JPS6125255Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6125255Y2 JPS6125255Y2 JP3082079U JP3082079U JPS6125255Y2 JP S6125255 Y2 JPS6125255 Y2 JP S6125255Y2 JP 3082079 U JP3082079 U JP 3082079U JP 3082079 U JP3082079 U JP 3082079U JP S6125255 Y2 JPS6125255 Y2 JP S6125255Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- resin
- resin material
- heat sink
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
本案は電子部品、主として樹脂モールド形の半
導体装置の改良に関するものである。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to the improvement of electronic components, mainly resin-molded semiconductor devices.
一般にこの種の半導体装置は例えば第1図〜第
3図に示すように、金属部材よりなる放熱板Aに
リード片b1〜b7よりなるリードBを、リード片
b1,b7が放熱板Aの突出部Cによつてかしめ固定
され、かつリード片b2〜b6が放熱板Aの上面に離
隔位置するように配設すると共に、放熱板Aのほ
ぼ中央部に固定された半導体素子Dの電極とリー
ド片b2〜b6とを金属細線Eにて接続し、然る後、
半導体素子Dを含む主要部分を樹脂材Fにてモー
ルド被覆して構成されている。 Generally, in this type of semiconductor device, as shown in FIGS. 1 to 3, for example, leads B made of lead pieces b 1 to b 7 are attached to a heat sink A made of a metal member.
b 1 and b 7 are caulked and fixed by the protruding portion C of the heat sink A, and the lead pieces b 2 to b 6 are arranged so as to be spaced apart from each other on the upper surface of the heat sink A. The electrodes of the semiconductor element D fixed in the center and the lead pieces b 2 to b 6 are connected with a thin metal wire E, and then,
The main portion including the semiconductor element D is molded and covered with a resin material F.
ところで、放熱板Aにおける主要部分の樹脂材
Fによるモールド被覆は例えば第4図に示すよう
に、放熱板Aにおける半導体素子Dの非固定側が
上部金型G1の上部内壁面に密着されるようにリ
ードBを上部金型G1及び下部金型G2にて挾持
し、この状態で、上部金型G1、下部金型G2によ
つて構成されるキヤビテイに樹脂材Fを注入入す
ることによつて行われている。 By the way, the mold coating of the main parts of the heat sink A with the resin material F is done so that the non-fixed side of the semiconductor element D in the heat sink A is in close contact with the upper inner wall surface of the upper mold G1 , as shown in FIG. 4, for example. The lead B is held between the upper mold G1 and the lower mold G2 , and in this state, the resin material F is injected into the cavity formed by the upper mold G1 and the lower mold G2 . It is done by
しかし乍ら、リードBは放熱板A、半導体素子
Dの主要部分を樹脂材Fにてモールド被覆する際
に、上部金型G1、下部金型G2によつて広い面積
に亘つて挾持されるのであるが、リードBの肉厚
がバラツキ易いこともあつて、常にリードBを上
部金型G1、下部金型G2に対して密着した状態に
維持することは困難である。例えば、リードBの
肉厚が小さい方に変動すると、リードBと上部金
型G1、下部金型G2との間には微小な隙間が形成
される。特に、樹脂材がエポキシ樹脂のように流
動性に優れたものにあつてはその隙間が0.02mmも
あれば、かかる隙間よりリードBに沿つて流出し
て第5図に示すように薄膜状の樹脂バリHが形成
される。このバリHは外観を損ない商品性を低下
させるのみならず、リードBに半田処理する際に
も大きな障害となるものである。 However, when the heat dissipation plate A and the main parts of the semiconductor element D are molded and covered with the resin material F, the lead B is held between a wide area by the upper mold G 1 and the lower mold G 2 . However, since the thickness of the lead B tends to vary, it is difficult to always maintain the lead B in close contact with the upper mold G 1 and the lower mold G 2 . For example, when the thickness of the lead B changes to a smaller value, a minute gap is formed between the lead B and the upper mold G 1 and the lower mold G 2 . In particular, if the resin material has excellent fluidity such as epoxy resin, if the gap is as large as 0.02 mm, it will flow out from the gap along lead B and form a thin film as shown in Figure 5. Resin burrs H are formed. This burr H not only spoils the appearance and reduces the marketability, but also becomes a major obstacle when soldering to the lead B.
従つて、従来においてはブラツシ法、サンドブ
ラスト法などを用いて除去されているのである
が、バリ除去の際に、リードBと樹脂材Fとの接
触境界部分に剥離やクラツクが生じたりして耐湿
性が損なわれ易いという欠点がある。 Therefore, in the past, burrs were removed using brushing, sandblasting, etc., but when removing burrs, peeling or cracking occurred at the contact boundary between lead B and resin material F, resulting in moisture resistance. The disadvantage is that the character is easily damaged.
