JPH0668429A - 磁気再生装置 - Google Patents
磁気再生装置Info
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- JPH0668429A JPH0668429A JP21896992A JP21896992A JPH0668429A JP H0668429 A JPH0668429 A JP H0668429A JP 21896992 A JP21896992 A JP 21896992A JP 21896992 A JP21896992 A JP 21896992A JP H0668429 A JPH0668429 A JP H0668429A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気テープへの放熱による磁気抵抗素子の温
度変化が原因で発生する再生出力電圧の変動を防止す
る。 【構成】 同一ヘッドチップ内に隣接して配置されかつ
アース電源間に直列接続された磁気抵抗素子１１を最大
感度に、磁気抵抗素子１２を逆位相最大感度または最小
感度になるように直流バイアス磁界を印加する。温度依
存性をもつ磁気抵抗素子の分圧比が温度の変化でも不変
のため、出力電圧が変動しない。
度変化が原因で発生する再生出力電圧の変動を防止す
る。 【構成】 同一ヘッドチップ内に隣接して配置されかつ
アース電源間に直列接続された磁気抵抗素子１１を最大
感度に、磁気抵抗素子１２を逆位相最大感度または最小
感度になるように直流バイアス磁界を印加する。温度依
存性をもつ磁気抵抗素子の分圧比が温度の変化でも不変
のため、出力電圧が変動しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は再生ヘッドに磁気抵抗素
子を用いた磁気再生装置に関するものである。
子を用いた磁気再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】狭トラック低速度で走行する磁気テープ
などの磁気記録媒体用の再生ヘッドには、高出力を得や
すい磁気抵抗素子（以下これをＭＲ素子と称し、ＭＲ素
子を用いた再生ヘッドをＭＲヘッドと称す。）が適して
いる。以下、図面を参照しながら従来のＭＲヘッドを用
いた磁気再生装置の一例について説明する。
などの磁気記録媒体用の再生ヘッドには、高出力を得や
すい磁気抵抗素子（以下これをＭＲ素子と称し、ＭＲ素
子を用いた再生ヘッドをＭＲヘッドと称す。）が適して
いる。以下、図面を参照しながら従来のＭＲヘッドを用
いた磁気再生装置の一例について説明する。
【０００３】図５は従来のＭＲヘッドを用いた磁気再生
装置の構成を示す回路図である。図５において、ＭＲ素
子１は、再生ヘッドとして機能し、磁気テープ上に記録
された信号磁束を微小な抵抗変化で出力する。ＭＲ素子
１は抵抗２を介して電源供給用の端子３へ接続されてい
る。ＭＲ素子１と抵抗２の接続点は、直流電圧阻止用の
コンデンサ４を介して再生アンプ５の入力に接続されて
いる。
装置の構成を示す回路図である。図５において、ＭＲ素
子１は、再生ヘッドとして機能し、磁気テープ上に記録
された信号磁束を微小な抵抗変化で出力する。ＭＲ素子
１は抵抗２を介して電源供給用の端子３へ接続されてい
る。ＭＲ素子１と抵抗２の接続点は、直流電圧阻止用の
コンデンサ４を介して再生アンプ５の入力に接続されて
いる。
【０００４】なお、ＭＲ素子１は磁気テープの信号磁束
に対して抵抗変化が最大感度になるようにあらかじめ直
流バイアス磁界が印加されているものとする。
