JPS6125267Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6125267Y2 JPS6125267Y2 JP2086380U JP2086380U JPS6125267Y2 JP S6125267 Y2 JPS6125267 Y2 JP S6125267Y2 JP 2086380 U JP2086380 U JP 2086380U JP 2086380 U JP2086380 U JP 2086380U JP S6125267 Y2 JPS6125267 Y2 JP S6125267Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- lead wires
- lead
- emitting diodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 210000004905 finger nail Anatomy 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Description
【考案の詳細な説明】
本案は製造しやすく信頼性の高い２色発光の発
光ダイオードランプに関する。
光ダイオードランプに関する。
従来、リード線を用いた２色発光の発光ダイオ
ードランプは、第１図に示すようにリード線１０
３の頂部に発光ダイオード１０５，１０６を取り
つけ、金属細線１０８，１０８を用いて配線を行
なつてきた。このようなランプは発光ダイオード
１０５，１０６がお互いに近接しているため透明
樹脂１０９の中に少し光拡散剤を混入しておけば
いずれの発光ダイオードが発光しても均一に明る
くなり、又、発光ダイオード自体が発光色に対し
て透明なガリウム燐（または燐化ガリウム；
GaP）等においては発光ダイオード１０５，１０
６の六面体のうち五面が透明樹脂１０９で覆われ
ているので、高輝度なランプが得られる。しかし
透明樹脂１０９での封止作業中に金属細線１０
８，１０８が断線したり接触不良を起こしたりす
るので生産性が悪い。また発光ダイオード１０
５，１０６はＮ側１５３，１６３が厚く、Ｐ側１
５２，１６２が薄いので、Ｎ側１５３，１６３を
上向に固着すると接着剤１０７がPN接合部１５
１，１６１まで覆い短絡事故を起こしたり、結晶
内で光の吸収等があり、特に緑色発光のものは波
長ずれが生じるため暗い黄色の表示となつてしま
いいずれも不都合となる。このためＮ側を下側に
固着しなければならないが、発光ダイオードを両
わきのリード線に分散させてのせ金属細線１０
８，１０８で共通端子をつくろうとするとリード
線が交叉したり発光ダイオードの位置が別々のリ
ード線１０２，１０２上となつて離れるため表示
面で均一な明るさに光が広がらない等、不都合が
あり、いわゆるＮ−コモン（共通端子は発光ダイ
オードのＮ側）のランプしか作れなかつた。
ードランプは、第１図に示すようにリード線１０
３の頂部に発光ダイオード１０５，１０６を取り
つけ、金属細線１０８，１０８を用いて配線を行
なつてきた。このようなランプは発光ダイオード
１０５，１０６がお互いに近接しているため透明
樹脂１０９の中に少し光拡散剤を混入しておけば
いずれの発光ダイオードが発光しても均一に明る
くなり、又、発光ダイオード自体が発光色に対し
て透明なガリウム燐（または燐化ガリウム；
GaP）等においては発光ダイオード１０５，１０
６の六面体のうち五面が透明樹脂１０９で覆われ
ているので、高輝度なランプが得られる。しかし
透明樹脂１０９での封止作業中に金属細線１０
８，１０８が断線したり接触不良を起こしたりす
るので生産性が悪い。また発光ダイオード１０
５，１０６はＮ側１５３，１６３が厚く、Ｐ側１
５２，１６２が薄いので、Ｎ側１５３，１６３を
上向に固着すると接着剤１０７がPN接合部１５
１，１６１まで覆い短絡事故を起こしたり、結晶
内で光の吸収等があり、特に緑色発光のものは波
長ずれが生じるため暗い黄色の表示となつてしま
いいずれも不都合となる。このためＮ側を下側に
固着しなければならないが、発光ダイオードを両
わきのリード線に分散させてのせ金属細線１０
８，１０８で共通端子をつくろうとするとリード
線が交叉したり発光ダイオードの位置が別々のリ
ード線１０２，１０２上となつて離れるため表示
面で均一な明るさに光が広がらない等、不都合が
あり、いわゆるＮ−コモン（共通端子は発光ダイ
オードのＮ側）のランプしか作れなかつた。
本案はこれらの欠点をなくし、生産性の良いＮ
−コモンでもＰ−コモンでも作れる発光ダイオー
ドランプを提供するもので、以下本案を詳細に説
明する。
−コモンでもＰ−コモンでも作れる発光ダイオー
ドランプを提供するもので、以下本案を詳細に説
明する。
第２図は本案一実施例の発光ダイオードランプ
の説明図で、１は、ばね性を有するリード線２，
２とその間にあるリード線３の３本一組となつて
平面的に略平行配置されたリード線を複数組、接
続線４の一方向に突出してなるリードフレームで
ある。このばね性を有するリード線２，２…は、
先端２１，２１…を爪ではじいても元にもどる程
度のばね性を有することが必要で、例えば断面が
0.5乃至0.7mm角の銅を主体とする角柱にメツキを
施こしたものとか、0.35乃至0.75mm角の鉄を主体
とする角柱に半田メツキを施こしたものがよく、