本案はこのような点に鑑み、樹脂材より露呈す
るリード部分に薄膜状の樹脂バリが形成されて
も、簡単な構成によつて商品性を著しく改善しう
る電子部品を提供するもので、以下半導体装置の
実施例について説明する。 In view of these points, the purpose of this project is to provide an electronic component that can significantly improve marketability due to its simple configuration even if a thin resin burr is formed on the lead portion exposed from the resin material. An example of a semiconductor device will be described.
第6図〜第7図において、1は熱伝導性良好な
る金属部材にて構成された放熱板であつて、それ
の上面1aにおける両端部には突出部が形成され
ている。2は複数のリード片21〜27にて構成
されたリードであつて、リード片21,27は放
熱板1の上面1aにおける突出部にかしめ固定さ
れており、リード片22〜26は放熱板1の上面
1aに離隔位置するように配設されている。そし
て、これらリード片21〜27の後述する樹脂材
より露呈する部分には薄膜状の樹脂バリ3が形成
されている。4は樹脂バリ3を含むリード片21
〜27の露出表面上に形成された金属層であつ
て、無電解メツキ法、溶射法、吹付法などによつ
て形成される。そして、この金属層4としてはニ
ツケル、銀などのように半田付け可能な金属にて
形成することが望ましい。5は放熱板1の上面1
aにおける中央部分に半田部材を用いて固定され
た半導体素子(部品本体)である。6はリード2
におけるリード片22〜26と半導体素子5の電
極とに接続された金属細線である。7は放熱板
1、半導体素子5を含む主要部分にモールド被覆
された樹脂材である。 In FIGS. 6 and 7, reference numeral 1 denotes a heat sink made of a metal member with good thermal conductivity, and has protrusions formed at both ends of its upper surface 1a. A lead 2 is composed of a plurality of lead pieces 2 1 to 2 7 , and the lead pieces 2 1 and 2 7 are caulked and fixed to the protrusion on the upper surface 1 a of the heat sink 1 . 2 6 are arranged on the upper surface 1a of the heat sink 1 so as to be spaced apart from each other. Thin film-like resin burrs 3 are formed on the parts of these lead pieces 2 1 to 2 7 that are exposed from a resin material to be described later. 4 is a lead piece 2 1 including a resin burr 3
A metal layer formed on the exposed surface of ~ 27 by electroless plating, thermal spraying, spraying, or the like. The metal layer 4 is preferably formed of a solderable metal such as nickel or silver. 5 is the upper surface 1 of the heat sink 1
This is a semiconductor element (component main body) fixed to the center portion in a using a solder member. 6 is lead 2
These are thin metal wires connected to the lead pieces 2 2 to 2 6 and the electrodes of the semiconductor element 5 . Reference numeral 7 denotes a resin material whose main parts including the heat sink 1 and the semiconductor element 5 are coated with a mold.
このようにリード片21〜27の樹脂材7より
露呈する部分には樹脂モールド後に金属層4が形
成されているので、リード片21〜27の表面に
樹脂バリ3が形成されていても金属層4によつて
被覆されてしまう関係で、樹脂バリ3を除去する
ことなく外観特性を著しく改善できる。 As described above, since the metal layer 4 is formed on the parts of the lead pieces 21 to 27 exposed from the resin material 7 after resin molding, the resin burrs 3 are not formed on the surfaces of the lead pieces 21 to 27 . Even if the resin burr 3 is covered with the metal layer 4, the appearance characteristics can be significantly improved without removing the resin burr 3.
しかも、リード片21〜27における樹脂バリ
3は除去する必要がないので、従来のようにサン
ドブラスト法などによつて除去しない関係で、樹
脂材7のクラツクによる耐湿性の低下を防止でき
る。 Moreover, since the resin burrs 3 on the lead pieces 2 1 to 2 7 do not need to be removed, deterioration in moisture resistance due to cracks in the resin material 7 can be prevented since they are not removed by sandblasting or the like as in the conventional method.
特に、金属層4を半田付け性に優れた金属にて
構成する場合にはリード片21〜27の表面の半
田処理が容易となる上、樹脂バリ3上が金属層4
の他、半田層によつても覆われるので、例えばリ
ード片21〜27の屈曲時における剥離などを防
止できる。 In particular, when the metal layer 4 is made of a metal with excellent solderability, the soldering process on the surfaces of the lead pieces 2 1 to 2 7 becomes easy, and the metal layer 4
In addition, since it is also covered with a solder layer, it is possible to prevent the lead pieces 2 1 to 2 7 from peeling off when they are bent, for example.
