JPS612332A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS612332A JPS612332A JP12177384A JP12177384A JPS612332A JP S612332 A JPS612332 A JP S612332A JP 12177384 A JP12177384 A JP 12177384A JP 12177384 A JP12177384 A JP 12177384A JP S612332 A JPS612332 A JP S612332A
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- lead
- resin
- electrode
- package
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
- H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置の性能向上に適用して
有効な技術に関するものである。
有効な技術に関するものである。
半導体装置の多機能化に伴ないペレットサイズが大型化
する傾向にあるが、反面そのパッケージは小型化、薄型
化の傾向にある。
する傾向にあるが、反面そのパッケージは小型化、薄型
化の傾向にある。
ところで、樹脂封止型半導体装置は、通常、リードフレ
ームを用い、該リードフレームのほぼ中央に形成されて
いるタブへのペレット取付、該ペレ７）の電極と１１−
ド内端部との電気的接続等の組立を完了した後、該リー
ドの一部やペレット等をエポキシ樹脂等で封止すること
により、パッケージが形成されてなるものである。
ームを用い、該リードフレームのほぼ中央に形成されて
いるタブへのペレット取付、該ペレ７）の電極と１１−
ド内端部との電気的接続等の組立を完了した後、該リー
ドの一部やペレット等をエポキシ樹脂等で封止すること
により、パッケージが形成されてなるものである。
それ故に、樹脂封止型半導体装置の場合は、搭載するベ
レットの大きさかタブによって制限されることになる。
レットの大きさかタブによって制限されることになる。
しかし、ベレットとリードとの電気的接続を金等のワイ
ヤを用いて行なうためには、タブとリード内端との間に
所定の間隔を設けなげればならないので、タブの寸法を
大きくすることは困難である。
ヤを用いて行なうためには、タブとリード内端との間に
所定の間隔を設けなげればならないので、タブの寸法を
大きくすることは困難である。
また、パッケージの小型化の傾向は、その周囲パッケー
ジ樹脂に埋設されるリード部（内部リード）の長さをも
制限することになり、リード固定強度の低下によろリー
ドと樹脂との界面における剥れが生じ易くなり耐湿性上
も問題がある。
ジ樹脂に埋設されるリード部（内部リード）の長さをも
制限することになり、リード固定強度の低下によろリー
ドと樹脂との界面における剥れが生じ易くなり耐湿性上
も問題がある。
さらに、パッケージの薄型化の傾向は、水分等の腐食物
質がパッケージ樹脂を直接浸透して行く傾向を助長する
ため、ペレ−）トの電極等の耐湿性においても問題を投
じるものである。
質がパッケージ樹脂を直接浸透して行く傾向を助長する
ため、ペレ−）トの電極等の耐湿性においても問題を投
じるものである。
以上の問題は、いわゆるフラットパッケージ型等の肉厚
の薄い樹脂封止型半導体装置においては。
の薄い樹脂封止型半導体装置においては。
特に重要であることが本発明者により見い出された。
なお、ペレットとリードとの接続技術については、たと
えば工業調査会１９８０年１月１５日発行、１’ＩＣ化
実装技術上（日本マイクロエレクトロニクス協会編）、
ｐｌｏ１〜Ｐ１１３に示されている。
えば工業調査会１９８０年１月１５日発行、１’ＩＣ化
実装技術上（日本マイクロエレクトロニクス協会編）、
ｐｌｏ１〜Ｐ１１３に示されている。
本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の性能向上に適
用して有効な技術を提供することにある。
用して有効な技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、樹脂封止型半導体装置の信頼性向
上に適用して有効な技術を提供することにある。
上に適用して有効な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、リードフレームの内端部とこれに対応する位
置に形成されているペレットの電極とを接続し、その後
樹脂モールドによりノ（ツケージ形成し″″Ｃ樹脂封止
型半導体装置を形成することにより、タブを用いること
