JPS612386A - プリント回路基板の製造方法 - Google Patents
プリント回路基板の製造方法Info
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- JPS612386A JPS612386A JP12174984A JP12174984A JPS612386A JP S612386 A JPS612386 A JP S612386A JP 12174984 A JP12174984 A JP 12174984A JP 12174984 A JP12174984 A JP 12174984A JP S612386 A JPS612386 A JP S612386A
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- JP
- Japan
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- copper
- ions
- circuit board
- printed circuit
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は化学銅めっきを用いてスルーホールを形成する
プリント回路基板の製造方法に係り特に量産性に優れた
プリント回路基板の製造方法に関する。
プリント回路基板の製造方法に係り特に量産性に優れた
プリント回路基板の製造方法に関する。
従来、プリント回路板の製造方法の一つに、回路パター
ンをエツチングにより、スルーホールを化学銅めっきに
より形成する方法がある。
ンをエツチングにより、スルーホールを化学銅めっきに
より形成する方法がある。
この方法は特開昭57−71199に示されるようなも
のであり、製造工程が簡単で、かつ均一な厚さの銅が形
成できるため、高密度基板を容易に製造できるのが特徴
である。しかしこの方法では電気絶縁性の高い回路板を
得るために、第2図に示すような活性剤保護インク5を
用いて、レジスト塗膜4上に化学鋼めっきが析出するの
を防ぐ必要があった。したがって、活性剤保護インクを
塗布する工程、活性化後に保護インク5を除去する工程
が経済的な負担であるとともに、保護インク5の位置合
せ精度が厳しく要求されるために、高精度な回路板に適
した製造方法ではなかった。また特公昭44−1966
1および特公昭57−4116に示されるように、プリ
ント板の製造に際し、回路部以外に設ける電気絶縁材料
に銅が析出しにくい性質を付与するか、インヒビターを
添加し、活性化触媒の付着を防止する方法も知られてい
るが、この様な方法はプリント板の製造方法ごとにその
最適な材料8組成。
のであり、製造工程が簡単で、かつ均一な厚さの銅が形
成できるため、高密度基板を容易に製造できるのが特徴
である。しかしこの方法では電気絶縁性の高い回路板を
得るために、第2図に示すような活性剤保護インク5を
用いて、レジスト塗膜4上に化学鋼めっきが析出するの
を防ぐ必要があった。したがって、活性剤保護インクを
塗布する工程、活性化後に保護インク5を除去する工程
が経済的な負担であるとともに、保護インク5の位置合
せ精度が厳しく要求されるために、高精度な回路板に適
した製造方法ではなかった。また特公昭44−1966
1および特公昭57−4116に示されるように、プリ
ント板の製造に際し、回路部以外に設ける電気絶縁材料
に銅が析出しにくい性質を付与するか、インヒビターを
添加し、活性化触媒の付着を防止する方法も知られてい
るが、この様な方法はプリント板の製造方法ごとにその
最適な材料8組成。
条件を求めなければならないこと。さらに表面欠陥が関
与する化学銅めっきの異常な析出に対しては十分な方法
ではなかった。
与する化学銅めっきの異常な析出に対しては十分な方法
ではなかった。
また、保護インクを用いない方法として、特開昭48−
8063に示される製造法が提案されている。この方法
では、第3図に示すように触媒6により活性化した基板
上にレジスト4を塗布するため、回路間に触媒6が残留
して絶縁劣化をまねきやすいので、高信頼度の基板を製
造する方法になり得なかった。この他にも従来のレジス
トでは、銅箔との密着性が不足しているため、高温(7
0℃)強アルカリ(PH12)の化学銅めっき液に10
〜20時間浸漬すると、レジストの剥離が生じ、基板の
高信頼度を確保することが困難であった。
8063に示される製造法が提案されている。この方法
では、第3図に示すように触媒6により活性化した基板
上にレジスト4を塗布するため、回路間に触媒6が残留
して絶縁劣化をまねきやすいので、高信頼度の基板を製
造する方法になり得なかった。この他にも従来のレジス
トでは、銅箔との密着性が不足しているため、高温(7
0℃)強アルカリ(PH12)の化学銅めっき液に10
〜20時間浸漬すると、レジストの剥離が生じ、基板の
高信頼度を確保することが困難であった。
一方、従来の化学銅めっき液から得られる銅めっき皮膜
は、強度、伸び等の機械的性質が十分でない。従って、
部品のハンダ付けに際しての熱衝撃、くり返し熱応力な
どでスルーホールの導体が破断する問題が生じやすい。
は、強度、伸び等の機械的性質が十分でない。従って、
部品のハンダ付けに際しての熱衝撃、くり返し熱応力な
どでスルーホールの導体が破断する問題が生じやすい。
以上のように、従来の方法では、信頼度の高いプリント
回路基板の量産性が十分でなく、高い歩留りで製品を得
ることが困難であった。
回路基板の量産性が十分でなく、高い歩留りで製品を得
ることが困難であった。
本発明は上述した従来技術の欠点をなくし、量産性が極
めて優れ、かつ高信頼度を有するプリント回路基板の製
造方法を提供することにある、 〔発明の概要〕 本発明では上記の目的を達成するため、1例として、次
のような製造法を用いる。すなわち第1図に示すように
銅張り積層板に穴あけしスルーホール3を形成した後、
全面を触媒6で活性化する。次で、常法により基板に感
光性エツチングレジストフィルムをラネートし、露光。
めて優れ、かつ高信頼度を有するプリント回路基板の製
造方法を提供することにある、 〔発明の概要〕 本発明では上記の目的を達成するため、1例として、次
のような製造法を用いる。すなわち第1図に示すように
銅張り積層板に穴あけしスルーホール3を形成した後、
全面を触媒6で活性化する。次で、常法により基板に感
光性エツチングレジストフィルムをラネートし、露光。
現象、エツチング、剥離の工程により基板上にランド及
び回路2を形成する。パターン形成には穴内にエツチン
グ液が侵入しない、所謂テンテング法を用いる。この工
程で回路間には触媒の残留を全くなくすることができ、
高い絶縁耐圧を有する回路板を容易に製造できる。
び回路2を形成する。パターン形成には穴内にエツチン
