JPS61248604A - バイアス回路 - Google Patents
バイアス回路Info
- Publication number
- JPS61248604A JPS61248604A JP60090327A JP9032785A JPS61248604A JP S61248604 A JPS61248604 A JP S61248604A JP 60090327 A JP60090327 A JP 60090327A JP 9032785 A JP9032785 A JP 9032785A JP S61248604 A JPS61248604 A JP S61248604A
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- JP
- Japan
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- voltage
- capacitor
- circuit
- point
- resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔、産業上の利用分野〕
この発明は、増幅器に動作点を設定し、あるいは帰還回
路に特定の直流レベルを設定するバイアス回路に係り、
特に、バイアス電圧の立ち上がりスピードの高速化に関
する。
路に特定の直流レベルを設定するバイアス回路に係り、
特に、バイアス電圧の立ち上がりスピードの高速化に関
する。
第4図に示すように、バイアス回路は、電源電圧VCC
を分圧抵抗2.4で分圧し、半導体集積回路、で構成さ
れる轡合、その分圧点に形成された端子6に電源電圧v
ccに含まれるノイズやリップル成分を除去するための
コンデンサ8が接続され、抵抗2.40分圧点に発生さ
せた特定の電圧、たとえば、電圧Vcc/2は、低イン
ピーダンス化を図るための増幅利得Gvを持たないバッ
ファ増幅器10を介して出力端子12から取り出され、
図示してない増幅器の入力バイアスや増幅器の帰還回路
の直流レベルを設定する帰還バイアスに供給される。
を分圧抵抗2.4で分圧し、半導体集積回路、で構成さ
れる轡合、その分圧点に形成された端子6に電源電圧v
ccに含まれるノイズやリップル成分を除去するための
コンデンサ8が接続され、抵抗2.40分圧点に発生さ
せた特定の電圧、たとえば、電圧Vcc/2は、低イン
ピーダンス化を図るための増幅利得Gvを持たないバッ
ファ増幅器10を介して出力端子12から取り出され、
図示してない増幅器の入力バイアスや増幅器の帰還回路
の直流レベルを設定する帰還バイアスに供給される。
このようなバイアス回路に付加されているコンデンサ8
に容量の大きなものを用いて抵抗との時定数を大きくす
れば、電源からのノイズやリップル成分の除去比を高く
できるが、その分だけ電源の投入からバイアス電圧出力
の立ち上がりに時間がかかり、定常電圧値への到達が遅
くなる欠点がある。
に容量の大きなものを用いて抵抗との時定数を大きくす
れば、電源からのノイズやリップル成分の除去比を高く
できるが、その分だけ電源の投入からバイアス電圧出力
の立ち上がりに時間がかかり、定常電圧値への到達が遅
くなる欠点がある。
そこで、この発明は、電源からのノイズやリップル成分
の除去比を向上させるとともに、バイアス電圧出力の立
ち上がりを急速化しようとするものである。
の除去比を向上させるとともに、バイアス電圧出力の立
ち上がりを急速化しようとするものである。
すなわち、この発明は、特定の電圧を分圧する分圧抵抗
の接続点にコンデンサを付加してなるバイアス回路にお
いて、前記電圧の印加時に前記コンデンサを急速に充電
するプリチャージ回路を付加したものである。
の接続点にコンデンサを付加してなるバイアス回路にお
いて、前記電圧の印加時に前記コンデンサを急速に充電
するプリチャージ回路を付加したものである。
したがって、この発明は、電源の投入時、コンデンサに
プリチャージ回路によって充電電流を補充し、コンデン
サの充電時間を短縮することによって、バイアス電圧出
力の立ち上がりを速めている。
プリチャージ回路によって充電電流を補充し、コンデン
サの充電時間を短縮することによって、バイアス電圧出
力の立ち上がりを速めている。
したがって、コンデンサの容量を太き(でき、電源から
のノイズおよびリップル成分の除去比を高めることが可
能である。
のノイズおよびリップル成分の除去比を高めることが可
能である。
(実 施 例〕
以下、この発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
第1実施例
第1図はこの発明のバイアス回路の実施例を示し、第4
図に示すバイアス回路と同一部分には同一符号を付しで
ある。
図に示すバイアス回路と同一部分には同一符号を付しで
ある。
第1図に示すように、このバイアス回路には、電源の投
