JPS61253619A - 磁気抵抗効果型再生ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型再生ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61253619A JPS61253619A JP9562185A JP9562185A JPS61253619A JP S61253619 A JPS61253619 A JP S61253619A JP 9562185 A JP9562185 A JP 9562185A JP 9562185 A JP9562185 A JP 9562185A JP S61253619 A JPS61253619 A JP S61253619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias
- current
- high frequency
- magnetic field
- magnetoresistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/465—Arrangements for demagnetisation of heads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、電流バイアス方式による磁気抵抗効果型再生
ヘッドに関する。
ヘッドに関する。
磁気抵抗効果素子を用いた磁気抵抗効果型再生ヘッドに
おいては、従来、磁気抵抗効果素子のりニアリテイを改
善するために、磁気抵抗効果素子ｆ；近接してバイアス
導体を設け、このバイアス導体にバイアス電流を流すこ
とによってバイアス磁界を発生させ、このバイアス磁界
を磁気抵抗効果素子に印加することが知られている（た
とえば、特開昭５８−１８２１２５号公報、特開昭５９
−１９２２２号公報）。
おいては、従来、磁気抵抗効果素子のりニアリテイを改
善するために、磁気抵抗効果素子ｆ；近接してバイアス
導体を設け、このバイアス導体にバイアス電流を流すこ
とによってバイアス磁界を発生させ、このバイアス磁界
を磁気抵抗効果素子に印加することが知られている（た
とえば、特開昭５８−１８２１２５号公報、特開昭５９
−１９２２２号公報）。
ところで、かかる磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいては
、バルクハウゼンノイズが発生し、これによって再生信
号に波形歪が生ずることが知られている。このバルクハ
ウゼンノイズは、磁気抵抗効果素子中に複数の磁区が生
じ、外部磁界の強度変化によってこれら磁区の磁壁が非
可逆的に移動することによって生ずるものである。
、バルクハウゼンノイズが発生し、これによって再生信
号に波形歪が生ずることが知られている。このバルクハ
ウゼンノイズは、磁気抵抗効果素子中に複数の磁区が生
じ、外部磁界の強度変化によってこれら磁区の磁壁が非
可逆的に移動することによって生ずるものである。
このバルクハウゼンノイズの発生を防止する１つの方法
としては、磁気抵抗効果素子中に環流磁路を付加し、磁
壁の発生を抑えるようにした方法が知られているが（た
とえば、特開昭５８−２２０２４１号公報、特開昭５９
−５６２１０号公報、特開昭５１−１１２３２０号公報
）、磁壁の発生は磁気抵抗効果素子の成膜条件やパター
ニング形状などによっても左右され、磁壁を完全に失く
すことは極めて困難である。
としては、磁気抵抗効果素子中に環流磁路を付加し、磁
壁の発生を抑えるようにした方法が知られているが（た
とえば、特開昭５８−２２０２４１号公報、特開昭５９
−５６２１０号公報、特開昭５１−１１２３２０号公報
）、磁壁の発生は磁気抵抗効果素子の成膜条件やパター
ニング形状などによっても左右され、磁壁を完全に失く
すことは極めて困難である。
このために、従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて
は、バルクハウゼンノイズを避けることができなかった
。
は、バルクハウゼンノイズを避けることができなかった
。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、バルクハ
ウゼンノイズを充分抑圧することができるようにした磁
気抵抗効果型再生ヘッドを提供するにある。
ウゼンノイズを充分抑圧することができるようにした磁
気抵抗効果型再生ヘッドを提供するにある。
磁気抵抗効果は、素子に流れる電流とスピンとの相互作
用によって生ずるものであり、素子中に生ずる磁壁の直
接的関与はなく、また、スピンの回転は外部磁界の変化
に充分追従するのに対し、磁壁は、その移動速度が充分
速いため、外部磁界の急変に追従して移動することはで
きない。したがって、外部磁界が急激に変化する場合に