グ液が侵入しない、所謂テンテング法を用いる。この工
程で回路間には触媒の残留を全くなくすることができ、
高い絶縁耐圧を有する回路板を容易に製造できる。
一方エッチングレジストとしては、上記の他に、液状の
感光性レジストを用いてスルーホール内に薄くコーテン
グして触媒を保護する方法。
感光性レジストを用いてスルーホール内に薄くコーテン
グして触媒を保護する方法。
並びに通常の液状のエツチングレジストを用いアルカリ
性のエツチング液により触媒の脱落を保護する方法など
がある。
性のエツチング液により触媒の脱落を保護する方法など
がある。
次に、銅箔との密着性に優れ、高温(70℃)強アルカ
リ性(PH12)の化学銅めっき液に10〜20時間浸
積しても剥離を生じない耐めっきンルダレジスト4をめ
っき所望部以外にコーテングする。
リ性(PH12)の化学銅めっき液に10〜20時間浸
積しても剥離を生じない耐めっきンルダレジスト4をめ
っき所望部以外にコーテングする。
このレジストは、次の厚付は化学鋼めっきの工程で苛酷
な化学銅めっき条件に耐え、かつ製品として使用する際
、はんだ浸漬に耐えることが必要である。この様な目的
に合う耐めっきソルダレジストについて種々検討を行な
い、以下に述べるエポキシ樹脂組成物を見出し用いるも
のである。
な化学銅めっき条件に耐え、かつ製品として使用する際
、はんだ浸漬に耐えることが必要である。この様な目的
に合う耐めっきソルダレジストについて種々検討を行な
い、以下に述べるエポキシ樹脂組成物を見出し用いるも
のである。
上記の目的のための、本発明のエポキシ樹脂組成物の特
徴とするところは、(α)エポキシド化合物と、(h)
1−0− ) IJルビグアニド変性物を含有してな
ることにある。前記の(b) 1−0− )リルビグア
ニド変性物とじイ、1−0−トリルビグアニドとジエボ
キシド化合物との付加反応物、または、1−0−)リル
ピグアニドと多官能エポキシド化合物との付加反応物は
好ましいものである。なお、本発明のエポキシ樹脂組成
物は、さらに、(C,’を充てん材、(d)揺変剤、(
g)有機溶剤、および必要に応じて、(7)着色剤、(
S)消泡剤を含有することができるものである。
徴とするところは、(α)エポキシド化合物と、(h)
1−0− ) IJルビグアニド変性物を含有してな
ることにある。前記の(b) 1−0− )リルビグア
ニド変性物とじイ、1−0−トリルビグアニドとジエボ
キシド化合物との付加反応物、または、1−0−)リル
ピグアニドと多官能エポキシド化合物との付加反応物は
好ましいものである。なお、本発明のエポキシ樹脂組成
物は、さらに、(C,’を充てん材、(d)揺変剤、(
g)有機溶剤、および必要に応じて、(7)着色剤、(
S)消泡剤を含有することができるものである。
本発明で用いる上記(αンのエポキシド化合物としては
、平均して1分子当り2個以上のエポキシ基を有する化
合物で、例えばビスフェノールAハロゲン化ビスフェノ
ールA1力f :I−ル。
、平均して1分子当り2個以上のエポキシ基を有する化
合物で、例えばビスフェノールAハロゲン化ビスフェノ
ールA1力f :I−ル。
レゾルシノールなどのような多価フェノールまたはグリ
セリンのような多価アルコールとエピクロルヒドリンと
を塩基性触媒の存在下で反応させて得られるポリグリシ
ジルエーテルあるいはポリグリシジルエーテル、ノボラ
ックWフェノール樹脂とエピクロルヒドリンとを縮合せ
しめて得られるエボキシノボラノク、過酸化法でエポキ
シ化したエポキシ化ポリオレフィン、エポキシ化ポリブ
タジェン、ジシクロペンタジェン化オキサイド、あるい
はエポキシ化植物油などである。
セリンのような多価アルコールとエピクロルヒドリンと
を塩基性触媒の存在下で反応させて得られるポリグリシ
ジルエーテルあるいはポリグリシジルエーテル、ノボラ
ックWフェノール樹脂とエピクロルヒドリンとを縮合せ
しめて得られるエボキシノボラノク、過酸化法でエポキ
シ化したエポキシ化ポリオレフィン、エポキシ化ポリブ
タジェン、ジシクロペンタジェン化オキサイド、あるい
はエポキシ化植物油などである。
本発明で用いる上記(b)の1−o−トリルビグアニド
変性物としては、1−o−トリルビグアニドと、ジエボ
キシド化合物または多官能エポキシド化合物との付加反
応物で、下記の一般式%式% エポキシド化合物であり、具体的には前記(α)のエポ
キシド化合物と同じである。
変性物としては、1−o−トリルビグアニドと、ジエボ
キシド化合物または多官能エポキシド化合物との付加反
応物で、下記の一般式%式% エポキシド化合物であり、具体的には前記(α)のエポ
キシド化合物と同じである。
R3は
C’E。
R2とRsは−H又は−CH8,nはO−9,mは1〜
10などである。
10などである。
1−o−トリルビグアニド変性物は、1−0−トリルビ
グアニドと適量のエポキシド化合物およびループチルセ
ルソルブ等の有機溶剤を混合攪拌し、80℃、90分間
加熱することにより得られる。
グアニドと適量のエポキシド化合物およびループチルセ
ルソルブ等の有機溶剤を混合攪拌し、80℃、90分間
加熱することにより得られる。
1−o−トリルビグアニド変性物で、エポキシド化合物
を硬化させると耐薬品性(例えば、耐めっき液性、耐熱
性、接着性(例えは、配線板の基材および導体との接着
性)が著しく向上する〇 一方、1−0− ) IJルビグアニド変性物は液状で
、取り扱い易く、また分子中に反応性の大きな−jVE
t基を含まないため、混合後の可使用時間が著しく長く
なる特徴を有する。さらに、スクリーン印刷後の加熱硬
化時に生じるレジストインクのにじみは皆無となる。
を硬化させると耐薬品性(例えば、耐めっき液性、耐熱
性、接着性(例えは、配線板の基材および導体との接着
性)が著しく向上する〇 一方、1−0− ) IJルビグアニド変性物は液状で
、取り扱い易く、また分子中に反応性の大きな−jVE
t基を含まないため、混合後の可使用時間が著しく長く
なる特徴を有する。さらに、スクリーン印刷後の加熱硬
化時に生じるレジストインクのにじみは皆無となる。
なお、エポキシド化合物に対する1−o−トリルビグア
ニドの添加量は、エポキシ基と反応する活性水素より求
め、0.5〜20当量が好まし℃・、 本発明で用いる前記(C′)の充てん材には、タルク、
マイカ、アルミナ、硫酸バリウム、5i02゜Tie、
などの無機質の微粉末がある。このような微粉末は、前
記(σ)のエポキシド化合物100重量部に対し、3〜
40の重量部添加することが好ましい。40重址剖より
多く加えると塗膜形成能が無く、3重量部より少ないと
特性向−トの効果が期待できない、充てん材の粒子径は
、10μm以下のものが望ましい。そして、充てん材は
レジストの印刷性向−ヒと、1−o−トリルビグアニド