入時、すなわち、電圧VCCの印加時、コンデンサ8を
急速に充電するプリチャージ回路20が付加されている
。このプリチャージ回路20には、ダイオード22を介
在させた分圧抵抗24.26によって分圧回路が構成さ
れている。
入時、すなわち、電圧VCCの印加時、コンデンサ8を
急速に充電するプリチャージ回路20が付加されている
。このプリチャージ回路20には、ダイオード22を介
在させた分圧抵抗24.26によって分圧回路が構成さ
れている。
この実施例の場合、分圧抵抗2.4の抵抗値Rz、Ra
は、電源電圧Vccの中点バイアスを得るため、Rz=
Raに設定されており、分圧抵抗24.26の抵抗値R
za−、’ Rtbも同様に、R24=R26に設定さ
れている。このとき、ダイオード22のカソードにおけ
る分圧点電位は、分産抵抗2.4の分圧点電位に比較し
、定索状態ではダ4オード22の順方向降下VFの17
2の値(V F/2)だけ低い値に設定されている。
は、電源電圧Vccの中点バイアスを得るため、Rz=
Raに設定されており、分圧抵抗24.26の抵抗値R
za−、’ Rtbも同様に、R24=R26に設定さ
れている。このとき、ダイオード22のカソードにおけ
る分圧点電位は、分産抵抗2.4の分圧点電位に比較し
、定索状態ではダ4オード22の順方向降下VFの17
2の値(V F/2)だけ低い値に設定されている。
これら分圧点電位を比較するため、電圧比較器28がダ
イオード22のカッニド側を反転入力端子(−)側にし
て設置され、その比較出力はコンデンサ8に充電電流を
流すためのスイッチング素子としてのトランジスタ30
のベースに加えられている。トランジスタ36のコレク
タ側には、電流制限用抵抗32が挿入され、その導通時
にはコンデンサ8にプリチャージ電流が流れるようにな
っている。
イオード22のカッニド側を反転入力端子(−)側にし
て設置され、その比較出力はコンデンサ8に充電電流を
流すためのスイッチング素子としてのトランジスタ30
のベースに加えられている。トランジスタ36のコレク
タ側には、電流制限用抵抗32が挿入され、その導通時
にはコンデンサ8にプリチャージ電流が流れるようにな
っている。
以上の構成に基づき、その動作を第2図を参照して説明
する。
する。
電源の投入時、0点の電位は瞬時に立ち上がり、一方、
B点の電位はコンデンサ8が未充電であるため、0点の
電位より低(なり、比較器28の出力はL(低電位)レ
ベルとなる。この出力によって、トランジスタ30が導
通し、電源電圧VCCから抵抗32を通じてコンデンサ
8にプリチャージ電流が流れる。
B点の電位はコンデンサ8が未充電であるため、0点の
電位より低(なり、比較器28の出力はL(低電位)レ
ベルとなる。この出力によって、トランジスタ30が導
通し、電源電圧VCCから抵抗32を通じてコンデンサ
8にプリチャージ電流が流れる。
この結果、第2図に示す充電特性Xの区間aのように、
コンデンサ8は急速に充電される。この充電は、B点の
電位V、が、中点電位Vcc/2よリダイオード22の
順方向降下vFの1/2だけ(iいili位vc (
=VCC/2−VF/2)に到達するまで行われる。
コンデンサ8は急速に充電される。この充電は、B点の
電位V、が、中点電位Vcc/2よリダイオード22の
順方向降下vFの1/2だけ(iいili位vc (
=VCC/2−VF/2)に到達するまで行われる。
また、このとき、トランジスタ30の導通によって、抵
抗2に対して抵抗32が並列に接続されることになり、
たとえば、抵抗2の抵抗値をRgs抵抗32の抵抗値を
R3□とし、R2>R3□のとき、Rg’・R3t/
(Rz +R82)<Rstとなり、コンデンサ8の充
電電流をより大きくすることができ、B点の電位v3は
、中点電位Vcc/2よりグイオ−ド22の順方向降下
V、の1/2、すなわちVF/2だけ低い電位■、に速
やかに到達させることができる。
抗2に対して抵抗32が並列に接続されることになり、
たとえば、抵抗2の抵抗値をRgs抵抗32の抵抗値を
R3□とし、R2>R3□のとき、Rg’・R3t/
(Rz +R82)<Rstとなり、コンデンサ8の充
電電流をより大きくすることができ、B点の電位v3は
、中点電位Vcc/2よりグイオ−ド22の順方向降下
V、の1/2、すなわちVF/2だけ低い電位■、に速
やかに到達させることができる。
この結果、比較器28の出力はH(高電位)レベルとな
り、トランジスタ30は非導通状態となり、この時点か
らコンデンサ8の充電は、抵抗2のみを介して行われ、
第2図の充電特性Xの区間すの充電となる。この場合、
コンデンサ8は予めプリチャージされるので、定常電圧
に移行する時間はその分だけ速くなり、プリチャージ回
路20を設置しないで抵抗2のみで充電する場合(第2
図の充電特性Yによる充電電圧vy)に比較し、定常の
