JPS61247078A - 半導体リレ− - Google Patents
半導体リレ−Info
- Publication number
- JPS61247078A JPS61247078A JP60088212A JP8821285A JPS61247078A JP S61247078 A JPS61247078 A JP S61247078A JP 60088212 A JP60088212 A JP 60088212A JP 8821285 A JP8821285 A JP 8821285A JP S61247078 A JPS61247078 A JP S61247078A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting element
- light
- terminal
- light emitting
- source
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
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- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 5
- 101150015217 FET4 gene Proteins 0.000 abstract 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は光信号を利用する半導体リレーに関する。
従来の半導体リレーでは、発光素子を直接トランジスタ
、トランジスタｗｉ埋回路で駆動していたので１発光素
子の出す光信号が小さいものとなっておシ、ためにリレ
ーのオン・オフの応答性が慈かった。
、トランジスタｗｉ埋回路で駆動していたので１発光素
子の出す光信号が小さいものとなっておシ、ためにリレ
ーのオン・オフの応答性が慈かった。
この発明は、入力信号の増幅部を設けることにより発光
素子に入る光信号発生のための駆動電流を大きくとり、
リレーの応答時間の高速化を図ることを目的とする。
素子に入る光信号発生のための駆動電流を大きくとり、
リレーの応答時間の高速化を図ることを目的とする。
この発明の要旨とするところは第１図に示される如く発
光素子■と、その発光素子■に接続され、入力電気信号
信号を増幅した増幅信号により前記発光素子〔２〕を駆
動し、発光素子の発光効率を上昇するための外部ｔ＃■
を利用した増幅部■と。
光素子■と、その発光素子■に接続され、入力電気信号
信号を増幅した増幅信号により前記発光素子〔２〕を駆
動し、発光素子の発光効率を上昇するための外部ｔ＃■
を利用した増幅部■と。
前記発光素子〔２〕の光信号を受けて、！完信号に変換
する受光素子■と、その受光素子■の一方の端子にゲー
ト端子が接続され、前記受光素子の他方の端子にソース
電極が接続された電界効果トランジスタ〔４〕を有し、
そのドレイン端子〔６〕、ソース端子〔７〕を出力端子
として前記受光素子■を介して。
する受光素子■と、その受光素子■の一方の端子にゲー
ト端子が接続され、前記受光素子の他方の端子にソース
電極が接続された電界効果トランジスタ〔４〕を有し、
そのドレイン端子〔６〕、ソース端子〔７〕を出力端子
として前記受光素子■を介して。
前記増幅部〔１〕に接続された発光素子■のオン・オフ
により、前記効果トランジスタ〔４〕のドレインとソー
ス出力端子に流れる電流を制御することを特徴とする半
導体リレーである。
により、前記効果トランジスタ〔４〕のドレインとソー
ス出力端子に流れる電流を制御することを特徴とする半
導体リレーである。
第２図に示すのはこの発明による半導体リレーの一実施
例である。
例である。
発光素子〔２〕の陽極に外部電源用端子■が接続され、
陰極はトランジスタ■のコレクタ、エミッタを介して入
力端子０に接続されている。入力端子０はトランジスタ
■のグランド端子〔４〕を兼ねている。このトランジス
タ■は信号入力用の入力端子０にべ−７が接続されると
共にペースとエミッタ間も抵抗０１介して接続されてい
る。
陰極はトランジスタ■のコレクタ、エミッタを介して入
力端子０に接続されている。入力端子０はトランジスタ
■のグランド端子〔４〕を兼ねている。このトランジス
タ■は信号入力用の入力端子０にべ−７が接続されると
共にペースとエミッタ間も抵抗０１介して接続されてい
る。
発光素子■の光信号を電気信号に変換する受光素子■の
一方の端子が電界効果トランジスタ〔４〕のゲートに接
続されると共に他方の端子がソース■に接続されている
。そしてこの電界効果トランジスタ〔４〕のソース■と
ドレイン■がリレーの出力端子となっている。
一方の端子が電界効果トランジスタ〔４〕のゲートに接
続されると共に他方の端子がソース■に接続されている
。そしてこの電界効果トランジスタ〔４〕のソース■と
ドレイン■がリレーの出力端子となっている。
而してこの実施例では、増幅部■をトランジスタカ形成
しておシ、トランジスタ■のペースに与えられる入力信
号は、外部電源からこのトランジスタのコレクタとエミ
ッタ間に流れる電流を増幅する。このようにして増幅さ
れた電流（を黒信号）により発光素子■が発光するので
、それが出す光信号は大きく確実なものとなる。従って
この光信号を受ける受光素子■の出す電気信号は迅速、
確実なものとなり、電界効果トランジスタ〔４〕のドレ
インとソース間の入口の応答性を良好ならしめている。
しておシ、トランジスタ■のペースに与えられる入力信
号は、外部電源からこのトランジスタのコレクタとエミ
ッタ間に流れる電流を増幅する。このようにして増幅さ