変性物が奏する接着性および耐めっき液性をさらに向上
きせる役目をする。
ニドの添加量は、エポキシ基と反応する活性水素より求
め、0.5〜20当量が好まし℃・、 本発明で用いる前記(C′)の充てん材には、タルク、
マイカ、アルミナ、硫酸バリウム、5i02゜Tie、
などの無機質の微粉末がある。このような微粉末は、前
記(σ)のエポキシド化合物100重量部に対し、3〜
40の重量部添加することが好ましい。40重址剖より
多く加えると塗膜形成能が無く、3重量部より少ないと
特性向−トの効果が期待できない、充てん材の粒子径は
、10μm以下のものが望ましい。そして、充てん材は
レジストの印刷性向−ヒと、1−o−トリルビグアニド
変性物が奏する接着性および耐めっき液性をさらに向上
きせる役目をする。
本発明における前記(Ct)の揺変剤は、レジストイン
クの印刷性を向上させるために用いる。
クの印刷性を向上させるために用いる。
揺変剤としては、5i02などの無機質の超微粉末を適
宜添加して、印刷性良好なレジストインクのテクノトロ
ピー指数[(B型粘度計で回転数1 rpmで測定した
粘度)/(回転数10Orpmア測定した粘度)〕5〜
40を得る。
宜添加して、印刷性良好なレジストインクのテクノトロ
ピー指数[(B型粘度計で回転数1 rpmで測定した
粘度)/(回転数10Orpmア測定した粘度)〕5〜
40を得る。
本発明で用いる前記<1)の有機溶剤としては、エポキ
シド化合物、および1−o−トリルビグアニド変性物を
溶解し、かつインクの一般的な性状を考慮すると、揮発
性の小さい沸点が約100℃以上のものが使い易い、例
えは、L−ブチルアルコール、n−ブチルアルコール、
メチルインブチルカルピトール、シクロヘキサノール、
ループロピルアセテ−)、 n−ブチルアセテート、t
−ブチルアセテート、渡−ブチルアセテート、アミルア
セテート、メチルアミルアセテート、エチルラクテート
、ブチルラクテート、メチルオキシトールアセテート、
オキシトールアセテート、ブチルオキシトールアセテー
ト、メチルオキシトール、オキシトール、ブチルオキシ
トール、メチルジオキシトール、ジオキシトール、ブチ
ルジオキシトール、メチルループロピルケトン、メチル
ループチルケトン、メチル−1so−ブチルケトン、ジ
インブチルケトン、シクロヘキサノン、イソフォロン、
ジアセテートアルコール、ニトロメタン、ニトロエタン
、エチルセルンルブ、ブチルセルソルブ、ジブチルセル
ソルブ、などがある。
シド化合物、および1−o−トリルビグアニド変性物を
溶解し、かつインクの一般的な性状を考慮すると、揮発
性の小さい沸点が約100℃以上のものが使い易い、例
えは、L−ブチルアルコール、n−ブチルアルコール、
メチルインブチルカルピトール、シクロヘキサノール、
ループロピルアセテ−)、 n−ブチルアセテート、t
−ブチルアセテート、渡−ブチルアセテート、アミルア
セテート、メチルアミルアセテート、エチルラクテート
、ブチルラクテート、メチルオキシトールアセテート、
オキシトールアセテート、ブチルオキシトールアセテー
ト、メチルオキシトール、オキシトール、ブチルオキシ
トール、メチルジオキシトール、ジオキシトール、ブチ
ルジオキシトール、メチルループロピルケトン、メチル
ループチルケトン、メチル−1so−ブチルケトン、ジ
インブチルケトン、シクロヘキサノン、イソフォロン、
ジアセテートアルコール、ニトロメタン、ニトロエタン
、エチルセルンルブ、ブチルセルソルブ、ジブチルセル
ソルブ、などがある。
本発明においては、レジストインクの印刷性を考慮し、
インクの粘度を800〜10,000ポアズ(20℃B
型粘度計1rPrrL)にし得る有機溶剤量を添加する
。
インクの粘度を800〜10,000ポアズ(20℃B
型粘度計1rPrrL)にし得る有機溶剤量を添加する
。
本発明においては、前記の<(L) 、 (b) 、
(C) 、 @) 。
(C) 、 @) 。
(g)に記載の成分の外に、(7)着色剤、(y)消泡
剤を必要に応じて、単独ないし併用して添加することが
できる、 (I)M色剤としては、例えば、フタロシアニンブルー
、フタロシーアニングリーンなどの顔料がある。
剤を必要に応じて、単独ないし併用して添加することが
できる、 (I)M色剤としては、例えば、フタロシアニンブルー
、フタロシーアニングリーンなどの顔料がある。
0)消泡剤は、レジストインク印刷時に巻き込む気泡を
除去するために、エポキシド化合物100重量部に対し
て02〜8重量部添加する。消泡剤としては、シリコー
ンオイルなどを用いる。
除去するために、エポキシド化合物100重量部に対し
て02〜8重量部添加する。消泡剤としては、シリコー
ンオイルなどを用いる。
以上のエポキシ樹脂組成物、いわゆるレジストインク成
分(α) 、 (C) 、 (e) 、 (7) 、
(y)を、らいかい機で混練し、三本ロールで練り土け
、適量の1−0− ) +フルビグアニド変成物および
有機溶剤を加え、粘度およびチクソトロピー指数を調整
する。
分(α) 、 (C) 、 (e) 、 (7) 、
(y)を、らいかい機で混練し、三本ロールで練り土け
、適量の1−0− ) +フルビグアニド変成物および
有機溶剤を加え、粘度およびチクソトロピー指数を調整
する。
上記組成物は、一般的なスクリーン印刷法により基板上
に印刷塗布することが出来る、これを硬化したものは、
所望の耐めっき液性、はんだ耐熱性を確保できるもので
ある。
に印刷塗布することが出来る、これを硬化したものは、
所望の耐めっき液性、はんだ耐熱性を確保できるもので
ある。
次でレジストを塗布した基板を所定の化学銅めっき液に
浸漬し、厚付は化学銅めっきでスルーホール接属7を形
成する。この工程の前に活性化触媒の脱落を防ぐため、
ロッシェル塩タイプの室温めっき浴を用いて薄<(01
〜2μm程度)銅めっきを処ずのも経済的に好ましい。
浸漬し、厚付は化学銅めっきでスルーホール接属7を形
成する。この工程の前に活性化触媒の脱落を防ぐため、
ロッシェル塩タイプの室温めっき浴を用いて薄<(01
〜2μm程度)銅めっきを処ずのも経済的に好ましい。
この様なめっき液の一例として、ジノブレー社カパラシ
ド328 A 、 C、/ の6液温合型化学銅めっき
を挙けることができる。先の厚付は化学銅めっきは20
〜35μm程度の金属銅を連続的に析出させる必要があ
る。スルーホール銅の接続信頼性を十分に確保するため
に、めっき皮膜の機械的性質が優れ、かつ銅の異常析出
が起りにくい液寿命の長い化学銅めっき液について種々
検討した結果、以下に述べる化学銅めっき液を見出し用
いるものである。
ド328 A 、 C、/ の6液温合型化学銅めっき
を挙けることができる。先の厚付は化学銅めっきは20
〜35μm程度の金属銅を連続的に析出させる必要があ
る。スルーホール銅の接続信頼性を十分に確保するため