は、磁壁の非可逆的な移動は起らず、バルクハウゼンノ
イズは発生しないことになる。
用によって生ずるものであり、素子中に生ずる磁壁の直
接的関与はなく、また、スピンの回転は外部磁界の変化
に充分追従するのに対し、磁壁は、その移動速度が充分
速いため、外部磁界の急変に追従して移動することはで
きない。したがって、外部磁界が急激に変化する場合に
は、磁壁の非可逆的な移動は起らず、バルクハウゼンノ
イズは発生しないことになる。
本発明は、この点に鑑みてなされたものであって、上記
目的を達成するために、バイアス磁界を磁壁の移動速度
に比べて充分速い速度で変化させ、磁気抵抗効果素子に
おける磁壁の非可逆的移動を抑圧するようにした点に特
徴がある。
目的を達成するために、バイアス磁界を磁壁の移動速度
に比べて充分速い速度で変化させ、磁気抵抗効果素子に
おける磁壁の非可逆的移動を抑圧するようにした点に特
徴がある。
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第１図は本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの一実
施例を示す構成図であって、ｌは磁気抵抗効果素子（以
下、ＭＲ素子という）、２は絶縁体、３はバイアス導体
、４ａ、４ｂはバイアス導体３の接続端子、５ａ、５ｂ
はＭＲ素子１の接続端子、６ａ〜６ｄはリード線、７は
高周波バイアス電流回路、８はＭＲ素子電流回路、９は
プリアンプ、１０は検波整流回路、１１は出力端子であ
る。
施例を示す構成図であって、ｌは磁気抵抗効果素子（以
下、ＭＲ素子という）、２は絶縁体、３はバイアス導体
、４ａ、４ｂはバイアス導体３の接続端子、５ａ、５ｂ
はＭＲ素子１の接続端子、６ａ〜６ｄはリード線、７は
高周波バイアス電流回路、８はＭＲ素子電流回路、９は
プリアンプ、１０は検波整流回路、１１は出力端子であ
る。
同図において、バイアス導体３は、絶縁体２を介し、Ｍ
Ｒ素子１に近接して設けられており、高周波バイアス回
路１からリード′４ｆＡ６ｄ、接続端子４ｂ、バイアス
導体３、接続端子４ａおよびリード線６ａを通して第２
図（ａ）に示す高周波バイアス電流■５が流れ、バイア
ス導体３にＭＲ素子１のバイアス磁界が生ずる。この場
合、このバイアス磁界により、ＭＲ素子１の粗化がその
幅方向すなわち、接続端子５ａ、５ｂに対して直交方向
に回転するように、ＭＲ素子１に対するバイアス導体の
配置が設定される。
Ｒ素子１に近接して設けられており、高周波バイアス回
路１からリード′４ｆＡ６ｄ、接続端子４ｂ、バイアス
導体３、接続端子４ａおよびリード線６ａを通して第２
図（ａ）に示す高周波バイアス電流■５が流れ、バイア
ス導体３にＭＲ素子１のバイアス磁界が生ずる。この場
合、このバイアス磁界により、ＭＲ素子１の粗化がその
幅方向すなわち、接続端子５ａ、５ｂに対して直交方向
に回転するように、ＭＲ素子１に対するバイアス導体の
配置が設定される。
一方、ＭＲ素子電流回路８からリード線６ｃ。
接続端子５ｂ、ＭＲ素子１．接続端子５ａおよびリード
線６ｂを通して第２図（１））に示す直流電流ｒｓｔが
流れる。ＭＲ素子１には、バイアス導体３で生じたバイ
アス磁界とともに、図示しない情報信号が記録された記
録媒体からの信号磁界が印加されており、これらの磁界
に応じてＭＲ素子１の抵抗値が変化する。この抵抗値の
変化に応じて変化する再生信号がプリアンプ９に供給さ
れ、そこで増幅された後、検波整流回路１０で整流検波
されて出力端子に所望の情報信号が得られる。
線６ｂを通して第２図（１））に示す直流電流ｒｓｔが
流れる。ＭＲ素子１には、バイアス導体３で生じたバイ
アス磁界とともに、図示しない情報信号が記録された記
録媒体からの信号磁界が印加されており、これらの磁界
に応じてＭＲ素子１の抵抗値が変化する。この抵抗値の
変化に応じて変化する再生信号がプリアンプ９に供給さ
れ、そこで増幅された後、検波整流回路１０で整流検波
されて出力端子に所望の情報信号が得られる。
バイアス導体３に流れる高周波バイアス電流■１は、第
２図（ａ）に示すように、電流値Ｉ ｂ＋＋■ｂｔを交
互に高速に変化する電流であって、その立上り、立下り
は急峻に設定される。この高周波バイアス電流の周波数
は、ＭＲ素子１の磁壁の応答速度よりも充分速いものと
し、１００ｋＨｚ以上であれば磁壁の非可逆的移動を抑
えることができるが、充分余裕をとるために、５０’０
ｋＨｚ〜Ｉ Ｍ Ｈｚの範囲が好ましい。
２図（ａ）に示すように、電流値Ｉ ｂ＋＋■ｂｔを交
互に高速に変化する電流であって、その立上り、立下り
は急峻に設定される。この高周波バイアス電流の周波数
は、ＭＲ素子１の磁壁の応答速度よりも充分速いものと
し、１００ｋＨｚ以上であれば磁壁の非可逆的移動を抑
えることができるが、充分余裕をとるために、５０’０
ｋＨｚ〜Ｉ Ｍ Ｈｚの範囲が好ましい。
第３図はＭＲ素子１の入力磁界Ｈに対する抵抗値変化Δ
