 図面において、１は誘電体プロ・ツク、２ａ、２ｂ、２
ｃは入出力結合用孔、３・・・は共１１！ｉ用孔、４は
メタライズによる導体膜、４ａは導体膜（ポスト）、５
は同軸ケーブル、５１は内部導体、５２は絶縁体、７．
８は切り込み部である。 特許出願人 富士通株式会社代理人 弁理士
青 柳 稔９− 第１図 第２図
、第１図はポスト式誘電体フィルタの斜視図と縦断面図
、１１ｉ２図は窓穴式誘電体フィルタの斜視図、第３図
は入出力結合部の他の例を示す断面図である。 図面において、１は誘電体プロ・ツク、２ａ、２ｂ、２
ｃは入出力結合用孔、３・・・は共１１！ｉ用孔、４は
メタライズによる導体膜、４ａは導体膜（ポスト）、５
は同軸ケーブル、５１は内部導体、５２は絶縁体、７．
８は切り込み部である。 特許出願人 富士通株式会社代理人 弁理士
青 柳 稔９− 第１図 第２図
Claims (1)
- 直方体の誘電体ブロックの両端に、人出力結合部を構成
し、かつ該両人出方結合部の中間位置には、共振器の種
類に応じた形状に誘電体ブロックを一部除去して共振器
を＊成すると共に、該誘電体ブロックの外面をメタライ
ズしたことを特徴とする誘電体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9921081A JPS581301A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 導波管型誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9921081A JPS581301A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 導波管型誘電体フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS581301A true JPS581301A (ja) | 1983-01-06 |
| JPS6358482B2 JPS6358482B2 (ja) | 1988-11-16 |
Family
ID=14241284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9921081A Granted JPS581301A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 導波管型誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581301A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS61253901A (ja) * | 1985-05-07 | 1986-11-11 | Nippon Dengiyou Kosaku Kk | 誘電体共振器 |
| JPS61280102A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Nippon Dengiyou Kosaku Kk | 帯域通過ろ波器 |
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| WO2013183354A1 (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | 日本電気株式会社 | 帯域通過フィルタ |
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| US2761137A (en) * | 1946-01-05 | 1956-08-28 | Lester C Van Atta | Solid dielectric waveguide with metal plating |
| US3505618A (en) * | 1966-06-08 | 1970-04-07 | Marconi Co Ltd | Microwave filters |
-
1981
- 1981-06-26 JP JP9921081A patent/JPS581301A/ja active Granted
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| US6346867B2 (en) * | 1996-06-10 | 2002-02-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric waveguide resonator, dielectric waveguide filter, and method of adjusting the characteristics thereof |
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| WO2013183354A1 (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | 日本電気株式会社 | 帯域通過フィルタ |
| US9793589B2 (en) | 2012-06-04 | 2017-10-17 | Nec Corporation | Band-pass filter comprised of a dielectric substrate having a pair of conductive layers connected by sidewall through holes and center through holes |
| US10193205B2 (en) | 2013-06-04 | 2019-01-29 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Dielectric resonator, dielectric filter using dielectric resonator, transceiver, and base station |
| US10741900B2 (en) | 2013-06-04 | 2020-08-11 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Dielectric resonator, dielectric filter using dielectric resonator, transceiver, and base station |
| US11018405B2 (en) | 2013-06-04 | 2021-05-25 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Dielectric resonator, dielectric filter using dielectric resonator, transceiver, and base station |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6358482B2 (ja) | 1988-11-16 |
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