JPS61237492A - サ−マルプリントヘツドの保護膜形成方法 - Google Patents

サ−マルプリントヘツドの保護膜形成方法

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Publication number
JPS61237492A
JPS61237492A JP60079030A JP7903085A JPS61237492A JP S61237492 A JPS61237492 A JP S61237492A JP 60079030 A JP60079030 A JP 60079030A JP 7903085 A JP7903085 A JP 7903085A JP S61237492 A JPS61237492 A JP S61237492A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
protective film
print head
thermal print
sputtering
film
Prior art date
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Pending
Application number
JP60079030A
Other languages
English (en)
Inventor
松尾 安藏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP60079030A priority Critical patent/JPS61237492A/ja
Publication of JPS61237492A publication Critical patent/JPS61237492A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 この発明はサーマルプリントヘッドの製造方法、特に保
護膜の形成方法に関する。
(ロ)従来の技術 一般に、サーマルプリントヘッドは、セラミック等の基
板上に発熱抵抗体が形成され、この発熱抵抗体の上部に
ドツト形成部分を除いて1対の導体電極が積層され、さ
らに発熱抵抗体のドツト形成部分及び導体電極を覆って
Sin、層、保護膜層が形成されて構成されている。
この種のサーマルプリントヘッドの保護膜(耐摩耗膜)
としては、従来よりTa、O,(五酸化タンタル)が多
く用いられている(例:特開昭56−154974号、
特開昭57−102373号)。
このTa、O,層の形成は、保護膜を形成すべき基板を
0□ガスを含むアルゴンガス中に置き、Ta2O,を焼
結ターゲットに用いて、スパッタリングを行っていた。
(ハ)発明が解決しようとする問題点 上記Ta、O,膜は、耐熱衝撃性に優れているという利
点がある反面、膜硬度がHv700程度であるところか
ら、 ■走行方向に傷が入り易く、ヘッドの摩耗寿命を加速度
的に短くすること。
■上記■を防止するため膜厚を大きく (通常10μm
程度)形成するが、このため熱応答性が悪くなり、高速
印字に悪影響を及ぼす。
という欠点があった。
この発明は、上記に鑑み、膜硬度が高く、それでいて耐
熱衝撃性に優れた保護膜を持つサーマルプリントヘッド
を得ることのできる保護膜形成方法を提供することを目
的としている。
(ニ)問題点を解決するための手段及び作用この発明の
サーマルプリントヘッドの保護膜形成方法は、保護膜形
成前のサーマルプリントヘッドをロータに装着するとと
もに、膜硬度の相違する第1と第2の部材(例えば炭化
ケイ素と酸化ケイ素)を、ロータの周方向の異なる位置
に第1、第2のスパッタリングターゲットとして配置し
、前記ロータを回転するとともに、第1、第2のスパッ
タリングターゲットを個別同時にスパッタリングし、前
記サーマルプリントヘッド上に前記第1と第2の部材を
交互に積層形成している。
この方法によって形成された保護膜は、膜硬度の相違す
る交互層となり、例えば炭化ケイ素と酸化ケイ素の場合
、炭化ケイ素によって膜硬度が保持され、また酸化ケイ
素によって炭化ケイ素層の大きな内部応力が緩和される
また、第1と第2の部材の層厚は、個別のスパッタリン
グであるため、スパッタレートを変えることにより、自
由に調整することができる。
(ホ)実施例 以下、実施例により、この発明をさらに詳細に説明する
第1図は、この発明が実施される保護膜形成装置の正面
図、第2図は、同装置の平面図である。
第1図、第2図において、スパッタリングケース1内に
円筒状のロータ2が設けられ、このロータ2の周面の両
側部に炭化ケイ素(S i C)と酸化ケイ素(SiO
りがスパッタリングターゲット3.4として配設されて
いる。炭化ケイ素の方が膜硬度が大である。また、スパ
ッタリングターゲット3.4は、図示していないが、そ
れぞれに印加用電源が設けられ、個別にスパッタリング
可能に構成されている。
ロータ2の周面には、軸方向に保護膜を形成するべきサ
ーマルプリントヘッド基板5が装着されるようになって