バイアス電圧出力に移行する全時間はtPだけ速くなる
。
り、トランジスタ30は非導通状態となり、この時点か
らコンデンサ8の充電は、抵抗2のみを介して行われ、
第2図の充電特性Xの区間すの充電となる。この場合、
コンデンサ8は予めプリチャージされるので、定常電圧
に移行する時間はその分だけ速くなり、プリチャージ回
路20を設置しないで抵抗2のみで充電する場合(第2
図の充電特性Yによる充電電圧vy)に比較し、定常の
バイアス電圧出力に移行する全時間はtPだけ速くなる
。
なお、第2図に示す充電特性Xの区間a、bの電圧をそ
れぞれ■。、■、とすると、これらは、次の通りである
。
れぞれ■。、■、とすると、これらは、次の通りである
。
VXII # R4/ (Ro +Ra ) ・Vc
c ’(1−exp (−t/Co ・Ro ) 1
・・・・ill ■Xb#vy −R4/ (R2+R4) ・vCc・
(1exp (t/Co −Rz ) )・ ・
・ ・(2) ただし、式(1)、(2)において、R4は抵抗4の抵
抗値、C8はコンデンサ8の容量、Roは抵抗2.32
の並列回路の合成抵抗値(=R2・R3!/(Rg +
R3□))である。
c ’(1−exp (−t/Co ・Ro ) 1
・・・・ill ■Xb#vy −R4/ (R2+R4) ・vCc・
(1exp (t/Co −Rz ) )・ ・
・ ・(2) ただし、式(1)、(2)において、R4は抵抗4の抵
抗値、C8はコンデンサ8の容量、Roは抵抗2.32
の並列回路の合成抵抗値(=R2・R3!/(Rg +
R3□))である。
第2実施例
第3図はプリチャージ回路20の具体的な実施例を示し
ており、電圧比較器28はトランジスタ34.36、抵
抗38および定電流源40からなる差動増幅型比較器で
構成され、前記トランジスタ30は、トランジスタ42
.44および抵抗46からなるダーリントン接続回路で
構成されている。第3図において、B、Cは、第2図の
B点、0点に対応する。したがって、このような回路に
よれば、極めて簡単な構成で、バイアス電圧出力の立ち
上がりの急速化が容易に実現される。
ており、電圧比較器28はトランジスタ34.36、抵
抗38および定電流源40からなる差動増幅型比較器で
構成され、前記トランジスタ30は、トランジスタ42
.44および抵抗46からなるダーリントン接続回路で
構成されている。第3図において、B、Cは、第2図の
B点、0点に対応する。したがって、このような回路に
よれば、極めて簡単な構成で、バイアス電圧出力の立ち
上がりの急速化が容易に実現される。
以上説明したように、この発明によれば、電源の投入時
、コンデンサにプリチャージ回路によって充電電流を補
充し、コンデンサの充電時間を短縮してバイアス電圧出
力の立ち上がりを高速化できることにより次のような効
果が得られる。
、コンデンサにプリチャージ回路によって充電電流を補
充し、コンデンサの充電時間を短縮してバイアス電圧出
力の立ち上がりを高速化できることにより次のような効
果が得られる。
ial 電源の投入と同時的に安定したバイアス電圧
出力を得ることができる。
出力を得ることができる。
Tb) プリチャージによって電圧の立ち上がりを速
くすることができるので、コンデンサの容量や分圧抵抗
の抵抗値を大きくすることができ、電源からのノイズお
よびリップル成分の除去比を高めることができる。
くすることができるので、コンデンサの容量や分圧抵抗
の抵抗値を大きくすることができ、電源からのノイズお
よびリップル成分の除去比を高めることができる。
第1図はこの発明のバイアス回路の実施例を示す回路図
、第2図はその充電特性を示すグラフ、第3図はプリチ
ャージ回路の具体的な回路構成を示す回路図、第4図は
従来のバイアス回路を示す回路図である。 2.4.24.26・・・分圧抵抗、8・・・コンデン
サ、20・・・プリチャージ回路、22・・・ダイオー
ド、28・・・電圧比較器、30・・・スイッチング素
子としてのトランジスタ。 第1図 2,4・・・分圧抵抗 8・・・コンデンサ 2o・・・プリチャージ回路 第2図 □↑ 第3図 第4図
、第2図はその充電特性を示すグラフ、第3図はプリチ
ャージ回路の具体的な回路構成を示す回路図、第4図は
従来のバイアス回路を示す回路図である。 2.4.24.26・・・分圧抵抗、8・・・コンデン
サ、20・・・プリチャージ回路、22・・・ダイオー
ド、28・・・電圧比較器、30・・・スイッチング素
子としてのトランジスタ。 第1図 2,4・・・分圧抵抗 8・・・コンデンサ 2o・・・プリチャージ回路 第2図 □↑ 第3図 第4図
Claims (2)
- (1)特定の電圧を分圧する分圧抵抗の接続点にコンデ
ンサを付加してなるバイアス回路において、前記電圧の
印加時に前記コンデンサを急速に充電するプリチャージ
回路を付加したことを特徴とするバイアス回路。 - (2)前記プリチャージ回路は、電圧の印加に応じて瞬