ρを示す動作曲線である。その動作点は高周波バイアス
電流■５の電流値がＩｂｌのときＨ＋ｂ＋であり、電流
値がＩｂｔのとき）（＋ｂｚであって、バイアス電流■
５の変化とともに、これら動作点Ｈ＋ｂ＋＋ Ｈ＋ｂｚ
を交互にとる。信号磁界Ｈｓはこの高周波バイアス電流
Ｉｂによるバイアス磁界に重畳されており、ＭＲ素子１
の出力信号（すなわち、プリアンプ９の入力信号）とし
ては、エンベロープが再生すべき情報信号を表わし、高
周波バイアス電流■５と同じ周波数の高周波信号Ｉｓで
ある。
ρを示す動作曲線である。その動作点は高周波バイアス
電流■５の電流値がＩｂｌのときＨ＋ｂ＋であり、電流
値がＩｂｔのとき）（＋ｂｚであって、バイアス電流■
５の変化とともに、これら動作点Ｈ＋ｂ＋＋ Ｈ＋ｂｚ
を交互にとる。信号磁界Ｈｓはこの高周波バイアス電流
Ｉｂによるバイアス磁界に重畳されており、ＭＲ素子１
の出力信号（すなわち、プリアンプ９の入力信号）とし
ては、エンベロープが再生すべき情報信号を表わし、高
周波バイアス電流■５と同じ周波数の高周波信号Ｉｓで
ある。
この高周波信号ｉｓはプリアンプ９で増幅されて検波整
流回路１０で検波整流され、出力端子１１に必要な情報
信号が得られる。
流回路１０で検波整流され、出力端子１１に必要な情報
信号が得られる。
このとき、高周波のバイアス磁界により、ＭＲ素子１に
おいてはけ壁の移動はなく、このために、出力端子１１
に得られる情報信号には、バルクハウゼンノイズによる
波形歪は生じない。
おいてはけ壁の移動はなく、このために、出力端子１１
に得られる情報信号には、バルクハウゼンノイズによる
波形歪は生じない。
また、第２図（ａ）における動作点Ｈ１ｂｌ＋ Ｈ＋ｂ
ｔのうち、深い動作点ＨＩｂｌを、これによるＭＲ素子
１の硫化方向がその幅方向であって、磁区が略消失する
ような点に設定することにより、浅い動作点ＨＩｂｌま
での動作はスピンの回転のみとなり、これによってバル
クハウゼンノイズをより確実に抑圧することができる。
ｔのうち、深い動作点ＨＩｂｌを、これによるＭＲ素子
１の硫化方向がその幅方向であって、磁区が略消失する
ような点に設定することにより、浅い動作点ＨＩｂｌま
での動作はスピンの回転のみとなり、これによってバル
クハウゼンノイズをより確実に抑圧することができる。
なお、動作点）！＋ｂｔをΔρ−Ｈ曲線のスロープが急
な位置に設定することにより、感度が高まることはいう
までもない。
な位置に設定することにより、感度が高まることはいう
までもない。
第４図は本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの他の
実施例を示す構成図であって、１２は磁石であり、第１
図に対応する部分には同一符号をつけて重複する説明は
省略する。
実施例を示す構成図であって、１２は磁石であり、第１
図に対応する部分には同一符号をつけて重複する説明は
省略する。
この実施例は、ＭＲ素子ｌに近接して磁石１２を設け、
第５図（ａｌに示すように、高周波バイアス電流■、を
交流成分のみとして、第６図に示すように、第３図と同
様の動作曲線を得るようにしたものであって、バイアス
電流が減少して消費電力の低減とバイアス導体３での発
熱の防１ヒを実現できる。
第５図（ａｌに示すように、高周波バイアス電流■、を
交流成分のみとして、第６図に示すように、第３図と同
様の動作曲線を得るようにしたものであって、バイアス
電流が減少して消費電力の低減とバイアス導体３での発
熱の防１ヒを実現できる。
なお、磁石１２による動作点を第６図のＨＩｂｌとする
と、高周波バイアス電流■５は負゛方向のみとなる。
と、高周波バイアス電流■５は負゛方向のみとなる。
第７図は本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドのさら
に他の実施例を示す構成図であって、１３は同期検波回
路であり、第１図に対応する部分には同一符号をつけて
いる。
に他の実施例を示す構成図であって、１３は同期検波回
路であり、第１図に対応する部分には同一符号をつけて
いる。
この実施例は、第１図に示した実施例における検波整流
回路１０の代りに同期検波回路１５を用いたものであっ
て、同期検波のための同期信号Ｓを高周波バイアス電流
回路７から供給する。
回路１０の代りに同期検波回路１５を用いたものであっ
て、同期検波のための同期信号Ｓを高周波バイアス電流
回路７から供給する。
高周波バイアス電流１ｂは、第２図（ａ）に示すように
、オフセットしてもよいし、第５図（ａ）に示すように
、オフセットしなくともよい。この実施例では、第８図
（ａ）に示すように、高周波バイアス電流■、はオフセ
ットしないものとして説明する。
、オフセットしてもよいし、第５図（ａ）に示すように
、オフセットしなくともよい。この実施例では、第８図
（ａ）に示すように、高周波バイアス電流■、はオフセ