れた電流（を黒信号）により発光素子■が発光するので
、それが出す光信号は大きく確実なものとなる。従って
この光信号を受ける受光素子■の出す電気信号は迅速、
確実なものとなり、電界効果トランジスタ〔４〕のドレ
インとソース間の入口の応答性を良好ならしめている。
なお、電界効果トランジスタとしてはノーマリ−オンの
ディプレッジ四ン型を用いて、信号が入ったときのみオ
フするようにして、ノーマリ−オン型のリレーとするこ
ともできるし、ノーマリ−オフのエンハンスメント型を
用いて信号が入ったときのみオフするようＫしてノーマ
リ−オフ型のリレーとすることもできる。この際使用す
る電界効果型トランジスタはＰ型でＮ型でもよく、必要
に応じて受光素子〔２〕の端子の祇続方向を逆にして使
用すればよいのである。
ディプレッジ四ン型を用いて、信号が入ったときのみオ
フするようにして、ノーマリ−オン型のリレーとするこ
ともできるし、ノーマリ−オフのエンハンスメント型を
用いて信号が入ったときのみオフするようＫしてノーマ
リ−オフ型のリレーとすることもできる。この際使用す
る電界効果型トランジスタはＰ型でＮ型でもよく、必要
に応じて受光素子〔２〕の端子の祇続方向を逆にして使
用すればよいのである。
この半導体リレーはｌパッケージＩＣとすることが好ま
しく、半導体リレーを使いやすくすると共にその用途を
拡大する。
しく、半導体リレーを使いやすくすると共にその用途を
拡大する。
〔発明の効果」
以上のようにこの発明による半導体リレーにおいては、
入力信号を増幅部を介して増幅し、発光素子を駆動する
ため発光素子の光信号を大きくできるための結果として
リレーのオン・オフの応答時間を早くできるのでおる。
入力信号を増幅部を介して増幅し、発光素子を駆動する
ため発光素子の光信号を大きくできるための結果として
リレーのオン・オフの応答時間を早くできるのでおる。
第１図は本発明のブロック回路図、第２図は本発明の一
突施例である。 ■・・・増幅部、■・・・発光素子、■・・・受光素子
、■・・・［界効果トランジスタ、■・・・外部電源。
突施例である。 ■・・・増幅部、■・・・発光素子、■・・・受光素子
、■・・・［界効果トランジスタ、■・・・外部電源。
Claims (2)
- （１）発光素子〔２〕と、その発光素子〔２〕に接続さ
れ、入力電気信号を増幅した増幅信号により前記発光素
子〔２〕を駆動し、発光素子の発光効率を上昇するため
の外部電源〔Ｆ〕を利用した増幅部〔１〕と、前記発光
素子〔２〕の光信号を受けて、電気信号に変換する受光
素子〔３〕と、その受光素子〔３〕の一方の端子にゲー
ト端子が接続され、前記受光素子の他方の端子にソース
電極が接続された電界効果トランジスタ〔４〕を有し、
そのドレイン端子〔６〕、ソース端子〔７〕を出力端子
として前記受光素子〔３〕を介して、前記増幅部〔１〕
に接続された発光素子〔２〕のオン・オフにより、前記
電界効果トランジスタ〔４〕のドレインとソース出力端
子に流れる電流を制御することを特徴とする半導体リレ
ー。 - （２）同一のパッケージに形成したことを特徴とする第
１項記載の半導体リレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60088212A JPS61247078A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体リレ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60088212A JPS61247078A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体リレ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61247078A true JPS61247078A (ja) | 1986-11-04 |
Family
ID=13936595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60088212A Pending JPS61247078A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体リレ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61247078A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0350284A2 (en) * | 1988-07-04 | 1990-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | An optically driven semiconductor device |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP60088212A patent/JPS61247078A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0350284A2 (en) * | 1988-07-04 | 1990-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | An optically driven semiconductor device |
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