に対して抵抗変化が最大感度になるようにあらかじめ直
流バイアス磁界が印加されているものとする。
【０００５】以上のように構成された従来の磁気再生装
置について、その動作を説明する。例えば、端子３の電
源電圧を５Ｖ，抵抗２の抵抗値を４００Ω，磁気テープ
が消磁状態のときのＭＲ素子１の抵抗値を１００Ωとす
ると、ＭＲ素子１に流れる直流電流Ｉsは１０ｍＡであ
る。
置について、その動作を説明する。例えば、端子３の電
源電圧を５Ｖ，抵抗２の抵抗値を４００Ω，磁気テープ
が消磁状態のときのＭＲ素子１の抵抗値を１００Ωとす
ると、ＭＲ素子１に流れる直流電流Ｉsは１０ｍＡであ
る。
【０００６】ここで、磁気テープの信号磁束によるＭＲ
素子１の抵抗変化分を例えば０．０１Ωp-pとすると、
ＭＲ素子１の両端には１００μＶp-pの電圧変化が現れ
る。これが再生信号として、コンデンサ４を介して再生
アンプ５で増幅される。
素子１の抵抗変化分を例えば０．０１Ωp-pとすると、
ＭＲ素子１の両端には１００μＶp-pの電圧変化が現れ
る。これが再生信号として、コンデンサ４を介して再生
アンプ５で増幅される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＭＲヘッドの動作時の
状態を考えると、ＭＲ素子１は直流電流Ｉsによる発熱
と摺動する磁気テープ等による放熱が同時に発生してい
る。ＭＲヘッドに限らず走行中の磁気テープとのヘッド
タッチは必ずしも均一ではなく、絶えず変化している。
このヘッドタッチの変化によりＭＲ素子１の放熱が不均
一となり、ＭＲ素子１の温度が絶えず変化する。
状態を考えると、ＭＲ素子１は直流電流Ｉsによる発熱
と摺動する磁気テープ等による放熱が同時に発生してい
る。ＭＲヘッドに限らず走行中の磁気テープとのヘッド
タッチは必ずしも均一ではなく、絶えず変化している。
このヘッドタッチの変化によりＭＲ素子１の放熱が不均
一となり、ＭＲ素子１の温度が絶えず変化する。
【０００８】ところが、一般にＭＲ素子の抵抗値は０．
２％／℃前後の温度依存性を持っている。ＭＲ素子１の
抵抗値は絶えず変化することになる。その結果、ＭＲ素
子１の出力電圧が絶えず変化し、これが低周波（例えば
数百Ｈｚ）ノイズとして再生アンプ５に入力されてしま
うという問題があった。
２％／℃前後の温度依存性を持っている。ＭＲ素子１の
抵抗値は絶えず変化することになる。その結果、ＭＲ素
子１の出力電圧が絶えず変化し、これが低周波（例えば
数百Ｈｚ）ノイズとして再生アンプ５に入力されてしま
うという問題があった。
【０００９】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、磁気テープとＭＲヘッドとの摺動時の低周波ノイ
ズを防止する磁気再生装置を提供することを目的とす
る。
あり、磁気テープとＭＲヘッドとの摺動時の低周波ノイ
ズを防止する磁気再生装置を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の磁気再生装置は、同一ヘッドチップ内に隣接
して配置されかつ電源とアース間に直列接続された第
１，第２の磁気抵抗素子の接続点から再生信号を出力す
るとともに、前記第１の磁気抵抗素子には、直流バイア
ス磁界が印加されないかもしくは磁気記録媒体上の信号
に対し最小感度となる第１の直流バイアス磁界が印加さ
れ、前記第２の磁気抵抗素子には前記磁気記録媒体上の
信号に対し最大感度となる第２の直流バイアス磁界が印
加されるように構成され、あるいは第１の磁気抵抗素子
には、第１の直流バイアス磁界の代わりに磁気記録媒体