いる。
なお、6は拡散ポンプ、7はロータリーポンプである。
次に、上記保護膜形成装置を用いて、サーマルプリント
ヘッドの基板に保護膜を形成する方法について説明する
先ず、保護膜を形成すべき基板5をロータ2に装着する
。この基板5は、第4図に示すサーマルプリントヘッド
において、セラミック板8上にグレーズ層9、発熱抵抗
体10及び導体電極11.12を形成したものである。
スパッタリングケース1内をアルゴンガス雰囲気とし、
ロータ2を回転させるとともに、スパッタリングターゲ
ット3及び4につき、同時にスパッタリングをさせる。
ロータ2が回転しているので、基板5はスパッタリング
ターゲット3.4、すなわち炭化ケイ素ターゲットと酸
化ケイ素ターゲットの前を交互に通過する。そのため、
ロータ2の数回転で、基板5には導体電極11.12の
上層に炭化ケイ素層13と酸化ケイ素層14が交互(ラ
メラ状)に積層され、保護膜層15が形成されることに
なる。
以上のようにして形成される保護膜の硬度は、炭化ケイ
素と酸化ケイ素のスパッタレートによって決まる。今、
炭化ケイ素のスパッタレートを一定としく100人/m
1n) 、酸化ケイ素のスパッタレートを変化させて形
成した膜硬度は、第3図に示すものとなった。すなわち
、保護膜中の酸化ケイ素の比率を30%前後にすれば、
1000〜2000Hvのものを形成することができる
発明者の実験によると、上記の方法により形成した膜の
硬度1500Hvのものを保護膜として適用したところ
、従来の五酸化タンタル膜に比し、摩耗寿命が2倍程度
になることが確認された。
なお、上記実施例において、スパッタリングターゲット
として炭化ケイ素と酸化ケイ素を用いているが、膜硬度
の相違する他の組合わせ、例えば炭化ケイ素とアルミナ
を用いてもよい。
(へ)発明の効果 この発明によって形成されたサーマルプリントヘッドの
保護膜は、膜硬度の相違する部材の層が交互に、つまり
ラメラ状に形成されるので、膜硬度の大なる部材で保護
膜としである程度の硬度を確保しつつ、しかも膜硬度の
小なる部材で内部応力を抑え、クランクの発生を防止し
ているので、長寿命、高品質のサーマルプリントヘッド
を得ることができる。
また、この発明によれば、第1と第2の部材のスパッタ
リングを個別に行うようにしているので、スパッタレー
トを自由に制御することができ、用途目的に応じた膜硬
度と内部応力緩和度合との兼合を選択することができる
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明が実施される保護膜形成装置の正面
図、第2図は、同装置の平面図、第3図は、同装置を用
いて形成される保護膜の酸化ケイ素のスパッタレートと
膜硬度との関係を示す図、第4図は、同装置によって保
護膜が形成されたサーマルプリントヘッドの部分断面図
である。 2:ロータ、 3:炭化ケイ素ターゲット、4:酸化ケ
イ素ターゲット、 5:サーマルプリントヘッド基板。 特許出願人      ローム株式会社代理人    
弁理士 中 村 茂 信b          / 第3図 第4因

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上に発熱抵抗体及び導体電極が積層形成され
    てなるサーマルプリントヘッドの保護膜形成方法であっ
    て、 前記サーマルプリントヘッドをロータに装着するととも
    に、膜硬度の相違する第1と第2の部材を前記ロータの
    周方向の異なる位置に第1、第2のスパッタリングター
    ゲットとして配置し、前記ロータを回転するとともに、
    前記第1、第2のスパッタリングターゲットを個別にス
    パッタリングし、前記サーマルプリントヘッド上に前記
    第1と第2の部材を交互に積層形成するようにしたサー
    マルプリントヘッドの保護膜形成方法。
JP60079030A 1985-04-13 1985-04-13 サ−マルプリントヘツドの保護膜形成方法 Pending JPS61237492A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63135261A (ja) * 1986-11-28 1988-06-07 Tdk Corp サ−マルヘツドの製造方法
JP5025038B1 (ja) * 2012-02-16 2012-09-12 株式会社シンクロン 透光性硬質薄膜

Cited By (4)

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WO2013121552A1 (ja) * 2012-02-16 2013-08-22 株式会社シンクロン 透光性硬質薄膜
US9422620B2 (en) 2012-02-16 2016-08-23 Shincron Co., Ltd. Translucent hard thin film

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