時に立ち上がるとともに前記コンデンサが定常電圧に充
電されたときその充電電圧より一定電圧だけ低い分圧点
を持つ抵抗分圧回路と、この抵抗分圧回路の前記分圧点
の電圧と前記コンデンサの電圧とを比較する比較器と、
コンデンサの充電電圧が前記抵抗分圧回路の前記分圧点
より低いとき前記比較器が発生する比較出力により導通
して前記コンデンサに充電電流を流すスイッチング素子
とから構成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項
に記載のバイアス回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60090327A JPS61248604A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60090327A JPS61248604A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | バイアス回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61248604A true JPS61248604A (ja) | 1986-11-05 |
JPH0562842B2 JPH0562842B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=13995428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60090327A Granted JPS61248604A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | バイアス回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61248604A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007158584A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
US8350785B2 (en) | 2003-09-12 | 2013-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method of the same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4758085B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2011-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5721885A (en) * | 1980-07-15 | 1982-02-04 | Fujitsu Ltd | Method of forming printed board circuit with jumpber wire |
-
1985
- 1985-04-26 JP JP60090327A patent/JPS61248604A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5721885A (en) * | 1980-07-15 | 1982-02-04 | Fujitsu Ltd | Method of forming printed board circuit with jumpber wire |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8350785B2 (en) | 2003-09-12 | 2013-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method of the same |
US9385704B2 (en) | 2003-09-12 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method of the same |
US9825624B2 (en) | 2003-09-12 | 2017-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method of the same |
JP2007158584A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0562842B2 (ja) | 1993-09-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |