JPS61280102A - 帯域通過ろ波器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、超短波乃至マイクロ波用の帯域通過ろ波器に
関するものである。

（従来の技術） 従来のこの種帯域通過ろ波器においては、全体を小形化
するために、その構成素子としてＴＥＩ　Ｏｈモード話
電体共振器又はＴＭＨ＞モード誘電体共振器が用いられ
ている。

第１８図（第１８図のＢ−Ｂ断面図）及び第１８図（第
１８図のＡ−Ａ断面図）は、従来のＴＥＩＯ＆モード誘
電体共振器を示す図で、１７は金属ケース、１８はリン
グ状誘電体ブロック、１８は石英ガラス等より成る支持
体、２０及び２１は外部回路との結合用容量素子、２２
は共振周波数の微細調整用容量素子で、支持体１８と金
属ケース１７との間及び支持体１９と誘電体ブロック１
８との間を、それぞれ接着剤によって固着しである。

第２０図（第２１図のＢ−Ｂ断面図）及び第２１図（第
２０図のＡ−Ａ断面図）は、従来のＴＭｏｔｂモード誘
電体共振器を示す図で、２３は棒状誘電体ブロック、２
４は共振周波数の微細調整用誘電体素子で、他の符号は
第１８図及び第１８図と同様である。

この共振器においては、棒状誘電体ブロック２３の両端
面に、銀等の金属より成る電極膜を形成し、両電極膜を
金属ケース１７の内壁面に圧着せしめて棒状誘電体ブロ
ック２３を所要位置に保持せしめである。

（本発明が解決しようとする問題点） 例えば、自動車電話の基地局における帯域通過ろ波器に
は比較的大電力の印加、遮断が繰返されるため、帯域通
過ろ波器を構成するＴＥｚｏｈモード誘電体共振器にお
ける誘電体ブロック１日、支持体１８及び金属ケース１
７等の温度上昇、低下の繰返しによる膨張収縮が繰返さ
れ、これが誘電体ブロック１８と支持体１９間及び支持
体１９と金属ケース１７間の各接着部分の剥離原因とな
り、長期に亙って信頼性を保持し得ない欠点がある。

帯域通過ろ波器をＴＮｏ＋ｂモード誘電体共振器を用い
て構成した場合には、帯域通過ろ波器に比較的大電力が
加えられた際に、誘電体損によって誘電体ブロック２３
に発生した熱が誘電体ブロック２３の両端部及び金属ケ
ース１７を介して放射されるが、その結果、誘電体ブロ
ック２３の両端部に熱集中を生じて可成りの高温に達し
、このため誘電体ブロック２３の両端部に形成した電極
面（金属ケース１７との接触面）が酸化するに到るため
、電気的特性を長期に亙って安定に保つことが極めて困
難である。

