JPS61245541A - シリコン酸化膜の製造方法 - Google Patents

シリコン酸化膜の製造方法

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JPS61245541A
JPS61245541A JP60087280A JP8728085A JPS61245541A JP S61245541 A JPS61245541 A JP S61245541A JP 60087280 A JP60087280 A JP 60087280A JP 8728085 A JP8728085 A JP 8728085A JP S61245541 A JPS61245541 A JP S61245541A
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JP
Japan
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film
gas
psg
sih4
stepped portion
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Pending
Application number
JP60087280A
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English (en)
Inventor
Takashi Hosaka
俊 保坂
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
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Publication of JPS61245541A publication Critical patent/JPS61245541A/ja
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置に使用されるシリコン酸化膜(
SL 02膜)の製造方法に関する。
〔発明の概要〕
この発明は、シランガスと一酸化窒素ガスを反応させる
ことにより、膜質の良いシリコン酸化膜を成長させるよ
うにしたものである。また、この発明は、シランガスと
一酸化窒素ガスとホスフィンガスを反応させることによ
り、膜質の良いリンを含むシリコン酸化膜を成長するよ
うにしたものである。
〔従来の技術〕
従来、5102膜およびリン(P)を含むSiO□膜(
PSG膜)は、シランガス(S IH4ガス)と酸素ガ
ス(02ガス)とホスフィンガス(PH3ガス)との反
応によって生成していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、上記ガスの反応によって生成した5i02膜お
よびPSG膜は、多結晶シリコン(PoIySi)配線
を含む半導体装置の上に積層したとき、段差被覆性が悪
いため、さらにその上を通る配線の段差切れの問題を発
生していた。また、高濃度にPを含むPSG膜の場合、
ウェハ内およびウェハ間の膜厚均一性とP濃度均一性が
良くないため、画処理し平担化を施した(リフロー処理
)後の平担化程度のバラツキが大きいという問題照があ
った。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するためにこの発明は、SiH4カス
と一酸化窒素ガス(Noガス)とPH3ガスの反応によ
って、5IO2膜または、PSG膜を生成する。
〔作用〕
上記ガスを用いて生成した5i02膜およびPSG膜は
段差被覆性が良好である。また、6wt%以上のPを含
むPSG膜も容易に成長でき、ウェハ内およびウェハ間
の膜厚均一性とP濃度均一性も良好なため、素子の信頼
度も向上する。
〔実施例〕
以下にこの発明の実施例を図面にもとづいて詳細に説明
する。400℃から900℃の間の温度に保持された減
圧気相成長(減圧cvn)装置の反応管前方より、51
02膜成長の場合には5l)(4ガスとNoガスを、ま
たPSG膜成長の場合には5IH4ガスとNoガスおよ
びPH3ガスを導入し、反応管1内に垂直に配置された
シリコンウェハ2上に5I02膜またはPSG膜を成長
させる。5IH4とNoの反応式は(イ)式、PH3と
Noの反応式は(ロ)式で示される。
S i’ H4+2 N O→S 102 + 2 H
2+ N2   (イ)4PH3+1ONO→2P20
5+6H2+5N2 (ロ)上記のように成長した51
02膜およびPSG膜は、段差被覆性が良好であり、ウ
ェハ内およびウェハ間の膜厚均一性とリン濃度均一性と
も良好である。特に、PH3ガスと5IH4ガスの流量
比を変化させることにより、0〜20wt%のPを含む
PSG膜を生成できる。6 w t%以上のPを含むP
SG膜をPoIySiの配線をしたウェハ上に積層しり
フロー処理を行うことにより・Pa Iy Si配線の
段差部分のPSG膜をリフローし、平担化することがで
きる。
上記の例では減圧CVD装置を使用した場合であるが・
常圧CVDあるいはプラズマCVDあるいは光CVDを
用いてもSiO□膜およびPSG膜を成長できることは
言うまでもない。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したように、s+H,ガスとNoガ
スとを反応させることにより5i02膜が成長でき、ま
たS+H4ガスとNoガスとPH3ガスとを反応させる
ことによりPSG膜が成長できる。
この5102膜とPSG膜は段差被覆性が良好なため、
段差部の配線段切れを少なくする効果がある。
さらに膜厚均一性とP濃度均一性も良好なため・半導体
装置の歩留を向上させる効果がある。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明で用いられる5102膜およびPSG膜を
成長する減圧CVD装置の模式図である。 1〜反応管 ’  2〜シリコンウエノ13、4.5〜
 バルブ : 6〜ガス配管7〜排気装置 以上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)シランガスと一酸化窒素ガスを反応させることに
    より、シリコン酸化膜を気相成長することを特徴とする
    シリコン酸化膜の製造方法。
  2. (2)シランガスと一酸化窒素ガスとホスフィンガスを
    反応させることにより、リンを含むシリコン酸化膜を気
    相成長することを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法
JP60087280A 1985-04-23 1985-04-23 シリコン酸化膜の製造方法 Pending JPS61245541A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6096654A (en) * 1997-09-30 2000-08-01 Siemens Aktiengesellschaft Gapfill of semiconductor structure using doped silicate glasses

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49103574A (ja) * 1973-02-02 1974-10-01
JPS57128038A (en) * 1981-02-02 1982-08-09 Kokusai Electric Co Ltd Manufacture of phosphorus silicate glass film

Patent Citations (2)

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