表示の大きさが１mm以下の点状発光をする微小ラ
ンプにおいて先端で発光ダイオードを挾持するの
に用いられる0.2乃至0.3mm角の銅フレーム等はば
ね性が弱く好ましくない。中央のリード線３，３
…はばね性はなくともよいため、特に先端３１は
肉薄となつており、又面３２，３２が上に向いて
反射器の役目をするつば３３，３３を有してい
る。５，６はガリウム燐（又は燐化ガリウム；
GaP）の赤色および緑色発光ダイオードである。
この発光ダイオードはいずれもPN接合５１，６
１の面がリード線２，３，２の延在方向と平行に
なるよう配置して、約1/3がリード線２，３およ
びリード線３，２の先端部分に挾まれている。そ
して中央のリード線３にはいずれの発光ダイオー
ド５，６もＰ側５２，６２の電極が当接してい
る。７，７，７は銀ペースト等の導電性接着剤
で、発光ダイオード５，６の電極とリード線２，
２，３の先端２１，２１，３１とを電気的に接続
する。導電性接着剤７，７，７のかわりにインジ
ウム等の半田を用いてもよい。
の説明図で、１は、ばね性を有するリード線２，
２とその間にあるリード線３の３本一組となつて
平面的に略平行配置されたリード線を複数組、接
続線４の一方向に突出してなるリードフレームで
ある。このばね性を有するリード線２，２…は、
先端２１，２１…を爪ではじいても元にもどる程
度のばね性を有することが必要で、例えば断面が
0.5乃至0.7mm角の銅を主体とする角柱にメツキを
施こしたものとか、0.35乃至0.75mm角の鉄を主体
とする角柱に半田メツキを施こしたものがよく、
表示の大きさが１mm以下の点状発光をする微小ラ
ンプにおいて先端で発光ダイオードを挾持するの
に用いられる0.2乃至0.3mm角の銅フレーム等はば
ね性が弱く好ましくない。中央のリード線３，３
…はばね性はなくともよいため、特に先端３１は
肉薄となつており、又面３２，３２が上に向いて
反射器の役目をするつば３３，３３を有してい
る。５，６はガリウム燐（又は燐化ガリウム；
GaP）の赤色および緑色発光ダイオードである。
この発光ダイオードはいずれもPN接合５１，６
１の面がリード線２，３，２の延在方向と平行に
なるよう配置して、約1/3がリード線２，３およ
びリード線３，２の先端部分に挾まれている。そ
して中央のリード線３にはいずれの発光ダイオー
ド５，６もＰ側５２，６２の電極が当接してい
る。７，７，７は銀ペースト等の導電性接着剤
で、発光ダイオード５，６の電極とリード線２，
２，３の先端２１，２１，３１とを電気的に接続
する。導電性接着剤７，７，７のかわりにインジ
ウム等の半田を用いてもよい。
本案実施例の発光ダイオードランプは次のよう
な工程で製造される。まずリードフレームのもと
になる板をエツチングあるいは打抜によつて所定
の形状とする。この時リード線各組の先端におけ
る間隔は発光ダイオードの厚みよりせまくしてお
く必要がある。又メツキは必要に応じてリード線
の先端部分２１，２１…，３１，３１…を多層そ
し他は単層にするとか先端部分２１，２１…，３
１，３１…を厚く他は薄くメツキする等してもよ
い。ただ、中央のリード線３のつば３３の面３
２，３２はなるべく光反射率が高くなるように、
メツキ液をかくはんしたりメツキ粒子を小さくし
たりする配慮がある事が好ましい。このようにし
て出来たリードフレームを、抜取り可能なくさび
状の突出部を有する固定台（図示せず）の上にお
き、突出部によつてリード線２，２と中央のリー
ド線３との間を押し広げる。次にリード線２，
３，２の先端側から発光ダイオード５，６を挿入
し、突出部を抜取る。リード線２，２のばね性に
よつて発光ダイオード５，６はしつかりと挾持さ
れるので、このまま導電性接着剤７，７…をリー
ド線の先端２１，２１…，３１，３１…に塗布
し、加熱硬化させる。塗布は、はけでも印刷でも
よい。又、発光ダイオード挿入前に導電性接着剤
を印刷しておいてもよい。一方、前述したように
半田を使うのであれば、リード線の頂部以外に離
型剤を塗布して、発光ダイオードをはさんだのち
半田槽にリード線の先端をつければよい。この場
合、ガリウム燐は粘性が低い半田をはじく性質を
もつので、半田槽に発光ダイオードが入つても製
品の発光状態には影響がない。但し長時間高温に
さらされると半田が電極材料中に拡散して発光ダ
イオードの特性に影響を与えるので、処理時間は
短い方がよい。このあと、リード線の先端（実質
的には発光ダイオード）を通常の方法で樹脂モー
ルドし、ランプとしての外形を整える。樹脂は透
光性で淡白色にするのが好ましく、光散乱剤も多
少入つていた方がよい。次に接続線４を切り離し
て単体の発光ダイオードランプとする。
な工程で製造される。まずリードフレームのもと
になる板をエツチングあるいは打抜によつて所定
の形状とする。この時リード線各組の先端におけ
る間隔は発光ダイオードの厚みよりせまくしてお
く必要がある。又メツキは必要に応じてリード線
の先端部分２１，２１…，３１，３１…を多層そ
し他は単層にするとか先端部分２１，２１…，３
１，３１…を厚く他は薄くメツキする等してもよ
い。ただ、中央のリード線３のつば３３の面３
２，３２はなるべく光反射率が高くなるように、
メツキ液をかくはんしたりメツキ粒子を小さくし
たりする配慮がある事が好ましい。このようにし
て出来たリードフレームを、抜取り可能なくさび
状の突出部を有する固定台（図示せず）の上にお