尚、本案は何ら上記実施例にのみ制約されるこ
となく、例えば電子部品は半導体装置の他、コン
デンサ、抵抗などにも適用しうるし、金属層は樹
脂バリの形成部分にのみ形成することもできる。
又、半導体装置に適用する場合、放熱板、リード
の形状、本数は適宜に変更できる。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments; for example, the electronic components can be applied to capacitors, resistors, etc. in addition to semiconductor devices, and the metal layer can also be formed only on the portion where the resin burr is formed. .
Furthermore, when applied to a semiconductor device, the shape and number of the heat sink and leads can be changed as appropriate.
以上のように本案によれば、樹脂材より露呈す
るリード部分に薄膜状の樹脂バリが形成されて
も、金属層の形成によつて商品性を著しく改善で
きる。 As described above, according to the present invention, even if a thin resin burr is formed on the lead portion exposed from the resin material, the marketability can be significantly improved by forming the metal layer.
第1図は従来例の要部破断平面図、第2図は第
1図の−断面図、第3図は第1図の−断
面図、第4図は樹脂材によるモールド被覆方法を
説明するための側断面図、第5図は第1図の下面
図、第6図は本案の一実施例を示す要部破断平面
図、第7図は第6図の−断面図である。
図中、2はリード、3は樹脂バリ、4は金属
層、5は部品本体、7は樹脂材である。
Fig. 1 is a broken plan view of the main part of the conventional example, Fig. 2 is a cross-sectional view of Fig. 1, Fig. 3 is a cross-sectional view of Fig. 1, and Fig. 4 explains the mold coating method with resin material. 5 is a bottom view of FIG. 1, FIG. 6 is a cutaway plan view of essential parts showing an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view of FIG. 6. In the figure, 2 is a lead, 3 is a resin burr, 4 is a metal layer, 5 is a component body, and 7 is a resin material.
Claims (1)
む主要部分を樹脂材にてモールド被覆したものに
おいて、上記リードの露出面及び樹脂材より露呈
するリード部分の樹脂バリ上に金属層を形成した
ことを特徴とする電子部品。 In a product that includes a component body and a lead, and the main part including the component body is molded and covered with a resin material, a metal layer is formed on the exposed surface of the lead and the resin burr of the lead portion exposed from the resin material. Electronic components featuring:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3082079U JPS6125255Y2 (en) | 1979-03-09 | 1979-03-09 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3082079U JPS6125255Y2 (en) | 1979-03-09 | 1979-03-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55132958U JPS55132958U (en) | 1980-09-20 |
JPS6125255Y2 true JPS6125255Y2 (en) | 1986-07-29 |
Family
ID=28881196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3082079U Expired JPS6125255Y2 (en) | 1979-03-09 | 1979-03-09 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6125255Y2 (en) |
-
1979
- 1979-03-09 JP JP3082079U patent/JPS6125255Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55132958U (en) | 1980-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6125255Y2 (en) | ||
JPS587645Y2 (en) | semiconductor equipment | |
JPS5849630Y2 (en) | semiconductor equipment | |
JPS607484Y2 (en) | Resin molding equipment for electronic parts | |
JPS598354Y2 (en) | semiconductor equipment | |
JPS62263665A (en) | Lead frame and semiconductor device using thesame | |
JPS5918676Y2 (en) | Resin mold equipment for manufacturing resin mold type semiconductor devices | |
JPS58171838A (en) | Lead frame for semiconductor device | |
JPS5915507Y2 (en) | Semiconductor mounting structure | |
JPH0351977Y2 (en) | ||
JPS6225906Y2 (en) | ||
JPS6361101U (en) | ||
JPS607750A (en) | Insulation type semiconductor device | |
JPS6344991Y2 (en) | ||
JPS5843233Y2 (en) | semiconductor equipment | |
JPH0423330Y2 (en) | ||
JPS5932138Y2 (en) | Resin molding equipment for semiconductor devices | |
JPH0222995Y2 (en) | ||
JPS605224B2 (en) | Packages for integrated circuits | |
JPH02114943U (en) | ||
JPS59192851U (en) | semiconductor equipment | |
JPH0463152U (en) | ||
JPS6426826U (en) | ||
JPS5919364A (en) | Manufacture of semiconductor device and lead frame using in manufacture thereof | |
JPH0878815A (en) | Printed wiring board |