に、めっき皮膜の機械的性質が優れ、かつ銅の異常析出
が起りにくい液寿命の長い化学銅めっき液について種々
検討した結果、以下に述べる化学銅めっき液を見出し用
いるものである。
上記の目的のための、本発明の化学銅めっき液の特徴と
するところは、銅(II)イオン、銅(II)イオンの
錯化剤、銅(II)イオンの還元剤、アルカリ金属の水
酸化物、ポリオキシエチレン界面活性剤、銅<1)イオ
ンの錯化剤を含んでなる化学鋼めっき液において4B族
元素の無機化合物もしくは該無機化合物と陽イオン活面
活性剤を添加することにあり、工業薬品を用いても、化
学銅めっきで析出した金属銅の強度、伸びを著しく向上
して、常に50梅/−以上、6チ以上の特性が安定に得
られ、かつ、銅の異常析出が起りにくい。
するところは、銅(II)イオン、銅(II)イオンの
錯化剤、銅(II)イオンの還元剤、アルカリ金属の水
酸化物、ポリオキシエチレン界面活性剤、銅<1)イオ
ンの錯化剤を含んでなる化学鋼めっき液において4B族
元素の無機化合物もしくは該無機化合物と陽イオン活面
活性剤を添加することにあり、工業薬品を用いても、化
学銅めっきで析出した金属銅の強度、伸びを著しく向上
して、常に50梅/−以上、6チ以上の特性が安定に得
られ、かつ、銅の異常析出が起りにくい。
こNで、2価銅イオンは硫酸銅、ギ酸銅、塩化銅などで
代表される水溶性銅塩より供給されるもので、主として
経済的理由によって硫酸銅が用いられる。2価銅イオン
の錯化剤はアルカリ水溶液中で、2価銅イオンの沈澱を
防止するために用いられるもので、エチレンジアミン四
酢酸(El)TA ) 、ヒドロキシエチルエチレンジ
アミン三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸。
代表される水溶性銅塩より供給されるもので、主として
経済的理由によって硫酸銅が用いられる。2価銅イオン
の錯化剤はアルカリ水溶液中で、2価銅イオンの沈澱を
防止するために用いられるもので、エチレンジアミン四
酢酸(El)TA ) 、ヒドロキシエチルエチレンジ
アミン三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸。
イミノニ酢酸、イミノニ酢酸ニトリロ三酢酸などで代表
されるポリアミノカルボン酸もしくはそれらのアルカリ
金属塩が用いられるが、主として経済的理由によってE
DTAのナトリウム塩が用いられる。還元剤は錯化した
2価銅イオンを金属銅に還元するもので、ホルムアルデ
ヒドもしくはホルムアルデヒド水溶液であるホルマリン
、バラホルムアルデヒドで代表されるホルムアルデヒド
重合物、ホウ素化水素化合物、ヒドラジンなどが用いら
れるが、これも経済的理由によってホルマリンが用いら
れる。 pH調節剤は液のPHを適当な値に保つための
もので、アルカリ金属の水酸化物ならばよく普通、安価
な水酸化ナトリウムが用いられる。一方、1価銅イオン
の錯化剤はめっき中の副生成物である酸化第1銅を溶解
する。発明者等はポリオキシエチレン界面活性剤、陽イ
オン界面活性剤と4B族元素の化合物の作用効果に着目
し、容易に管理できる濃度範囲で高強度なめつき皮膜を
得る液組成を広汎に探索した。この結果、アルカリ性の
めっき液中で酸素酸イオンとなる元素のなかで、ケイ素
、ゲルマニウム、スズ、鉛の4B族元素化合物と、ポリ
オキシエチレン界面活性剤とを含んでなる化学銅めっき
液を用いることにより本発明の目的が達成できることを
見出した。
されるポリアミノカルボン酸もしくはそれらのアルカリ
金属塩が用いられるが、主として経済的理由によってE
DTAのナトリウム塩が用いられる。還元剤は錯化した
2価銅イオンを金属銅に還元するもので、ホルムアルデ
ヒドもしくはホルムアルデヒド水溶液であるホルマリン
、バラホルムアルデヒドで代表されるホルムアルデヒド
重合物、ホウ素化水素化合物、ヒドラジンなどが用いら
れるが、これも経済的理由によってホルマリンが用いら
れる。 pH調節剤は液のPHを適当な値に保つための
もので、アルカリ金属の水酸化物ならばよく普通、安価
な水酸化ナトリウムが用いられる。一方、1価銅イオン
の錯化剤はめっき中の副生成物である酸化第1銅を溶解
する。発明者等はポリオキシエチレン界面活性剤、陽イ
オン界面活性剤と4B族元素の化合物の作用効果に着目
し、容易に管理できる濃度範囲で高強度なめつき皮膜を
得る液組成を広汎に探索した。この結果、アルカリ性の
めっき液中で酸素酸イオンとなる元素のなかで、ケイ素
、ゲルマニウム、スズ、鉛の4B族元素化合物と、ポリ
オキシエチレン界面活性剤とを含んでなる化学銅めっき
液を用いることにより本発明の目的が達成できることを
見出した。
かかるポリオキシエチレン界面活性剤としては
(I) ポリオキシエチレン
MO−(−CE2C1i20÷H
(2) アルキルエステル系ポリオキシエチレンR−
Coo −(−CM、 CH,0−) Hル (3) アルキルエーテル系ポリオキシエチレンR−
0(−CM、 CM、 0−)−E(4) アルキル
アリルエーテル系ポリオキシエチレン R−(II)−0+CH,CM、0大H(5) アル
キルアミン系ポリオキ7エチレン(6) ポリオキシ
エチレン、ポリオキクプロピレン共重合体 Y・ MO(−C112CH,O÷千CHCH2O+−+CH
,CM−、O+Hm’ n R:アルキル基、 R’ : %CM2C1l、 0ラ
ーH又はH などがある。
Coo −(−CM、 CH,0−) Hル (3) アルキルエーテル系ポリオキシエチレンR−
0(−CM、 CM、 0−)−E(4) アルキル
アリルエーテル系ポリオキシエチレン R−(II)−0+CH,CM、0大H(5) アル
キルアミン系ポリオキ7エチレン(6) ポリオキシ
エチレン、ポリオキクプロピレン共重合体 Y・ MO(−C112CH,O÷千CHCH2O+−+CH
,CM−、O+Hm’ n R:アルキル基、 R’ : %CM2C1l、 0ラ
ーH又はH などがある。
さらに陽イオン界面活性剤は第1級、第2級。
第6級アルキルアミン塩もしくは第4級アンモニウム塩
、エステルもしくはエーテルもしくはアミド結合アミン
、ピリジニウム塩などを用いることができる。望ましく
は、アルカリ水溶液中で分解することなく安定な第4級
のアルキルアミン塩、具体的には〔Cl6Ehs N
(CEs ) s ) Br。
、エステルもしくはエーテルもしくはアミド結合アミン
、ピリジニウム塩などを用いることができる。望ましく
は、アルカリ水溶液中で分解することなく安定な第4級
のアルキルアミン塩、具体的には〔Cl6Ehs N
(CEs ) s ) Br。
〔C1eEssN(CEm )t CH2Ca16)
C1の使用が好適である。
C1の使用が好適である。
かかる化学銅めっき液に添加する4B族元素化合物は、