上の信号に対し第２の磁気抵抗素子とは逆極性かつ最大
感度となる第３の直流バイアス磁界が印加されるように
構成されている。
に本発明の磁気再生装置は、同一ヘッドチップ内に隣接
して配置されかつ電源とアース間に直列接続された第
１，第２の磁気抵抗素子の接続点から再生信号を出力す
るとともに、前記第１の磁気抵抗素子には、直流バイア
ス磁界が印加されないかもしくは磁気記録媒体上の信号
に対し最小感度となる第１の直流バイアス磁界が印加さ
れ、前記第２の磁気抵抗素子には前記磁気記録媒体上の
信号に対し最大感度となる第２の直流バイアス磁界が印
加されるように構成され、あるいは第１の磁気抵抗素子
には、第１の直流バイアス磁界の代わりに磁気記録媒体
上の信号に対し第２の磁気抵抗素子とは逆極性かつ最大
感度となる第３の直流バイアス磁界が印加されるように
構成されている。
【００１１】
【作用】本発明は上記の構成にて、温度依存性の等しい
第１，第２の磁気抵抗素子を同一ヘッドチップ内に隣接
して配置したことにより、磁気テープへの放熱による温
度変化が原因で磁気抵抗素子の抵抗値が変化しても磁気
抵抗素子の分圧比は不変のため、出力電圧が変化するこ
とはなく低周波ノイズは発生しない。
第１，第２の磁気抵抗素子を同一ヘッドチップ内に隣接
して配置したことにより、磁気テープへの放熱による温
度変化が原因で磁気抵抗素子の抵抗値が変化しても磁気
抵抗素子の分圧比は不変のため、出力電圧が変化するこ
とはなく低周波ノイズは発生しない。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の磁気再生装置の実施例につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１３】図１は本発明の第１の実施例の磁気再生装
置の構成を示す回路図である。図１において、ＭＲ素子
１１は再生ヘッドとして機能し、磁気テープ上に記録さ
れた信号磁束を微小な抵抗変化で出力する。ＭＲ素子１
１はＭＲ素子１２を介して電源用の直流電圧が供給され
る端子１３へ接続されている。ＭＲ素子１１，１２の接
続点は、直流電圧阻止用のコンデンサ１４を介して再生
アンプ１５の入力に接続されている。なお、ＭＲ素子１
１，１２は同一ヘッドチップ内に隣接しかつ熱的に結合
して配置されているものとする。
置の構成を示す回路図である。図１において、ＭＲ素子
１１は再生ヘッドとして機能し、磁気テープ上に記録さ
れた信号磁束を微小な抵抗変化で出力する。ＭＲ素子１
１はＭＲ素子１２を介して電源用の直流電圧が供給され
る端子１３へ接続されている。ＭＲ素子１１，１２の接
続点は、直流電圧阻止用のコンデンサ１４を介して再生
アンプ１５の入力に接続されている。なお、ＭＲ素子１
１，１２は同一ヘッドチップ内に隣接しかつ熱的に結合
して配置されているものとする。
【００１４】ここで、ＭＲ素子１１，１２に印加する直
流バイアス磁界について説明する。図２はＭＲ素子の磁
化の原理説明図である。図２において、ＭＲ素子１６は
図１におけるＭＲ素子１１，１２と同一の原理で動作す
る。端子１７，１８は抵抗変化の検出端子であり、ＭＲ
素子１６の磁化容易軸と同軸である。直流バイアス磁界
Ｈb，微小な信号磁界Ｈsはいずれも磁化容易軸とは垂直
方向に印加されている。直流バイアス磁界Ｈb，信号磁
界ＨsによってＭＲ素子１６は磁化Ｍ方向に磁化され
る。角度θは磁化容易軸に対する磁化Ｍの角度である。
流バイアス磁界について説明する。図２はＭＲ素子の磁
化の原理説明図である。図２において、ＭＲ素子１６は
図１におけるＭＲ素子１１，１２と同一の原理で動作す
