JPS61237500A - 電磁シ−ルド材料 - Google Patents
電磁シ−ルド材料Info
- Publication number
- JPS61237500A JPS61237500A JP60077591A JP7759185A JPS61237500A JP S61237500 A JPS61237500 A JP S61237500A JP 60077591 A JP60077591 A JP 60077591A JP 7759185 A JP7759185 A JP 7759185A JP S61237500 A JPS61237500 A JP S61237500A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shielding
- shielding material
- electromagnetic shielding
- field shielding
- metal
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- Pending
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、各種電子機器等の電磁シールド材料１に関す
るものである。
るものである。
近年電子機器が高度化し、かつ多数用いられるようにな
ったために、電磁波による／イーズの増大あるいは機器
の誤動作が大きな問題なってきている。
ったために、電磁波による／イーズの増大あるいは機器
の誤動作が大きな問題なってきている。
従来電子製品のは筐体には鋼板などの金属材料が使用さ
れ、それらは電磁波をシールドする効果があるため、放
射性電磁波ノイズによる電磁障害の問題は今日はど重要
視されていなかった。ところが、電子機器の軽量化、小
型化、量産化の要求に対応して、それらの筐体には電磁
波に対して透明なプラスチック顛が採用されはじめ、電
磁障害の発生源および被害が急速に増加するようになっ
てきた。
れ、それらは電磁波をシールドする効果があるため、放
射性電磁波ノイズによる電磁障害の問題は今日はど重要
視されていなかった。ところが、電子機器の軽量化、小
型化、量産化の要求に対応して、それらの筐体には電磁
波に対して透明なプラスチック顛が採用されはじめ、電
磁障害の発生源および被害が急速に増加するようになっ
てきた。
電磁障害はその形態として、電子機器の筐体を貫通して
空間に放射される放射性電磁障害と、電波ラインや信号
ラインを介して伝導される伝導性電磁障害とに分けられ
る。
空間に放射される放射性電磁障害と、電波ラインや信号
ラインを介して伝導される伝導性電磁障害とに分けられ
る。
後者の伝導性ノイズに対しては通常ノイズフィルターが
使用され、前者の放射性電磁障害の対策としてはシール
ド材が用いられる。
使用され、前者の放射性電磁障害の対策としてはシール
ド材が用いられる。
従来、電磁界シールド材としては導電性の物質、例えば
ニッケル、銀、銅、カーボンブラック、グラファイト等
が多く用いられており、それなりの効果が得られている
。
ニッケル、銀、銅、カーボンブラック、グラファイト等
が多く用いられており、それなりの効果が得られている
。
すなわち、上記導電性物質の粉末をパイングー材のアク
リルやウレタン樹脂中に混練し塗料として使用される場
合が多い。
リルやウレタン樹脂中に混練し塗料として使用される場
合が多い。
しかし、これらの材料では、塗膜厚さを加減することで
所望の電界シールド効果は得られるが、１００ｋＨｚ以
下での磁界シールド効果は殆ど得られない。
所望の電界シールド効果は得られるが、１００ｋＨｚ以
下での磁界シールド効果は殆ど得られない。
１００ｋＨｚ以下の低周波での磁界シールドをすめため
には、鉄管が有効であることが知られている。
には、鉄管が有効であることが知られている。
これは鉄が軟磁性体であり、その透磁率を利用すること
により磁界シールドが可能となる（第１図参照）。
により磁界シールドが可能となる（第１図参照）。
すなわち、より透磁率の大きなもの電磁界シルトに対し
て有効であり、パーマロイなどが磁界シールドによく使
われる所以である。
て有効であり、パーマロイなどが磁界シールドによく使
われる所以である。
ところが、軟磁性体に非晶質軟磁性材料を用いることに
より、より大きな磁界シールドが可能であるという発明
がなされ、それらは特開昭５２−１０６６０号、同５５
−２１１９６号、同５６−８４８５２号の各公報等で開
示されている。
より、より大きな磁界シールドが可能であるという発明
がなされ、それらは特開昭５２−１０６６０号、同５５
−２１１９６号、同５６−８４８５２号の各公報等で開
示されている。
軟磁性材料として、非晶質合金を用いることにより、確
かに磁界シールド性は向上するが、電界シールドに対し
てはそれ自身金属とはいえ比抵抗が大（約１４０μΩ・
ａｍ）であるため、それ程の効果を示さないという欠点
があった。
かに磁界シールド性は向上するが、電界シールドに対し
てはそれ自身金属とはいえ比抵抗が大（約１４０μΩ・
ａｍ）であるため、それ程の効果を示さないという欠点
があった。
本発明は従来のシールド材料が電界シールドもしくは磁
界シールドのいずれかにしか有効に作用しないという問
題点を解決し、低周波から高周波までの電磁界シールド
に有効な材料を提供せんとするものである。
界シールドのいずれかにしか有効に作用しないという問
題点を解決し、低周波から高周波までの電磁界シールド
に有効な材料を提供せんとするものである。
本発明者らは非晶質軟磁性材料が磁界シールド効果に優
れ、かつパーマロイや鉄などと異なり、−互変形を受け
た後でも特性劣化が小さいという特徴を生かし、電磁シ
ールド材どしての応用を鋭意検討した。
れ、かつパーマロイや鉄などと異なり、−互変形を受け
た後でも特性劣化が小さいという特徴を生かし、電磁シ
ールド材どしての応用を鋭意検討した。
その結果、非晶質軟磁性薄帯の表面に導電率の高い金属
をメッキすることにより、着しく電磁シールド性に優れ
た材料が得られることを見出だした。
をメッキすることにより、着しく電磁シールド性に優れ
た材料が得られることを見出だした。
さらに非晶質軟磁性材料として、１ｋＨｚにおける透磁
率が１０００以上である場合その効果が着しく大きいこ
と、また、導電率の高い金属メッキとしてＣｕｓ Ｎｉ
％Ａｕ％Ａ１１ｓ Ｃｒ５Ｓｎおよびハンダのうちの
１１１１１以上からなる場合には、さらに効果が大であ
ることが明らかとなった。
率が１０００以上である場合その効果が着しく大きいこ
と、また、導電率の高い金属メッキとしてＣｕｓ Ｎｉ
％Ａｕ％Ａ１１ｓ Ｃｒ５Ｓｎおよびハンダのうちの
１１１１１以上からなる場合には、さらに効果が大であ
ることが明らかとなった。