き、突出部によつてリード線２，２と中央のリー
ド線３との間を押し広げる。次にリード線２，
３，２の先端側から発光ダイオード５，６を挿入
し、突出部を抜取る。リード線２，２のばね性に
よつて発光ダイオード５，６はしつかりと挾持さ
れるので、このまま導電性接着剤７，７…をリー
ド線の先端２１，２１…，３１，３１…に塗布
し、加熱硬化させる。塗布は、はけでも印刷でも
よい。又、発光ダイオード挿入前に導電性接着剤
を印刷しておいてもよい。一方、前述したように
半田を使うのであれば、リード線の頂部以外に離
型剤を塗布して、発光ダイオードをはさんだのち
半田槽にリード線の先端をつければよい。この場
合、ガリウム燐は粘性が低い半田をはじく性質を
もつので、半田槽に発光ダイオードが入つても製
品の発光状態には影響がない。但し長時間高温に
さらされると半田が電極材料中に拡散して発光ダ
イオードの特性に影響を与えるので、処理時間は
短い方がよい。このあと、リード線の先端（実質
的には発光ダイオード）を通常の方法で樹脂モー
ルドし、ランプとしての外形を整える。樹脂は透
光性で淡白色にするのが好ましく、光散乱剤も多
少入つていた方がよい。次に接続線４を切り離し
て単体の発光ダイオードランプとする。
第３図は本案の他の実施例を示す断面図で上述
した工程のうち発光ダイオード５，６の挿入にお
いて、発光ダイオード５，６の位置を規制するた
めリード線２，２の内側に切欠２２，２２を設け
てある。この切欠２２，２２は発光ダイオード
５，６が前述したようにＰ層がうすい（例えばＮ
層が200乃至280μｍのときＰ層は30乃至120μ
ｍ）ので、Ｎ層側に設けるのがよい。尚、切欠の
かわりに突起を設けてもよい。
した工程のうち発光ダイオード５，６の挿入にお
いて、発光ダイオード５，６の位置を規制するた
めリード線２，２の内側に切欠２２，２２を設け
てある。この切欠２２，２２は発光ダイオード
５，６が前述したようにＰ層がうすい（例えばＮ
層が200乃至280μｍのときＰ層は30乃至120μ
ｍ）ので、Ｎ層側に設けるのがよい。尚、切欠の
かわりに突起を設けてもよい。
本案は上述した如く少なくとも両側の２本はば
ね性を有する平面的に略平行配置された３本のリ
ード線と、これらリード線の先端に一部が突出す
るよう挾持された異なる発光色を有する２つの発
光ダイオードと、少なくとも発光ダイオードを覆
う透光性樹脂とを具備しているので、従来のよう
にワイヤ切れ等は起きないし、導電性接着剤を用
いた場合でも、導電性接着剤がリード線の頂部と
発光ダイオードの１面とにまたがつて存在するた
め、はみ出してPN接合を覆い短絡事故を生じる
こてがない上、製造は流れ作業的にスムーズに行
なえるので自動化しやすい。しかも２つの発光ダ
イオードが近接して配置できるためＰコモンにお
いても均一に発光表示でき、又発光ダイオードが
リード線から突出して保持されているので、PN
接合のみならず発光ダイオード表面がかなり露出
しており、明るい表示が得られる。又、実施例で
示したように、中央のリード線３につば３３があ
ると、このつばの面３２，３２が反射器に役目を
するので、より明るくなるし、つばが樹脂にくい
込んでリード線の抜け止めにもなる。
ね性を有する平面的に略平行配置された３本のリ
ード線と、これらリード線の先端に一部が突出す
るよう挾持された異なる発光色を有する２つの発
光ダイオードと、少なくとも発光ダイオードを覆
う透光性樹脂とを具備しているので、従来のよう
にワイヤ切れ等は起きないし、導電性接着剤を用
いた場合でも、導電性接着剤がリード線の頂部と
発光ダイオードの１面とにまたがつて存在するた
め、はみ出してPN接合を覆い短絡事故を生じる
こてがない上、製造は流れ作業的にスムーズに行
なえるので自動化しやすい。しかも２つの発光ダ
イオードが近接して配置できるためＰコモンにお
いても均一に発光表示でき、又発光ダイオードが
リード線から突出して保持されているので、PN
接合のみならず発光ダイオード表面がかなり露出
しており、明るい表示が得られる。又、実施例で
示したように、中央のリード線３につば３３があ
ると、このつばの面３２，３２が反射器に役目を
するので、より明るくなるし、つばが樹脂にくい
込んでリード線の抜け止めにもなる。
第１図は従来の発光ダイオードランプの断面
図、第２図は本案実施例の発光ダイオードランプ
の説明図、第３図は本案の実施例の発光ダイオー
ドランプの断面図である。 ２，２……（ばね性を有する）リード線、３…
…（中央の）リード線、５，６……発光ダイオー
ド、５１，５１……PN接合、５２，６２……
（発光ダイオードの）Ｐ側。
図、第２図は本案実施例の発光ダイオードランプ
の説明図、第３図は本案の実施例の発光ダイオー
ドランプの断面図である。 ２，２……（ばね性を有する）リード線、３…
…（中央の）リード線、５，６……発光ダイオー
ド、５１，５１……PN接合、５２，６２……
（発光ダイオードの）Ｐ側。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 少なくとも両側の２本はばね性を有する平面
的に略平行配置された三本のリード線と、これ
リード線の先端に一部が突出するよう挾持され
た異なる発光色を有する２つの発光ダイオード
と、少なくとも発光ダイオードを覆う透光性樹
脂とを具備した事を特徴とする発光ダイオード