る。端子１７，１８は抵抗変化の検出端子であり、ＭＲ
素子１６の磁化容易軸と同軸である。直流バイアス磁界
Ｈb，微小な信号磁界Ｈsはいずれも磁化容易軸とは垂直
方向に印加されている。直流バイアス磁界Ｈb，信号磁
界ＨsによってＭＲ素子１６は磁化Ｍ方向に磁化され
る。角度θは磁化容易軸に対する磁化Ｍの角度である。
【００１５】図３は、この角度θに対する電気比抵抗の
説明図である。図３において、角度θにおける比抵抗を
ρ（θ），θ＝９０゜のときの比抵抗をρ0，最大比抵
抗変化をρmとすると、一般にＭＲ素子では（数１）に
示す近似式が成立する。
説明図である。図３において、角度θにおける比抵抗を
ρ（θ），θ＝９０゜のときの比抵抗をρ0，最大比抵
抗変化をρmとすると、一般にＭＲ素子では（数１）に
示す近似式が成立する。
【００１６】 ρ（θ）＝ρ0＋ρm・ｃｏｓ2θ （数１） （数１）から明らかなように、θ＝０゜，９０゜では信
号磁界Ｈsに対してρ（θ）はほとんど変化せず、ＭＲ
素子は最小感度となる。また、θ＝４５゜では信号磁界
Ｈsに対するρ（θ）は最も変化が大きく、ＭＲ素子は
最大感度となる。
号磁界Ｈsに対してρ（θ）はほとんど変化せず、ＭＲ
素子は最小感度となる。また、θ＝４５゜では信号磁界
Ｈsに対するρ（θ）は最も変化が大きく、ＭＲ素子は
最大感度となる。
【００１７】図１におけるＭＲ素子１１は、直流バイア
ス磁界によりθ＝４５゜の方向に磁化されることによっ
て最大感度の状態にあり、ＭＲ素子１２は、直流バイア
ス磁界によりθ＝０゜の方向に磁化されることによって
最小感度の状態にあるものとする。
ス磁界によりθ＝４５゜の方向に磁化されることによっ
て最大感度の状態にあり、ＭＲ素子１２は、直流バイア
ス磁界によりθ＝０゜の方向に磁化されることによって
最小感度の状態にあるものとする。
【００１８】なお図２によれば、θ＝０゜にするには直
流バイアス磁界Ｈbを除去すればよいが、ＭＲ素子１２
を流れる電流によって発生する直流磁界の影響が無視で
きない場合がある。この場合は、結果としてθ＝０゜に
なるような逆方向の直流バイアス磁界を新たに印加すれ
ばよい。
流バイアス磁界Ｈbを除去すればよいが、ＭＲ素子１２
を流れる電流によって発生する直流磁界の影響が無視で
きない場合がある。この場合は、結果としてθ＝０゜に
なるような逆方向の直流バイアス磁界を新たに印加すれ
ばよい。
【００１９】以上のように構成された本実施例の磁気再
生装置について、以下その動作について説明する。端子
１３から供給される直流電圧をＥ、直流バイアス磁界が
印加された状態下でのＭＲ素子１１，１２の抵抗値をＲ
1，Ｒ2、ＭＲ素子１１，１２に流れる電流をＩs、磁気
テープ上の信号磁束によるＭＲ素子１１の抵抗変化分を
ｒ、ＭＲ素子１１の出力電圧をＶ0、ＭＲ素子１１の出
力電圧の交流成分をｖとすると、抵抗値ｒは抵抗値Ｒ
1，Ｒ2に比較して非常に小さいので、以下に示す（数
２），（数３），（数４）が成立する。
生装置について、以下その動作について説明する。端子
１３から供給される直流電圧をＥ、直流バイアス磁界が
印加された状態下でのＭＲ素子１１，１２の抵抗値をＲ
1，Ｒ2、ＭＲ素子１１，１２に流れる電流をＩs、磁気
テープ上の信号磁束によるＭＲ素子１１の抵抗変化分を
ｒ、ＭＲ素子１１の出力電圧をＶ0、ＭＲ素子１１の出
力電圧の交流成分をｖとすると、抵抗値ｒは抵抗値Ｒ
1，Ｒ2に比較して非常に小さいので、以下に示す（数
２），（数３），（数４）が成立する。