ットしないものとして説明する。
なお、ＭＲ素子１に流す電流Ｉ□は、第８図（ｂｌに示
すように、直流電流であることはいうまでもない。
すように、直流電流であることはいうまでもない。
この実施例の動作曲線を第９図に示す。同図において、
高周波バイアス電流■、による動作点は、Ｈｌｂｌ＋
Ｈ＋ｂｚであり、ＭＲ素子１の出力信号■、はその太線
のエンベロープが求める情報信号を表わしている。
高周波バイアス電流■、による動作点は、Ｈｌｂｌ＋
Ｈ＋ｂｚであり、ＭＲ素子１の出力信号■、はその太線
のエンベロープが求める情報信号を表わしている。
そこで、同期検波回路１３において、動作点がＨＨ＞２
になったときに出力信号Ｉ、をサンプリングするように
出力信号■、を同期検波することにより、出力端子１１
に所望の情報信号が得られる。
になったときに出力信号Ｉ、をサンプリングするように
出力信号■、を同期検波することにより、出力端子１１
に所望の情報信号が得られる。
この実施例においても、ＭＲ素子１の磁化過程は高周波
バイアス磁界によるスピンの回転のみであるから、ＭＲ
素子１では磁壁の非可逆的移動は生ぜず、したがって、
バルクハウゼンノイズが抑圧できる。
バイアス磁界によるスピンの回転のみであるから、ＭＲ
素子１では磁壁の非可逆的移動は生ぜず、したがって、
バルクハウゼンノイズが抑圧できる。
第１０図は本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドのさ
らに他の実施例を示す構成図であって、１４は高周波電
流回路であり、第１図に対応する部分には同一符号をつ
けている。
らに他の実施例を示す構成図であって、１４は高周波電
流回路であり、第１図に対応する部分には同一符号をつ
けている。
この実施例は、前出の夫々の実施例ではＭＲ素子１に直
流電流を供給していたのに対し、斉周波バイアス電流Ｉ
ｂ（第１１図（ａ））に同期した高周波電流■。（第１
１図（ｂ））をＭＲ素子１に供給するものである。この
ために、ＭＲ素子１の電流源としては、高周波バイアス
電流回路７からの同期信号Ｓによって同期制御される高
周波電流回路を用いる。これにより、この実施例も、第
７図に示した実施例と同様の同期検波機能をもつ。
流電流を供給していたのに対し、斉周波バイアス電流Ｉ
ｂ（第１１図（ａ））に同期した高周波電流■。（第１
１図（ｂ））をＭＲ素子１に供給するものである。この
ために、ＭＲ素子１の電流源としては、高周波バイアス
電流回路７からの同期信号Ｓによって同期制御される高
周波電流回路を用いる。これにより、この実施例も、第
７図に示した実施例と同様の同期検波機能をもつ。
このように同期検波機能をもつことから、高周波バイア
スの動作点としては、第１図、第４図あるいは第７図に
示した実施例のいずれの動作点と同様に設定可能である
。したがって、バルクハウゼンノイズを抑圧できる。
スの動作点としては、第１図、第４図あるいは第７図に
示した実施例のいずれの動作点と同様に設定可能である
。したがって、バルクハウゼンノイズを抑圧できる。
また、ＭＲ素子１に流す電流■。が高周波信号であるこ
とから、そのデユーティは直流が１であるのに対して０
．５になっており、ＭＲ素子１０発熱量は直流電流であ
る場合の２倍に低減できる。
とから、そのデユーティは直流が１であるのに対して０
．５になっており、ＭＲ素子１０発熱量は直流電流であ
る場合の２倍に低減できる。
したがって、この実施例では、バルクハウゼンノイズぽ
かりでなく、熱ノイズの低減効果も得られる。また、高
周波電流回路１４を調整することにより、ＭＲ素子１に
流す電流■□のデユーティを変化させることができ、こ
のデユーティを小さくする程発熱量を低下させることが
できるがら、許容発熱量を一定とすると、電流■。のデ
ユーティを小さくすることによってその分電流Ｉ。のビ
ーク値を大きくすることができるから、感度をさらに高
めることができる。
かりでなく、熱ノイズの低減効果も得られる。また、高
周波電流回路１４を調整することにより、ＭＲ素子１に
流す電流■□のデユーティを変化させることができ、こ
のデユーティを小さくする程発熱量を低下させることが
できるがら、許容発熱量を一定とすると、電流■。のデ
ユーティを小さくすることによってその分電流Ｉ。のビ
ーク値を大きくすることができるから、感度をさらに高
めることができる。
以上説明したように、本発明によれば、磁気抵抗素子の
磁壁の非可逆的移動を抑圧できるものであるから、バル
クハウゼンノイズの発生を防Ｉトすることができ、上記
従来技術の欠点を除いて優れた８！！能の磁気抵抗効果
型再往ヘッドを提供することができる。
磁壁の非可逆的移動を抑圧できるものであるから、バル
クハウゼンノイズの発生を防Ｉトすることができ、上記
従来技術の欠点を除いて優れた８！！能の磁気抵抗効果
型再往ヘッドを提供することができる。
