JPS61238756A - カルボン酸ジエステルまたはカルボン酸の製造方法 - Google Patents

カルボン酸ジエステルまたはカルボン酸の製造方法

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JPS61238756A
JPS61238756A JP61082448A JP8244886A JPS61238756A JP S61238756 A JPS61238756 A JP S61238756A JP 61082448 A JP61082448 A JP 61082448A JP 8244886 A JP8244886 A JP 8244886A JP S61238756 A JPS61238756 A JP S61238756A
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ン酸の製造方法に関する。
2つの共役炭素−炭素二重結合を有するオレフィン型不
飽和化合物を一酸化炭素およびアルコ−/’ ト’A 
触カル&ニル化シてカルボン酸エステルにしうろことは
知られている。しかし知られている方法は工業的規模で
の使用をあまシ魅力的でないものにする種々の欠点を有
する。
/,3−ブタジエンと一酸化炭素およびアルコールまた
は水をパラジウム触媒の存在下に反応させることによる
カルボン酸エステルまたはカルボン酸の製造方法は米国
特許第3,J−0/.j/♂号明細書に記載されている
。ノJ?ラジウム触媒は(a)パラジウム金属またはノ
臂うジウムカルコrニド、(b)有機ホスフィン例えば
トリアリールホスフィンおよび(c)酸例えば塩化水素
を結合することにより製造される。パラジウム金属また
はパラジウムカルコグニドは反応混合物中に分散された
固相として存在する。この特許明細書の例/!は、非常
に高い圧力の一酸化炭素が使用されたこと、および/,
3−ブタジエンから出発してカルボン酸ジエステルカ生
成しなかったことを示している。
米国特許第3l≠37.1.76号明細書によれば、/
,3−ブタジエンを一酸化炭素およびアルコールまたは
水と、式一PdXn(ここでLは有機ホスフィンである
ことができ、Xはクロライドであることができ、mは/
ないし≠の整数でめりnは/または2でありそしてm+
nはコないし乙である)を有するl?ラジウム触媒の存
在下に反応させることができる。しかし、適用された圧
力は非常に高い:/,3ーブタジエンのカルボニル化に
関するλつの例において707パール。更に、両方の二
重結合のカルがニル化は観察されなかった二例乙3にお
いて反応混合物はモノカルボン酸を唯一の反応生成物と
して含有した。
英国特許第1,/10.4tO!r号明細書は、共役ジ
エンを一酸化炭素およびアルコールと、パラジウム、有
機ホスフィンおよびハライドイオンを含む触媒の存在下
に反応させることによるカルボン酸エステルの製造方法
を記載している。反応混合物と、例えばその中にトルエ
ンスルホン酸を存在させることにより、若干酸性化する
のが好ましい。
例3/によれば、/,3−ブタジエンはジョードビス(
トリブチルホスフィン)−ノ臂ラジウム(II)およU
p−トルエンスルホ/酸の存在下に3−−eンテン酸メ
チル、2−メチルゲルタール酸ジメチルおよびエチルコ
ハク酸ジメチルの混合物に転化されるが、この転化は1
0/3バールという非常に高い圧力で実施された。
欧州特許出願第O10乙37り号はオレフィン型不飽和
化合物を一酸化炭素で、水、アルコールおよび/または
カルボン酸、ノやラジウム触媒、パラジウムのグラム原
子当シ少なくとも5モルのホスフィンPR’R2R3(
ここでR1、R2およびR3はそれぞれ場合により置換
されていてもよいアリール基を表わす)およびハロダン
化水素酸とカルボン酸を除(pKaが2より小さい酸の
存在下にカルボニル化する方法を記載している。出願人
はこの公知方法では2つの共役炭素−炭素二重結合を有
するオレフィン型不飽和化合物は、たとえされるとして
も、殆んど転化されないことを見出した。
ここに意外にも、λつの共役炭素−炭素二重結合を有す
るオレフィン型不飽和化合物のカルボニル化において、
反応を以下により厳密に定義する触媒系の存在下に実施
することにより、比較的低い一酸化炭素分圧でカルボン
酸ジエステルの高収率を得ることができることが見出さ
れた。
従って本発明は2つの共役炭素−炭素二重結合を有する
オレフィン型不飽和化合物と一酸化炭素およびアルコー