なくペレットを搭載することが家、きるごとより、大型
ベレットの搭載を可能にするものである。
置に形成されているペレットの電極とを接続し、その後
樹脂モールドによりノ（ツケージ形成し″″Ｃ樹脂封止
型半導体装置を形成することにより、タブを用いること
なくペレットを搭載することが家、きるごとより、大型
ベレットの搭載を可能にするものである。
また、ペレットとリードとの電気的接続を、ペレットの
電極とリード内端部とを直接して行なうことにより、大
型ベレットを搭載してもなお、パッケージ樹脂に埋設す
るリード部を十分な長さで確保できることより、該リー
ドと樹脂との界面における剥れを有効に防止することが
できるものである。
電極とリード内端部とを直接して行なうことにより、大
型ベレットを搭載してもなお、パッケージ樹脂に埋設す
るリード部を十分な長さで確保できることより、該リー
ドと樹脂との界面における剥れを有効に防止することが
できるものである。
第１図は１本発明による一実施例である樹脂封止型半導
体装置を、そのほぼ中心を切る面における断面図で示し
たものである。
体装置を、そのほぼ中心を切る面における断面図で示し
たものである。
本実施例の半導体装置は、ペレット１の電極と銅製のり
−ド２の内端部とを半田３で接着した後。
−ド２の内端部とを半田３で接着した後。
エポキシ樹脂４でパッケージがモールド形成されてなる
ものである。すなわち、通常ペレット取付を行なうタブ
を使用せず、また電気的接続をワイヤを介さずにリード
２とペレット１の電極とを直結して行なうことにより、
ペレット１の固定をも同時に行なうものである。
ものである。すなわち、通常ペレット取付を行なうタブ
を使用せず、また電気的接続をワイヤを介さずにリード
２とペレット１の電極とを直結して行なうことにより、
ペレット１の固定をも同時に行なうものである。
したがって、搭載するベレットサイズが、タブの大きさ
に制限されることがなく、またパッケージ樹脂４に埋設
されるリード部である内部リード２ａの長さを十分に確
保することが可能となるものである。
に制限されることがなく、またパッケージ樹脂４に埋設
されるリード部である内部リード２ａの長さを十分に確
保することが可能となるものである。
また１本実施例の半導体装置ではり一ド２の内端部近傍
を折り曲げてベレット接続部２ｂを一段低くすることに
より、ペレット１のダイシング面１ａの上部コーナーと
り−ド２との接触が起こり難い構造にして両者間のショ
ートを防止しているうなお、本実施例１の半導体装置は
、リード内端部近傍を第１図に示す如き形状にしたタブ
の無いリードフレームを用意し、また上面の所定位置に
半田からなるバンプ電極を備えているペレット１を用意
し、該バンプ電極と前記リードの接続部とを接触させた
状態で所定温度に加熱してペレットの取付と該ペレット
１とり−ド２との電気的接続を同時に行なった後、通常
の方法でパッケージのモールド形式および外部リードの
折曲等の成形を行なって容易に製造することができるも
のである。
を折り曲げてベレット接続部２ｂを一段低くすることに
より、ペレット１のダイシング面１ａの上部コーナーと
り−ド２との接触が起こり難い構造にして両者間のショ
ートを防止しているうなお、本実施例１の半導体装置は
、リード内端部近傍を第１図に示す如き形状にしたタブ
の無いリードフレームを用意し、また上面の所定位置に
半田からなるバンプ電極を備えているペレット１を用意
し、該バンプ電極と前記リードの接続部とを接触させた
状態で所定温度に加熱してペレットの取付と該ペレット
１とり−ド２との電気的接続を同時に行なった後、通常
の方法でパッケージのモールド形式および外部リードの
折曲等の成形を行なって容易に製造することができるも
のである。
第２図は、本実施例の半導体装置におけるペレット１と
り−ド２との接続状態の詳細を、第１図の概略部分拡大
図で示したものである。
り−ド２との接続状態の詳細を、第１図の概略部分拡大
図で示したものである。
本図においてシリコン単結晶等のベレット１上面にはア
ルミニウムからなる配線ちが形成され、該配線上には窒
化ケイ素からなるファイナルパッシベーション膜６が形
成され、線膜の所定位置には配線５を露出せしめた穿孔
部を介して該配線と接続している引出′電極７が形成さ
れている。この引出電極は、配線上にチタン、その上に
パラジウムを被着した２層で形成されている。
ルミニウムからなる配線ちが形成され、該配線上には窒
化ケイ素からなるファイナルパッシベーション膜６が形
成され、線膜の所定位置には配線５を露出せしめた穿孔
部を介して該配線と接続している引出′電極７が形成さ
れている。この引出電極は、配線上にチタン、その上に
パラジウムを被着した２層で形成されている。
一方、リード２の内端部である接続部２ｂには、銀から