本発明は、このような従来の欠点を除いて、簡潔な構成
で、長期に亙って機械的及び電気的に安定な、誘電体共
振器より成る帯域通過ろ波器を実現することを目的とす
る。

（問題点を解決するための手段、実施例）第１図は、本
発明の一実施例を示す断面図（第２図のＢ−Ｂ断面図）
、第２図は、第１図のＡ−Ａ断面図で、両図において、
ｌは両端を導体壁を以て密閉したＴＥ、、モード矩形導
波管より成る金属ケース、２１乃至２ｎ（ｎは任意の正
の整数）は立方体より成る誘電体で、従来と同様の材質
より成り、それぞれの幅及び高さを金属ケースｌの幅及
び高さの内法寸法に一致せしめ、誘電体２１乃至２ｎの
各上面、下面及び両側面を金属ケースｌの上壁、下壁及
び両側壁の各内壁面に圧着せしめて各誘電体を所要位置
に固定し、誘電体２１乃至２゜の各々と金属ケースｌと
によって縦続接続されたｎ個の共振器を形成せしめ、隣
接する誘電体間における空隙部３１乃至３ｎ−１の長さ
く金属ケースｌの長手方向の長さ）を適当にして隣接す
る共振器間の結合度を所要値に保持せしめである。４１
乃至４゜は孔部で、誘電体２１乃至２ｎの各々のほぼ中
心部に電界方向と平行に穿っであるｅ　５１及び５ｎは
入出力結合端子で、例えば、同軸端子より成り、誘電体
２１及び２゜に穿′った孔部４１及び４ｎの各開口端部
に対応する金属ケースｌの下壁（又は土壁）に設けた螺
子孔に外部導体を螺合せしめ、ロックナツト６１及び８
ｎによって固定するか、金属ケースｌに穿った孔隙に嵌
合又は爆着等の手段によって固着せしめである。７１及
び７ｎは入出力結合用容量素子で、その長手方向が電界
方向と平行になるように同軸端子５１及び５゜の各内部
導体に取付けである。８１乃至８ｎは共振周波数の微細
調整用容量素子で、誘電体２１乃至２ｎに穿った孔部４
１乃至４ｎの各開口部に対応する金属ケースｌの土壁（
又は下壁）に設けた螺子孔に螺合せしめ、その長手方向
を電界方向と平行ならしめると共に、ロックナツト８１
乃至９ｎによって所要の管内挿入長に保持せしめる。

本実施例においては、誘電体２１乃至２ｎ間の空隙部３
１乃至３ｎ−１の各長さを変化せしめることによって隣
接共振器間の結合度を所要値に保つように構成しである
が、第３図に第２図と同様部分の断面図を以て示すよう
に、空隙部３１乃至３ｎ−１に対応する金属ケースｌの
上壁又は下壁に設けた螺子孔に段間結合度調整用容量素
子１０１乃至１０ｎ−１を螺合せしめ、空隙部３１乃至
３ｎ−１内において電界方向と平行を保ちながら管内挿
入長を変えて段間結合度を変化せしめ、ロックナツト１
１１乃至１１ｎ−１によって所要の管内挿入長を保持せ
しめるように構成してもよい、このように構成するとき
は、空隙部３１乃至３ｎ−１の各長さを変えることなく
段間結合度を変化せしめ得るので、設計製作を容易なら
しめることが出来る０段間結合度調整用容量素子１０１
乃至１０ｎ、、、を金属ケースｌの上壁又は下壁から管
内に挿入する代りに空隙部３１乃至３ｎ−１に対応する
金属ケースｌの側壁上部又は側壁下部から管内に挿入す
るようにしてもよい、又、第３図には金属ケース１の土
壁からのみ段間結合度調整用容量素子１０１乃至ｔｏｎ
−＋を各１個ずつ挿入した場合を例示しであるが、複数
個を挿入するか、上壁から挿入すると共に下壁からも挿
入するように構成してもよく、側壁から挿入する場合に
も同様にして複数個の素子を挿入するようにしてもよい
、尚、第３図における他の符号及び構成は第１図及び第
２図と同様である。

以上何れの実施例においても孔部４！乃至４ｎを、誘電
体２１乃至２゜の各上面から各下面に到る貫通孔を以て
形成した場合を例示したが、誘電体２１乃至２ｎの各上
面又は各下面から適宜の深さの孔部、即ち、共振周波数
の微細調整用容量素子８１乃至８ｎを収容し得る深さの
孔部に形成し、入出力結合用容量素子７１及び７ｎを収
容する側も、同様に素子の収容に支障のない深さの孔部
に形成してもよい。

又、何れの実施例においても孔部４１乃至４ｎを誘電体
２１乃至２ｎのほぼ中心部に穿った場合を例示しである
が、中心部から適宜外れた個所に穿つようにしてもよい
、更に何れの実施例においても入出力結合用容量素子７
１及び７ｎと共振周波数の微細調整用素子８１及び８ｎ
を各共通の孔部４１及び４ｎ内に挿入設置した場合を例
示したが、孔部が貫通孔又は非貫通孔の何れの場合にお
いても素子７１と８１とを挿入する孔部を別個、かつ互
いに中心軸の異なる孔部に形成し、素子７ｎと８ｎ側も
同様に形成してもよい。