ルまたは水を、非プロトン性溶媒および &)二価ノ臂ラジウム化合物、 b)一般式 %式% (式中R1、R2およびR3は各々個々に、場合により
/またはそれ以上の電子求引性(electron −
withdrawing )置換基で置換されていても
よいアリール基を表わす) の有機ホスフィン(二価/4ラジウムのグラム原子当シ
少なくともjグラム原子の三価燐が触媒系中に存在する
)、および C)触媒系中に存在する三価燐の原子当シ少なくとも1
モルの塩化水素、 を結合することによりi造された溶解された触媒系の存
在下に反応させることを含むカルボン酸ジエステルまた
はジカルがン酸の製造方法を提供する。
2つの共役炭素−炭素二重結合を有するオレフィン型不
飽和化合物は分子当シ好ましくは弘ないし30特に≠な
いし、20個の炭素原子を有する非置換または置換され
たアルカジエンまたはシクロアルカジエンであることが
できる。アルカジエンまたはシクロアルカジエンは例え
ば/またはそれ以上のハロダン原子またはシアノ、エス
テル、アルコキりカルボキシまたはアリール基で置換さ
れていることができる。置換基が反応条件下で不活性で
ないなら、カルボニル化反応は他の反応を伴ないうる。
適当なオレフィン型不飽和化合物の例は1,3−アルカ
ジエン例えば1,3−テトラデカジエンおよび八3−へ
キサデカジエンである。他の例はへ3−ブタジェニルシ
クロへキサン、t−クロロ−1,3−ペンタジェン、1
,3−へキサジエン、乙−クロロー1,3−へキサジエ
ン、3.!−ペンタジェニルベンゼンおよび≠−(2,
1IL−ブタジェニル)トルエンである。非常に良好な
結果が1,3−ブタジエンで得られておりこれは通常高
い選択率で定量的にカルがン酸ジエステルに転化される
。百分率で表わした酸化合物への選択率は(ここでaは
その酸化合物に転化されたオレフィン型不飽和化合物の
量であり、bは転化されたオレフィン型不飽和化合物の
全量である)として定義される。
1,3−ブタジエンはアジピン酸ジメチル、2−メチル
ゲルタール酸ジメチルおよび2−エチルコハク酸ジメチ
ルに部分転化される。カルがン酸ゾエステルが一段階で
生成することは本発明による方法の利点である。アジピ
ン酸ジメチルは容易にアジピン酸に転化され得、これは
繊維またはエンジニアリンググラスチツクスの製造にお
ける出発物質である。ニーメチルゲルタール酸ジメチル
および2−エチルコハク酸ジメチルは表面活性エステル
混合物(ドイツ公告公報第、2..!/7.3j≠号)
および医薬生成物(米国特許第≠、10夕、7どりおよ
び≠、/341.137号明細書)の製造に使用しうる
。2−メチルゲルタール酸ジメチルは賦香剤(米国特許
第≠、/乙f、210号明細書)およびエポキシ樹脂硬
化剤(欧州特許出願第g’l 、 0177号)の製造
に使用しうる。残部の1,3−ブタジエンは3−−2ン
テン酸メチルに転化される。このモノエステルは反応混
合物から単離してカルボン酸ジエステルへの転化のため
の第2カル?ニル化工程にかけることができる。
本発明による方法を、一般式■のホスフィン中の7,2
または3個のアリール基をアルキルまたはシクロアルキ
ル基で置きかえることによって、またはp−アルコキシ
基(c−p結合に関してパラ)またはジアルキルアミノ
基のような電子供与置換基を担う/またはそれ以上のア
リール基と使用することによって改変すると、出発オレ
フィン型不飽和化合物の低転化率およびカルボン酸ジエ
ステル−あるとしても−への低選択率を生ずる。
アリール基R1、R2およびR3の各々は好ましくは/
ど個より多くない、特に乙−/4’個の炭素原子を含む
。適当なり 1 、R2およびR3基の例はナフチル基
および特にフェニル基である。
アリール基R1、R2およびR3上の電子求引置換基の
存在は通常カルボン酸ジエステルへのより高い選択性を
許容する。電子求引性置換基の例は塩素および弗素原子
およびニトロ、トリフ・ロメチル、m−アルコキシおよ
びm−アリーロキシ基(c−p結合に関しメタ)であり
、“ノ為口”はヨード、ブロモ、クロロまたはフルオロ
を表わす。良好な結果がトリフルオロ基で得られた。他
の例はモノノーロメチルおよびジハロメチル基である。
本発明の好ましい態様によれば、一般式8式% (式中R’ IR5,R6およびR7は各々個々に、場
合により/またはそれ以上の電子求引置換基で置換され
ていてもよいアリール基を表わし、そしてQはユつの燐
原子の間に直鎖で/ないし6個の炭素原子を有するアル
キレン基を表わす) の有機ホスフィンをも触媒系と組合せた場合に、出発オ