半田接合層８が形成されている。
半田接合層８が形成されている。
前記ペレットの引出電極７とリードの接続部２ｂの半田
接合層８とを半田７で接着することにより、該ペレット
１とり−ド２との電気的接続とペレット１の固定とを同
時に行なうことができろものである。
接合層８とを半田７で接着することにより、該ペレット
１とり−ド２との電気的接続とペレット１の固定とを同
時に行なうことができろものである。
前記の如くペレット１の電極が耐食性の高い金属で形成
されているため、フラットパッケージ型等の薄型パッケ
ージの樹脂封止型半導体装置として形成する場合であっ
ても、極めて信頼性の高いものを形成できるものである
。
されているため、フラットパッケージ型等の薄型パッケ
ージの樹脂封止型半導体装置として形成する場合であっ
ても、極めて信頼性の高いものを形成できるものである
。
１、樹脂封止型半導体装置において、ペレットの電極部
をリード内端部に取り付けることにより、タブを用いる
ことなくペレット取付を行なうことができるとともにワ
イヤを用いることなくペレットとリードとの電気的接続
が可能になるので、大型のペレットを搭載することがで
きる。
をリード内端部に取り付けることにより、タブを用いる
ことなくペレット取付を行なうことができるとともにワ
イヤを用いることなくペレットとリードとの電気的接続
が可能になるので、大型のペレットを搭載することがで
きる。
２ ワイヤを使用せずにリードを延長せしめ″′Ｃ電気
的接続を行うことより、パッケージ樹脂へのリード埋設
部を延長することができるので、リードと樹脂との機械
的剥れを有効に防止できる。
的接続を行うことより、パッケージ樹脂へのリード埋設
部を延長することができるので、リードと樹脂との機械
的剥れを有効に防止できる。
３、 リード埋設部を延長することができることより、
リードと樹脂との界面を伝って水分等が浸透していく距
離を延長させることができるので、パッケージの耐湿性
を向上できる。
リードと樹脂との界面を伝って水分等が浸透していく距
離を延長させることができるので、パッケージの耐湿性
を向上できる。
４、前記（１）〜（３）Ｋより、大型ペレットを搭載し
℃なる信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を提供できる
。
℃なる信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を提供できる
。
５、ペレット電極を耐食性材料で形成することにより、
薄型パッケージからなる樹脂封止型半導体装置であって
も、耐湿性の高いものを提供できる。
薄型パッケージからなる樹脂封止型半導体装置であって
も、耐湿性の高いものを提供できる。
６、 リード内端部近傍を折り曲げることにより、該リ
ードとペレットコーナーとの間隔を拡げることができる
ので、両者間のショートを防止できる。
ードとペレットコーナーとの間隔を拡げることができる
ので、両者間のショートを防止できる。
７、 リードにペレットの電極部を直接取り付けること
より、ワイヤボンディング工程を廃止できるので、工程
数の削減が可能である。
より、ワイヤボンディング工程を廃止できるので、工程
数の削減が可能である。
８、電気的接続に金等のワイヤを使用しないことより、
コスト低減を達成できる。
コスト低減を達成できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが１本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが１本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、前記実施例ではリードが、比較的エポキシ樹
脂に近い熱膨張係数を有する銅からなるものを示したが
、他に鉄製のものであっても良く、また通常用いられる
４２−アロイ等の材料で形成されてなるものであっても
良いことは言うまでもない。
脂に近い熱膨張係数を有する銅からなるものを示したが
、他に鉄製のものであっても良く、また通常用いられる
４２−アロイ等の材料で形成されてなるものであっても
良いことは言うまでもない。
また、リードの形状も実施例のものに限るものではなく
、 リード内端部に形成され℃いる半田接続部も銀如限
るものでなく、スズまたは半田等の半田付性が良好なも
のであれば種々使用可能である。
、 リード内端部に形成され℃いる半田接続部も銀如限
るものでなく、スズまたは半田等の半田付性が良好なも
のであれば種々使用可能である。
さらに、ペレットの引出電極をチタン、その上にパラジ
ウムを被着してなる２層構造に限るものでなく、クロム
上に銅またはクロム上にニッケル等地の材料で形成した
ものであっても、また他の如何なるものであっても良い