【００２０】 Ｉs＝Ｅ／（Ｒ1＋Ｒ2＋ｒ） ≒Ｅ／（Ｒ1＋Ｒ2） （数２） Ｖ0＝Ｅ・（Ｒ1＋ｒ）／（Ｒ1＋Ｒ2＋ｒ） ≒Ｅ・Ｒ1／（Ｒ1＋Ｒ2） （数３） ｖ＝Ｅ・ｒ／（Ｒ1＋Ｒ2＋ｒ） ≒Ｅ・ｒ／（Ｒ1＋Ｒ2） （数４） すなわち、（数３）はＭＲ素子１１の直流動作点を示
し、（数４）は感度を示している。なお、ＭＲ素子１２
の抵抗値Ｒ2をできるだけ大きくすることにより、出力
電圧の交流成分ｖは抵抗変化分ｒに対してほぼ比例関係
となるため直線性が良化する。
し、（数４）は感度を示している。なお、ＭＲ素子１２
の抵抗値Ｒ2をできるだけ大きくすることにより、出力
電圧の交流成分ｖは抵抗変化分ｒに対してほぼ比例関係
となるため直線性が良化する。
【００２１】ここで、磁気テープが再生ヘッドを摺動し
つつ走行すると、電流ＩsによりＭＲ素子１１，１２に
発生した熱の一部が磁気テープで放熱される。既に述べ
たように磁気テープとのヘッドタッチの不均一が原因
で、ＭＲ素子１１，１２の温度が絶えず変化する。しか
し、ＭＲ素子１１，１２は同一ヘッドチップ内に隣接し
て配置され、各抵抗値Ｒ1，Ｒ2は温度依存性が等しいこ
とから、（数３）におけるＲ1／（Ｒ1＋Ｒ2）は温度依
存性をもたず、出力電圧Ｖ0も温度依存性をもたない。
したがって、ＭＲ素子１１の出力電圧Ｖ0は、磁気テー
プへの放熱による電圧変化が生ずることはなく、低周波
ノイズを発生しない。
つつ走行すると、電流ＩsによりＭＲ素子１１，１２に
発生した熱の一部が磁気テープで放熱される。既に述べ
たように磁気テープとのヘッドタッチの不均一が原因
で、ＭＲ素子１１，１２の温度が絶えず変化する。しか
し、ＭＲ素子１１，１２は同一ヘッドチップ内に隣接し
て配置され、各抵抗値Ｒ1，Ｒ2は温度依存性が等しいこ
とから、（数３）におけるＲ1／（Ｒ1＋Ｒ2）は温度依
存性をもたず、出力電圧Ｖ0も温度依存性をもたない。
したがって、ＭＲ素子１１の出力電圧Ｖ0は、磁気テー
プへの放熱による電圧変化が生ずることはなく、低周波
ノイズを発生しない。
【００２２】以上のように本実施例によれば、ＭＲ素子
１１，１２を同一ヘッドチップ内に設置することによ
り、ＭＲ素子を定電流駆動するための抵抗が不要となる
ため回路部品が削減できる。
１１，１２を同一ヘッドチップ内に設置することによ
り、ＭＲ素子を定電流駆動するための抵抗が不要となる
ため回路部品が削減できる。
【００２３】なおこの実施例では、１チャンネルの磁気
再生装置について説明したが、同一ヘッドチップ内に複
数チャンネルを有する磁気再生装置も考えられる。これ
にはＭＲ素子１１，１２を一組とするＭＲ素子の組み合
わせをチャンネル分用意すればよい。この場合、電源供
給用の端子とアース用端子はヘッドチップ内部でそれぞ
れ全チャンネル共通接続が可能であり、ヘッドチップの
外部端子の数は従来の磁気再生装置と比較してもあまり
増加しない利点がある。
再生装置について説明したが、同一ヘッドチップ内に複
数チャンネルを有する磁気再生装置も考えられる。これ
にはＭＲ素子１１，１２を一組とするＭＲ素子の組み合
わせをチャンネル分用意すればよい。この場合、電源供
給用の端子とアース用端子はヘッドチップ内部でそれぞ
れ全チャンネル共通接続が可能であり、ヘッドチップの
外部端子の数は従来の磁気再生装置と比較してもあまり
増加しない利点がある。
【００２４】次に、本発明の第２の実施例の磁気再生装
置について図面を参照しながら説明する。
置について図面を参照しながら説明する。
【００２５】図４は本発明の第２の実施例の磁気再生装
置の構成を示す説明図である。図４において、ＭＲ素子
１９，２０は同一ヘッドチップ内に隣接してかつ直列に
接続されている。端子２１は電源用の直流電圧が供給さ