尚、以上何れの実施例においても誘電体２１乃至２ｎの
中、孔部４１乃至４ｎの内周面及び隣接共振器との結合
面を除いた表面部分、即ち、金属ケース１の上壁、下壁
、両側壁及び両端壁と接触する誘電体の表面部分に銀等
の金属皮膜を付着せしめて金属ケースｌとの電気的接触
を確実ならしめるようにしてもよい。

第４図は、本発明帯域通過ろ波器の等価回路図で、　ｊ
Ｘｃｏ、　Ｉ及び−ｊＸｃｎ、ｎＢは入出力結合用容量
素子７１及び７ｎの容量性リアクタンス、−ｊｂｃ＋、
ｚ、−ｊｂｃｚ、３、・・・・’　　Ｊｌ）Ｌｎ＝１．
ｎは空隙部３１乃至３ｎ−１に形成されるＨ１ｌモード
カットオフ導波管による誘導性リアクタンスである。

（Ａ）本発明帯域通過ろ波器においても各共振器の共振
長、即ち、第１図に示したＩｔ乃至Ｉｎ及び第４図に示
した各回路定数を適当に選ぶことによって所要の電気的
特性の得られることは、従来の帯域通過ろ波器における
技術的手法と同様である。

（Ｂ）本発明帯域通過ろ波器における誘電体２１乃至２
ｎの銹電率をεとすると、各共振器におけるＴＥ、、モ
ードの遮断波長λＧは、 λｃ＝２／Ｔａ　　　　　　　　　・・・・　（１）ａ
：金属ケースｌの横幅（第１図） となり、各共振器の共振周波数をｆ（ＧＨｚ）とすると
自由空間波投入は。

であるから、（１）式及び（２）式から各共振器の管内
波長入９は、 入 で表すことが出来る。

（Ｃ）次に、誘電体２１及び２ｎと金属ケースｌによっ
て構成される各共振器の共振長ノー及びＩｎは、 ・・・・　（４） で求められ、誘電体２２乃至２ｎ−１と金属ケースｌに
によって形成される各共振器の共振長ノ２乃至／ｎ　−
１をｌｋで表すと、ｌｋは次式で求めることが出来る。

・・・・　（５） ｋ＝２．　　・・・・・ｎ−１ （Ｄ）本発明帯域通過ろ波器の設計に当っても、基準化
低域通過ろ波器の素子値（幾何係数）　ｇｌ乃至ｇｎを
求め、これらの値から本発明帯域通過ろ波器の回路定数
Ｘｃｏ、Ｉ　、１）Ｌｌ、２　、ｂＬ２．３　、・・・
・’　４１Ｌｎ−１，ｎ　ｔＸＣｎ、ｎ＋１を定めて所
要の伝送特性を得ること従来の設計手法と同様で、以下
、第５図に等価回路図を、第６図（横軸は伝送周波数ｆ
ＧＨ１、縦軸は伝送損失ＬｄＢ、　ｆｃは遮断周波数）
に伝送特性の曲線図を、それぞれ示すようなチェビシェ
フ形基準化低域通過ろ波器の素子値を基にして、通過域
がチェビシェフ特性で減衰域がワグナ特性を呈する帯域
通過ろ波器を設計する場合について説明する。

まず帯域通過ろ波器において要求される特性の一つであ
る通過帯域内の許容電圧定在波比（ＶＳＷＲ）をＳとす
ると、通過帯域内における許容リップルｔａｒは次式で
求めることが出来る。

回路次数ｎを定めると、素子値ｇｔは（７）式から、素
子値ｇ２乃至ｇｎは（８）式から、それぞれ求められる
。

ａ１ ｇｌ　＝　□　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　・　　・　　・　　・　　　（７）
γ に＝２　、３　、・・・・ｎ 上式において、 ｋ＝１．２．・・・・ｎ ｎ 第５図における負荷抵抗ＲＬの素子値ｇｎ。■はｎが奇
数の場合、 ｇｎ・ｌ＝１　　　　　　　　　　　・・・・　（１３
）ｎが偶数の場合、 β ｇｎ、＋＝ｃｏｔｈ２−．　、・・　（１４）（Ｅ）Ｔ
Ｅ＋ｏモード誘電体共振器の特性インピーダンス九は、
誘電体の誘電率をε、自由空間における伝送波長を入、
管内波長を入１、共振器の幅をａ、高さをｂとすると、 で求めることが出来る。

