JPS61245541A - シリコン酸化膜の製造方法 - Google Patents

シリコン酸化膜の製造方法

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JPS61245541A
JPS61245541A JP60087280A JP8728085A JPS61245541A JP S61245541 A JPS61245541 A JP S61245541A JP 60087280 A JP60087280 A JP 60087280A JP 8728085 A JP8728085 A JP 8728085A JP S61245541 A JPS61245541 A JP S61245541A
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JP
Japan
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film
gas
psg
sih4
stepped portion
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Pending
Application number
JP60087280A
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English (en)
Inventor
Takashi Hosaka
俊 保坂
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
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Publication of JPS61245541A publication Critical patent/JPS61245541A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置に使用されるシリコン酸化膜（
ＳＬ　０２膜）の製造方法に関する。
〔発明の概要〕
この発明は、シランガスと一酸化窒素ガスを反応させる
ことにより、膜質の良いシリコン酸化膜を成長させるよ
うにしたものである。また、この発明は、シランガスと
一酸化窒素ガスとホスフィンガスを反応させることによ
り、膜質の良いリンを含むシリコン酸化膜を成長するよ
うにしたものである。
〔従来の技術〕
従来、５１０２膜およびリン（Ｐ）を含むＳｉＯ□膜（
ＰＳＧ膜）は、シランガス（Ｓ　ＩＨ４ガス）と酸素ガ
ス（０２ガス）とホスフィンガス（ＰＨ３ガス）との反
応によって生成していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、上記ガスの反応によって生成した５ｉ０２膜お
よびＰＳＧ膜は、多結晶シリコン（ＰｏＩｙＳｉ）配線
を含む半導体装置の上に積層したとき、段差被覆性が悪
いため、さらにその上を通る配線の段差切れの問題を発
生していた。また、高濃度にＰを含むＰＳＧ膜の場合、
ウェハ内およびウェハ間の膜厚均一性とＰ濃度均一性が
良くないため、画処理し平担化を施した（リフロー処理
）後の平担化程度のバラツキが大きいという問題照があ
った。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するためにこの発明は、ＳｉＨ４カス
と一酸化窒素ガス（Ｎｏガス）とＰＨ３ガスの反応によ
って、５ＩＯ２膜または、ＰＳＧ膜を生成する。
〔作用〕
上記ガスを用いて生成した５ｉ０２膜およびＰＳＧ膜は
段差被覆性が良好である。また、６ｗｔ％以上のＰを含
むＰＳＧ膜も容易に成長でき、ウェハ内およびウェハ間
の膜厚均一性とＰ濃度均一性も良好なため、素子の信頼
度も向上する。
〔実施例〕
以下にこの発明の実施例を図面にもとづいて詳細に説明
する。４００℃から９００℃の間の温度に保持された減
圧気相成長（減圧ｃｖｎ）装置の反応管前方より、５１
０２膜成長の場合には５ｌ）（４ガスとＮｏガスを、ま
たＰＳＧ膜成長の場合には５ＩＨ４ガスとＮｏガスおよ
びＰＨ３ガスを導入し、反応管１内に垂直に配置された
シリコンウェハ２上に５Ｉ０２膜またはＰＳＧ膜を成長
させる。５ＩＨ４とＮｏの反応式は（イ）式、ＰＨ３と
Ｎｏの反応式は（ロ）式で示される。
Ｓ　ｉ’　Ｈ４＋２　Ｎ　Ｏ→Ｓ　１０２　＋　２　Ｈ
２＋　Ｎ２　　　（イ）４ＰＨ３＋１ＯＮＯ→２Ｐ２０
５＋６Ｈ２＋５Ｎ２　（ロ）上記のように成長した５１
０２膜およびＰＳＧ膜は、段差被覆性が良好であり、ウ
ェハ内およびウェハ間の膜厚均一性とリン濃度均一性と
も良好である。特に、ＰＨ３ガスと５ＩＨ４ガスの流量
比を変化させることにより、０〜２０ｗｔ％のＰを含む
ＰＳＧ膜を生成できる。６　ｗ　ｔ％以上のＰを含むＰ
ＳＧ膜をＰｏＩｙＳｉの配線をしたウェハ上に積層しり
フロー処理を行うことにより・Ｐａ　Ｉｙ　Ｓｉ配線の
段差部分のＰＳＧ膜をリフローし、平担化することがで
きる。
上記の例では減圧ＣＶＤ装置を使用した場合であるが・
常圧ＣＶＤあるいはプラズマＣＶＤあるいは光ＣＶＤを
用いてもＳｉＯ□膜およびＰＳＧ膜を成長できることは
言うまでもない。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したように、ｓ＋Ｈ，ガスとＮｏガ
スとを反応させることにより５ｉ０２膜が成長でき、ま
たＳ＋Ｈ４ガスとＮｏガスとＰＨ３ガスとを反応させる
ことによりＰＳＧ膜が成長できる。
この５１０２膜とＰＳＧ膜は段差被覆性が良好なため、
段差部の配線段切れを少なくする効果がある。
さらに膜厚均一性とＰ濃度均一性も良好なため・半導体
装置の歩留を向上させる効果がある。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明で用いられる５１０２膜およびＰＳＧ膜を
成長する減圧ＣＶＤ装置の模式図である。 １〜反応管　’　　２〜シリコンウエノ１３、４．５〜
　バルブ　：　６〜ガス配管７〜排気装置 以上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）シランガスと一酸化窒素ガスを反応させることに
    より、シリコン酸化膜を気相成長することを特徴とする
    シリコン酸化膜の製造方法。
  2. （２）シランガスと一酸化窒素ガスとホスフィンガスを
    反応させることにより、リンを含むシリコン酸化膜を気
    相成長することを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法
    。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6096654A (en) * 1997-09-30 2000-08-01 Siemens Aktiengesellschaft Gapfill of semiconductor structure using doped silicate glasses

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49103574A (ja) * 1973-02-02 1974-10-01
JPS57128038A (en) * 1981-02-02 1982-08-09 Kokusai Electric Co Ltd Manufacture of phosphorus silicate glass film

Patent Citations (2)

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