れ端子２２は接地されている。また、端子１８はＭＲ素
子１９，２０の接続点であり、再生信号の出力端子であ
る。
置の構成を示す説明図である。図４において、ＭＲ素子
１９，２０は同一ヘッドチップ内に隣接してかつ直列に
接続されている。端子２１は電源用の直流電圧が供給さ
れ端子２２は接地されている。また、端子１８はＭＲ素
子１９，２０の接続点であり、再生信号の出力端子であ
る。
【００２６】ここで、ＭＲ素子１９，２０は、図２のＭ
Ｒ素子１６と同一の機能を有するとともに、磁化容易軸
に対する磁化の角度θはそれぞれ＋４５゜，−４５゜で
あるものとする。これらの角度θは、例えば大きさが等
しく方向が互いに逆の直流バイアス磁界をＭＲ素子１
９，２０に印加することにより得られる。
Ｒ素子１６と同一の機能を有するとともに、磁化容易軸
に対する磁化の角度θはそれぞれ＋４５゜，−４５゜で
あるものとする。これらの角度θは、例えば大きさが等
しく方向が互いに逆の直流バイアス磁界をＭＲ素子１
９，２０に印加することにより得られる。
【００２７】なお、ＭＲ素子１９，２０が直流バイアス
以外は同一の形状および磁気特性を有するものとする
と、図３から明らかなように、振幅が等しく逆位相の磁
気抵抗特性を示す。
以外は同一の形状および磁気特性を有するものとする
と、図３から明らかなように、振幅が等しく逆位相の磁
気抵抗特性を示す。
【００２８】以上のように構成された本実施例の磁気再
生装置について、以下その動作について説明する。ＭＲ
素子１９の場合、直流バイアス磁界が印加された状態下
での抵抗値をＲ、磁気テープ上の信号磁束による抵抗変
化分をｒとすると、磁気テープ走行時のＭＲ素子１９の
抵抗値は（Ｒ＋ｒ）となる。一方、ＭＲ素子２０の抵抗
値は（Ｒ−ｒ）となる。
生装置について、以下その動作について説明する。ＭＲ
素子１９の場合、直流バイアス磁界が印加された状態下
での抵抗値をＲ、磁気テープ上の信号磁束による抵抗変
化分をｒとすると、磁気テープ走行時のＭＲ素子１９の
抵抗値は（Ｒ＋ｒ）となる。一方、ＭＲ素子２０の抵抗
値は（Ｒ−ｒ）となる。
【００２９】したがって、端子２１から供給される直流
電圧をＥ、ＭＲ素子１９，２０に流れる電流をＩs、Ｍ
Ｒ素子１９の出力電圧をＶ0、ＭＲ素子１９の出力電圧
の交流成分をｖとすると、以下に示す（数５），（数
６），（数７）が成立する。
電圧をＥ、ＭＲ素子１９，２０に流れる電流をＩs、Ｍ
Ｒ素子１９の出力電圧をＶ0、ＭＲ素子１９の出力電圧
の交流成分をｖとすると、以下に示す（数５），（数
６），（数７）が成立する。
【００３０】 Ｉs＝Ｅ／｛（Ｒ＋ｒ）＋（Ｒ−ｒ）｝ ＝Ｅ／２Ｒ （数５） Ｖ0＝Ｅ・（Ｒ＋ｒ）／２Ｒ ≒Ｅ・Ｒ／２Ｒ （数６） ｖ＝Ｅ・ｒ／２Ｒ （数７） すなわち、（数６）はＭＲ素子１１の直流動作点を示
し、（数７）は感度を示している。また、（数７）によ
れば、ＭＲ素子１９の出力電圧の交流成分ｖは原理的に
抵抗変化分ｒに比例関係になるため、抵抗値Ｒが抵抗変
化分ｒに対して非常に大きな値でなくても再生信号の直
線性は悪化しない。
し、（数７）は感度を示している。また、（数７）によ
れば、ＭＲ素子１９の出力電圧の交流成分ｖは原理的に
抵抗変化分ｒに比例関係になるため、抵抗値Ｒが抵抗変
化分ｒに対して非常に大きな値でなくても再生信号の直
線性は悪化しない。
【００３１】ここで、磁気テープが再生ヘッドを摺動し
つつ走行すると、電流ＩsによりＭＲ素子１９，２０に
発生した熱の一部が磁気テープで放熱される。既に述べ
たように磁気テープとのヘッドタッチの不均一が原因
で、ＭＲ素子１９，２０の温度が絶えず変化する。しか