（Ｆ）共振周波数をｆｏ、許容リップルｔａｒを有する
通過帯域幅をＢＷｒ、帯域通過ろ波器の特性インピーダ
ンスを２０とすると、入出力結合容量Ｘｃｏ、Ｉ及び）
（ｃｎ、ｎ＋＋は、 で求めることが出来る。

（Ｇ）共振器間の結合係数Ｍｋ、ｉ＋、ｔ（ｋ　＝ｌ　
、２　、・・・・ｎ）は、共振周波数ｆｏ　、許容リッ
プル帯域幅ＢＷｒｔ基準化低域通過ろ波器の素子値ｇｋ
及びｇｋ−１から次式で求めることが出来る。

結合係数にに、ｋ。１から共振器間の誘導性リアクタン
ス減衰量Ｌｋ、に−１は、次式で求められる。

ｔｋ、に＊１＝−２０１０ｇＭｋ、に−１（ｄＢ）　　
・・・（１８）上式で得られたＬｋ、に−１から共振器
間の誘導性リアクタンス減衰量を長さで表した大きさ！
に、に−１は、次式で求められる。

上記（Ａ）項乃至（Ｇ）項の記載にしたがって共振器を
形成し、これを第１図示のように配設することにより共
振器間を磁気結合によって結合する本発明帯域通過ろ波
器を構成することが出来、又、共振器間に介在する空隙
部３１乃至３ｎ−１の長さを所要値よりも長くして、段
間結合度を所要値よりも疎にした状態で共振器を配設し
、第３図に示すように空隙部３１乃至３ｎ−１に段間結
合度調整用容量素子１０１乃至１０ｎ−＋を設けること
により、段間結合度を可変ならしめ得る本発明帯域通過
ろ波器を構成することが出来る。

即ち、共振器間における空隙部３Ｉ乃至３ｎ−１に段間
結合度調整用容量素子３１乃至３０−１を設けると、空
隙部３１乃至３ｎ−１における電界が素子１Ｇ、乃至１
０ｎ−、に集中して結合磁界が強くなり、したがって、
結合が密になるため、空隙部３Ｉ乃至３ｎ−１の長さを
所要の最低結合度に対応する長さよりも適当に長く形成
しておけば、所要範囲に亙って段間結合度を可変ならし
めることが出来る。尚、素子１０１乃至１０ｎ、の空隙
部内挿入長を長くする程、結合度は密となり、挿入長を
短くする程、結合度を疎となし得る。

第１図乃至第４図に示した本発明帯域通過ろ波器の伝送
特性は次式で求めることが出来る。

・・・・　（２０） Ｌ；伝送損失 丁０（ｘ）：チェビシエフの多項式 Ｘ：基準化周波数で、 ｆ：任意の伝送周波数 Ｘ＜１の場合、 Ｔｎ（Ｘ）　＝ｃｏｓ（ｎ　Ｃ０，９−ＩＸ）Ｘ＞１の
場合、 Ｔｎ（ｘ）　＝ｃｏｓｈ２（ｎ　ｃａｓｈ−１ｘ）第７
図は、（２０）式から求められる伝送特性を表す曲線図
で、横軸は周波数ｆ（ＧＨＩ）　、縦軸は伝送損失Ｌ（
ｄＢ）である。

第８図（第９図のＣ−Ｃ断面図）、第９図（第８図；７
）Ａ−Ａ断面図）及び第１θ図（第８図のＢ−Ｂ断面図
）もまた本発明の他の実施例を示す図で、各図において
、１２１及び１２２は導体隔壁で、他の符号は第１図及
び第２図と同様である０本実施例においては、誘電体２
１乃至２６とＴＥｌ、モード矩形導波管形金属ケース１
より成る共振器をコの字形に折返して配設しであるので
、前記各実施例に比し全体を小形に形成することが出来
る。尚、隔９１２、及び１２２　を形成する導板が薄い
ため、空隙部３３の長さが短く、他の空隙部に比し結合
度が密となるが、例えば第８図に示すように、隔壁１２
１の長さ及び隔壁１２２の幅を適当にして、空隙部３３
の幅を他の空隙部よりも適当に狭くすることにより、す
べての空隙部における結合度を一様にすることが出来る
。

