JPH04205908A - 磁気再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は特に高密度磁気記録用の磁気ディスク装置やデ
ジタルＶＴＲ用の再生専用ヘッドに関する。

〔従来の技術〕

従来の磁気シールド型磁気抵抗センサの一例を第６図に
示す。ここで、１は非磁性基板、２は強磁性体からなる
下部シールド膜、３は下部シールド膜２と磁気抵抗効果
膜間の電気的絶縁を行う下部絶縁層、４は磁気抵抗効果
を有する強磁性薄膜（磁気抵抗効果膜）、５は磁気抵抗
効果膜にバイアス磁界を印加するための金属薄ＩＩＩ（
シャント膜）２３′はシャント膜５と上部シールド膜間
の電気的絶縁を行う上部絶縁層、２′は強磁性体からな
る上部シールド膜、６は電極である。本素子はし１わゆ
るシャントバイアス型磁気抵抗センサで、ギャップとい
われる下部シールド膜と上部シールド膜間には磁気抵抗
効果膜、下部絶縁層、上部絶縁層以外に磁気抵抗効果膜
にバイアス磁界を印加するためのシャント膜が存在し、
狭ギャップ化の妨げとなっていた。また、シャントバイ
アス型磁気抵抗センサでは素子に通電した電流が磁気抵
抗効果膜とシャント膜に分流するため、実質的に再生効
率が低下するという問題があった。シャントバイアス型
素子に限らず、一般に磁気抵抗センサでは上述したよう
な狭ギャップ化に対する限界や再生効率の低下という問
題があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術に述べられているように、磁気抵抗効果膜
にバイアス磁界を印加する手法を備えた従来の磁気抵抗
センサでは、狭ギャップ化に対する限界や再生効率の低
下という問題があった。

本発明の目的は、従来技術の限界を越えるような狭ギャ
ップ化と高い再生効率が得られる磁気再生装置を提供す
ることにある。

〔課題を解決するための手段〕

磁気光学効果と磁気抵抗センサを組合わせ、磁気光学効
果により媒体に記録された磁化の向きを読み取る磁気再
生装置により上記目的が達成される。

〔作用〕

本研究の磁気抵抗センサはバイアス磁界を印加する手段
を必要としないため、狭ギャップ化が可能である。また
、通電電流が全て磁気抵抗効果膜中を流れることや、ギ
ャップ中に他の熱発生源がないことから素子の放熱効率
が高く通電電流も高めることができ、高い再生効率が得
られる。

〔実施例〕

以下に本発明の一実施例について、図を参照しながら説
明する。

〔実施例１〕 第１図は本発明による磁気再生装置の概略と原理を示し
た図である。本実施例は記録媒体、磁気抵抗センサ、さ
らに磁気光学効果を用いた再生糸（ここでは、カー効果
）からなる磁気再生装置である。記録媒体の磁化の向き
によってカー回転角は変化するため、カー信号強度から
磁化の向きを求めることが可能である。本発明ではカー
信号強度の絶対値は重要でなく、図の右側に示されたよ
うにカー信号強度から磁化の向きを１・０判定するのに
必・要なＳ／Ｎ　（信号出力／ノイズ出力）が得られれ
ばよい。第２図に示されるような回路を構成し、磁化の
向きに対応した信号（１・０）により回路を切り替える
と、磁気抵抗センサの抵抗変化に対応する出力電圧は、
第３図に示されるように漏洩磁界の向きによって（■＋
ΔＶ）あるいは（Ｖ−ΔＶ）に変化しく実線）、通常の
磁気抵抗応答曲線（破線）とは異なる。出力−磁界特性
は磁気抵抗効果膜の膜厚、膜の異方性磁界、さらに素子
高さなどにより変化するため、媒体からの漏洩磁界によ
る磁気抵抗効果膜の出力電圧の変化が最大（〜２ΔＶ）
となるように素子の形状や膜厚を設定することが望まし
い。