ランプ。 (2) 前記発光ダイオードはガリウム燐発光ダイオ
ードであり、いずれの発光ダイオードも中央の
リード線にはＰ側が当接している事を特徴とす
る前記実用新案登録請求の範囲第１項記載の発
光ダイオードランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2086380U JPS6125267Y2 (ja) | 1980-02-19 | 1980-02-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2086380U JPS6125267Y2 (ja) | 1980-02-19 | 1980-02-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56121275U JPS56121275U (ja) | 1981-09-16 |
| JPS6125267Y2 true JPS6125267Y2 (ja) | 1986-07-29 |
Family
ID=29617045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2086380U Expired JPS6125267Y2 (ja) | 1980-02-19 | 1980-02-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6125267Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0639467Y2 (ja) * | 1989-03-01 | 1994-10-12 | 星和電機株式会社 | Ｌｅｄ表示素子 |
| JP4109756B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2008-07-02 | スタンレー電気株式会社 | 発光ダイオード |
-
1980
- 1980-02-19 JP JP2086380U patent/JPS6125267Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56121275U (ja) | 1981-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4673986B2 (ja) | 表面実装方発光ダイオードの製造方法 | |
| JP4789350B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| CN104078551B (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| CN103579466B (zh) | 发光装置 | |
| JP3813599B2 (ja) | 白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法 | |
| CN101939851B (zh) | 发光组件以及其制造方法 | |
| US7999281B2 (en) | Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device | |
| JP3768864B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JPH11163419A (ja) | 発光装置 | |
| TW448588B (en) | LED lamp of edge emitting type | |
| JPH1098215A (ja) | 発光ダイオード装置 | |
| JP2008098218A (ja) | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH07288341A (ja) | Ｌｅｄディスプレイ | |
| KR100580765B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 | |
| TW201639201A (zh) | 發光模組 | |
| TW200939452A (en) | LED chip package structure applied to a backlight module manufacturing method thereof | |
| JP4003866B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP3172947B2 (ja) | 発光体を用いた照明装置 | |
| JP4039552B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオードの製造方法 | |
| JPH07235624A (ja) | Ｌｅｄランプ | |
| JPS6125267Y2 (ja) | ||
| CN110277378B (zh) | 一种集合基板、发光装置及其制造方法 | |
| JP2010171130A (ja) | ランプおよびランプの製造方法 | |
| JP4632427B2 (ja) | 発光ダイオード組立体の組立方法および発光ダイオード組立体 | |
| JPH0691285B2 (ja) | フルカラー発光装置 |