尚、図には、回路次数を６に選んだ場合を例示しである
が、適宜増減して本発明を実施することが出来る。

第１１図は、伝送特性を有極形に形成し得る本発明の一
実施例を示す断面図（第２図と同様部分の断面図）で、
１３は間接結合回路で、同軸ケーブル、セミリジットケ
ーブル、ストリップライン又はホルマール線等より成り
、その一端に結合容量素子（例えば、同軸ケーブルの外
部導体の端部を適宜軸長に亙って取除き、内部導体を露
出せしめて形成する）１４１　を設け、これを誘電体２
２の孔部４２内に挿入すると共に、他端に設けた同様構
造の結合容量素子１４２を誘電体２５の孔部４５内に挿
入して、誘電体２２と金属ケースｌより成る共振器及び
誘電体２５と金属ケースより成る共振器間を回路１３を
介して間接結合せしめである。

結合容量素子１４．及び１４２を孔部４２及び４５内に
挿入する代りに、孔部４２及び４５と別に形成した孔部
に挿入するように構成してもよい。

尚、第１１図における他の符号は第１図及び第２図と同
様である。

第１２図は、第１１図に示した帯域通過ろ波器の等価回
路図で、　ＴＩ及びＴ２は入出力端子、ＣＡＶ、乃至Ｃ
ＡＶ６は誘電体２１乃至２６と金属ケースｌにより形成
される共振回路、Ｍｌ、２乃至Ｍ５．６は段間の磁界結
合係数、０１４１及びＣ１４２は間接結合容量素子１４
１及び１４２の容量である。

共振回路ＣＡＶＩ乃至ＣＡＶ６より成る主回路を伝送す
る信号の中、通過域より周波数の高い（低い）信号は、
各共振回路において電圧電流の位相が８００ずつ進み（
遅れ）、各共振回路間に形成される位相回路は、それぞ
れ−８００の位相回路となるから、主回路を伝送する減
衰域の信号はＣＡＶ２乃至ｃａｖｓ間ニオイテ−９００
Ｘ３：１００　Ｘ４＝＋ｆ３０Ｇ　（７）位相差を生ず
る。一方、間接結合回路１３の長さを電気長で１波長又
はその整数倍に選ぶことにより間接結合回路を伝送する
信号に対して＋８００の位相差を与え得るから、主回路
及び間接結合回路を各別に伝送して共振回路ＧＡＶｓに
到った両信号の位相は逆相となる。したがって１間接結
合回路の主回路に対する結合度を適当に調整して両信号
の振幅を等しくなるようにすれば、この信号の周波数位
置に減衰極を生ぜしめることが出来、その伝送特性は次
式で表される。

・・・・　（２１） 本実施例のように回路次数ｎが６、即ち、ｎが偶数の場
合には、 ｎが奇数の場合には、 〆ｉ＝　（１−ｍ’ｔ）−１ ｆ−ド減衰極を生ずる周波数 ｆｐ：許容電圧定在波比を与えるバンドエツジの周波数 間接結合回路１３の結合素子１４１及び１４２を容量性
素子を以て形成する代りに、画素子を磁気結合素子を以
て形成してもよく、何れか一方を容量結合素子を以て形
成し、他方を磁気結合素子を以て形成してもよい、尚、
磁気結合素子を用いる場合には間接結合回路の電気長及
び磁気結合素子の結合極性を適当ならしめることによっ
て前記と同様に減衰域に減衰極を生ぜしめることが出来
る。

誘電体２２及び２５間を間接結合する代りに、誘電体２
１及び２６間を間接結合せしめてもよく、又、誘電体２
２及び２５間を間接結合すると共に誘電体２１及び２６
間を間接結合しても有極形帯域通過ろ波器を構成するこ
とが出来、この場合には減衰域の高低各領域に２個ずつ
の減衰極を生ぜしめることが出来る。