レフィン型不飽和化合物の同じ転化率で、1つのカルゲ
ニル基が1,l/L−位に配置されたカルがン酸ジエス
テルへのかなシ高い選択率が得られる。このようにして
へ3−ブタジエンがアジピン酸ジメチルに高い選択率で
転化されうる。この効果は非常に驚くべきである。何故
ならば、一般式■の有機ホスフィンが唯一の有機ホスフ
ィンとして存在する場合にはカルブニル化は起るとして
も非常に僅かだからである。好ましくはR、R、Rおよ
びRはすべて等しくそして特にフェニル基と表わす。ア
ルキレン基Qは好ましくは該直鎖中にコないし6個の炭
素原子を有し、そしてより好ましくはコないし6個のメ
チレン基から成る。非常に良好な結果がへ≠−ジ(ジフ
ェニルホスフィノ)ブタンで得られた。
本方法を、ノ等ラジウムのグラム原子当シjグラム原子
より少ない三価燐(式■のホスフィンも存在する場合に
は、式■および■のホスフィンの合計に基いて計算して
)を使用することにより改変すると、出発オレフィン型
不飽和化合物の転化率ハ低く、カルボン酸ジエステルへ
の選択率は高いことが見出された。適当には、二価パラ
ジウムのグラム原子当シ/30グラム原子より多くない
、そして通常jOグラム原子より多くない三価燐が使用
される。
塩化水素と、 a)弗化水素に置替えると、出発オレフィン型不飽和化
合物の転化が全く起らず、 b)沃化水素またはp−トルエンスルホン酸に置替える
と、出発オレフィン型不飽和化合物の転化率は極端に低
く、 C)臭化水素に置替えると、出発化合物の転化率は低い
、 ことも見出された。
本方法を、触媒系中に存在する三価燐の原子当り1モル
より少ない塩化水素を使用することにより改変すると、
カルボン酸ジエステルの生成が低下する。好ましくは、
触媒系中に存在する三価燐のグラム原子当り70モルよ
り多くない塩化水素が使用されるが、しかし所望ならこ
の比は/Qより高くても、例えばjOまででもよい。
本発明による方法で使用されるアルコールは脂肪族、脂
環式または芳香族でもよく、そして出発物質として使用
されるオレフィン型不飽和化合物に関して前述したよう
な置換基の/またはそれ以上で置換されていてもよい。
アルコールは従ってフェノールであってもよい。アルコ
ールは好ましくは分子当り20より多くない炭素原子を
含む。
適当なアルコールの例はメタノール、エタノール、グロ
パノール、コープロノぐノール、ブタノール、インブタ
ノール、第3ブチルアルコール、2−エチルヘキサノー
ル、n−デカノール、ステアリルアルコール、ベンジル
アルコ・−ル、シクロヘキサノ−/l1,71J 、Q
/アルコール、クロロカクリルアルコール、エチレング
リコール、1,、2−プロパンジオール、1,≠−ブタ
ンジオール、グリセリン、ポリエチレンクリコール、へ
乙−ヘキサンジオール、フェノール、クレゾールおよび
キシレノールである。分子歯り1ないし70個の炭素原
子を有するアルカノールが特に好ましい。非常に良好な
結果がメタノールで得られた。アルコールが分子歯シ/
より多い水酸基を有するなら、反応体間に存在するモル
比に依って異なるカルボン酸ジエステルが生成しうる。
例えば、使用するオレフィン型不飽和化合物の量に依っ
て、グリセリンからグリセリン七ノエステルかまたはグ
リセリンジエステルが生成しうる。反応混合物中の水の
存在はジカルボン酸の生成を許容する。アルコールと水
の混合物?使用してもよく、その場合にはカルボン酸ジ
エステルとジカルボン酸の混合物が生ずる。
適当な二価パラジウム化合物はツクラジウムと例えば塩
化水素、硝酸、硫酸または分子歯シ/2より多くない炭
素原子を有するアルカン酸との塩である。好ましく使用
される触媒は酢酸パラジウムである。パラジウム錯体例
えば・卆ラジウムアセチルアセトネートまたはビスート
リフェニルホスフィ/パラノクムテルフエートを使用し
てもよい。
パラジウム触媒の量は臨界的でない。オレフィン型不飽
和化合物のモル当D 10−”ないし10−1グラム原
子パラジウムの範囲の量を使用するのが好ましい。
本発明による方法において一酸化炭素は純粋のままでま
たは窒素、貴ガスまたは二酸化炭素のような不活性ガス
で希釈して使用しうる。一般に70容6%より多い水素
の存在は望ましくない。
というのは反応粂件下でそれはオレフィン型化合物の水
素化を起しうるからである。一般に!容量10少ない水
素を含む一酸化炭素含有ガスまたは一酸化炭素を使用す
るのが好ましい。
本方法は50℃ないし200℃の範囲の温度で実施する
のが好ましい。全圧は好ましくは/ないし100、%に