第１図は本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの一実
施例を示す構成図、第２図（ａ）、 Ｔｂ）は夫々第１
図におけるバイアス電流、磁気抵抗効果素子に流す電流
を示す波形図、第３図は第１図における磁気抵抗効果素
子の動作曲線図、第４図は本発明による磁気抵抗効果型
再生ヘッドの他の実施例を示す構成図、第５図（ａ）、
（ｂ）は夫々第４図におけるバイアス電流、磁気抵抗
効果素子に流す電流を示す波形図、第６図は第４図にお
ける磁気抵抗効果素子の動作曲線図、第７図は本発明に
よる磁気抵抗効果型再生ヘッドのさらに他の実施例を示
す構成図、第８図（ａ）、 （ｂ）は夫々第７図におけ
るノイイアス電流、磁気抵抗効果素子に流す電流を示す
波形図、第９図は第７図における磁気抵抗効果素子の動
作曲線図、′＃、１０図は未発明による磁気抵抗効果型
再生ヘッドのさらに他の実施例を示す構成図、第１１図
（ａ）、山）は夫々第１０図におけ、るノ〈イアスミ流
、磁気抵抗効果素子に流れる電流、を示す波形図である
。 １・・・磁気抵抗効果素子、３・・・バイアス導体、７
・・・高周波バイアス回路。 第１図 第４図 を 第６図 第２図
施例を示す構成図、第２図（ａ）、 Ｔｂ）は夫々第１
図におけるバイアス電流、磁気抵抗効果素子に流す電流
を示す波形図、第３図は第１図における磁気抵抗効果素
子の動作曲線図、第４図は本発明による磁気抵抗効果型
再生ヘッドの他の実施例を示す構成図、第５図（ａ）、
（ｂ）は夫々第４図におけるバイアス電流、磁気抵抗
効果素子に流す電流を示す波形図、第６図は第４図にお
ける磁気抵抗効果素子の動作曲線図、第７図は本発明に
よる磁気抵抗効果型再生ヘッドのさらに他の実施例を示
す構成図、第８図（ａ）、 （ｂ）は夫々第７図におけ
るノイイアス電流、磁気抵抗効果素子に流す電流を示す
波形図、第９図は第７図における磁気抵抗効果素子の動
作曲線図、′＃、１０図は未発明による磁気抵抗効果型
再生ヘッドのさらに他の実施例を示す構成図、第１１図
（ａ）、山）は夫々第１０図におけ、るノ〈イアスミ流
、磁気抵抗効果素子に流れる電流、を示す波形図である
。 １・・・磁気抵抗効果素子、３・・・バイアス導体、７
・・・高周波バイアス回路。 第１図 第４図 を 第６図 第２図
Claims (1)
- 磁気抵抗効果素子に近接してバイアス導体を設け、該バ
イアス導体にバイアス電流を流してバイアス磁界を発生
させ、該バイアス磁界により、該磁気抵抗効果素子の動
作点を設定するようにした磁気抵抗効果型再生ヘッドに
おいて、高周波バイアス電流回路を設けて前記バイアス
電流を高周波電流とし、該高周波電流による前記バイア
ス磁界の変化に前記磁気抵抗効果素子中の磁壁が追従し
て移動しない程度に該高周波電流の周波数を設定したこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9562185A JPS61253619A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9562185A JPS61253619A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61253619A true JPS61253619A (ja) | 1986-11-11 |
| JPH0544089B2 JPH0544089B2 (ja) | 1993-07-05 |
Family
ID=14142607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9562185A Granted JPS61253619A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61253619A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2696037A1 (fr) * | 1992-09-18 | 1994-03-25 | Thomson Csf | Dispositif de lecture magnétique. |
| US5822159A (en) * | 1993-07-14 | 1998-10-13 | Sony Corporation | Thin-film magnetic head, magnetoresistance effect magnetic head and composite magnetic head |
-
1985
- 1985-05-07 JP JP9562185A patent/JPS61253619A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2696037A1 (fr) * | 1992-09-18 | 1994-03-25 | Thomson Csf | Dispositif de lecture magnétique. |