。
ウムを被着してなる２層構造に限るものでなく、クロム
上に銅またはクロム上にニッケル等地の材料で形成した
ものであっても、また他の如何なるものであっても良い
。
なお、前記実施例においては、−の例しか示さなかった
が５本発明を適用することにより、ペレットサイズが異
なる複数のペレットであっても、ファイナルパッシベー
ション膜上に同一形状の電極を形成することにより、同
一のリードフレームを用いて、２種以上の半導体を容易
に製造することができる合理化をも達成できるものであ
る。
が５本発明を適用することにより、ペレットサイズが異
なる複数のペレットであっても、ファイナルパッシベー
ション膜上に同一形状の電極を形成することにより、同
一のリードフレームを用いて、２種以上の半導体を容易
に製造することができる合理化をも達成できるものであ
る。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である、いわゆるフラット
パッケージ型の樹脂封止型半導体装置に適用した場合に
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、た
とえば、いわゆるＤＩＰ型等の樹脂封止型の半導体装置
であれば如何なるものであっても有効に適用できるもの
である。
をその背景となった利用分野である、いわゆるフラット
パッケージ型の樹脂封止型半導体装置に適用した場合に
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、た
とえば、いわゆるＤＩＰ型等の樹脂封止型の半導体装置
であれば如何なるものであっても有効に適用できるもの
である。
第１図は、本発明による一実施例である樹脂封止型半導
体装置を示す断面図、 第２図は、本実施例の半導体装置を示す拡大部分断面図
である。 １・・ペレット、２・・・リード、２ａ・・・内部リー
ド、２ｂ・・接続部、３・・・半田、４・・・エポキシ
樹脂、５・・・配線、６・・・ファイナルパッシベーシ
ョン膜、７・・引出電極。 代理人 弁理士 高 橋 明 失 策 １ 図 ｂ 第 ２ 図
体装置を示す断面図、 第２図は、本実施例の半導体装置を示す拡大部分断面図
である。 １・・ペレット、２・・・リード、２ａ・・・内部リー
ド、２ｂ・・接続部、３・・・半田、４・・・エポキシ
樹脂、５・・・配線、６・・・ファイナルパッシベーシ
ョン膜、７・・引出電極。 代理人 弁理士 高 橋 明 失 策 １ 図 ｂ 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ペレットが電極でリード内端部に直結されてなる樹
脂封止型の半導体装置。 ２、電極とリード内端部とが半田を介して接続されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
装置。 ３、リード内端部近傍が折り曲げられてなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12177384A JPS612332A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12177384A JPS612332A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612332A true JPS612332A (ja) | 1986-01-08 |
Family
ID=14819526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12177384A Pending JPS612332A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0465143A2 (en) * | 1990-07-05 | 1992-01-08 | AT&T Corp. | Molded hybrid IC package and lead frame therefore |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP12177384A patent/JPS612332A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0465143A2 (en) * | 1990-07-05 | 1992-01-08 | AT&T Corp. | Molded hybrid IC package and lead frame therefore |
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