20ないし7jパールである。
オレフィン型不飽和化合物のアルコールに対するモル比
は臨界的でない。水酸基とオレフィン凰二重結合のモル
比は例えば0./:/ないし10:/であることができ
る;各炭素−炭素二重結合に対し/当量の最小量分使用
するのが好ましい。
本発明による方法は非プロトン性溶媒の存在下で実施さ
れる;非プロトン性溶媒をプロトン性溶媒例えばメタノ
ールで置替えると出発オレフィン型不飽和化合物の転化
率は非常に小さいことが見出すれた。エーテル特にアニ
ソール1.2.!;、1− トリオキサノナン(ジグリ
ムとも云う)およびジフェニルエーテルで良好な結果が
得られた。適当なエーテルの他の例はジイソグロビルエ
ーテルである。芳香族炭化水素特にトルエンでも良好な
結果が得られた;他の例はベンゼンおよびキシレンであ
る。適当な非プロトン性溶媒の他の例はスルホキシド例
えばジメチルスルホキシド、およびスルホン%Ltばジ
イソグロビルスルホンおよびテトラヒドロチオフェン1
,/−ゾオキシド(スルホランとも云う)である。カル
?ニル化反応の反応生成物も溶媒として使用しうる。
本発明による方法はパッチ式、連続式または半連続式に
実施しうる。
本発明を以下の例により更に説明する。
例/−72および比較実験A−Kを次のように実施した
2!Od電磁攪拌ハステロイCオートクレーブ(ハステ
ロイは商標)にメタノール(#)+aA’)および溶媒
(≠0m1)を入れた。次にへ3−ブタジエンを液中に
容積が/θゴだけ増大するまで通した。しかる後、酢酸
パラジウム(/ミリモル)、ホスフィンおよび酸を添加
した。後の表はどの溶媒、ホスフィンおよび酸を使用し
たか、およびホスフインオよび酸の量を示す。オートク
レーフラー酸化炭素でフラッシュし、そして表に示した
値の分圧に達する迄−酸化炭素で加圧し、密封しそして
表に示した温度に加熱した。!時間の反応時間後オート
クレーブの゛内容物を気液クロマトグラフィにより分析
した。1,3−ブタジエンの転化率および3−−1′ン
テン酸メチルおよび分子当シ乙個の炭素原子を有するア
ルカン酸のメチルエステルへの選択率を表に示す。この
表は分子当シ乙個の炭素原子を有するアルカン酸のメチ
ルエステル中のアジピン酸ジメチルのモルチをも示す。
比較実験A、B、CおよびEはp−トルエンスルホン酸
、沃化水素および弗化水素の存在がジカルボニル化を生
じないことを示す。
比較実験りは臭化水素の存在が非常に少ないジカル&ニ
ル化を生ずることを示す。
ホスフィンのパラジウムに対するモル比+を使用した例
/と、この比が3であった比較実験Fとの比較は、例/
におけるより多いアジピン酸ジメの比較は、例コにおけ
るより多いジカルボニル化を示す。
例コ、3および≠はそれぞれジグリム、アニソールおよ
びジフェニルエーテルが良好な溶媒であることを示す。
比較実験Hは溶媒としてのメタノール中での無反応と示
す。
比較実験■はジエチルフェニルホスフィンの存在下での
無ジカルテニル化ヲ示ス。
比較実験Jはフェニル基上に電子供与置換基を有するホ
スフィンの存在下での無ノカルゴニル化を示す。
例乙と3の比較はアニソールおよびフェニル基上の塩素
置換基の存在下での若干多いシカルア/ニル化およびア
ジピン酸ジメチルへの選択率を示す。
例7と≠の比較はジフェニルエーテルおよびフェニル基
上の塩素置換基の存在下でのより多いジカルボニル化を
示す。
例よとどの比較はフェニル基上の弗素置換基の存在が塩
素置換基の存在よりも多いジカルコニル化を生ずること
を示す。
例りと3の比較はトリフルオロメチル基の存在が、より
少ないアジピン酸ジメチルの生成でより多いジカルボニ
ル化を与えることを示す。
例10と//の比較はトリ(m−メトキシフェニル)ホ
スフィ/と組合せた1,l/l−ノ(ジフェニルホスフ
ィノ)ブタンの存在がアジピン酸ジメチルへのかなシ高
い選択率を生ずることを示す。例7.2は前者のホスフ
ィンをトリ(m−クロロフェニル)ホスフィンと組合せ
ることによっても非常に良好な結果が得られることと示
す。
比較実験には唯一のホスフィンとしての1,IIL−ジ
(ジフェニルホスフィノ)ブタンの存在下では反応が起
らないことを示す。
例/3 1,3−ブタジエンを1,3−シクロヘキサジエン(/
θM)に置替えることによりおよび/ 30℃の代りに
/3夕℃の温度を使用することにより例/を改変した。
1,3−シクロヘキサジエンの転化率はタタチ、そして
シクロヘキセンモノカルボン酸およびシクロヘキサンジ
カルボン酸への選択率はそれぞれ2乙チおよび711.
