JPS61245549A - 多層配線構造体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は微細多層配線技術に関し、主として超ＬＳＩな
どの半導体装置の多層配線を対象とする。

〔背景技術〕

超ＬＳＩ化を指向した微細デバイスの開発の進展は著し
いものがあり、論理デバイスにおいては４５万個のトラ
ンジスタを集積した１チツプマイコンが発表されている
。

このようなデバイスにおいては、高集積化の進展ととも
にワンチップ化されるシステムの規模も大きくなってお
り、チップ内で配線の占める面積が著しく増大するため
配線が２層、３層と多層化することが必須となる。（工
業調査会電子材料１９８２年３月Ｐ３８〜４８超ＬＳＩ
用多層配線技術とデバイスへの応用） 配線の多層化とともに上下層で交差する配線間と層間の
絶縁膜にあけられた透孔（スルーホール）を通して接続
する機会が増え、スルーホールの数も増大し、１チツプ
内に万単位で形成されることになり、スルーホール間隔
が接近してくるためその設置場所が問題になってくる。

従来の多層配線構造では第５図に示すように第１層Ａｔ
（アルミニウム）配線１、第２層ＡＬ配線２とを接続す
るためのスルーホール３の形状は四角形とするのが普通
である。しかしこのような四角形のスルーホールが接近
して配置され、特に第５図に示すように四角形の角部が
対向する場合、２つのスルーホール３．４の形成される
同じ平面上の２つの人を配線２，５あるいは１，６が相
互に接触短絡をするおそれがある。

さらに、第６図に示すように斜め方向に配置された２つ
のスルーホール間で他のＡｔ配線７を配設しようとする
場合、他の配線７とスルーホール３．４の形成されるＡ
ｔ配線２，５の角部の距離が近すぎて接触不良や耐圧不
良の原因となる。

このような接触や近接を避けるためには、スルーホール
間隔を充分に大きくとらなければならず、そのために配
線のレイアウトが制約されることになった。

〔発明の目的〕

本発明は上記した問題を克服するためになされたもので
あり、その目的とするところは、スルーホールや配線の
レイアウトの自由度を高め、チップサイズをさらに縮小
化できる多層配線構造を提供することにある。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記のとおりである。

すなわち、基体上に形成された多層配線のうち、上下の
配線が層間の絶縁膜のスルーホールを通して接続される
多層配線構造体において、上記スルーホール及びそれを
含む配線部分の少なくとも他のスルーホールと対向する
側の内角が鈍癲であるような六角形、六角形又は円形に
形成することにより、基体上で隣り合うスルーホール及
び配線部分が接近した位置にあっても配線間の接触、短
絡不良を防止でき、チップ寸法を縮小し得るものである
。

〔実施例〕

第１図乃至第４図は本発明の実施例を示すものであって
、第１図、第２図は、スルーホールを含む配線部分の平
面図である。

第１図に示すようにスルーホール及びそれを含むＡｔ配
線１４を六角形に形成することにより、相互に接近する
位置に配置されたスルーホール１１．１２を含み、同一
平面１０上設置された２つの配線１３．１４の間隔ｄを
充分にとることができる。

第２図はスルーホール１１．１２及びそれを含むｋｔ配
線’１３　、１４を円形に形成した場合の例を示す。

第３図は２つのスルーホール１１，１２とそれを含むＡ
Ａ配線１３．１４の間に他のＡｔ配線１５を設置した場
合の例を示す平面図であり、第４図は第３図におけるＡ
−Ａ視断面図である。

同図において、１６は基体（下地絶縁膜を含む）、１７
．１８は第１層Ａｔ配線、１９はＳｉ　　（シリコン）
酸化物等からなる層間絶縁膜、１３．１４は第１層Ａｔ
配線、１５は他のＡｔ配線、１１゜１２はスルーホール
で上下のＡＡ配線間を接続するためのＡｔが充填されて
いる。□ この例によれば、２つのスルーホールとそれを含むＡｔ
配線の形状を六角形とすることにより、同−平゛面０（
２）上の配線１３．１４間に充分の余裕（ｄｌ）ができ
他のＡｔ配線１５を間に形成することに問題がない。

〔発明の効果〕

以上、実施例で述べた本発明によれば下記の効果が得ら
ねる。

（１）スルーホール及びそれを含む配線部分を六角形と
することにより四角形の場合のような４隅の出張り部分
がなくなり、配線間に余裕ができ、短絡不良を防止でき
る。

（２）スルーホール間隔、配線間隔を縮小することがで
き、したがってチップサイズをより縮小することが可能
となり、配線のレイアウト自由度を向上できる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。　　　　　　　・ たとえば、スルーホール及びそれを含む配線部分の形状
は六角形に限らず、六角形２円形のごとく、少なくとも
同一平面で隣接する他のスルーホ−ル、配線部分に対向
する側が直角でなくて鈍角に角をおとすことにより、前
記と同様の効果が得られる。

〔利用分野〕

本発明は多層配線を有するすべてのＩＣ，ＬＳ□ヶ２．
、、）半導体装置話利□１きお。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の電極形
成技術に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、たとえば配線基板における電極形
成技術などに適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の実施例を示すスルーホール
及びそれを含む配線部分の平面図である。 第３図は本発明の他の一実施例を示すスルーホール及び
配線部分の平面図、 第４図は第３図におけるＡ　−Ａ、視断面図である。 第５図及び第６図はスルーホール及び配線部分の例を示
す平面図である。 １０・・・第２層（上層）Ａｔ配線の形成される平面、
１１．１２・・・スルーホール（内部に充填されるｋＡ
を含む）、１３．１４・・・第２層（上層）Ａｔ配線、
１５・・・他のＡ７．配線、１６・・・基体、１７゜１
８・・・第１層（下層）Ａｔ配線、１９・・・層間絶縁
膜。 代理人　弁理士　　小　川　勝　男′−ゝ・第　　３　
　図 第　　４　　図 第　　５　　図 第　　６　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体上に形成された多層の配線のうち、上下の配線
   が層間の絶縁膜の透孔を通して接続される多層配線構造
   体であって、上記透孔及びそれを含む配線部分の形状は
   その内角の一部又は全部が鈍角であることを特徴とする
   多層配線構造体。 ２、上記透孔及びそれを含む配線部分の形状は八角形で
   ある特許請求の範囲１項に記載の多層配線構造体。 ３、上記透孔及びそれを含む配線部分の形状は円形であ
   る特許請求の範囲１項に記載の多層配線構造体。