本実施例においては回路次数ｎを６に選んだ場合を例示
したが、回路次数は適宜増減することが出来、又、２個
又はその整数倍の個数の共振器を隔てた共振器相互間を
１間接結合素子を含む全長が電気長で一波長又はその整
数倍の長さを有する間接結合回路で間接結合するか、４
個又はその整数倍の個数の共振器を隔てた共振器相互間
を、間接結合素子を含む全長が電気長で局波長又はその
奇数倍の長さを有する間接結合回路で間接結合するとい
う条件を満足するならば、間接結合回路の数もまた任意
に選ぶことが出来る。

第１３図もまた伝送特性を有極形に形成し得る本発明の
一実施例を示す断面図（第１４図のＢ−Ｂ断面図）、第
１４図は、第１３図のＡ−Ａ断面図で、両図において、
１５は容量性間接結合孔、１８は誘導性間接結合孔で、
他の符号は、第８図及び第９図と同様である。

第１５図は、本実施例の等価回路図で、ｃｔｓ、を及び
Ｃ１０，２は間接結合孔１５の結合容量、Ｍｌ６．１及
びＭｌ　６．２は間接結合孔ＩＢの磁界結合係数である
。第１５図における他の符号は第１２図と同様である。

第１１図に示した間接結合回路１３の長さが電気長で１
波長又はその整数倍で、その基本マトリックなるから、
第１３図及び第１４図に示した帯域通過ろ波器は、第１
１図に示したろ波器と全く同様の伝送特性を呈すること
となる。

本実施例においても図示のように、共振回路ＣＡＶｚ　
トＣＡＶｓ間及びＣＡＶ＋　トＣＡＶ６間を間接結合す
る代りに、共振回路ＣＡＶ２　トＣＡＶｓ間又はＣＡＶ
＋　トＣＡＶ６間の何れか一方のみを間接結合してもよ
く、又、本実施例においても回路次数を適宜増減すると
共に、２個又はその整数倍の個数の共振器を隔てた共振
器相互を容量性結合孔を介して間接結合するか、４個又
はその整数倍の個数の共振器を隔てた共振器相互を誘導
性結合孔を介して間接結合するという条件を満足する限
り、間接結合回路の数も適宜増減して本発明を実施する
ことが出来る。

第１６図及び第１７図（両図における横軸及び縦軸は第
７図と同じ）は、有極形に形成した本発明帯域通過ろ波
器の伝送特性の一例を示す曲線図で、第１Ｂ図は、−個
の間接結合回路を設けた場合、第１７図は、間接結合回
路を２個設けた場合である。

（本発明の効果） 本発明帯域通過ろ波器においては、共振器を構成する立
方体より成る誘電体の結合面以外の表面に金属ケースの
上下壁、両側壁及び両端壁を圧着せしめて誘電体を支持
するように構成しであるため、第１８図及び第１８図に
示した従来の共振器のように誘電体を支持するために接
着剤を用いる必要なく、したがって、本発明帯域通過ろ
波器に大電力の印加遮断が繰返される場合にも接着部分
の剥離の問題を生ずることなく、高度の機械的及び電気
的信頼性を保つことが出来る。又、誘電体の結合面を除
く全表面に接する金属ケースを介して熱伝導及び熱放射
が行われるので、第２０図及び第２１図に示した従来の
共振器のように誘電体の一部に熱集中を生ずることによ
る障害を招くおそれも全くない。