%であった。

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)2つの共役炭素−炭素二重結合を有するオレフィ
    ン型不飽和化合物と一酸化炭素およびアルコールまたは
    水を、非プロトン性溶媒およびa)二価パラジウム化合
    物、 b)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中R^1、R^2およびR^3は各々個々に、場合
    により1またはそれ以上の電子求引性(electro
    n−withdrawing)置換基で置換されていて
    もよいアリール基を表わす) の有機ホスフィン(二価パラジウムのグラム原子当り少
    なくとも5グラム原子の三価燐が触媒系中に存在する)
    、および c)触媒系中に存在する三価燐の原子当り少なくとも1
    モルの塩化水素、 を結合することにより製造された溶解された触媒系の存
    在下に反応させることを含むカルボン酸ジエステルまた
    はジカルボン酸の製造方法。
  2. (2)R^1、R^2およびR^3で表わされるアリー
    ル基がフェニル基である特許請求の範囲第1項記載の方
    法。
  3. (3)フェニル基が塩素または弗素原子またはトリフル
    オロメチルまたはメトキシ基で置換され、該メトキシ基
    はC−P結合に関しメタ位置にある特許請求の範囲第2
    項記載の方法。
  4. (4)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中R^4、R^5、R^6およびR^7は各々個々
    に、場合により1またはそれ以上の電子求引置換基で置
    換されていてもよいアリール基を表わし、そしてQは2
    つの燐原子の間に直鎖で1ないし6個の炭素原子を有す
    るアルキレン基を表わす) の有機ホスフィンをも触媒系と組合せる特許請求の範囲
    第1ないし3項のいずれか記載の方法。
  5. (5)R^4、R^5、R^6およびR^7が各々フェ
    ニル基を表わす特許請求の範囲第4項記載の方法。
  6. (6)式II中のQが該直鎖中に2ないし6個の炭素原子
    を有する特許請求の範囲第4または5項記載の方法。
  7. (7)1,4−ジ(ジフェニルホスフィノ)ブタンが触
    媒系と組合される特許請求の範囲第6項記載の方法。
  8. (8)二価パラジウムのグラム原子当り150グラム原
    子より多くない三価燐が使用される特許請求の範囲第1
    ないし7項のいずれか記載の方法。
  9. (9)触媒系中に存在する三価燐のグラム原子当り10
    モルより多くない塩化水素が使用される特許請求の範囲
    第1ないし8項のいずれか記載の方法。
  10. (10)10ないし100バールの範囲の一酸化炭素の
    圧力で実施される特許請求の範囲第1ないし9項のいず
    れか記載の方法。
  11. (11)50℃ないし200℃の範囲の温度で実施され
    る特許請求の範囲第1ないし10項のいずれか記載の方
    法。
  12. (12)2個の共役炭素−炭素二重結合を有するオレフ
    ィン型不飽和化合物が分子当り30個までの炭素原子を
    有する場合により置換されていてもよいアルカジエンで
    ある特許請求の範囲第1ないし11項のいずれか記載の
    方法。
  13. (13)オレフィン型不飽和化合物が1,3−ブタジエ
    ンである特許請求の範囲第12項記載の方法。
  14. (14)アルコールが分子当り20個より多くない炭素
    原子を有する特許請求の範囲第1ないし13項のいずれ
    か記載の方法。
  15. (15)アルコールが分子当り1ないし10個の炭素原
    子を有するアルカノールである特許請求の範囲第14項
    記載の方法。
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