以下、実施例に基づき本発明の詳細な説明する。
本発明に用いた非晶質金属材料の組成を第１表１に示す
。
。
また、第２表には表面に導電率の高い金属をメッキし、
シールド性のテストを行なったものにつν、１での、非
晶質金属材料、メッキ金属の種類およびメッキ厚を示す
。
シールド性のテストを行なったものにつν、１での、非
晶質金属材料、メッキ金属の種類およびメッキ厚を示す
。
第１表
本急冷状態
第 ２ 表
非晶質金属材料は、所定の組成となるように原料を秤量
後、溶解を行ない、１０に、の母インゴットを作製した
。
後、溶解を行ない、１０に、の母インゴットを作製した
。
これを単ロール法にて幅が約５０１１−１板厚が約２５
μ論、長さが約１０００−の非晶質合金薄帯とし、これ
に無電解もしくは電解法により各種金属を表面にメッキ
した。
μ論、長さが約１０００−の非晶質合金薄帯とし、これ
に無電解もしくは電解法により各種金属を表面にメッキ
した。
得られた材料から隙間が生じないように薄帯を一部重ね
合わせ、２００Ｘ２００の平面板測定試料を作製し、タ
ケグ理研（株）製のシールド効果評価器により、磁界お
よび電解に対するシールド性の評価を行なった。
合わせ、２００Ｘ２００の平面板測定試料を作製し、タ
ケグ理研（株）製のシールド効果評価器により、磁界お
よび電解に対するシールド性の評価を行なった。
第１図に磁界シールド性の評価結果を、また第２図に電
界シールド性の評価結果を示す。
界シールド性の評価結果を示す。
第１図および第２図から明らかなように、本発明による
シールド材料（試料Ｎｏ、５〜１１）は従来材料（試料
Ｎ００１〜４）より磁界、電界シールド効果が優れてい
る。
シールド材料（試料Ｎｏ、５〜１１）は従来材料（試料
Ｎ００１〜４）より磁界、電界シールド効果が優れてい
る。
上述のように、本発明によるシールド材料１よ、磁界お
よび電界のいずれに対しても優れたシールド性を示し、
その実用上の効果は極めて大である。
よび電界のいずれに対しても優れたシールド性を示し、
その実用上の効果は極めて大である。
第１図は磁界シールド効果の評価結果を示す図、第２図
は電界シールド効果の評価結果を示す図である。 代理人 弁理士 本 間 崇第 １ ＠ 悴２図 ）ｔｉＩ浪数（Ｈ７１）
は電界シールド効果の評価結果を示す図である。 代理人 弁理士 本 間 崇第 １ ＠ 悴２図 ）ｔｉＩ浪数（Ｈ７１）
Claims (3)
- （１）軟磁性を有する非晶質金属薄帯の表面に導電率の
高い金属または合金をメッキした ことを特徴とする電磁シールド材料。 - （２）非品質金属薄帯が下記の特性を有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載 の電磁シールド材料。 （１ｋＨｚにおける透磁率）≧１０００ - （３）導電率の高い金属または合金がＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ
、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｎおよびハン ダのうちの１種以上からなることを特徴と する特許請求の範囲第１項または第２項記 載の電磁シールド材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60077591A JPS61237500A (ja) | 1985-04-13 | 1985-04-13 | 電磁シ−ルド材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60077591A JPS61237500A (ja) | 1985-04-13 | 1985-04-13 | 電磁シ−ルド材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61237500A true JPS61237500A (ja) | 1986-10-22 |
Family
ID=13638204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60077591A Pending JPS61237500A (ja) | 1985-04-13 | 1985-04-13 | 電磁シ−ルド材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61237500A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10468354B2 (en) | 2017-05-16 | 2019-11-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with magnetic layer and nonmagnetic layer |
| US11011474B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electromagnetic wave attenuator and electronic device |
| US11049818B2 (en) | 2019-01-28 | 2021-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electromagnetic wave attenuator and electronic device |
-
1985
- 1985-04-13 JP JP60077591A patent/JPS61237500A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10468354B2 (en) | 2017-05-16 | 2019-11-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with magnetic layer and nonmagnetic layer |
| US11011474B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electromagnetic wave attenuator and electronic device |
| US11049818B2 (en) | 2019-01-28 | 2021-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electromagnetic wave attenuator and electronic device |
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