| EP0594471A2 (fr) * | 1992-09-18 | 1994-04-27 | Thomson-Csf | Dispositif de lecture magnétique |
| EP0594471A3 (en) * | 1992-09-18 | 1994-07-06 | Thomson Csf | Magnetic read-out device |
| US5568336A (en) * | 1992-09-18 | 1996-10-22 | Thomson-Csf | Magnetic reading device with alternating magnetic biasing means |
| US5822159A (en) * | 1993-07-14 | 1998-10-13 | Sony Corporation | Thin-film magnetic head, magnetoresistance effect magnetic head and composite magnetic head |
| US5872691A (en) * | 1993-07-14 | 1999-02-16 | Sony Corporation | Thin film magnetic head, magnetoresistance effect magnetic head and composite magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544089B2 (ja) | 1993-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2563597B2 (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
| US4179720A (en) | Magnetic recorded information reproducing apparatus | |
| JPS61253619A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘツド | |
| JPH09293215A (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| JPH0573817A (ja) | 磁気抵抗効果素子を有する磁気記録再生装置 | |
| JPS61170918A (ja) | 磁気抵抗効果形磁気ヘツド | |
| JP3166739B2 (ja) | 複合型ヘッドの再生回路 | |
| JP2543654B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPS61280013A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘツド | |
| JPS61284819A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘツド | |
| JP3756593B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH07110920A (ja) | 磁気記録・再生ヘッド | |
| JPH06203339A (ja) | 磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH06301934A (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| JPS6117203A (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| JPS61237218A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス付与方法 | |
| SU1543450A1 (ru) | Магнитомодул ционна головка | |
| JP2634677B2 (ja) | 先行イレーズ型磁気ヘッド装置 | |
| JPH04205908A (ja) | 磁気再生装置 | |
| JPH01224910A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH03187008A (ja) | フロッピーディスク装置 | |
| JPH02208805A (ja) | 磁気記録の再生方式 | |
| JPH0668429A (ja) | 磁気再生装置 | |
| JPS6342002A (ja) | 磁気再生方法 | |
| JPS62239308A (ja) | 磁気抵抗型磁気ヘツド |