JPS61245541A - シリコン酸化膜の製造方法 - Google Patents
シリコン酸化膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS61245541A JPS61245541A JP60087280A JP8728085A JPS61245541A JP S61245541 A JPS61245541 A JP S61245541A JP 60087280 A JP60087280 A JP 60087280A JP 8728085 A JP8728085 A JP 8728085A JP S61245541 A JPS61245541 A JP S61245541A
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- JP
- Japan
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- film
- gas
- psg
- sih4
- stepped portion
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に使用されるシリコン酸化膜(
SL 02膜)の製造方法に関する。
SL 02膜)の製造方法に関する。
この発明は、シランガスと一酸化窒素ガスを反応させる
ことにより、膜質の良いシリコン酸化膜を成長させるよ
うにしたものである。また、この発明は、シランガスと
一酸化窒素ガスとホスフィンガスを反応させることによ
り、膜質の良いリンを含むシリコン酸化膜を成長するよ
うにしたものである。
ことにより、膜質の良いシリコン酸化膜を成長させるよ
うにしたものである。また、この発明は、シランガスと
一酸化窒素ガスとホスフィンガスを反応させることによ
り、膜質の良いリンを含むシリコン酸化膜を成長するよ
うにしたものである。
従来、5102膜およびリン(P)を含むSiO□膜(
PSG膜)は、シランガス(S IH4ガス)と酸素ガ
ス(02ガス)とホスフィンガス(PH3ガス)との反
応によって生成していた。
PSG膜)は、シランガス(S IH4ガス)と酸素ガ
ス(02ガス)とホスフィンガス(PH3ガス)との反
応によって生成していた。
しかし、上記ガスの反応によって生成した5i02膜お
よびPSG膜は、多結晶シリコン(PoIySi)配線
を含む半導体装置の上に積層したとき、段差被覆性が悪
いため、さらにその上を通る配線の段差切れの問題を発
生していた。また、高濃度にPを含むPSG膜の場合、
ウェハ内およびウェハ間の膜厚均一性とP濃度均一性が
良くないため、画処理し平担化を施した(リフロー処理
)後の平担化程度のバラツキが大きいという問題照があ
った。
よびPSG膜は、多結晶シリコン(PoIySi)配線
を含む半導体装置の上に積層したとき、段差被覆性が悪
いため、さらにその上を通る配線の段差切れの問題を発
生していた。また、高濃度にPを含むPSG膜の場合、
ウェハ内およびウェハ間の膜厚均一性とP濃度均一性が
良くないため、画処理し平担化を施した(リフロー処理
)後の平担化程度のバラツキが大きいという問題照があ
った。
上記問題点を解決するためにこの発明は、SiH4カス
と一酸化窒素ガス(Noガス)とPH3ガスの反応によ
って、5IO2膜または、PSG膜を生成する。
と一酸化窒素ガス(Noガス)とPH3ガスの反応によ
って、5IO2膜または、PSG膜を生成する。
上記ガスを用いて生成した5i02膜およびPSG膜は
段差被覆性が良好である。また、6wt%以上のPを含
むPSG膜も容易に成長でき、ウェハ内およびウェハ間
の膜厚均一性とP濃度均一性も良好なため、素子の信頼
度も向上する。
段差被覆性が良好である。また、6wt%以上のPを含
むPSG膜も容易に成長でき、ウェハ内およびウェハ間
の膜厚均一性とP濃度均一性も良好なため、素子の信頼
度も向上する。
以下にこの発明の実施例を図面にもとづいて詳細に説明
する。400℃から900℃の間の温度に保持された減
圧気相成長(減圧cvn)装置の反応管前方より、51
02膜成長の場合には5l)(4ガスとNoガスを、ま
たPSG膜成長の場合には5IH4ガスとNoガスおよ
びPH3ガスを導入し、反応管1内に垂直に配置された
シリコンウェハ2上に5I02膜またはPSG膜を成長
させる。5IH4とNoの反応式は(イ)式、PH3と
Noの反応式は(ロ)式で示される。
する。400℃から900℃の間の温度に保持された減
圧気相成長(減圧cvn)装置の反応管前方より、51
02膜成長の場合には5l)(4ガスとNoガスを、ま
たPSG膜成長の場合には5IH4ガスとNoガスおよ
びPH3ガスを導入し、反応管1内に垂直に配置された
シリコンウェハ2上に5I02膜またはPSG膜を成長
させる。5IH4とNoの反応式は(イ)式、PH3と
Noの反応式は(ロ)式で示される。
S i’ H4+2 N O→S 102 + 2 H
2+ N2 (イ)4PH3+1ONO→2P20
5+6H2+5N2 (ロ)上記のように成長した51
02膜およびPSG膜は、段差被覆性が良好であり、ウ
ェハ内およびウェハ間の膜厚均一性とリン濃度均一性と
も良好である。特に、PH3ガスと5IH4ガスの流量
比を変化させることにより、0〜20wt%のPを含む
PSG膜を生成できる。6 w t%以上のPを含むP
SG膜をPoIySiの配線をしたウェハ上に積層しり
フロー処理を行うことにより・Pa Iy Si配線の
段差部分のPSG膜をリフローし、平担化することがで
きる。
2+ N2 (イ)4PH3+1ONO→2P20
5+6H2+5N2 (ロ)上記のように成長した51
02膜およびPSG膜は、段差被覆性が良好であり、ウ
ェハ内およびウェハ間の膜厚均一性とリン濃度均一性と