しながら、ＭＲ素子１９，２０は同一ヘッドチップ内に
隣接して配置され抵抗の温度依存性が等しいことから、
（数６）のＲ／２Ｒは温度依存性をもたず、出力電圧Ｖ
0も温度依存性をもたない。したがって、ＭＲ素子１９
の出力電圧Ｖ0は、磁気テープとの摺動による電圧変化
が生ずることはなく、低周波ノイズを発生しない。
つつ走行すると、電流ＩsによりＭＲ素子１９，２０に
発生した熱の一部が磁気テープで放熱される。既に述べ
たように磁気テープとのヘッドタッチの不均一が原因
で、ＭＲ素子１９，２０の温度が絶えず変化する。しか
しながら、ＭＲ素子１９，２０は同一ヘッドチップ内に
隣接して配置され抵抗の温度依存性が等しいことから、
（数６）のＲ／２Ｒは温度依存性をもたず、出力電圧Ｖ
0も温度依存性をもたない。したがって、ＭＲ素子１９
の出力電圧Ｖ0は、磁気テープとの摺動による電圧変化
が生ずることはなく、低周波ノイズを発生しない。
【００３２】以上のように第２の実施例によれば、ＭＲ
素子１９，２０の諸特性に対称性をもたせたことによ
り、両ＭＲ素子の発熱，放熱，抵抗値の温度依存性等の
ペアリングが容易であるうえ、原理的にｒ／Ｒの値を大
きくしても直線性が悪化しない。したがって、抵抗値Ｒ
および直流電圧Ｅを下げられる利点がある。
素子１９，２０の諸特性に対称性をもたせたことによ
り、両ＭＲ素子の発熱，放熱，抵抗値の温度依存性等の
ペアリングが容易であるうえ、原理的にｒ／Ｒの値を大
きくしても直線性が悪化しない。したがって、抵抗値Ｒ
および直流電圧Ｅを下げられる利点がある。
【００３３】
【発明の効果】以上のようにこの発明は、同一ヘッドチ
ップ内に隣接して配置されかつ電源とアース間に直列接
続された第１，第２の磁気抵抗素子の接続点から再生信
号を出力するとともに、前記第１の磁気抵抗素子には、
直流バイアス磁界が印加されないかもしくは磁気記録媒
体上の信号に対し最小感度となる第１の直流バイアス磁
界が印加され、前記第２の磁気抵抗素子には前記磁気記
録媒体上の信号に対し最大感度となる第２の直流バイア
ス磁界が印加されることにより、磁気テープへの放熱に
よる温度変化が原因で磁気抵抗素子の抵抗値が変化して
も出力電圧に影響を与えないため、ノイズが発生しない
うえ、ヘッドチップの外部端子の数もあまり増加するこ
となく磁気抵抗素子を定電流駆動するための抵抗が不要
となるため回路が合理化される効果がある。
ップ内に隣接して配置されかつ電源とアース間に直列接
続された第１，第２の磁気抵抗素子の接続点から再生信
号を出力するとともに、前記第１の磁気抵抗素子には、
直流バイアス磁界が印加されないかもしくは磁気記録媒
体上の信号に対し最小感度となる第１の直流バイアス磁
界が印加され、前記第２の磁気抵抗素子には前記磁気記
録媒体上の信号に対し最大感度となる第２の直流バイア
ス磁界が印加されることにより、磁気テープへの放熱に
よる温度変化が原因で磁気抵抗素子の抵抗値が変化して
も出力電圧に影響を与えないため、ノイズが発生しない
うえ、ヘッドチップの外部端子の数もあまり増加するこ
となく磁気抵抗素子を定電流駆動するための抵抗が不要
となるため回路が合理化される効果がある。
【００３４】さらに本発明は、第１の磁気抵抗素子には
第１の直流バイアス磁界の代わりに磁気記録媒体上の信
号に対し第２の磁気抵抗素子とは逆極性かつ最大感度と
なる第３の直流バイアス磁界が印加されることにより、
前述の効果に加え、再生信号の直線性が悪化することな
く低電源電圧による駆動が可能となり消費電力が削減で
きるため、バッテリ駆動時の電池寿命が延長される他、
発熱も同時に減少するので装置の信頼性が向上し磁気抵