アルカリ性のめつき液に溶解して、酸素酸イオンを生成
するもので、ケイ素、ゲルマニウム、ヌズ、鉛の化合物
である。ケイ素の化合物としては、めっき液中でケイ酸
イオンを生成するオルトケイ酸、メタケイ酸のアルカリ
金属塩や、ケイ素単体、酸化ケイ素、水素化ケイ素、ケ
イ酸塩鉱物、無定形ケイ酸塩化合物を代表に挙けること
ができる。ゲルマニラムラ含む化合物としてはゲルマニ
ウム単体、酸化ゲルマニウム、水素化ケルマニウム、ケ
ルマニウム酸塩などがある。スズを含む化合物としては
、スズ単体、スズ酸のアルカリ金属塩、酸化スズ硫酸ス
ズなどがある。鉛を含む化合物としては塩基性炭酸鉛、
ノ・ロゲン化鉛、硫酸鉛などかある。
アルカリ性のめつき液に溶解して、酸素酸イオンを生成
するもので、ケイ素、ゲルマニウム、ヌズ、鉛の化合物
である。ケイ素の化合物としては、めっき液中でケイ酸
イオンを生成するオルトケイ酸、メタケイ酸のアルカリ
金属塩や、ケイ素単体、酸化ケイ素、水素化ケイ素、ケ
イ酸塩鉱物、無定形ケイ酸塩化合物を代表に挙けること
ができる。ゲルマニラムラ含む化合物としてはゲルマニ
ウム単体、酸化ゲルマニウム、水素化ケルマニウム、ケ
ルマニウム酸塩などがある。スズを含む化合物としては
、スズ単体、スズ酸のアルカリ金属塩、酸化スズ硫酸ス
ズなどがある。鉛を含む化合物としては塩基性炭酸鉛、
ノ・ロゲン化鉛、硫酸鉛などかある。
以上のような4B族元素化合物を化学銅めっき液に添加
すると、該元素はめつき液中でケイ酸イオン、ゲルマニ
ウム酸イオン等の酸素酸イオンとなる。かかる酸素酸イ
オンが銅の析出反応に与える影響は完全に明らかにされ
ているわけではないが、主に該イオンのめつき反応面に
対する吸着作用によるものと推定される、また化学銅め
っき液には、吸着作用をもつ界面活性剤を含んでいる。
すると、該元素はめつき液中でケイ酸イオン、ゲルマニ
ウム酸イオン等の酸素酸イオンとなる。かかる酸素酸イ
オンが銅の析出反応に与える影響は完全に明らかにされ
ているわけではないが、主に該イオンのめつき反応面に
対する吸着作用によるものと推定される、また化学銅め
っき液には、吸着作用をもつ界面活性剤を含んでいる。
したがって、反応面では該イオンと界面活性剤の吸着が
競合するので、界面活性剤の吸着特性と該イオンの吸着
特性が適切に制御されねばならない。ここに、本発明の
化学銅めっき液では、4B族化合物の濃度が実用的とな
るので管理しやずいことの理由がある。
競合するので、界面活性剤の吸着特性と該イオンの吸着
特性が適切に制御されねばならない。ここに、本発明の
化学銅めっき液では、4B族化合物の濃度が実用的とな
るので管理しやずいことの理由がある。
もし、反応面への吸着力が弱い界面活性剤を用いた場合
には、4B族元素の吸着が優先する。
には、4B族元素の吸着が優先する。
従って、特性の優れた銅皮膜を得るには4B族元素の添
加濃度は微量としなければならない。
加濃度は微量としなければならない。
反応面への吸着力が強すぎる界面活性剤を用いた場合に
は、4B族元素の吸着が阻害されるので太M)に添加す
ることができる。したがって液管理の問題はなくなるが
、液中に吸着物質が過剰に含まれることから、めっき反
応が停止する等の併置がある。本発明で用いるポリオキ
シエチレン界面活性剤の中では、アルキルアミン系ポリ
オキシエチレンが特に取扱い易く良好である。
は、4B族元素の吸着が阻害されるので太M)に添加す
ることができる。したがって液管理の問題はなくなるが
、液中に吸着物質が過剰に含まれることから、めっき反
応が停止する等の併置がある。本発明で用いるポリオキ
シエチレン界面活性剤の中では、アルキルアミン系ポリ
オキシエチレンが特に取扱い易く良好である。
アルキルアミン系ポリオキシエチレン界面活性剤は、分
子内にアミン基(正荷電する)をもつため、非イオン性
と金属へ選択的に吸着する陽イオン性界面活性剤の両者
の性質をそなえている。このため、反応面への吸着力が
適切であると推定される。かかる界面活性剤を用いた場
合にのみ、4B族元素の適切な濃度範囲は、実用的で管
理しやすい濃度となるのである。実験的に見出した4B
族元素の適切な濃度範囲は、各元素共通して、およそ3
〜30ミリモル/1である。この値は4B族元素の原子
量の違いによって、ケイ素化合物を用いた場合には、S
iとして約84〜840■/1に相当する。ゲルマニウ
ム化合物を用いた場合には、Geとして約022〜2.
2f/1、スズ化合物ではSnとして約0.36〜3.
6f/1、鉛化合物ではpbとして約0.62−6.2
?/1に相当する。本発明は上記のように、ポリオキシ
エチレン界面活性剤と4B族元素化合物に加え、αα′
αジーリジル、0−フェナントロリンもしくはそれらの
誘導体などが添加される。
子内にアミン基(正荷電する)をもつため、非イオン性
と金属へ選択的に吸着する陽イオン性界面活性剤の両者
の性質をそなえている。このため、反応面への吸着力が
適切であると推定される。かかる界面活性剤を用いた場
合にのみ、4B族元素の適切な濃度範囲は、実用的で管
理しやすい濃度となるのである。実験的に見出した4B
族元素の適切な濃度範囲は、各元素共通して、およそ3
〜30ミリモル/1である。この値は4B族元素の原子
量の違いによって、ケイ素化合物を用いた場合には、S
iとして約84〜840■/1に相当する。ゲルマニウ
ム化合物を用いた場合には、Geとして約022〜2.
2f/1、スズ化合物ではSnとして約0.36〜3.
6f/1、鉛化合物ではpbとして約0.62−6.2
?/1に相当する。本発明は上記のように、ポリオキシ
エチレン界面活性剤と4B族元素化合物に加え、αα′
αジーリジル、0−フェナントロリンもしくはそれらの
誘導体などが添加される。
これらはいずれも銅(I)イオンに対する錯化剤であり
、めっき速度の安定化、液の分解防止の作用を有するも
のである。
、めっき速度の安定化、液の分解防止の作用を有するも
のである。
本発明では、上述したような液組成によって外部からの
不純物の混入の恐れなく、常にめっき皮膜の強度5oK
y/−以上、伸び3%以上が安定して得られる。
不純物の混入の恐れなく、常にめっき皮膜の強度5oK
y/−以上、伸び3%以上が安定して得られる。
一方、化学銅めっきの析出反応過程における異常析出(
不要部分への銅の析出)防止について種々検討した結果
、上述の化学銅めっき液で顕著な効果を見出した。その
機構は下記の様に推定される。すなわち、化学銅めっき
では自触作用を有する金属、例えば銅表面で次の2つの
反応が同時に進行することで、経済的に銅が析出する。
不要部分への銅の析出)防止について種々検討した結果
、上述の化学銅めっき液で顕著な効果を見出した。その
機構は下記の様に推定される。すなわち、化学銅めっき
では自触作用を有する金属、例えば銅表面で次の2つの