も良好である。特に、PH3ガスと5IH4ガスの流量
比を変化させることにより、0〜20wt%のPを含む
PSG膜を生成できる。6 w t%以上のPを含むP
SG膜をPoIySiの配線をしたウェハ上に積層しり
フロー処理を行うことにより・Pa Iy Si配線の
段差部分のPSG膜をリフローし、平担化することがで
きる。
上記の例では減圧CVD装置を使用した場合であるが・
常圧CVDあるいはプラズマCVDあるいは光CVDを
用いてもSiO□膜およびPSG膜を成長できることは
言うまでもない。
常圧CVDあるいはプラズマCVDあるいは光CVDを
用いてもSiO□膜およびPSG膜を成長できることは
言うまでもない。
この発明は以上説明したように、s+H,ガスとNoガ
スとを反応させることにより5i02膜が成長でき、ま
たS+H4ガスとNoガスとPH3ガスとを反応させる
ことによりPSG膜が成長できる。
スとを反応させることにより5i02膜が成長でき、ま
たS+H4ガスとNoガスとPH3ガスとを反応させる
ことによりPSG膜が成長できる。
この5102膜とPSG膜は段差被覆性が良好なため、
段差部の配線段切れを少なくする効果がある。
段差部の配線段切れを少なくする効果がある。
さらに膜厚均一性とP濃度均一性も良好なため・半導体
装置の歩留を向上させる効果がある。
装置の歩留を向上させる効果がある。
図は、本発明で用いられる5102膜およびPSG膜を
成長する減圧CVD装置の模式図である。 1〜反応管 ’ 2〜シリコンウエノ13、4.5〜
バルブ : 6〜ガス配管7〜排気装置 以上
成長する減圧CVD装置の模式図である。 1〜反応管 ’ 2〜シリコンウエノ13、4.5〜
バルブ : 6〜ガス配管7〜排気装置 以上
Claims (2)
- (1)シランガスと一酸化窒素ガスを反応させることに
より、シリコン酸化膜を気相成長することを特徴とする
シリコン酸化膜の製造方法。 - (2)シランガスと一酸化窒素ガスとホスフィンガスを
反応させることにより、リンを含むシリコン酸化膜を気
相成長することを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60087280A JPS61245541A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | シリコン酸化膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60087280A JPS61245541A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | シリコン酸化膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61245541A true JPS61245541A (ja) | 1986-10-31 |
Family
ID=13910372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60087280A Pending JPS61245541A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | シリコン酸化膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61245541A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6096654A (en) * | 1997-09-30 | 2000-08-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Gapfill of semiconductor structure using doped silicate glasses |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49103574A (ja) * | 1973-02-02 | 1974-10-01 | ||
JPS57128038A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-09 | Kokusai Electric Co Ltd | Manufacture of phosphorus silicate glass film |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP60087280A patent/JPS61245541A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49103574A (ja) * | 1973-02-02 | 1974-10-01 | ||
JPS57128038A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-09 | Kokusai Electric Co Ltd | Manufacture of phosphorus silicate glass film |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6096654A (en) * | 1997-09-30 | 2000-08-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Gapfill of semiconductor structure using doped silicate glasses |
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