抗素子自身から発生する熱雑音も低減できる効果があ
る。
第１の直流バイアス磁界の代わりに磁気記録媒体上の信
号に対し第２の磁気抵抗素子とは逆極性かつ最大感度と
なる第３の直流バイアス磁界が印加されることにより、
前述の効果に加え、再生信号の直線性が悪化することな
く低電源電圧による駆動が可能となり消費電力が削減で
きるため、バッテリ駆動時の電池寿命が延長される他、
発熱も同時に減少するので装置の信頼性が向上し磁気抵
抗素子自身から発生する熱雑音も低減できる効果があ
る。
【図１】本発明の第１の実施例における磁気再生装置の
構成を示す回路図
構成を示す回路図
【図２】同実施例における磁気抵抗素子の磁化の原理を
示す説明図
示す説明図
【図３】同実施例における磁気抵抗素子のバイアス磁界
対電気比抵抗の関係を示す説明図
対電気比抵抗の関係を示す説明図
【図４】本発明の第２の実施例における磁気再生装置の
構成を示す説明図
構成を示す説明図
【図５】従来の磁気再生装置の構成を示す回路図
１１，１２，１６，１９，２０ 磁気抵抗素子 １３，１７，１８，２１，２２ 端子 １４ コンデンサ １５ 再生アンプ
Claims (2)
- 【請求項１】同一ヘッドチップ内に隣接して配置されか
つ電源とアース間に直列接続された第１，第２の磁気抵
抗素子の接続点から再生信号を出力するとともに、 前記第１の磁気抵抗素子には、直流バイアス磁界が印加
されないか、もしくは磁気記録媒体上の信号に対し最小
感度となる第１の直流バイアス磁界が印加され、 前記第２の磁気抵抗素子には、前記磁気記録媒体上の信
号に対し最大感度となる第２の直流バイアス磁界が印加
されてなる磁気再生装置。 - 【請求項２】第１の磁気抵抗素子には、第１の直流バイ
アス磁界の代わりに、磁気記録媒体上の信号に対し第２
の磁気抵抗素子とは逆極性かつ最大感度となる第３の直
流バイアス磁界が印加されてなる請求項１記載の磁気再
生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21896992A JPH0668429A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 磁気再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21896992A JPH0668429A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 磁気再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0668429A true JPH0668429A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16728201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21896992A Pending JPH0668429A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 磁気再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0668429A (ja) |
-
1992
- 1992-08-18 JP JP21896992A patent/JPH0668429A/ja active Pending
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