反応が同時に進行することで、経済的に銅が析出する。
Cu”−L + 2e−−+ Ctb + L
(I1HC11Q + 2 (J H
−→HCOO−十Ht o + 1/2 B22e −
(21fl1式は銅(II)イオンの還元反応であり、
ここにLは銅(II)イオンをアリカリ性水溶液中で安
定化する錯化剤を示し、一般にはEDTA等が用いられ
る。(2)式はホルムアルデヒドの酸化反応であり、銅
もしくは触媒作用を有する適当な金属上でこの反応が生
じることが銅(Ill)イオン還元の駆動力となる。
(I1HC11Q + 2 (J H
−→HCOO−十Ht o + 1/2 B22e −
(21fl1式は銅(II)イオンの還元反応であり、
ここにLは銅(II)イオンをアリカリ性水溶液中で安
定化する錯化剤を示し、一般にはEDTA等が用いられ
る。(2)式はホルムアルデヒドの酸化反応であり、銅
もしくは触媒作用を有する適当な金属上でこの反応が生
じることが銅(Ill)イオン還元の駆動力となる。
実際の化学銅めっきでは、(I1式の反応が生じる際、
中間体となる銅(I)イオンが析出反応面からめっき液
中へ拡散して系外へ移行する副反応が生じる。このよう
な中間体の挙動が、絶縁材料上への異常析出の原因とな
ると推定されている。すなわち、上記(I)、(2)式
の反応が生じる銅表面近傍のめっき液中では、上記中間
体の濃度が大となり、容易にCuもしくはC’+4.O
の微粒子を生じ、これがめっきの核となり、異常析出に
至る2もし、回路部以外の絶縁物表面が粗面であったり
、微細なキズ等があると、めっき核微粒子が容易に付着
して銅が析出すると推定される。
中間体となる銅(I)イオンが析出反応面からめっき液
中へ拡散して系外へ移行する副反応が生じる。このよう
な中間体の挙動が、絶縁材料上への異常析出の原因とな
ると推定されている。すなわち、上記(I)、(2)式
の反応が生じる銅表面近傍のめっき液中では、上記中間
体の濃度が大となり、容易にCuもしくはC’+4.O
の微粒子を生じ、これがめっきの核となり、異常析出に
至る2もし、回路部以外の絶縁物表面が粗面であったり
、微細なキズ等があると、めっき核微粒子が容易に付着
して銅が析出すると推定される。
以上の如き異常析出反応の機構から、異常析出を防止す
るにはめっき核微粒子を不活性化してしまうのが最も好
ましい。すなわち、めっき核上でホルムアルデヒドの反
応(2)を停止させれば良いわけであるが、この様な観
点から各種の添加剤について検討を行ない、上述した特
定の界面活性剤と4B族無機化合物を併用すると銅の異
常析出を防止する効果があることを見出した。
るにはめっき核微粒子を不活性化してしまうのが最も好
ましい。すなわち、めっき核上でホルムアルデヒドの反
応(2)を停止させれば良いわけであるが、この様な観
点から各種の添加剤について検討を行ない、上述した特
定の界面活性剤と4B族無機化合物を併用すると銅の異
常析出を防止する効果があることを見出した。
本発明には前述した化学銅めっき液を使用するが、好適
な組成範囲は一例として次のようである。
な組成範囲は一例として次のようである。
1 化学銅めっき液の主成分
CuSO4−511405〜55 ’/1EDT A
2A’ a 15〜200 ’/zN
a 011 PEを11.5〜13.0と
する量67%ホルマリン 2〜io’/。
2A’ a 15〜200 ’/zN
a 011 PEを11.5〜13.0と
する量67%ホルマリン 2〜io’/。
αα′ジピリジル 5〜100q/lホリオキ
シエチレン 界面活性剤 10キ/、〜溶解限 2、 本発明の効果を有する添加剤(下記AもしくはA
とBの併用) A、4B族元素化合物 (元素として) 3〜3o S ’)%へ4B、
陽イオン界面活性剤 20q/、〜溶解限〔発明の実
施例〕 以下、本発明によるプリント回路板の製造方法の具体的
な実施例を説明する。
シエチレン 界面活性剤 10キ/、〜溶解限 2、 本発明の効果を有する添加剤(下記AもしくはA
とBの併用) A、4B族元素化合物 (元素として) 3〜3o S ’)%へ4B、
陽イオン界面活性剤 20q/、〜溶解限〔発明の実
施例〕 以下、本発明によるプリント回路板の製造方法の具体的
な実施例を説明する。
実施例1
第1図(αうに示すような65μmの銅箔2′を張っタ
カラスエポキシ両面銅張積層板1にドリルで貫通孔3を
あけ、5rL/Pd 触媒液中に浸漬して活性化した
。次で、常法により基板にドライフィルムをラミネート
し、露光、現像、エツチング、剥離の工程からなるテン
ティング法により基板上にランド及び回路2を形成し、
第1図(cL)のようにした。
カラスエポキシ両面銅張積層板1にドリルで貫通孔3を
あけ、5rL/Pd 触媒液中に浸漬して活性化した
。次で、常法により基板にドライフィルムをラミネート
し、露光、現像、エツチング、剥離の工程からなるテン
ティング法により基板上にランド及び回路2を形成し、
第1図(cL)のようにした。
次で、ツルタレシストの印刷前処理として、基板を1N
塩酸水浴液に30秒間浸漬してから基板全面をパフ研磨
し、水洗乾燥した。この基板にスクリーン印刷で次の組
成の耐めっきソルダレジストを印刷塗布し、加熱炉で1
30℃60分間の硬化を行なった。
塩酸水浴液に30秒間浸漬してから基板全面をパフ研磨
し、水洗乾燥した。この基板にスクリーン印刷で次の組
成の耐めっきソルダレジストを印刷塗布し、加熱炉で1
30℃60分間の硬化を行なった。
エポキシド化合物としてエビコー) 152 (シェル
化学■製、ノボラック型エホキシ樹脂、エポキシ当量1
75 ) 100重r部、充てん材としてメルク粉末L
−1(日本タルク■製、平均粒子径2μm)10重量部
、揺変剤として酸化珪素超微粉末アエロジル、4380
(日本アエロジル■製)6重量部、消泡剤としてシリ
コーンオイル5C−5540(信越化学区制)2重量部
、着色剤としてフタロシアニングリーン1.5重量部、
有機溶剤としてループチルセルソルブ10重量部ならい
かい機および三本ロールを用いて十分に混練してベース
レジンとした。
化学■製、ノボラック型エホキシ樹脂、エポキシ当量1
75 ) 100重r部、充てん材としてメルク粉末L
−1(日本タルク■製、平均粒子径2μm)10重量部
、揺変剤として酸化珪素超微粉末アエロジル、4380
(日本アエロジル■製)6重量部、消泡剤としてシリ
コーンオイル5C−5540(信越化学区制)2重量部
、着色剤としてフタロシアニングリーン1.5重量部、
有機溶剤としてループチルセルソルブ10重量部ならい
かい機および三本ロールを用いて十分に混練してベース
レジンとした。
−4,1−o−トリルビグアニド変性物として、1−0
−トリルビグアニド20京葉部、エピコート828 (
シェル化学■製、ビスフェノール型エポキシ樹脂、エポ