本実施例では磁気光学効果を用いた再生系のビーム径に
より磁化の向きに対する分解能が決まるため、例えばＨ
ｅ　−Ｎ　ｅレーザを用いた場合の再生可能な最短記録
ビット長はせいぜい０．５〜０．６μｍ程度で高密度磁
気記録用の再生ヘッドとしては不十分である。そこで、
高密度磁気記録に適した再生装置について次に示す。

〔実施例２〕 第４図は本発明による他の磁気再生装置の概略図である
。本実施例では磁気抵抗センサ上に磁気光学効果を用い
た再生系をセットし、記録媒体からの漏洩磁界の向きの
違いによる磁気抵抗効果膜上の磁化変化を上記再生系を
用いて検知する。検知した信号は実施例１と同様に、磁
化の向きに対応した信号（１・０）に分離し、第２図の
回路を用いて第３図のような出力−磁界特性を得る。本
実施例によると再生可能な記録ビット長は再生系のビー
ム径にはよらず、主に上部シールド膜と下部シールド膜
間の距離、いわゆるギャップ長に依存するものと考えら
れ、高密度磁気記録用の再生装置として有効である。

〔実施例３〕 第５図は本発明による他の磁気再生装置の概略図である
。本実施例では磁気抵抗センサと隣接する媒体進行方向
側の磁気シールド膜上の磁化の変化を磁気光学効果を用
いて測定することにより、媒体からの漏洩磁界の向きを
検知し、実施例１および実施例２と同様に、磁化の向き
に対応した信号（１・０）に分離し、第２図の回路を用
いて第３図のような出力−磁界特性を得る。この場合、
磁気光学効果を用いた再生系からの信号は遅延回路を通
し、磁気抵抗センサの信号と同期させる。

同様に、磁気抵抗センサと同一なトラック上で媒体進行
方向側の任意の地点での磁化の変化を磁気光学効果を用
いて測定し、再生系からの信号は遅延回路を通し、磁気
抵抗センサの信号と同期させる装置も考えられる。以上
述べた実施例では磁気光学効果としてカー効果を用いた
が、薄いあるいは半透明な磁気記録媒体の場合には媒体
の磁化の向きを検知する方法としてファラデー効果も有
効である。

〔発明の効果〕

本発明の磁気再生装置は、バイアス法が不要なため狭ギ
ャップ化が可能で、しかも従来の磁気抵抗効果膜を用い
た磁気抵抗センサに比へて高い再生出力が得られるため
、将来の高密度磁気記録用磁気再生装置として有効であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁気再生装置の概略と原理を示す
図、第２図はカー信号強度による切り替え回路、第３図
は本発明による磁気抵抗応答曲線図、第４図、第５図は
本発明による他の磁気再生装置の実施例、第６図は従来
の磁気抵抗センサの概略図である。 １　非磁性基板、２・下部シールド膜、２′　・上部シ
ールド膜、３・・下部絶縁層、３′　・上部絶縁第　ｊ
　図 篤　２　図 竿３　同 ム、ＴＪ ′＆４Ｉ￥ｌ 第Ｓ　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁気記録媒体に記録された磁化の向きを磁気光学効
   果により検知し、媒体の磁化の向きによって磁気抵抗セ
   ンサの抵抗変化に対応する端子間電圧の変化の符号を変
   えるような回路を設けた磁気再生装置。 ２、記録ビットの磁化の変化を磁気光学効果を用いて測
   定することにより媒体に記録された磁化の向きを検知す
   る特許請求の範囲第１項記載の磁気再生装置。 ３、磁気抵抗センサの磁化の変化を磁気光学効果を用い
   て測定することにより媒体に記録された磁化の向きを検
   知する特許請求の範囲第１項記載の磁気再生装置。 ４、磁気抵抗センサと隣接する媒体進行方向側の磁気シ
   ールド上の磁化の変化を磁気光学効果を用いて測定する
   ことにより媒体に記録された磁化の向きを検知する特許
   請求の範囲第１項記載の磁気再生装置。 ５、特許請求の範囲第１項から第４項記載の磁気光学効
   果がカーあるいはファラデー効果であることを特徴とす
   る磁気再生装置。