更に、第７図、第１６図及び第１７図の特性曲線図に示
すように伝送特性も極めて良好である。

尚、入出力結合用容量素子、共振周波数の微細調整用容
量素子及び間接結合用素子等を収納するための孔部の容
積は、誘電体全体の体積に比し極めて小であるから、こ
れらの孔部を穿設したことによる電気的及び機械的影響
はほとんど無視することが出来、又、誘電体を充填する
ことによる帯域通過ろ波器の小形化の効果にもほとんど
影響を与えるおそれはない。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は、本発明の一実施例を示す図、第４
図、第１２図及び第１５図は、その等価回路図、第５図
及び第６図は、本発明帯域通過ろ波器の設計手法を説明
する図、第７図、第１６図及び第１７図は、本発明帯域
通過ろ波器の伝送特性の一例を示す曲線図、第８図乃至
第１１図、第１３図及び第１４図は、未発−明の他の実
施例を示す図、第１８図乃至第２１図は、従来の誘電体
共振器を示す図で、ｌ：金属ケース、２１乃至２ｎ：誘
電体、３１乃至３ｎ−１：空隙部、４１乃至４ｎ：孔部
、５１及び５ｎ＝入出入出力端子、６１及び６ｎ：ロッ
クナツト、７Ｉ及び７ｎ二人出力結合用容量素子、８１
乃至８ｎ：共振周波数の微細調整用容量素子、３１乃至
９ｎ：ロックナツト、１０゜乃至１０ｎ−１：段間結合
度調整用容量素子、１１１乃至ｏｎ−＋　　：ロックナ
ット、１２１及び１２２：導体隔壁、１３：間接結合回
路、１４１及び１４２；間接結合素子、１５及び１８：
間接結合孔、１７：金属ケース、１８及び２３：誘電体
ブロック、　１８支持体、２ｏ及び２１：外部回路との
結合用容量素子、２２及び２４：共振周波数の微細調整
素子である。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＴＥ＿１＿０モード矩形導波管形金属ケースに、
   幅及び高さが前記金属ケースの幅及び高さの内法寸法に
   一致する立方体状の誘電体ブロックを空隙部を介して複
   数個内装し、これらの誘電体ブロックの各々に電界方向
   と平行に孔部を穿つと共に、これらの孔部の各開口端に
   対応する前記金属ケース壁に孔隙を穿ち、前記孔部及び
   孔隙の各々に共振周波数の微細調整素子を設け、前記複
   数個の誘電体ブロックの中、初段及び終段の各ブロック
   に穿った孔部及びこの孔部の開口端に対応する前記金属
   ケース壁に穿った孔隙の各々に入出力結合素子及び入出
   力結合端子を設けて成ることを特徴とする帯域通過ろ波
   器。
2. （２）空隙部に対応する金属ケース壁に段間結合度調整
   素子を設けて成る特許請求の範囲第１項記載の帯域通過
   ろ波器。
3. （３）孔部が誘電体ブロックを貫通する孔部より成る特
   許請求の範囲第１項記載の帯域通過ろ波器。
4. （４）孔部が表面から適宜深さの孔部より成る特許請求
   の範囲第１項記載の帯域通過ろ波器。
5. （５）孔部が誘電体ブロックのほぼ中心部に穿たれて成
   る特許請求の範囲第１項記載の帯域通過ろ波器。
6. （６）孔部が誘電体ブロックの中心部から外れた個所に
   穿たれて成る特許請求の範囲第１項記載の帯域通過ろ波
   器。
7. （７）入出力結合素子と共振周波数の微細調整素子との
   挿入孔部が中心軸の一致する孔部より成る特許請求の範
   囲第１項記載の帯域通過ろ波器。
8. （８）入出力結合素子の挿入孔部と共振周波数の微細調
   整素子の挿入孔部とが中心軸の異なる孔部より成る特許
   請求の範囲第１項記載の帯域通過ろ波器。
9. （９）孔部の内表面及び隣接誘電体ブロックとの対向結
   合面を除く誘電体ブロックの全表面に金属皮膜を設けて
   成る特許請求の範囲第１項記載の帯域通過ろ波器。
10. （１０）金属ケースが直線状を成す特許請求の範囲第１
    項記載の帯域通過ろ波器。
11. （１１）金属ケースがコの字形に折返されて成る特許請
    求の範囲第１項記載の帯域通過ろ波器。
12. （１２）２個又はその整数倍の誘電体ブロックを隔てた
    誘電体ブロックを間接結合回路を以て間接結合して成る
    特許請求の範囲第１項記載の帯域通過ろ波器。