キシ当Ji 190 ) 19.9重量部、ループチル
セルソルブ20重量部を混合攪拌し、80℃、90分間
加熱して得られた付加反応物59.9重量部を、先のベ
ーヌレジンを混合し、エポキシ樹脂組成物、いわゆるレ
ジストインク組成物を得た。チクソトロピー指数は21
、粘度は4305ホアズであった。
−トリルビグアニド20京葉部、エピコート828 (
シェル化学■製、ビスフェノール型エポキシ樹脂、エポ
キシ当Ji 190 ) 19.9重量部、ループチル
セルソルブ20重量部を混合攪拌し、80℃、90分間
加熱して得られた付加反応物59.9重量部を、先のベ
ーヌレジンを混合し、エポキシ樹脂組成物、いわゆるレ
ジストインク組成物を得た。チクソトロピー指数は21
、粘度は4305ホアズであった。
次に、下記の組成の化学銅めっき液(シラプレー社製)
中に2分間浸漬し、約0.4μmの薄付は化学銅めっき
を施した。
中に2分間浸漬し、約0.4μmの薄付は化学銅めっき
を施した。
その後、第1図的のように厚付はスルーホール化学鋼め
っき7を行なった。このときの化学銅めっぎ液の組成な
らびに諸条件は次に示す通りである。
っき7を行なった。このときの化学銅めっぎ液の組成な
らびに諸条件は次に示す通りである。
組成: CuSO4−5E、0 12yE
DTA 、2Nα 422NαOH12
9 ポリエチレングリコールステアリルアミンα、α′−ジ
ピリジル 5■ 67%ホルマリン 5rnlNα2StO
3,9H201f 蒸留水 全量を11とする量条件:めっき液
温度 70℃pHt2.3 時間 15時間めっき速度
約20μm めっき皮膜の機械的性質 強度 54kf/、7破断時伸び
率 6% めっき槽内の成分は自動管理により一定とした。その後
、基板をめっき液から取出し、水洗後、加熱炉で120
℃20分間乾燥した。
DTA 、2Nα 422NαOH12
9 ポリエチレングリコールステアリルアミンα、α′−ジ
ピリジル 5■ 67%ホルマリン 5rnlNα2StO
3,9H201f 蒸留水 全量を11とする量条件:めっき液
温度 70℃pHt2.3 時間 15時間めっき速度
約20μm めっき皮膜の機械的性質 強度 54kf/、7破断時伸び
率 6% めっき槽内の成分は自動管理により一定とした。その後
、基板をめっき液から取出し、水洗後、加熱炉で120
℃20分間乾燥した。
このようにして製造した回路板のレジスト塗膜と回路銅
箔との密着性をクロスカットセロノ・ンテーブ試験で評
価1.た結果、レジスト膜の剥離がなく、良好な密着性
を有することがわかった。さらに260℃のけんだ槽に
20秒間浸漬しても、レジスト膜にふくれ、剥離等の劣
化はなく良好なはんだ耐熱性を有することもわかった。
箔との密着性をクロスカットセロノ・ンテーブ試験で評
価1.た結果、レジスト膜の剥離がなく、良好な密着性
を有することがわかった。さらに260℃のけんだ槽に
20秒間浸漬しても、レジスト膜にふくれ、剥離等の劣
化はなく良好なはんだ耐熱性を有することもわかった。
まためっき直後にスルーホール部およびランド部を観察
した結果、厚付は銅は均一に析出しており、所望部以外
のレジスト上等には銅の異常析出は見られなかった。さ
らにめっきの負荷を1rtm/、として10回くり返し
上記の基板を試作したが、銅の異常析出は見られなかっ
た。
した結果、厚付は銅は均一に析出しており、所望部以外
のレジスト上等には銅の異常析出は見られなかった。さ
らにめっきの負荷を1rtm/、として10回くり返し
上記の基板を試作したが、銅の異常析出は見られなかっ
た。
さらに、基板をJIS −C5012の冷熱サイクル試
験をくり返し100回行なったが、スルーホール部の銅
にクラックやふくれ等の異常は生じなかった。また、6
0℃95%RHの恒温恒湿槽中に1週間放置後の回路間
の絶縁抵抗を測定した結果、極端な絶縁劣化は全く認め
られなかった。
験をくり返し100回行なったが、スルーホール部の銅
にクラックやふくれ等の異常は生じなかった。また、6
0℃95%RHの恒温恒湿槽中に1週間放置後の回路間
の絶縁抵抗を測定した結果、極端な絶縁劣化は全く認め
られなかった。
実施例2
第1図(α)に示すような35μmの銅箔2′を張った
カラスエポキシ両面銅張積層板1にドリルでn 貫通孔3をあけ、 /Pd、触媒液中に浸漬して活性
化した。次で、常法による基板にドライフィルムをラミ
ネートし、露光、現像、エツチング、剥離の工程からな
るテンティング法により基板上にランド及び回路2を形
成し第1図(勾のようにした。
カラスエポキシ両面銅張積層板1にドリルでn 貫通孔3をあけ、 /Pd、触媒液中に浸漬して活性
化した。次で、常法による基板にドライフィルムをラミ
ネートし、露光、現像、エツチング、剥離の工程からな
るテンティング法により基板上にランド及び回路2を形
成し第1図(勾のようにした。
次で、ソルダレジストの印刷前処理として、基板を1N
塩酸水溶液に30秒間浸漬してから基板全面をパフ研磨
し、水洗乾燥した。この基板にスクリーン印刷で次の組
成の耐めっきソルダレジストを印刷塗布し、加熱炉で1
30℃60分間の硬化を行なった。
−エピコート152 : 60 :]j量部量刑ピコ
ート154(シェル化学μ製、ノボラック型エポキシ樹
脂エポキシ当量197 ) 403i1部、アルミナ粉
末C′(不二見研磨工業■製、平均粒子径1μm)20
重量部、アエロジル、4380:4に量刑、SC−55
40:2重量部、フタロシアニングリーン15重量部、
ループチルセルソルブ10重量部を実施例1と同じ方法
で混練しペースレジンとした。
塩酸水溶液に30秒間浸漬してから基板全面をパフ研磨
し、水洗乾燥した。この基板にスクリーン印刷で次の組
成の耐めっきソルダレジストを印刷塗布し、加熱炉で1
30℃60分間の硬化を行なった。
−エピコート152 : 60 :]j量部量刑ピコ
ート154(シェル化学μ製、ノボラック型エポキシ樹
脂エポキシ当量197 ) 403i1部、アルミナ粉
末C′(不二見研磨工業■製、平均粒子径1μm)20
重量部、アエロジル、4380:4に量刑、SC−55
40:2重量部、フタロシアニングリーン15重量部、
ループチルセルソルブ10重量部を実施例1と同じ方法
で混練しペースレジンとした。
一方、1−0−)リルピグアニド変性物として、1−D
−)ジルビグアニド20重量部、エビ−I−) 152
: 18.3重量部、ループチルセルソルブ20重量
部を混合攪拌し、80℃、90分間加熱して得ら」1.
た付加反応物5B、!1重量部を、先のペースレジンに
混合し、レジストインク組成物を得た。チクソトロビ〜
指数は20、粘度は3760ポアズであった。
−)ジルビグアニド20重量部、エビ−I−) 152
: 18.3重量部、ループチルセルソルブ20重量
部を混合攪拌し、80℃、90分間加熱して得ら」1.
た付加反応物5B、!1重量部を、先のペースレジンに
混合し、レジストインク組成物を得た。チクソトロビ〜
指数は20、粘度は3760ポアズであった。
次に、下記の組成の化学銅めっき液(シソブレー社製)
中に浸漬し、約04μmの薄付は化学銅めっきを施した
。
中に浸漬し、約04μmの薄付は化学銅めっきを施した
。
その後、第1図(f)のような厚付はスルーホール化学
銅めっき7を行なった。このときの化学銅めっき液の組
成ならびに諸条件は次に示す通りである。
銅めっき7を行なった。このときの化学銅めっき液の組
成ならびに諸条件は次に示す通りである。
組成:C+z、SO,+ 5//l O12tEDTA
、2Na 429NaOH129 ポリエチレングリコールステアリルアミン、012 ヘキサデシルトリメチルアンモニウム・プロミドCC+
。Rss# (CD、 )s ) BrO,05f αα′αジーリジル 20〜37%ホルマリ
ン 5rnlGs Ot
O,3f蒸留水 全量を1tとする
量条件:めっき液温度 70℃PH12
,3 時間 15時間めっき速度
約2.0μmめっき皮膜の機械的性質 強度 50〜55 kf/、J破断
時伸び率 3〜6% N・つき槽内の成分は自動管理により一定とした。その
後、基板をめっき液から取出し、水洗後、加熱炉で12
0℃20分間乾燥した。
、2Na 429NaOH129 ポリエチレングリコールステアリルアミン、012 ヘキサデシルトリメチルアンモニウム・プロミドCC+
。Rss# (CD、 )s ) BrO,05f αα′αジーリジル 20〜37%ホルマリ
ン 5rnlGs Ot
O,3f蒸留水 全量を1tとする
量条件:めっき液温度 70℃PH12
,3 時間 15時間めっき速度
約2.0μmめっき皮膜の機械的性質 強度 50〜55 kf/、J破断
時伸び率 3〜6% N・つき槽内の成分は自動管理により一定とした。その
後、基板をめっき液から取出し、水洗後、加熱炉で12
0℃20分間乾燥した。
このようにして製造した回路板のレジスト塗膜と回路鋼
箔との密着性をクロスカットセロハンテープ試験で評価
した結果、レジスト膜の剥離がなく、良好な密着性を有
することがわかった。さらに260℃のはんだ槽に20
秒間浸漬しても、レジスト膜にふくれ、剥離等の劣化は
なく良好なはんだ耐熱性を有することもわかった。
箔との密着性をクロスカットセロハンテープ試験で評価
した結果、レジスト膜の剥離がなく、良好な密着性を有
することがわかった。さらに260℃のはんだ槽に20
秒間浸漬しても、レジスト膜にふくれ、剥離等の劣化は
なく良好なはんだ耐熱性を有することもわかった。
まためっきi後にスルーホール部およびランド部を観察
した結果、厚付は銅は均一に析出しており、所望部以外
のレジスト塗膜には銅の異常析出は見られなかった。さ
らにめっきの負荷を1 /lとして10回(り返し上記
の基板を試作したが、めっき皮膜は強度so”f/−以
上、伸び3%以上を確保でき、かつ銅の異常析出は見ら
れなかった□ さらに、基板にJIS−C5012の冷熱サイクル試験
をくり返し100回行なったが、スルーホール部の銅に
クラックやふくれ等の異常は生じなかった。また、60
℃95%RHの恒温恒湿槽中に1週間放置後の回路間の
絶縁抵抗を測定した結果、極端な絶縁劣化は全く認めら
れなかった。
した結果、厚付は銅は均一に析出しており、所望部以外
のレジスト塗膜には銅の異常析出は見られなかった。さ
らにめっきの負荷を1 /lとして10回(り返し上記
の基板を試作したが、めっき皮膜は強度so”f/−以
上、伸び3%以上を確保でき、かつ銅の異常析出は見ら
れなかった□ さらに、基板にJIS−C5012の冷熱サイクル試験
をくり返し100回行なったが、スルーホール部の銅に
クラックやふくれ等の異常は生じなかった。また、60
℃95%RHの恒温恒湿槽中に1週間放置後の回路間の
絶縁抵抗を測定した結果、極端な絶縁劣化は全く認めら
れなかった。
以上の結果から、本発明の製造法では、耐熱。
電気絶縁、信頼性に優れたプリント回路基板を安定に製
造できることが明らかである。これらの効果を従来の製
造法で得るには、製造設備。
造できることが明らかである。これらの効果を従来の製
造法で得るには、製造設備。
品質管理、工程管理等に多大の費用が必要であることか
ら、従来と大差ない設備で上記の効果を得る本発明の経
済的な効果は測り知れないものがある。なお、第1図(
C)の感光性フィルム状レジスト8は本発明の本質に係
わるものではなく、これを印刷レジストに置き換えれば
プリント回路基板をより安価に製造することもできる。
ら、従来と大差ない設備で上記の効果を得る本発明の経
済的な効果は測り知れないものがある。なお、第1図(
C)の感光性フィルム状レジスト8は本発明の本質に係
わるものではなく、これを印刷レジストに置き換えれば
プリント回路基板をより安価に製造することもできる。
第1図は本発明の回路板製造法を示す工程図第2図、第
3図は従来の回路板製造法を示す工程図である。 1・・・・・・・・・・・・銅張り積層板基材2′・・
・・・・・・・銅箔 2・・−・・・・・・・・回路及びランド3・・・・・
・・・・・・・貫通孔(スルーホール)4・・・・・・
・・・・・・レジスト 5・・−・・−・・・・・活性剤保護インク6・・・・
・・・・・・・・触媒(活性剤)7・・・・・・・・・
・・・ヌルーホール銅めっき(厚付け)8・・・・・・
・・・・・・感光性フィルム状しジストト ) −1,・
3図は従来の回路板製造法を示す工程図である。 1・・・・・・・・・・・・銅張り積層板基材2′・・
・・・・・・・銅箔 2・・−・・・・・・・・回路及びランド3・・・・・
・・・・・・・貫通孔(スルーホール)4・・・・・・
・・・・・・レジスト 5・・−・・−・・・・・活性剤保護インク6・・・・
・・・・・・・・触媒(活性剤)7・・・・・・・・・
・・・ヌルーホール銅めっき(厚付け)8・・・・・・
・・・・・・感光性フィルム状しジストト ) −1,・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、所定位置にスルーホールを形成した銅張積層板を活
性化し、次でスルーホール内の活性化した触媒を保護し
つつエッチングにより回路を形成する工程、次いで所望
部以外を所定の耐めっきソルダレジストでコーテングす
る工程、次で所定の化学銅めっき液によりスルーホール
および所望部上に銅を析出する工程よりなることを特徴
とするプリント回路基板の製造方法。 2、特許請求範囲第1項における耐めっきソルダレジス
トがエポキシド化合物と1−o−トリルビグアニド変性
物を含有してなることを特徴とするプリント回路基板の
製造方法。 3、特許請求範囲第1項における化学銅めっき液組成が
銅(II)イオン、銅(II)イオンの錯化剤、銅(II)イ
オンの還元剤、アルカリ金属の水酸化物、銅( I )イ
オンの錯化剤、ポリオキシエチレン界面活性剤、4B族
元素の無機化合物を含んでなることを特徴とするプリン
ト回路基板の製造方法。 4、特許請求範囲第1項における化学銅めっき液組成が
銅(II)イオン、銅(II)イオンの錯化剤、銅(II)イ
オンの還元剤、アルカリ金属の水酸化物、銅( I )イ
オンの錯化剤、ポリオキシエチレン界面活性剤、陽イオ
ン界面活性剤、4B族元素の無機化合物を含んでなるこ
とを特徴とするプリント回路基板の製造方法。 5、特許請求範囲第3項および第4項の4B族元素の無
機化合物が、酸化ケイ素、酸化ゲルマニウムないしケイ
酸のアルカリ金属塩であることを特徴とする化学銅めっ
き液を用いる特許請求範囲第1ないし4項のプリント回
路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12174984A JPS612386A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | プリント回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12174984A JPS612386A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | プリント回路基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS612386A true JPS612386A (ja) | 1986-01-08 |
Family
ID=14818930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12174984A Pending JPS612386A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | プリント回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS612386A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62169493A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-25 | 株式会社日立製作所 | プリント配線板の製造方法 |
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JPS6481299A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Hitachi Ltd | Manufacture of surface-mounting printed circuit board |
JPH01253991A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-11 | Nec Corp | 印刷配線板 |
JPH02169078A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | 基板洗浄方法 |
US5252195A (en) * | 1990-08-20 | 1993-10-12 | Mitsubishi Rayon Company Ltd. | Process for producing a printed wiring board |
JPH06275933A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-09-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 回路基板及びその作製方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS58194392A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-12 | 株式会社日立製作所 | 配線板の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP12174984A patent/JPS612386A/ja active Pending
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